JP3328375B2

JP3328375B2 - 熱処理装置

Info

Publication number: JP3328375B2
Application number: JP15116193A
Authority: JP
Inventors: 孝志原; 健米沢
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-05-27
Filing date: 1993-05-27
Publication date: 2002-09-24
Anticipated expiration: 2017-09-24
Also published as: JPH06338450A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板や液晶用又
はフォトマスク用ガラス基板等の薄板状基板（以下、単
に「基板」という。）を加熱または冷却などの熱処理を
するための熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、液晶基板製造におけるフォトリ
ソグラフィー工程においては、ガラス基板表面に塗布さ
れたレジストを乾燥するため、当該基板をホットプレー
トなどの発熱体を備えた加熱装置上に載置して加熱し、
高温で熱処理する工程が含まれる。この際、基板を加熱
装置の発熱体に直接接触させて載置すると、低温の基板
に急激な温度変化を加えることになって基板を傷める可
能性があり、さらに、吸着法などにより当該基板を前記
発熱体に密着させる場合には当該吸引孔の部分の温度分
布が異なるため、レジストに跡が残るという問題があ
る。また、基板を搬送装置などにより前記発熱体から離
間させる際に、当該基板に剥離帯電が生じて、基板に形
成された回路などが破損されるおそれがある。このよう
な問題を解消するため、当該発熱体から所定間隔をおい
て基板を保持し、発熱体と基板との間に形成された空気
層を介して当該基板を間接的に加熱するプロキシミティ
方式の熱処理装置が公知である。

【０００３】図１４は、従来のプロキシミティ方式の熱
処理装置の要部である加熱装置部分の縦断面図であり、
図１５は、当該加熱装置の斜視図である。

【０００４】図１４に示すように加熱装置１００は、ア
ルミなどの金属で形成された発熱プレート（載置台）１
０１と押え板１０２とによって面発熱ヒータ１０３を挟
み込むようにして形成される。発熱プレート１０１に
は、その上面１０１ｂに対して垂直な方向に貫通穴１０
１ａが複数穿設されており、プロキシミティピン１０４
は、その軸部１０４ａを前記貫通穴１０１ａにそれぞれ
挿入し、図１５に示すように当該発熱プレート１０１の
上面１０１ｂに基板Ｗの外形より若干小さい矩形状に配
列されて保持される。基板Ｗは、その外周部の下面を上
記プロキシミティピン１０４の頭部１０４ｂに当接する
ようにして載置される。

【０００５】基板Ｗを加熱装置１００により均一に加熱
するためには、当該基板Ｗが発熱プレート１０１の上面
１０１ｂに対して平行に保持される必要があり、プロキ
シミティピン１０４の頭部１０４ｂの高さｄは全て等し
くされる。当該高さｄは、例えば１ｍｍ程度に設定され
る。

【０００６】基板のプロキシミティピン１０４の頭部１
０４ｂが接触する部分は、その温度分布が他の部分と異
なるため、熱処理後のレジスト膜厚が変動するおそれが
ある。そこで、当該プロキシミティピン１０４による基
板支持の位置は、できるだけ基板Ｗの端に設定される方
が望ましい。通常、基板Ｗの非有効エリア、すなわち、
基板Ｗの端部からの距離ｋが、７〜１０ｍｍまでの位置
でプロキシミティピン１０４によって支持するようにし
ている。

【０００７】加熱装置１００の面発熱ヒータ１０３に図
示しない電力供給装置から電力を供給すると、面発熱ヒ
ータ１０３が発熱して発熱プレート１０１が加熱され
る。図示しない搬送装置により基板Ｗがプロキシミティ
ピン１０４上に載置されると、当該基板Ｗ下面と発熱プ
レート１０１上面との間に空気層Ｓが形成され、当該空
気層Ｓを介して発熱プレート１０１からの輻射熱によ
り、基板Ｗが加熱される。

