JPH06333810A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH06333810A JPH06333810A JP14872793A JP14872793A JPH06333810A JP H06333810 A JPH06333810 A JP H06333810A JP 14872793 A JP14872793 A JP 14872793A JP 14872793 A JP14872793 A JP 14872793A JP H06333810 A JPH06333810 A JP H06333810A
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- Japan
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- mounting table
- heat treatment
- substrate mounting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板載置台からの基板支持部材の抜け出しを
防止して、タクトタイムの短縮化およびスループットの
向上を図ることができる熱処理装置を提供する。 【構成】 抜け止め部材１８が、基板載置台４に設けら
れた孔１０に沿うように、基板載置台４に組み込まれ
る。そして、この孔１０にプロキシミティピン（基板支
持部材）１２が装着された状態で、加熱処理が行われる
と、温度上昇に伴って抜け止め部材１８が熱膨張し、そ
の一部がプロキシミティピン１２の一部（胴部１６）を
締め付けるように接触してプロキシミティピン１２の動
きを規制し、この結果、プロキシミティピン１２の孔１
０からの抜けが防止される。
防止して、タクトタイムの短縮化およびスループットの
向上を図ることができる熱処理装置を提供する。 【構成】 抜け止め部材１８が、基板載置台４に設けら
れた孔１０に沿うように、基板載置台４に組み込まれ
る。そして、この孔１０にプロキシミティピン（基板支
持部材）１２が装着された状態で、加熱処理が行われる
と、温度上昇に伴って抜け止め部材１８が熱膨張し、そ
の一部がプロキシミティピン１２の一部（胴部１６）を
締め付けるように接触してプロキシミティピン１２の動
きを規制し、この結果、プロキシミティピン１２の孔１
０からの抜けが防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶用角型ガラス基
板や半導体ウエハなどの基板（以下、単に「基板」とい
う）を加熱するための熱処理装置に関する。
板や半導体ウエハなどの基板（以下、単に「基板」とい
う）を加熱するための熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶製造工程のフォトリソグラフィー工
程において基板上にレジスト膜を塗布した後で、このレ
ジスト膜を硬化させたり、洗浄された基板を乾燥させる
などの目的から、従来より、この種の熱処理装置による
加熱処理が行われていた。
程において基板上にレジスト膜を塗布した後で、このレ
ジスト膜を硬化させたり、洗浄された基板を乾燥させる
などの目的から、従来より、この種の熱処理装置による
加熱処理が行われていた。
【０００３】このように基板を加熱処理する装置（熱処
理装置）としては、例えば吸着方式のものが知られてお
り、例えば、基板上に塗布された塗膜（例えばレジスト
膜）を乾燥させて、均一な膜厚を有する薄膜を形成する
ための装置がある。この熱処理装置では、加熱源として
機能する面発熱ヒータを有し、この面発熱ヒータ上に基
板載置台が設けられており、その基板載置台上に加熱処
理の対象となる基板を搭載して面発熱ヒータからの熱を
基板に与えて、塗膜を乾燥するようにしている。また、
面発熱ヒータおよび基板載置台には複数の吸着孔が設け
られており、これら吸着孔を介して基板載置台に搭載さ
れた基板の裏面側に吸引して、基板を基板載置台に密着
保持するようにしている。
理装置）としては、例えば吸着方式のものが知られてお
り、例えば、基板上に塗布された塗膜（例えばレジスト
膜）を乾燥させて、均一な膜厚を有する薄膜を形成する
ための装置がある。この熱処理装置では、加熱源として
機能する面発熱ヒータを有し、この面発熱ヒータ上に基
板載置台が設けられており、その基板載置台上に加熱処
理の対象となる基板を搭載して面発熱ヒータからの熱を
