JP2000260677A - 基板温度制御装置 - Google Patents

基板温度制御装置

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JP2000260677A
JP2000260677A JP11057992A JP5799299A JP2000260677A JP 2000260677 A JP2000260677 A JP 2000260677A JP 11057992 A JP11057992 A JP 11057992A JP 5799299 A JP5799299 A JP 5799299A JP 2000260677 A JP2000260677 A JP 2000260677A
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temperature control
control plate
plate
substrate
positioning
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Toshio Yoshimitsu
利男 吉光
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Komatsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 本発明の課題は、基板の加熱/冷却時における温調プレ
ートの変形を伴うことなく、上記温調プレートを所定位
置に占位させることの可能な基板温度制御装置を提供す
ることにある。本発明の基板温度制御装置1は、温調プ
レート2を水平方向に展開する姿勢で支持するとともに
水平方向へ移動自在に支持する上下方向支持手段10
と、温調プレート2に設けられて該温調プレート2の径
方向に延びる長孔21aを有する位置決めプレート21
と、チャンバー3のベース(支持台)3Aに設けられて位
置決めプレート21の長孔21aに嵌合する位置決めピ
ン22と、温調プレート2を該温調プレート2の中心方
向へ付勢するスプリングプランジャ23とを備え、温調
プレート2における外周域の少なくとも2箇所以上に、
互いに等しい中心角を有して配設された水平方向支持手
段20とを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、円盤状を呈する温
調プレートを支持台に設置して成る基板温度制御装置に
関し、詳しくは支持台に対する温調プレートの支持構造
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体ウェハやLCD(液晶表
示ディスプレイ)基板等の製造工程では、基板の表面に
塗布したフォトレジスト膜(感光膜)に残存する溶剤を除
去すべく、上記基板を加熱するベーキング処理工程や、
加熱された基板を室温レベルにまで冷却するためのクー
リング処理工程を含んでおり、図10に示す如く、上述
した基板の製造工程において使用される基板温度制御装
置Aは、載置された基板(図示せず)を加熱/冷却するた
めの温調プレートBを、チャンバーCの内部に設置する
ことによって構成されている。
【0003】この基板温度制御装置Aの温調プレートB
は、アルミニウムや銅等の高熱伝導性材料により形成さ
れた基台Baと、この基台Baの上面に設置した薄膜ヒ
ータBbとを具備しており、この薄膜ヒータHへの通電
のON/OFFによって、基板を加熱/冷却するよう構
成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した基
板温度制御装置Aでは、温調プレートBを貫通するサセ
プターピン(図示せず)との干渉を防止する等の目的か
ら、温調プレートBをチャンバーCのベース(支持台)C
aに対する所定位置に、例えばベースCaのボスCb,
Cbにボルト止めする等して固定設置している。
【0005】しかし、チャンバーCに温調プレートBを
固定設置した構成では、基板に対する加熱/冷却時の膨
張/収縮に伴う熱応力によって温調プレートBが変形
し、これにより基板に対する均一な加熱/冷却が困難と
なるばかりでなく、温調プレートB延いては基板温度制
御装置Aの損傷を招く不都合があった。
【0006】本発明は上記実状に鑑みて、基板の加熱/
冷却時における温調プレートの変形を伴うことなく、上
記温調プレートを所定位置に占位させることの可能な基
板温度制御装置の提供を目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段および効果】上記目的を達
成するべく、請求項1の発明に関わる基板温度制御装置
は、円盤状を呈する温調プレートを支持台に設置して成
る基板温度制御装置であって、温調プレートを水平方向
に展開する姿勢で支持するとともに水平方向へ移動自在
に支持する上下方向支持手段と、温調プレートおよび支
持台の一方に設けられ温調プレートの径方向に延びる長
孔を有する位置決めプレートと、温調プレートおよび支