【０００８】なお、発熱プレート１０１に貫通穴１０１
ａを設けてプロキシミティピン１０４を取り付ける代わ
りに、例えば実開昭６３−１９３８３３号公報に開示さ
れているように発熱プレート１０１の上面１０１ｂに複
数の小さな凹部を設けて、当該凹部に所定半径のボール
を嵌挿し、当該ボールの上に基板Ｗを載置して空気層Ｓ
を形成する方法もある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】加熱装置１００は、外
気中に設置される場合はもちろん、ケーシング内部に収
納される場合であっても、当該ケーシングに基板の搬入
・搬送のための出入口が形成されてそこから外気が流入
し、また、その加熱処理の段階で蒸発するレジストの有
機溶媒などの有毒ガスを排気装置により排気するため、
加熱装置１００の周囲には、どうしても気流が発生す
る。上述のように従来のプロキシミティ方式の熱処理装
置における基板支持構造にあっては、プロキシミティピ
ンやボール相互の間に沢山の隙間が存在するため、周囲
の気流が空気層Ｓ内に入り込み、この部分における温度
分布を乱すとともに、熱効率の低下を来して昇温速度を
劣化させるという問題が生じていた。

【００１０】このようなことは、上記面発熱ヒータなど
の加熱手段の代わりに冷却手段を付設した冷却装置の場
合においても同様に発生し、温度分布の乱れ、冷却速度
の劣化という問題が生じていた。

【００１１】本発明は、上述のような問題を解消して、
プロキシミティ方式の熱処理装置において、気流による
外乱を排し、基板を均一に加熱または冷却するととも
に、昇温速度もしくは冷却速度の劣化を防ぐことができ
る熱処理装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の熱処理装置は、基板を載置台に所定の間
隔をおいて載置し、加熱手段または冷却手段により熱処
理する熱処理装置において、前記基板と前記載置台との
間にほぼ密閉状態の空気層が形成されるように、前記基
板の外周部の下面をほぼ全周にわたって保持する基板保
持部と、前記載置台の内部に設けられ、一方端が前記空
気層内に開口し、他方端が排気手段に接続されて、前記
排気手段からの排気によって前記空気層内の気圧を低下
させる排気流路と、前記空気層内において、前記基板と
前記載置台との間隔を規制する間隔規制部材と、を備え
ている。

【００１３】また、請求項２の熱処理装置は、請求項１
の発明に係る熱処理装置において、前記載置台の上面に
は、前記基板の外形より小さな外形の凹部を形成し、前
記凹部の上部外縁に前記基板保持部を形成させている。

【００１４】また、請求項３の熱処理装置は、請求項１
の発明に係る熱処理装置において、前記載置台に、基台
と、中央部に前記基板の外形より小さな開口部を有して
前記基台の上面に載置されるスペーサと、を備え、前記
スペーサに前記基板保持部を形成させている。

【００１５】また、請求項４の熱処理装置は、請求項１
の発明に係る熱処理装置において、前記基板保持部を、
前記載置台の上面に形成された連続する突状部としてい
る。

【００１６】また、請求項５の熱処理装置は、請求項１
の発明に係る熱処理装置において、前記基板保持部の一
部に切欠を有している。

【００１７】なお、本明細書において「熱処理」とは、
加熱処理と冷却処理の両者を含む概念である。

【００１８】

【作用】請求項１の発明によれば、基板と載置台との間
にほぼ密閉状態の空気層が形成されるように、基板の外
周部の下面をほぼ全周にわたって保持する基板保持部
と、載置台の内部に設けられ、一方端が空気層内に開口
し、他方端が排気手段に接続されて、排気手段からの排
気によって空気層内の気圧を低下させる排気流路と、空
気層内において基板と載置台との間隔を規制する間隔規
制部材と、を備えているため、外部の気流が混入せず、
外気の影響による昇温速度または冷却速度の低下を防止
できるともに、基板の温度分布を均一化できる。また、
基板の周囲での基板保持部との密着性が向上し、空気層
の気密性が向上して熱効率が向上する。さらに、吸引に
よって基板中央部が反ることが防止され、基板の温度分
布の不均一化が防止される。