基板に与えて、塗膜を乾燥するようにしている。また、
面発熱ヒータおよび基板載置台には複数の吸着孔が設け
られており、これら吸着孔を介して基板載置台に搭載さ
れた基板の裏面側に吸引して、基板を基板載置台に密着
保持するようにしている。
【０００４】しかしながら、上記吸着方式の熱処理装置
では、基板を基板載置台に直接搭載するために、レジス
ト膜に吸着孔の跡が残るという問題や、熱処理後に基板
を基板載置台から搬出する際に剥離帯電が生じるという
問題などがあった。
では、基板を基板載置台に直接搭載するために、レジス
ト膜に吸着孔の跡が残るという問題や、熱処理後に基板
を基板載置台から搬出する際に剥離帯電が生じるという
問題などがあった。
【０００５】そこで、これらの問題を解消するために、
プロキシミティ方式の熱処理装置が提案されている。
プロキシミティ方式の熱処理装置が提案されている。
【０００６】図１１は、従来のプロキシミティ方式の熱
処理装置を示す部分断面図である。この熱処理装置は、
同図に示すように、面発熱ヒータ２の上面に金属製の基
板載置台４が配置される一方、下面にヒータ押えプレー
ト６が配置されている。また、基板載置台４の上面８に
複数の孔１０が形成されており、それらの孔１０に基板
Ｗを支持するための基板支持部材として機能するプロキ
シミティピン１２がそれぞれ着脱自在となっている。な
お、プロキシミティピン１２は、低熱伝導性や加工性な
どの見地から、従来よりステンレス鋼や樹脂などで形成
されていた。
処理装置を示す部分断面図である。この熱処理装置は、
同図に示すように、面発熱ヒータ２の上面に金属製の基
板載置台４が配置される一方、下面にヒータ押えプレー
ト６が配置されている。また、基板載置台４の上面８に
複数の孔１０が形成されており、それらの孔１０に基板
Ｗを支持するための基板支持部材として機能するプロキ
シミティピン１２がそれぞれ着脱自在となっている。な
お、プロキシミティピン１２は、低熱伝導性や加工性な
どの見地から、従来よりステンレス鋼や樹脂などで形成
されていた。
【０００７】したがって、プロキシミティピン１２を孔
１０に装着すると、同図に示すように、基板載置台４の
上面８から上方にプロキシミティピン１２の頭部１４が
突出した状態となる。そして、頭部１４上に基板Ｗを搭
載すると、基板Ｗは基板載置台４から所定間隔（例え
ば、１ｍｍ）だけ上方に位置決めされる。この状態で、
面発熱ヒータ２に通電すると、面発熱ヒータ２が発熱
し、その熱が基板載置台４および基板載置台４と基板Ｗ
との間の空気層を介して基板Ｗに与えられ、基板Ｗが間
接的に加熱処理される。
１０に装着すると、同図に示すように、基板載置台４の
上面８から上方にプロキシミティピン１２の頭部１４が
突出した状態となる。そして、頭部１４上に基板Ｗを搭
載すると、基板Ｗは基板載置台４から所定間隔（例え
ば、１ｍｍ）だけ上方に位置決めされる。この状態で、
面発熱ヒータ２に通電すると、面発熱ヒータ２が発熱
し、その熱が基板載置台４および基板載置台４と基板Ｗ
との間の空気層を介して基板Ｗに与えられ、基板Ｗが間
接的に加熱処理される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の熱処
理装置では、プロキシミティピン１２の着脱が容易とな
るように、孔１０の内径がプロキシミティピン１２の胴
部１６の外径よりも大きくなっており、孔１０の内周面
とプロキシミティピン１２との間に隙間が設けられてい
る。このようにプロキシミティピン１２を着脱容易とし
た理由は、必要に応じて、熱処理装置を吸着方式からプ
ロキシミティ方式に、あるいはプロキシミティ方式から
吸着方式に変更する必要があり、また、処理基板サイズ
や処理内容などによりプロキシミティピン１２の配置を
変更する必要などからである。
理装置では、プロキシミティピン１２の着脱が容易とな
るように、孔１０の内径がプロキシミティピン１２の胴
部１６の外径よりも大きくなっており、孔１０の内周面
とプロキシミティピン１２との間に隙間が設けられてい
る。このようにプロキシミティピン１２を着脱容易とし
た理由は、必要に応じて、熱処理装置を吸着方式からプ
ロキシミティ方式に、あるいはプロキシミティ方式から
吸着方式に変更する必要があり、また、処理基板サイズ
や処理内容などによりプロキシミティピン１２の配置を
変更する必要などからである。
【０００９】しかしながら、前工程から搬送されてきた
基板Ｗが帯電していることがあるため、次のような問題