持台の他方に設けられ位置決めプレートの長孔に嵌合す
る位置決めピンと、温調プレートを該温調プレートの中
心方向へ付勢するスプリングプランジャとを備え、温調
プレートにおける外周域の少なくとも2箇所以上に、互
いに等しい中心角を有して配設された水平方向支持手段
とを具備している。上記構成によれば、温調プレートを
上下方向支持手段により支持したことで、基板の加熱/
冷却時における温調プレートの膨張/収縮が解放され、
かつ温調プレートを水平方向支持手段により支持したこ
とで、支持台に対する温調プレートの水平移動および回
転移動が規制されることとなり、もって基板の加熱/冷
却時における温調プレートの変形を伴うことなく、温調
プレートを所定位置に占位させることが可能となる。
【0008】請求項2の発明に関わる基板温度制御装置
は、円盤状を呈する温調プレートを支持台に設置して成
る基板温度制御装置であって、温調プレートを水平方向
に展開する姿勢で支持するとともに水平方向へ移動自在
に支持する上下方向支持手段と、温調プレートおよび支
持台の一方に設けられ温調プレートの径方向に延びる長
孔を有する位置決めプレートと、温調プレートおよび支
持台の他方に設けられ位置決めプレートの長孔に嵌合す
る位置決めピンとを備え、温調プレートにおける外周域
の少なくとも3箇所以上に、互いに等しい中心角を有し
て配設された水平方向支持手段とを具備している。上記
構成によれば、温調プレートを上下方向支持手段により
支持したことで、基板の加熱/冷却時における温調プレ
ートの膨張/収縮が解放され、かつ温調プレートを水平
方向支持手段により支持したことで、支持台に対する温
調プレートの水平移動および回転移動が規制されること
となり、もって基板の加熱/冷却時における温調プレー
トの変形を伴うことなく、温調プレートを所定位置に占
位させることが可能となる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、実施例を示す図面に基づい
て、本発明を詳細に説明する。図1〜図6は、半導体ウ
ェハ等の基板を製造する際に、基板を加熱するベーキン
グ処理工程や、加熱された基板を室温レベルにまで冷却
するクーリング処理工程を実施するための基板温度制御
装置を、請求項1の発明に関わる基板温度制御装置によ
って構成した例を示すものである。
【0010】図1および図2に示す如く、請求項1の発
明に関わる基板温度制御装置1は、載置した基板(図示
せず)を加熱/冷却するための温調プレート2と、該温
調プレート2を収容するチャンバー3とを具備し、上記
温調プレート2はチャンバー3のベース(支持台)3A
に、後述する上下方向支持手段10および一対の水平方
向支持手段20,20によって支持されている。
【0011】ここで、上記温調プレート2は、アルミニ
ウム等の高熱伝導性材料によって形成された円盤状の基
台2Aと、この基台2Aの上面に設けた薄膜ヒータ2B
とを具備しており、この薄膜ヒータ2Bへの通電のON
/OFF、および基台2Aの内部に設けられた流路(図
示せず)への冷却流体の循環供給によって、基板を加熱
/冷却するよう構成されている。
【0012】一方、上記チャンバー3におけるベース3
Aの底板3Aaには、1本の固定ピン11と2本の可動
ピン12,12とが、三角形の頂点に位置する態様で取
り付けられており、これら固定ピン11および可動ピン
12,12によって上下方向支持手段10が構成されて
いる。
【0013】固定ピン11は底板3Aaに対して固定設
置されている一方、各可動ピン12は底板3Aaに対し
て上下方向へ螺進自在に螺合し、かつ止めナット13に
よって底板3Aaに固定されるよう構成されている。
【0014】さらに、固定ピン11の上端部、および各
可動ピン12の上端部には、摩擦係数の小さいセラミッ
クや樹脂材料から成るベアリング材11p、およびベア
リング材12pが設けられている。
【0015】これら1本の固定ピン11と2本の可動ピ
ン12,12とに、上述した温調プレート2が載置され
ており、2本の可動ピン12,12の高さを調整するこ
とによって、温調プレート2は水平方向に展開する姿勢
で支持され、かつ各ベアリング材11p,12p,12
pを介して水平方向へ移動自在に支持されている。
【0016】一方、温調プレート2の基台2Aには、流
路(図示せず)に冷却流体を供給/排出する配管(図示
せず)を接続するためのフランジ2Aa,2Aaが、中
心点を挟んで対象位置に形成されており、これらフラン
ジ2Aa,2Aaには、それぞれ位置決めプレート2
1,21が固設されている。
【0017】上記位置決めプレート21,21は、基台
2Aの中心点を挟んだ対象位置、すなわち互いに等しい
180°の中心角を有して配設されており、個々の位置
決めプレート21には、図3〜図5に示す如く温調プレ
ート2の径方向に延びる長孔21aが形成されている。
【0018】一方、チャンバー3のベース3Aには、図
1および図2に示す如く、上述した各位置決めプレート
21,21に近接して、ブラケット20B,20Bが立