【００１９】請求項２の発明によれば、載置台の上面に
は、基板の外形より小さな外形の凹部が形成され、凹部
の上部外縁が基板保持部を形成しているため、当該凹部
内に熱処理のためのほぼ密閉された空気層が形成され
る。

【００２０】請求項３の発明によれば、載置台が、基台
と、中央部に基板の外形より小さな開口部を有して基台
の上面に載置されるスペーサとを備えるとともに、その
スペーサが基板保持部を形成するため、当該スペーサの
開口部が熱処理のためのほぼ密閉された空気層を形成す
る。

【００２１】請求項４の発明によれば、基板保持部が載
置台の上面に形成された連続する突状部であるため、当
該連続する突状部の内側に基板熱処理のためのほぼ密閉
された空気層が形成される。

【００２２】請求項５の発明によれば、基板保持部の一
部に切欠を有していても、内部の空気層の密閉性が実質
的に確保されておれば、十分その効果を発揮することが
できる。

【００２３】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明するが、これにより本発明の技術的範囲が制限さ
れるものではない。

【００２４】図１は、この発明の第１の実施例に係る熱
処理装置の構成を示す概要図であり、図２は、当該熱処
理装置の加熱装置の斜視図である。

【００２５】図１に示すように熱処理装置は、加熱装置
１とこれに電力を供給する電力供給装置６からなる。加
熱装置１は、アルミなどの金属で形成された発熱プレー
ト２と押え板３とにより面発熱ヒータ４を挟み込むよう
にして形成される。発熱プレート２の上面２ａには底面
が平坦な凹部５が形成される。この凹部５の深さｄ１
は、例えば１ｍｍ程度であって、凹部５の外形（凹部５
の上縁部５ａの形状）は、図２に示すように矩形の基板
Ｗの外形より一回り小さな矩形を形成しており、基板Ｗ
を載置したときに、基板Ｗの端部から凹部５の上縁部５
ａまでの距離ｋ１は，約７ｍｍ〜１０ｍｍに設定され、
発熱プレート２の上面２ａが基板Ｗの周囲（非有効エリ
ア）のみに接触し、内部の有効エリアには接触しないよ
うになっている。このとき、発熱プレート２の上面２ａ
の基板Ｗに接触する部分（凹部５の上縁部分）が基板保
持部を形成する。

【００２６】このような加熱装置において、電力供給装
置６より面発熱ヒータ４に電力を供給すると、発熱プレ
ート２が加熱され、基板Ｗの下面と凹部５の底面との間
に形成された空気層Ｓを介して基板Ｗが輻射加熱され
る。当初空気層Ｓの温度は発熱プレート２よりも低い
が、気体であるため比熱が小さく、すぐに加熱されて発
熱プレート２と同じ温度になる。図１の実施例では、電
力供給装置６しか設けていないが、発熱プレート２に温
度センサーを設置して、その検知信号により上記電力供
給装置６による電力供給量を制御する温度制御装置をさ
らに設けておけば、発熱プレート２の温度を所定の値に
精度よく制御することができる。

【００２７】凹部５の上縁部５ａは全て基板Ｗの下面に
接しているため、空気層Ｓは、ほぼ密閉な状態に維持さ
れ、外部の気流が入り込んで、空気層Ｓの温度を下げて
昇温速度を低下させたり、また、この部分の温度分布を
乱して基板の熱処理精度を劣化させるような問題がなく
なる。

【００２８】また、熱処理された基板Ｗは図示しない搬
送装置により発熱プレート２より離脱されて搬出される
が、この際、発熱プレート２と基板Ｗの接触面積はわず
かなので、基板Ｗに剥離帯電はほとんど生ぜず、基板Ｗ
に形成された回路が帯電により破壊されるという事態は
生じない。