が生じることがある。すなわち、帯電した基板Ｗをプロ
キシミティピン１２上に搭載すると、基板Ｗがプロキシ
ミティピン１２と静電吸着してしまい、熱処理後、次の
工程に熱処理済み基板Ｗを搬出する際に、プロキシミテ
ィピン１２が孔１０から抜け出てしまうことがある。こ
のような場合、基板Ｗの搬送を中止しなければならず、
熱処理装置を停止させる必要が生じる。また、次の処理
工程でも同様に、処理をすべき熱処理済み基板Ｗが搬送
されてこないため、処理を停止しなければならなくな
る。その結果、熱処理のタクトタイムが長くなり、また
スループットも低下してしまう。
基板Ｗが帯電していることがあるため、次のような問題
が生じることがある。すなわち、帯電した基板Ｗをプロ
キシミティピン１２上に搭載すると、基板Ｗがプロキシ
ミティピン１２と静電吸着してしまい、熱処理後、次の
工程に熱処理済み基板Ｗを搬出する際に、プロキシミテ
ィピン１２が孔１０から抜け出てしまうことがある。こ
のような場合、基板Ｗの搬送を中止しなければならず、
熱処理装置を停止させる必要が生じる。また、次の処理
工程でも同様に、処理をすべき熱処理済み基板Ｗが搬送
されてこないため、処理を停止しなければならなくな
る。その結果、熱処理のタクトタイムが長くなり、また
スループットも低下してしまう。
【００１０】この発明は、上記課題を解消するためにな
されたもので、基板載置台からの基板支持部材（プロキ
シミティピン）の抜け出しを防止して、タクトタイムの
短縮化およびスループットの向上を図ることができる熱
処理装置を提供することを目的とする。
されたもので、基板載置台からの基板支持部材（プロキ
シミティピン）の抜け出しを防止して、タクトタイムの
短縮化およびスループットの向上を図ることができる熱
処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するため、加熱源と、前記加熱源上に配置さ
れ、その上面側に複数の孔を有する基板載置台と、前記
基板載置台に設けられた各孔に着脱自在であり、前記孔
に装着された状態で、その頭部が前記基板搭載台の上面
から突出し、熱処理対象となる基板を前記基板載置台か
ら所定間隔だけ離れた上方位置で支持する基板支持部材
と、各孔の少なくとも一部に沿うように前記基板載置台
に組み込まれ、温度上昇に伴って変形し、その一部が前
記孔に装着された前記基板支持部材に接触して前記基板
支持部材の動きを規制する抜け止め部材とを備えてい
る。
目的を達成するため、加熱源と、前記加熱源上に配置さ
れ、その上面側に複数の孔を有する基板載置台と、前記
基板載置台に設けられた各孔に着脱自在であり、前記孔
に装着された状態で、その頭部が前記基板搭載台の上面
から突出し、熱処理対象となる基板を前記基板載置台か
ら所定間隔だけ離れた上方位置で支持する基板支持部材
と、各孔の少なくとも一部に沿うように前記基板載置台
に組み込まれ、温度上昇に伴って変形し、その一部が前
記孔に装着された前記基板支持部材に接触して前記基板
支持部材の動きを規制する抜け止め部材とを備えてい
る。
【００１２】請求項２の発明は、前記抜け止め部材を、
前記基板載置台を構成する材料の熱膨張率よりも大きな
熱膨張率を有する材料で構成している。
前記基板載置台を構成する材料の熱膨張率よりも大きな
熱膨張率を有する材料で構成している。
【００１３】請求項３の発明は、前記抜け止め部材を、
形状記憶材料で構成し、加熱状態で前記基板支持部材と
接触する形状に仕上げられている。
形状記憶材料で構成し、加熱状態で前記基板支持部材と
接触する形状に仕上げられている。
【００１４】請求項４の発明は、温度上昇とともに前記
抜け止め部材を変形させて、前記頭部から下方に伸び、
前記孔に挿通自在な形状に仕上げられた胴部を締め付け
るようにしている。
抜け止め部材を変形させて、前記頭部から下方に伸び、
前記孔に挿通自在な形状に仕上げられた胴部を締め付け
るようにしている。
【００１５】
【作用】この発明では、抜け止め部材が、基板載置台に
設けられた孔の少なくとも一部に沿うように、前記基板
載置台に組み込まれる。そして、この孔に基板支持部材
が装着された状態で、加熱処理が行われると、温度上昇
に伴って前記抜け止め部材が変形し、その一部が前記基
板支持部材に接触して前記基板支持部材の動きを規制す
る。このため、前記基板支持部材の前記孔からの抜けが
防止される。
設けられた孔の少なくとも一部に沿うように、前記基板
載置台に組み込まれる。そして、この孔に基板支持部材