設されており、各ブラケット20B,20Bには、図3
〜図5に示す如く位置決めプレート21の長孔21aに
嵌合するピン22が固設されている。
【0019】ここで、長孔21aにピン22が嵌合した
位置決めプレート21、すなわち位置決めプレート21
の固設された温調プレート2は、長孔21aの長手方向
へ移動し得る反面、長孔21aの長手方向と直交する方
向へは移動し得ない。
【0020】上記各ブラケット20B,20Bには、そ
れぞれスプリングプランジャ23,23が設置されてお
り、図4に示す如くスプリングプランジャ23のスピン
ドル23aが基台2Aの縁部と圧接することで、温調プ
レート2は自身の中心方向へ向けて付勢されている。
【0021】上述した位置決めプレート21,位置決め
ピン22,およびスプリングプランジャ23等によって
水平方向支持手段20が構成されており、各水平方向支
持手段20,20は、温調プレート2の外周域におい
て、互いに等しい中心角を有して相対向する位置に配設
されている。
【0022】上述した構成の基板温度制御装置1によれ
ば、チャンバー3に対する温調プレート2の図2中のX
方向(水平方向支持手段20の位置決めプレート21に
おける長孔21aの長手方向と直交する方向)への水平
移動、および温調プレート2の回転移動は、各水平方向
支持手段20における位置決めプレート21と位置決め
ピン22との係合によって規制される。
【0023】また、チャンバー3に対する温調プレート
2の図2中のY方向(水平方向支持手段20の位置決め
プレート21における長孔21aの長手方向)への水平
移動は、相対向して配設された各水平方向支持手段20
のスプリングプランジャ23が、それぞれ温調プレート
2を中心方向へ付勢することによって規制される。
【0024】一方、基板の加熱/冷却時における、温調
プレート2のX方向への膨張/収縮は自由に解放され、
また温調プレート2のY方向への膨張/収縮は、各水平
方向支持手段20における位置決めプレート21が、長
孔21aの長手方向に移動することにより解放される。
【0025】このようにして、基板の加熱/冷却時にお
ける、温調プレート2の膨張/収縮が解放されること
で、熱応力に起因する温調プレート2の変形が未然に防
止されることとなる。
【0026】また、上述した如く各水平方向支持手段2
0,20によって、チャンバー3に対する温調プレート
2のX方向およびY方向への水平移動、および回転移動
が規制されることで、基板の加熱/冷却時においても温
調プレート2の中心位置は保持されることとなる。
【0027】かくして、上述した基板温度制御装置1に
よれば、基板の加熱/冷却時における温調プレート2の
変形を伴うことなく、該温調プレート2を所定位置に占
位させることが可能となる。
【0028】ここで、上述した実施例では、水平方向支
持手段を温調プレートの外周域における相対向する2箇
所に設置しているが、3箇所、さらには4箇所以上に水
平方向支持手段を設置することも可能であり、このよう
な構成においても上述した基板温度制御装置1と同様の
作用効果を奏することは言うまでもない。
【0029】また、上述した実施例では、水平方向支持
手段の位置決めプレートを、温調プレートにおける基台
の上面に固定しているが、図6に示す基板温度制御装置
1′の如く、温調プレート2′の基台2A′に冷却流体
を供給/排出するめの配管2P′に、水平方向支持手段
20′を構成する位置決めプレート21′を固定しても
良い。
【0030】なお、この基板温度制御装置1′は、位置
決めプレート21′の取付け態様以外、上述した基板温
度制御装置1と基本的に同一なので、この基板温度制御
装置1と同一の作用を成す要素には、図中、図1〜図5
と同一の符号に′(ダッシュ)を附して詳細な説明は省略
する。
【0031】図7〜図9は、半導体ウェハ等の基板を製
造する際に、基板を加熱するベーキング処理工程や、加
熱された基板を室温レベルにまで冷却するクーリング処
理工程を実施するための基板温度制御装置を、請求項2
の発明に関わる基板温度制御装置によって構成した例を
示すものである。
【0032】図7に示す如く、請求項2の発明に関わる
基板温度制御装置100は、載置した基板(図示せず)を
加熱/冷却するための温調プレート102と、該温調プ
レート102を収容するチャンバー103とを具備し、
上記温調プレート102はチャンバー103のベース
(支持台)103Aに、上下方向支持手段110および4
組の水平方向支持手段120,120…によって支持さ
れている。
【0033】ここで、上記温調プレート102は、アル
ミニウム等の高熱伝導性材料によって形成された円盤状
の基台102Aと、この基台102Aの上面に設けた薄
膜ヒータ102Bとを具備しており、この薄膜ヒータ1
02Bへの通電のON/OFF、および基台102Aの
内部に設けられた流路(図示せず)への冷却流体の循環供
給によって、基板を加熱/冷却するよう構成されてい
る。
【0034】一方、上記チャンバー103におけるベー