【００２９】図３は、本発明の熱処理装置における加熱
装置の第２の実施例を示す縦断面図であり、図４はその
分解斜視図である。

【００３０】第１の実施例と異なるのは、発熱プレート
２の上面に凹部５を設けるのではなく、図４に示すよう
な中央部に大きな開口部を有する枠形状のスペーサ７を
発熱プレート２の上面に載置する点である。スペーサ７
の開口部はその上に載置する基板の外形より小さく設定
されており、図３に示すように当該スペーサ７の枠部が
基板保持部となり、その内側の開口部が空気層Ｓを形成
する。なお、スペーサ７の厚さｄ２およびスペーサ７の
内周と基板Ｗの端部との距離ｋ２は、第１の実施例にお
ける凹部５の深さｄ１および基板Ｗの端部から凹部５の
上縁部５ａまでの距離ｋ１と同様な値に設定される。

【００３１】この第２の実施例の利点は、異なる大きさ
や異なる形状の開口部を有するスペーサ７を多数用意し
ておけば、当該スペーサ７の種類を変えるだけで、さま
ざまな形状や大きさを有する基板を保持して熱処理でき
るとともに、当該スペーサ７を取り去ってしまえば、基
板Ｗを直接発熱プレート２に接触させて加熱させること
ができ、加熱方式を容易に変更できる点にある。

【００３２】なお、スペーサ７の厚さｄ２は、上述のよ
うに１ｍｍ程度と大変薄いので、変形してその表面が平
坦性を維持できない場合も考えられる。このような場合
には、スペーサ７と発熱プレート２および基板Ｗとの接
触面に隙間が生じて空気層Ｓにおける気密性を維持する
ことができないので、発熱プレート２に複数の排気孔を
設けて、スペーサ７を発熱プレート２に真空吸着させる
ことによりスペーサ７表面の平坦性を確保するようにす
ればよい。

【００３３】図５は、本発明の熱処理装置における加熱
装置の第３の実施例を示す縦断面図であり、図６は、そ
の斜視図である。

【００３４】この第３の実施例の特徴は、基板保持部と
して図６に示すように発熱プレート２の上面に高さの一
律な連続した突状部８を形成している点である。当該突
状部８の断面形状は図５に示すように矩形状をしてお
り、その高さｄ３およびその内周部と基板Ｗの端部との
距離ｋ３は、第１の実施例における凹部５の深さｄ１お
よび基板Ｗの端部から凹部５の上縁部５ａまでの距離ｋ
１と同様な値に設定される。

【００３５】この第３の実施例によれば、基板保持部と
しての突状部８と基板Ｗとの接触面積を小さくすること
ができるので、基板保持部によって基板Ｗの温度分布に
与える影響を低減することができる。

【００３６】図７は、この第３の実施例における突状部
８の断面形状の変形例を示す部分縦断面図であって、図
７（ａ）に示すものは、突状部８の断面が三角形状をし
ており、その頂点で基板Ｗに線接触するため、基板Ｗと
基板保持部との接触面積を最小にすることができる。そ
れゆえ、基板保持部が基板Ｗの熱分布に与える影響が少
ない。また、線状に接触しているため基板Ｗの面ずれが
生じにくいという利点がある。図７（ｂ）は、突状部８
の当接部の断面形状を半円状に形成しており、基板Ｗと
は線接触をするため、図７（ａ）と同様な利点が有する
が、半円状に形成されているため基板Ｗの裏面を傷付け
るおそれがなく、その点図７（ａ）の変形例に比べて優
れている。

【００３７】一方、図８に示すものは、基板保持部を凸
状にするのではなく、発熱プレート２の上面２ａより一
段下げて段部を形成するものであって、いわば、第１の
変形実施例といえるものであるが、基板Ｗの端部を当該
段部の側面５ａで覆うようにしているため、基板Ｗの位
置決めが確実になり面ずれが起きにくいとともに、基板
側面での熱放出が少ないので、基板Ｗの温度分布の均一
性がさらに向上するという利点がある。