が装着された状態で、加熱処理が行われると、温度上昇
に伴って前記抜け止め部材が変形し、その一部が前記基
板支持部材に接触して前記基板支持部材の動きを規制す
る。このため、前記基板支持部材の前記孔からの抜けが
防止される。
【００１６】
【実施例】図１は、この発明のかかる熱処理装置の第１
実施例を示す部分断面図である。この発明にかかる熱処
理装置が従来例（図１１）と大きく相違点は、同図に示
すように、孔１０の一部（下方側）に沿うように基板載
置台４に組込スペースが設けられ、その組込スペースに
抜け止め部材１８が圧入されている点であり、室温で
は、上記のように吸着方式への変更などの目的からプロ
キシミティピン１２を孔１０に着脱自在となっている。
すなわち、プロキシミティピン１２を孔１０に装着した
状態で、プロキシミティピン１２の胴部１６と、孔１０
の内周面および抜け止め部材１８との間に、ほぼ同程度
の隙間部２０，２２がそれぞれ形成されるようになって
いる。
実施例を示す部分断面図である。この発明にかかる熱処
理装置が従来例（図１１）と大きく相違点は、同図に示
すように、孔１０の一部（下方側）に沿うように基板載
置台４に組込スペースが設けられ、その組込スペースに
抜け止め部材１８が圧入されている点であり、室温で
は、上記のように吸着方式への変更などの目的からプロ
キシミティピン１２を孔１０に着脱自在となっている。
すなわち、プロキシミティピン１２を孔１０に装着した
状態で、プロキシミティピン１２の胴部１６と、孔１０
の内周面および抜け止め部材１８との間に、ほぼ同程度
の隙間部２０，２２がそれぞれ形成されるようになって
いる。
【００１７】また、この抜け止め部材１８は、基板載置
台４を構成する材料の熱膨張率よりも大きな熱膨張率を
有する材料で構成されている。例えば、基板載置台４を
アルミニュームで構成した場合には、抜け止め部材１８
を耐熱性樹脂で構成することができる。この組み合わせ
以外に、基板載置台４を銅系材料や鉄鋼材料で構成する
一方、抜け止め部材１８をアルミニュームで構成するこ
とができる。
台４を構成する材料の熱膨張率よりも大きな熱膨張率を
有する材料で構成されている。例えば、基板載置台４を
アルミニュームで構成した場合には、抜け止め部材１８
を耐熱性樹脂で構成することができる。この組み合わせ
以外に、基板載置台４を銅系材料や鉄鋼材料で構成する
一方、抜け止め部材１８をアルミニュームで構成するこ
とができる。
【００１８】この実施例では、このように熱膨張率が異
なる材料によって基板載置台４および抜け止め部材１８
をそれぞれ形成しているため、基板Ｗの加熱処理により
温度が上昇すると、特に抜け止め部材１８が大きく膨張
し、隙間部２２がなくなり、抜け止め部材１８がプロキ
シミティピン１２を締め付けるように胴部１６に接触す
る。こうして、抜け止め部材１８によりプロキシミティ
ピン１２の一部が締め付けられると、プロキシミティピ
ン１２の動きが規制され、たとえ帯電した基板Ｗをプロ
キシミティピン１２の頭部１４に搭載し、さらに熱処理
後その基板Ｗを搬出する場合であっても、上記規制によ
って孔１０からのプロキシミティピン１２の抜けを有効
に防止することができる。その結果、上記不都合の発生
がなくなり、連続して熱処理を行うことができ、タクト
タイムの短縮化およびスループットの向上を図ることが
できる。
なる材料によって基板載置台４および抜け止め部材１８
をそれぞれ形成しているため、基板Ｗの加熱処理により
温度が上昇すると、特に抜け止め部材１８が大きく膨張
し、隙間部２２がなくなり、抜け止め部材１８がプロキ
シミティピン１２を締め付けるように胴部１６に接触す
る。こうして、抜け止め部材１８によりプロキシミティ
ピン１２の一部が締め付けられると、プロキシミティピ
ン１２の動きが規制され、たとえ帯電した基板Ｗをプロ
キシミティピン１２の頭部１４に搭載し、さらに熱処理
後その基板Ｗを搬出する場合であっても、上記規制によ
って孔１０からのプロキシミティピン１２の抜けを有効
に防止することができる。その結果、上記不都合の発生
がなくなり、連続して熱処理を行うことができ、タクト
タイムの短縮化およびスループットの向上を図ることが
できる。
【００１９】なお、室温程度にまで冷却すると、抜け止
め部材１８は収縮し、図２に示す状態（抜け止め部材１
８がプロキシミティピン１２を締め付けた状態）から元
の状態（図１）に戻り、プロキシミティピン１２の着脱
可能となる。
め部材１８は収縮し、図２に示す状態（抜け止め部材１