ス103Aの底板103Aaには、1本の固定ピン11
1と2本の可動ピン112,112とが、三角形の頂点
に位置する態様で取り付けられ、これら固定ピン111
と可動ピン112,112とによって上下方向支持手段
110が構成されている。
【0035】なお、この上下方向支持手段110は、先
に説明した基板温度制御装置1の上下方向支持手段11
0と全く同一の構成なので、図1を参照することによっ
て詳細な説明は省略する。
【0036】上下方向支持手段110の固定ピン111
と可動ピン112,112とに、温調プレート102が
載置されており、可動ピン112,112の高さを調整
することで、温調プレート102は水平方向に展開する
姿勢で支持され、かつ水平方向へ移動自在に支持されて
いる。
【0037】一方、温調プレート102における基台1
02Aの縁部には、流路(図示せず)に冷却流体を供給/
排出する配管(図示せず)を接続するためのフランジ10
2Aa,102Aaが、中心点を挟んで対象位置に形成
されており、これらフランジ102Aaには各々位置決
めプレート121が固設されている。
【0038】また、温調プレート102における基台1
02Aの縁部には、上記取付用フランジ102Aa,1
02Aaを結ぶ軸線と直交する軸線上に、一対の取付用
フランジ102Ab,102Abが形成されており、こ
れらフランジ102Abには各々位置決めプレート12
1が固設されている。
【0039】上述した4個の位置決めプレート121,
121…は、互いに等しい90°の中心角を有して温調
プレート102に設置されており、個々の位置決めプレ
ート121には、図9に示す如く温調プレート102の
径方向に延びる長孔121aが形成されている。
【0040】一方、チャンバー103のベース103A
には、図7〜図9に示す如く、上述した各位置決めプレ
ート121に近接して、ブラケット120Bが立設され
ており、各ブラケット120Bには、位置決めプレート
121の長孔121aに嵌合するピン122が固設され
ている。
【0041】ここで、長孔121aにピン122が嵌合
した位置決めプレート121、すなわち位置決めプレー
ト121の固設された温調プレート102は、長孔12
1aの長手方向へ移動し得る反面、長孔121aの長手
方向と直交する方向へは移動し得ない。
【0042】上述した位置決めプレート121および位
置決めピン122等によって、水平方向支持手段120
が構成されており、4組の水平方向支持手段120,1
20…は、温調プレート102の外周域において、互い
に等しい90°中心角を有した位置に配設されている。
【0043】上述した構成の基板温度制御装置100に
よれば、チャンバー103に対する温調プレート102
の図7中のX方向およびY方向への水平移動、および温
調プレート102の回転移動は、各水平方向支持手段1
20における位置決めプレート121と位置決めピン1
22との係合によって規制される。
【0044】一方、基板の加熱/冷却時における、温調
プレート102のX方向への膨張/収縮、および温調プ
レート102のY方向への膨張/収縮は、各水平方向支
持手段20における位置決めプレート21が、長孔21
aの長手方向に移動することによって解放される。
【0045】このようにして、基板の加熱/冷却時にお
ける、温調プレート102の膨張/収縮が解放されるこ
とで、熱応力に起因する温調プレート102の変形が未
然に防止されることとなる。
【0046】また、上述した如く4組の水平方向支持手
段120,120…によって、チャンバー103に対す
る温調プレート102のX方向およびY方向への水平移
動、および回転移動が規制されることで、基板の加熱/
冷却時においても温調プレート102の中心位置は保持
されることとなる。
【0047】かくして、上述した基板温度制御装置10
0によれば、基板の加熱/冷却時における温調プレート
102の変形を伴うことなく、該温調プレート102を
所定位置に占位させることが可能となる。
【0048】ここで、上述した実施例では、4組の水平
方向支持手段を温調プレートの外周域に設置している
が、3組以上の水平方向支持手段を互いに等しい中心角
で配設することにより、上述した基板温度制御装置10
0と同様の作用効果を奏することは言うまでもない。
【0049】なお、上述した各実施例の水平方向支持手
段においては、温調プレートの基台に位置決めプレート
を設ける一方、チャンバーのベース(支持台)にブラケッ
トを介して位置決めピンを設けているが、チャンバーの
ベース(支持台)に位置決めプレートを設ける一方、温調
プレートの基台に位置決めピンを設けることにより、水
平方向支持手段を構成することも勿論可能である。
【0050】また、上述した各実施例における基板温度
制御装置は、流路を有する基台に薄膜ヒータを取り付け
て成る温調プレートを構成要素としているが、流路の無
い基台に設けたヒータのON/OFFによって加熱/冷
却を行なう温調プレート、あるいは基台の流路に加熱流
体を供給することによって加熱/冷却を行なう温調プレ