【００３８】以上述べた実施例は、おもにプリベーク用
の熱処理装置であって、レジスト膜にムラが生じないよ
うに基板Ｗの周囲部の非有効エリア以外には基板保持部
が接触しないように形成されている。そのため、基板Ｗ
の自重や、加熱時の基板Ｗの表裏の温度差により基板Ｗ
の中央部が若干下方に反る傾向がある。その反り量は、
実測によれば１ｍｍ未満なので、上述のように空気層Ｓ
の厚さを１ｍｍに設定している以上、基板Ｗの中央部が
発熱プレート２に接触するおそれはない。しかし、乾燥
ベークやポストベークの段階においては、レジスト膜厚
にムラが生じるおそれはないので、図９に示すように中
央部にプロキシミティピン９を配設して、基板Ｗが中央
部で下方に反らないように支持することができる。この
場合には深さｄ４を１ｍｍ以下に小さくできるので、熱
効率を向上させることができる。

【００３９】また、図１０に示す加熱装置の第４の実施
例は、基板Ｗの周囲と発熱プレート２の基板保持部との
密着性を向上させるため、基板の吸引手段を設けたもの
である。すなわち、図１０（ａ）においては、発熱プレ
ート２に空気層Ｓと連通する排気流路１０を設け、この
排気流路１０から図示しない排気装置により空気層Ｓ内
を排気して気圧を適当に下げることにより、基板Ｗが大
気圧により発熱プレート２方向に押え付けられてその周
囲での基板保持部との密着性がよくなる。そのため空気
層Ｓの気密性が向上し、外部の気流の影響をより一層受
けないようになる。基板Ｗが薄い場合には、吸引のため
中央部が下方に反るおそれがあるので、図９のようによ
うにプロキシミティピン９を空気層Ｓ内に配してやれば
よい。但し、前述したようにポストベ−クなどのレジス
ト膜厚にムラの生じるおそれがない場合に限られる。

【００４０】図１０（ｂ）は、排気流路１０の開口部１
０ａを基板保持部に位置させた例である。直接基板Ｗの
保持部分を吸引するので、図１０（ａ）の場合のように
吸引力により基板Ｗが反るおそれがなく、却って、基板
Ｗの端部を基板保持部に密着して、発熱プレート２の上
面と平行になるように作用するため、基板Ｗの反りが矯
正されるという利点がある。この場合、排気流路１０の
開口部１０ａは基板保持部に沿って多数設けられる方が
望ましい。

【００４１】なお、図１０（ａ），図１０（ｂ）の実施
例において、排気流路１０から図示しない排気装置にい
たる排気経路途中に真空センサを付設し、その検知信号
により基板Ｗ載置の有無を確認するようにしておけば、
熱処理の工程管理を確実に行なうことができる。

【００４２】また、基板Ｗが下方に反っても、空気層Ｓ
の厚さを十分大きくしておけば、その中央部で発熱プレ
ート２の上面２ａと接触するおそれはなくなるが、基板
Ｗの場所によって発熱プレート２との距離が異なり、そ
のために基板Ｗの温度分布を厳密に維持するのが困難と
なる。したがって、基板Ｗの反りを想定して発熱プレー
ト２に適当な形状の凹部を設けておけば、さらに精度よ
く基板Ｗの温度分布の均一性を確保することができる。

【００４３】図１１は、発熱プレート２上面に形成され
た凹部の態様を示すものであり、説明の便宜上、当該凹
部の形状を誇張して示している。図１１（ａ）には、台
形状の凹部１１が形成されており、図１１（ｂ）には、
階段状の凹部１２が形成されている。また、図１１
（ｃ）には、円錐状の凹部１３が形成されており、図１
１（ｄ）には、滑らかな曲面によって形成されたすり鉢
状の凹部１４が形成されている。図１１（ａ）から図１
１（ｄ）の順に、基板Ｗの反りにより近似した形状が形
成されており、これにより、当該凹部の底面から反り状
態にある基板Ｗまでの距離がほぼ均一化されて基板Ｗに
おける熱分布の均一性が増すと考えられるが、一方で
は、この順に加工が困難になってコストが高くなるとい
う問題がある。