８がプロキシミティピン１２を締め付けた状態）から元
の状態（図１）に戻り、プロキシミティピン１２の着脱
可能となる。
【００２０】図３は、この発明にかかる熱処理装置の第
２実施例を示す部分断面図である。この実施例では、基
板載置台４に設けられた組込スペース２４に形状記憶合
金や形状記憶樹脂などの形状記憶材料からなる抜け止め
部材１８が取り付けられている。この形状記憶材料は、
従来より周知のように、温度変化により形状が可逆的に
変化するという性質を有している。したがって、室温お
よび高温（加熱処理温度程度）での抜け止め部材１８の
形状をそれぞれ調整することにより、上記実施例と同様
の効果が得られる。
２実施例を示す部分断面図である。この実施例では、基
板載置台４に設けられた組込スペース２４に形状記憶合
金や形状記憶樹脂などの形状記憶材料からなる抜け止め
部材１８が取り付けられている。この形状記憶材料は、
従来より周知のように、温度変化により形状が可逆的に
変化するという性質を有している。したがって、室温お
よび高温（加熱処理温度程度）での抜け止め部材１８の
形状をそれぞれ調整することにより、上記実施例と同様
の効果が得られる。
【００２１】例えば、室温では、図３に示すように、孔
１０に装着されたプロキシミティピン１２との間に隙間
部２２が生じるような形状に仕上げることにより、プロ
キシミティピン１２の着脱が可能となる。一方、高温で
は、図４に示すように、抜け止め部材１８の一部がプロ
キシミティピン１２を締め付けるようにプロキシミティ
ピン１２の胴部１６と接触するように調整すると、抜け
止め部材１８によってプロキシミティピン１２の動きが
規制され、孔１０からのプロキシミティピン１２の抜け
を効果的に防止することができる。
１０に装着されたプロキシミティピン１２との間に隙間
部２２が生じるような形状に仕上げることにより、プロ
キシミティピン１２の着脱が可能となる。一方、高温で
は、図４に示すように、抜け止め部材１８の一部がプロ
キシミティピン１２を締め付けるようにプロキシミティ
ピン１２の胴部１６と接触するように調整すると、抜け
止め部材１８によってプロキシミティピン１２の動きが
規制され、孔１０からのプロキシミティピン１２の抜け
を効果的に防止することができる。
【００２２】図５は、この発明にかかる熱処理装置の第
３実施例を示す部分断面図である。この実施例では、室
温状態においても、金属あるいは樹脂製の抜け止め部材
１８の一部がプロキシミティピン１２と接触し、「しま
りばめ」状態にあり、プロキシミティピン１２と抜け止
め部材１８との間に隙間部２２が生じないようにしてい
る。もちろん、加熱処理時の温度上昇により抜け止め部
材１８は熱膨張して、プロキシミティピン１２をさらに
強い力で締め付け、プロキシミティピン１２の抜けを防
止する。
３実施例を示す部分断面図である。この実施例では、室
温状態においても、金属あるいは樹脂製の抜け止め部材
１８の一部がプロキシミティピン１２と接触し、「しま
りばめ」状態にあり、プロキシミティピン１２と抜け止
め部材１８との間に隙間部２２が生じないようにしてい
る。もちろん、加熱処理時の温度上昇により抜け止め部
材１８は熱膨張して、プロキシミティピン１２をさらに
強い力で締め付け、プロキシミティピン１２の抜けを防
止する。
【００２３】なお、この実施例では、抜け止め部材１８
の一部に凹部２６を形成し、孔１０に装着されたプロキ
シミティピン１２の下方端１６ａが凹部２６から下方に
向けて突出するようにしている。したがって、常温状態
ではプロキシミティピン１２は「しまりばめ」状態にあ
るが、基板載置台４の裏面側（同図の下方側）から突出
したプロキシミティピン１２の下方端１６ａを上方（同
図の矢印方向Ｐ）に押すことにより、容易にプロキシミ
ティピン１２を孔１０から押し出すことができる。
の一部に凹部２６を形成し、孔１０に装着されたプロキ
シミティピン１２の下方端１６ａが凹部２６から下方に
向けて突出するようにしている。したがって、常温状態
ではプロキシミティピン１２は「しまりばめ」状態にあ
るが、基板載置台４の裏面側（同図の下方側）から突出
したプロキシミティピン１２の下方端１６ａを上方（同
図の矢印方向Ｐ）に押すことにより、容易にプロキシミ
ティピン１２を孔１０から押し出すことができる。
【００２４】図６は、この発明にかかる熱処理装置の第
４実施例を示す部分断面図である。この第４実施例が第
１実施例（図１）と相違する点は、抜け止め部材１８の