ート等、種々の温調プレートを構成要素とする基板温度
制御装置においても、請求項1および請求項2の本発明
を有効に適用し得ることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項1の発明に関わる基板温度制御装置を示
す全体側面断面図。
【図2】請求項1の発明に関わる基板温度制御装置を示
す全体平面図。
【図3】請求項1の発明に関わる基板温度制御装置の要
部平面図。
【図4】図3中のIV−IV線断面図。
【図5】図4中の V−V 線断面図。
【図6】請求項1の発明に関わる基板温度制御装置の要
部側面断面図。
【図7】請求項2の発明に関わる基板温度制御装置を示
す全体平面図。
【図8】図7中のVIII−VIII線断面図。
【図9】図8中のIX−IX線断面図。
【図10】(a)および(b)は従来の基板温度制御装置を
示す全体平面図および全体側面断面図。
【符号の説明】
1,1′…基板温度制御装置、 2,2′…温調プレート、 2A,2A′…基台、 3,3′…チャンバー、 3A,3A′…ベース(支持台)、 10…上下方向支持手段、 11…固定ピン、 12…可動ピン、 20,20′…水平方向支持手段、 21,21′…位置決めプレート、 21a,21a′…長孔、 22,22′…位置決めピン、 23,23′…スプリングプランジャ、 100…基板温度制御装置、 102…温調プレート、 102A…基台、 103…チャンバー、 103A…ベース(支持台)、 110…上下方向支持手段、 111…固定ピン、 112…可動ピン、 120…水平方向支持手段、 121…位置決めプレート、 121a…長孔、 122…位置決めピン。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円盤状を呈する温調プレートを支持
    台に設置して成る基板温度制御装置であって、 前記温調プレートを、水平方向に展開する姿勢で支持す
    るとともに、水平方向へ移動自在に支持する上下方向支
    持手段と、 前記温調プレートおよび支持台の一方に設けられ前記温
    調プレートの径方向に延びる長孔を有する位置決めプレ
    ートと、前記温調プレートおよび支持台の他方に設けら
    れ前記位置決めプレートの長孔に嵌合する位置決めピン
    と、前記温調プレートを該温調プレートの中心方向へ付
    勢するスプリングプランジャとを備え、前記温調プレー
    トにおける外周域の少なくとも2箇所以上に、互いに等
    しい中心角を有して配設された水平方向支持手段とを具
    備し、 前記支持台に対する前記温調プレートの水平移動および
    回転移動を規制することを特徴とする基板温度制御装
    置。
  2. 【請求項2】 円盤状を呈する温調プレートを支持
    台に設置して成る基板温度制御装置であって、 前記温調プレートを、水平方向に展開する姿勢で支持す
    るとともに、水平方向へ移動自在に支持する上下方向支
    持手段と、 前記温調プレートおよび支持台の一方に設けられ前記温
    調プレートの径方向に延びる長孔を有する位置決めプレ
    ートと、前記温調プレートおよび支持台の他方に設けら
    れ前記位置決めプレートの長孔に嵌合する位置決めピン
    とを備え、前記温調プレートにおける外周域の少なくと
    も3箇所以上に、互いに等しい中心角を有して配設され
    た水平方向支持手段とを具備し、 前記支持台に対する前記温調プレートの水平移動および
    回転移動を規制することを特徴とする基板温度制御装
    置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100611070B1 (ko) * 2001-05-02 2006-08-09 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 베이크 장치
WO2020005154A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Innovative Tool Technology Pte Ltd Heater for semiconductor chips

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100611070B1 (ko) * 2001-05-02 2006-08-09 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 베이크 장치
WO2020005154A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Innovative Tool Technology Pte Ltd Heater for semiconductor chips

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