【００４４】なお、以上の実施例においては、面発熱ヒ
ータ４を発熱プレート２と押え板３で挟み込むようにし
て保持しているが、図１２に示すように、例えば弾性素
材に半導電性物質を混入して形成した弾性面発熱ヒータ
１５を直接発熱プレート２の裏面に耐熱性の接着剤によ
り固着する方法であってもよい。当該面発熱ヒータ１５
は伸縮自在なので、発熱プレート２の熱膨脹に応じて伸
縮し、接着部分で剥離するようなことがない。

【００４５】また、本発明は、加熱装置により基板を加
熱する場合のみならず、冷却装置を用いて加熱された基
板Ｗを冷却する場合にも適用される。図１３は、当該冷
却装置の例を示すものであって、図１３（ａ）は、上面
に例えば図１の実施例と同様な空気層Ｓを形成するため
の凹部１７を有する冷却プレート１６を備え、この冷却
プレート１６の下面に冷却ブロック１９を接触させた冷
却装置の縦断面図を示すものである。冷却ブロック１９
の内部には紙面に垂直な方向に複数の流路１８が形成さ
れており、当該流路１８に図示しない冷却水供給手段に
よって、所定温度、例えば２３℃程度に温度調整された
水を供給することにより冷却プレート１６を冷却し、こ
れにより基板Ｗが冷却される。なお、冷却プレート１６
と冷却ブロック１９は一体に成形されていてもよい。

【００４６】図１３（ｂ）は、冷却手段としてサーモモ
ジュール２０を使用した場合の実施例である。当該冷却
装置は、冷却プレート１６と冷却ブロック１９との間に
サーモモジュール２０を、その吸熱側を上に、発熱側を
下にして挟み込むようにして形成される。当該サーモモ
ジュール２０はペルチェ効果を利用した冷却素子を複数
個２次元的に配設して形成されたものであって、与える
電圧の大きさによって冷却能力を容易に調整できるの
で、冷却開始時には強く冷却し、基板Ｗが目的温度に近
づいたときに電圧を落として緩やか冷却するようにすれ
ば、図１３（ａ）のものに比べ、冷却速度を大幅に促進
することができるという利点がある。

【００４７】なお、冷却装置の場合であっても、加熱装
置の場合で述べた様々な基板保持部の変形例を適用でき
ることはいうまでもない。

【００４８】また、以上の実施例では、矩形の基板Ｗを
熱処理する場合について説明してきたが、円形その他の
形状の基板であっても、その外周の形状に併せて、基板
保持部の外形を変えることにより容易に適用できるもの
である。また、基板保持部は載置される基板の外周部に
沿って必ずしも完全に連続する必要はなく、搬送装置に
よる把持が容易なように一部に切欠を有していても、内
部の空気層の密閉性が実質的に確保されておれば、十分
その効果を発揮することができるものである。

【００４９】

【発明の効果】以上述べたように、請求項１の発明によ
れば、基板と載置台との間にほぼ密閉状態の空気層が形
成されるように、基板の外周部の下面をほぼ全周にわた
って保持する基板保持部と、載置台の内部に設けられ、
一方端が空気層内に開口し、他方端が排気手段に接続さ
れて、排気手段からの排気によって空気層内の気圧を低
下させる排気流路と、空気層内において基板と載置台と
の間隔を規制する間隔規制部材と、を備えているため、
空気層に外部の気流が混入せず、外気の影響による昇温
速度または冷却速度の低下を防止できるともに、基板の
温度分布を均一化できる。また、基板の周囲での基板保
持部との密着性が向上し、空気層の気密性が向上して熱
効率が向上する。さらに、吸引によって基板中央部が反
ることが防止され、基板の温度分布の不均一化が防止さ
れる。

【００５０】請求項２の発明によれば、載置台の上面に
は、基板の外形より小さな外形の凹部が形成され、凹部
の上部外縁が基板保持部を形成しているため、当該凹部
内に熱処理のためのほぼ密閉された空気層が形成され
る。