うちプロキシミティピン１２と接触する側がテーパ状に
仕上げられている点であり、その他の構成は同一であ
る。
４実施例を示す部分断面図である。この第４実施例が第
１実施例（図１）と相違する点は、抜け止め部材１８の
うちプロキシミティピン１２と接触する側がテーパ状に
仕上げられている点であり、その他の構成は同一であ
る。
【００２５】この実施例のように抜け止め部材１８にテ
ーパ部１８ａを設けると、温度上昇により抜け止め部材
１８が熱膨張した場合、プロキシミティピン１２と接触
する面積が第１実施例のそれより小さくなる。このた
め、第１実施例のように面全体でプロキシミティピン１
２を締め付ける場合には、その面精度を一定以上に加工
する必要があるのに対し、第４実施例の場合には加工が
容易となり、締付精度を向上させることができる。
ーパ部１８ａを設けると、温度上昇により抜け止め部材
１８が熱膨張した場合、プロキシミティピン１２と接触
する面積が第１実施例のそれより小さくなる。このた
め、第１実施例のように面全体でプロキシミティピン１
２を締め付ける場合には、その面精度を一定以上に加工
する必要があるのに対し、第４実施例の場合には加工が
容易となり、締付精度を向上させることができる。
【００２６】図７は、この発明にかかる熱処理装置の第
５実施例を示す部分断面図である。この実施例の基本構
成は、抜け止め部材１８の構成を除いて、第２実施例
（図３）とほぼ同一である。すなわち、基板載置台４に
設けられた組込スペース２４に熱膨張率の異なる２つの
材料２８，３０をはり合わせたバイメタルからなる抜け
止め部材１８が取り付けられている。バイメタルは、従
来より周知のように、温度変化により形状が可逆的に変
化するという性質を有しており、この性質を利用するこ
とで、上記実施例と同様に、孔１０からのプロキシミテ
ィピン１２の抜けを効果的に防止している。
５実施例を示す部分断面図である。この実施例の基本構
成は、抜け止め部材１８の構成を除いて、第２実施例
（図３）とほぼ同一である。すなわち、基板載置台４に
設けられた組込スペース２４に熱膨張率の異なる２つの
材料２８，３０をはり合わせたバイメタルからなる抜け
止め部材１８が取り付けられている。バイメタルは、従
来より周知のように、温度変化により形状が可逆的に変
化するという性質を有しており、この性質を利用するこ
とで、上記実施例と同様に、孔１０からのプロキシミテ
ィピン１２の抜けを効果的に防止している。
【００２７】すなわち、例えば、室温では、図７に示す
ように、孔１０に装着されたプロキシミティピン１２と
の間に隙間部２２が生じるような設定することで、プロ
キシミティピン１２の着脱が可能となる。一方、高温で
は、図８に示すように、抜け止め部材１８の一部がプロ
キシミティピン１２を締め付けるようにプロキシミティ
ピン１２の胴部１６と接触するように調整すると、抜け
止め部材１８によってプロキシミティピン１２の動きが
規制され、孔１０からのプロキシミティピン１２の抜け
を効果的に防止することができる。
ように、孔１０に装着されたプロキシミティピン１２と
の間に隙間部２２が生じるような設定することで、プロ
キシミティピン１２の着脱が可能となる。一方、高温で
は、図８に示すように、抜け止め部材１８の一部がプロ
キシミティピン１２を締め付けるようにプロキシミティ
ピン１２の胴部１６と接触するように調整すると、抜け
止め部材１８によってプロキシミティピン１２の動きが
規制され、孔１０からのプロキシミティピン１２の抜け
を効果的に防止することができる。
【００２８】なお、上記実施例では、各孔１０に１つの
抜け止め部材１８を配置して、孔１０からのプロキシミ
ティピン１２の抜けを防止するようにしているが、複
数、例えば図９に示すように３つの孔１０ごとに、１つ
の抜け止め部材１８を配置するようにしてもよい。ま
た、抜け止め部材１８を複数分割、例えば図１０に示す
ように２分割された部材３２，３２で構成するようにし
てもよい。
抜け止め部材１８を配置して、孔１０からのプロキシミ
ティピン１２の抜けを防止するようにしているが、複
数、例えば図９に示すように３つの孔１０ごとに、１つ
の抜け止め部材１８を配置するようにしてもよい。ま
た、抜け止め部材１８を複数分割、例えば図１０に示す
ように２分割された部材３２，３２で構成するようにし
てもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、温度
上昇に伴って変形する抜け止め部材を基板載置台に設け
られた孔の少なくとも一部に沿うように前記基板載置台
に組み込み、温度上昇によって前記抜け止め部材を変形
させ、その一部が前記孔に装着された前記基板支持部材
に接触して前記基板支持部材の動きを規制するようにし
ているので、前記基板支持部材の孔からの抜け出しを効
果的に防止することができ、その結果、熱処理装置のタ
クトタイムの短縮化およびスループットの向上を図るこ
とができる。
上昇に伴って変形する抜け止め部材を基板載置台に設け
られた孔の少なくとも一部に沿うように前記基板載置台
に組み込み、温度上昇によって前記抜け止め部材を変形
させ、その一部が前記孔に装着された前記基板支持部材
に接触して前記基板支持部材の動きを規制するようにし
ているので、前記基板支持部材の孔からの抜け出しを効
果的に防止することができ、その結果、熱処理装置のタ
クトタイムの短縮化およびスループットの向上を図るこ
とができる。
【図１】この発明にかかる熱処理装置の第１実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図２】この発明にかかる熱処理装置の第１実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図３】この発明にかかる熱処理装置の第２実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図４】この発明にかかる熱処理装置の第２実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図５】この発明にかかる熱処理装置の第３実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図６】この発明にかかる熱処理装置の第４実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図７】この発明にかかる熱処理装置の第５実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図８】この発明にかかる熱処理装置の第５実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図９】この発明にかかる熱処理装置の他の実施例を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図１０】この発明にかかる熱処理装置の別の実施例を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図１１】従来の熱処理装置を示す部分断面図である。
２ 面発熱ヒータ（加熱源） ４ 基板載置台 １２ プロキシミティピン（基板支持部材） １８ 抜け止め部材
Claims (4)
- 【請求項１】 加熱源と、 前記加熱源上に配置され、その上面側に複数の孔を有す
る基板載置台と、 前記基板載置台に設けられた各孔に着脱自在であり、前
記孔に装着された状態で、その頭部が前記基板搭載台の
上面から突出し、熱処理対象となる基板を前記基板載置
台から所定間隔だけ離れた上方位置で支持する基板支持
部材と、 各孔の少なくとも一部に沿うように前記基板載置台に組
み込まれ、温度上昇に伴って変形し、その一部が前記孔
に装着された前記基板支持部材に接触して前記基板支持
部材の動きを規制する抜け止め部材とを備えたことを特
徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記抜け止め部材が、前記基板載置台を
構成する材料の熱膨張率よりも大きな熱膨張率を有する
材料からなる請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 前記抜け止め部材が、形状記憶材料から
なり、加熱状態で前記基板支持部材と接触する形状に仕
上げられた請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項４】 前記基板支持部材は、前記頭部から下方
に伸び、前記孔に挿通自在な形状に仕上げられた胴部を
備えており、温度上昇とともに前記抜け止め部材が変形