【００５１】請求項３の発明によれば、載置台が、基台
と、中央部に基板の外形より小さな開口部を有して基台
の上面に載置されるスペーサとを備えるとともに、その
スペーサが基板保持部を形成するため、当該スペーサの
開口部が熱処理のためのほぼ密閉された空気層を形成す
る。また、当該スペ−サは容易に交換できるので、開口
部の形状や大きさの異なるスペーサを複数用意しておけ
ば、さまざまな形状や大きさの基板に対応できる。

【００５２】請求項４の発明によれば、基板保持部が載
置台の上面に形成された連続する突状部であるため、当
該連続する突状部の内側に基板熱処理のためのほぼ密閉
された空気層が形成される。また、基板保持部と基板と
の接触面積が小さいので、当該基板保持部が基板の熱分
布に与える影響を小さくすることができる。

【００５３】請求項５の発明によれば、基板保持部の一
部に切欠を有していても、内部の空気層の密閉性が実質
的に確保されておれば、十分その効果を発揮することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例にかかる熱処理装置の構
成を示す概要図である。

【図２】図１の熱処理装置の加熱装置の斜視図である。

【図３】本発明の第２の実施例にかかる熱処理装置の加
熱装置を示す縦断面図である。

【図４】図３の加熱装置の斜視図である。

【図５】本発明の第３の実施例にかかる熱処理装置の加
熱装置を示す縦断面図である。

【図６】図５の加熱装置の斜視図である。

【図７】本発明の第３の実施例における突状部の変形実
施例を示す一部縦断面図である。

【図８】本発明の第１の実施例にかかる基板保持部の変
形実施例を示す一部縦断面図である。

【図９】図１の実施例においてプロキシミティピンを併
設した場合の構成を示す縦断面図である。

【図１０】図１の実施例において基板の吸引手段を設け
たときの構成を示す縦断面図である。

【図１１】図１の実施例において発熱プレート上面の凹
部の底面の形状を変形する場合の実施例を示す縦断面図
である。

【図１２】図１の実施例において弾性面発熱ヒータを発
熱プレートに接着して、押え板を省いた実施例を示す縦
断面図である。

【図１３】本発明を適用した冷却装置の例を示す図であ
る。

【図１４】従来の熱処理装置における加熱装置の構成を
示す縦断面図である。

【図１５】図１４の加熱装置の斜視図である。

【符号の説明】

１加熱装置２発熱プレート３押え板４面発熱ヒータ５凹部６電力供給装置７スペーサ８突状部１０排気流路１６冷却プレート１９冷却ブロック２０サーモモジュールＷ基板Ｓ空気層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−181717（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−216328（ＪＰ，Ａ) 特開平４−127516（ＪＰ，Ａ) 特開平４−11721（ＪＰ，Ａ) 実開平３−56129（ＪＰ，Ｕ) 実開昭56−52065（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/26

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を載置台に所定の間隔をおいて載置
し、加熱手段または冷却手段により熱処理する熱処理装
置において、前記基板と前記載置台との間にほぼ密閉状態の空気層が
形成されるように、前記基板の外周部の下面をほぼ全周
にわたって保持する基板保持部と、前記載置台の内部に設けられ、一方端が前記空気層内に
開口し、他方端が排気手段に接続されて、前記排気手段
からの排気によって前記空気層内の気圧を低下させる排
気流路と、前記空気層内において、前記基板と前記載置台との間隔
を規制する間隔規制部材と、を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】前記載置台の上面には、前記基板の外形
より小さな外形の凹部が形成され、前記凹部の上部外縁
が前記基板保持部を形成することを特徴とする請求項１
に記載の熱処理装置。
【請求項３】前記載置台は、基台と、中央部に前記基
板の外形より小さな開口部を有して前記基台の上面に載
置されるスペーサと、を備え、前記スペーサが前記基板
保持部を形成することを特徴とする請求項１に記載の熱
処理装置。
【請求項４】前記基板保持部は、前記載置台の上面に
形成された連続する突状部であることを特徴とする請求
項１に記載の熱処理装置。
【請求項５】前記基板保持部は、その一部に切欠を有
することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか
に記載の熱処理装置。