して、前記胴部を締め付ける請求項１記載の熱処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14872793A JPH06333810A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14872793A JPH06333810A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333810A true JPH06333810A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15459267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14872793A Pending JPH06333810A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333810A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11283909A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
| WO2001045160A1 (fr) * | 1999-12-14 | 2001-06-21 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif de chauffe en ceramique et broche de support |
| KR20020096524A (ko) * | 2001-06-20 | 2002-12-31 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치 제조용 공정챔버의 웨이퍼 안착 구조 |
| DE10108066B4 (de) * | 2001-02-20 | 2007-04-12 | Promos Technologies, Inc. | Abstandsstück zum Halten eines Wafers und Verfahren und Anordnung zum Ausheizen eines Wafers |
| JP2009186662A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 基板保持具および基板閃光照射方法 |
| KR20220060026A (ko) * | 2020-11-02 | 2022-05-11 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛 및 기판 처리 장치 |
-
1993
- 1993-05-26 JP JP14872793A patent/JPH06333810A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11283909A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
| WO2001045160A1 (fr) * | 1999-12-14 | 2001-06-21 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif de chauffe en ceramique et broche de support |
| DE10108066B4 (de) * | 2001-02-20 | 2007-04-12 | Promos Technologies, Inc. | Abstandsstück zum Halten eines Wafers und Verfahren und Anordnung zum Ausheizen eines Wafers |
| KR20020096524A (ko) * | 2001-06-20 | 2002-12-31 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치 제조용 공정챔버의 웨이퍼 안착 구조 |
| JP2009186662A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 基板保持具および基板閃光照射方法 |
| KR20220060026A (ko) * | 2020-11-02 | 2022-05-11 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛 및 기판 처리 장치 |
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