JP2000012447A - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents

熱処理装置及び熱処理方法

Info

Publication number
JP2000012447A
JP2000012447A JP10179114A JP17911498A JP2000012447A JP 2000012447 A JP2000012447 A JP 2000012447A JP 10179114 A JP10179114 A JP 10179114A JP 17911498 A JP17911498 A JP 17911498A JP 2000012447 A JP2000012447 A JP 2000012447A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
substrate
board
processed
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10179114A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3333135B2 (ja
Inventor
Tetsuya Sada
徹也 佐田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP17911498A priority Critical patent/JP3333135B2/ja
Priority to US09/338,231 priority patent/US6129546A/en
Priority to TW088110643A priority patent/TW417185B/zh
Priority to KR10-1999-0024254A priority patent/KR100467916B1/ko
Publication of JP2000012447A publication Critical patent/JP2000012447A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3333135B2 publication Critical patent/JP3333135B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 静電破壊を起こすこと無く、基板全体にわた
って迅速かつ均一な熱処理を施すことのできる熱処理装
置や熱処理方法を提供する。 【解決手段】 熱処理盤５８の上面に微小な突起である
ピン９３，９３…を配設し、このピン９３とピン９３と
の間に真空引きする貫通孔９０，９０…を配設し、この
貫通孔から真空引きする。熱処理工程初期の所定時間だ
け前記貫通孔から真空引きして基板Ｇの下面と熱処理盤
５８上面との間の空間に負圧を作用させて基板Ｇと熱処
理盤５８とを接触させる。しかる後真空度を下げ、基板
Ｇ自体の剛性を利用して基板Ｇと熱処理盤５８とを離間
させる。熱処理の初期には基板Ｇと熱処理盤５８とが直
接接触しているので迅速かつ均一に基板Ｇが昇温する。
また、熱収縮の度合いが大きいときに基板Ｇと熱処理盤
５８とが離間しているので摩擦電気が発生しにくく、静
電破壊が未然に防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば写真製版技
術を用いて液晶表示装置（以下、液晶表示装置を「ＬＣ
Ｄ」と記す。）を製造するＬＣＤ製造システム内に組み
込まれる加熱装置や冷却装置などの熱処理装置や熱処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＬＣＤ用ガラス基板（以下、
ＬＣＤ用ガラス基板のことを単に「ガラス基板」とい
う。）に熱処理を施す熱処理装置としては、ヒータや冷
却体などを内蔵した熱処理盤の上面に真空引きなどでガ
ラス基板を吸着し、ガラス基板の下面と熱処理盤の上面
とを接触させ、この状態で熱処理盤からガラス基板へ直
接熱量のやりとりを行う直接接触型の熱処理装置が用い
られていた。
【０００３】この直接接触型熱処理装置では、被処理体
であるガラス基板に熱処理盤が接触した状態で直接熱量
の移動が行われるため、熱量のやりとりの効率が高く、
短時間でしかも均一にガラス基板を熱処理できるという
長所を備えている。
【０００４】しかし、この直接接触型熱処理装置では、
ガラス基板と熱処理盤との間に摩擦が起きやすい。摩擦
が起きるとガラス基板に静電気が蓄積され、この静電気
が所定量を越えると静電破壊が起きる。この静電破壊が
起きるときの電圧は数十キロボルトと極めて高く、ガラ
ス基板に著しいダメージを与える。そのため、この静電
破壊はＬＣＤの歩留まりを低下させる主要因のひとつで
あり、この静電破壊をいかに防止するかが重要な課題と
なっている。
【０００５】この静電破壊を防止する一つの方法として
非接触型の熱処理方法が挙げられる。この非接触型の熱
処理方法は、熱処理盤の上面に微小な突起を多数設けて
おき、ガラス基板を熱処理盤上にセットしたとき、ガラ
ス基板の下面はこの突起の先端のみと接触し、他の大部
分は熱処理盤の上面と離間した状態で支持される。そし
て熱処理盤からの熱量は熱処理盤の上面とガラス基板の
下面との間に形成される僅かな間隙中に存在する空気を
介して伝達されるようになっている。
【０００６】この非接触型の熱処理装置では、確かに摩
擦による静電気の発生は抑制されるため、静電破壊によ
るガラス基板の損失は小さいという利点がある。
【０００７】しかるに、この非接触型の熱処理装置で
は、ガラス基板への熱量の伝達を空気層を介して間接的
に行うため、ガラス基板への熱量の伝達に時間がかかり
過ぎるといった問題や、或いは、ガラス基板に均一に熱
量が伝わり難いため、均一な熱処理を行うのが困難であ
るという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するためになされたものである。
【０００９】すなわち、本発明は静電破壊を起こすこと
のない熱処理装置や熱処理方法を提供することを目的と
する。
【００１０】また、本発明はガラス基板全体にわたって
均一な熱処理を施すことのできる熱処理装置や熱処理方
法を提供することを目的とする。
【００１１】更に、本発明は迅速に熱処理を行うことの
できる熱処理装置や熱処理方法を提供することを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の塗布装置は、被処理基板を載置する
熱処理盤と、前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触さ
せる接触手段と、前記被処理基板と前記熱処理盤とを微
小距離離間させる離間手段と、前記接触手段と前記離間
手段との作動時期を制御する手段と、を具備する。
【００１３】請求項２記載の塗布装置は、被処理基板を
載置する熱処理盤と、前記熱処理盤上面上の所定位置に
配設された微小突起と、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に真空を供給する手段と、前記真空の強さを制御
して前記被処理基板と前記熱処理盤とを接離させる手段
と、を具備する。
【００１４】請求項３記載の塗布装置は、被処理基板を
載置する熱処理盤と、前記熱処理盤上面上に配設された
吸着口と、前記吸着口に真空を供給する真空供給系と、
前記真空供給系の真空度を制御する手段と、前記熱処理
盤上面上に配設された微小突起であって、前記真空度を
上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処理盤と接触
し、前記真空度を低下させたときに前記被処理基板と前
記熱処理盤とが離間するような位置及び高さに形成され
ている微小突起と、を具備する。
【００１５】請求項４記載の塗布装置は、請求項３記載
の熱処理装置であって、前記微小突起が、前記熱処理盤
上に載置された被処理基板の各辺の中点を結ぶ菱形を形
成する位置に配設されていることを特徴とする。
【００１６】請求項５記載の塗布装置は、請求項３記載
の熱処理装置であって、前記微小突起が、前記熱処理盤
上に載置された被処理基板の四隅と各辺の中点の位置に
配設されていることを特徴とする。
【００１７】請求項６記載の塗布装置は、請求項３〜５
のいずれかに記載の熱処理装置であって、前記微小突起
の高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．３ｍｍで
あることを特徴とする。
【００１８】請求項７記載の塗布装置は、被処理基板を
載置する熱処理盤と、前記被処理基板と前記熱処理盤と
を所定距離離間させる離間手段と、前記離間手段の作動
を制御する手段と、を具備する。
【００１９】請求項８記載の塗布装置は、被処理基板を
載置する熱処理盤と、前記熱処理盤上に配設された貫通
孔と、前記貫通孔を介して前記熱処理盤上面上から出没
可能に配設されたピンと、前記ピンを駆動する駆動手段
と、を具備する。
【００２０】請求項９記載の塗布装置は、被処理基板を
載置する熱処理盤と、前記熱処理盤上に配設された貫通
孔と、前記貫通孔を介して前記熱処理盤上面上から出没
可能に配設されたピンと、前記貫通孔内に配設され、前
記ピンを駆動する圧電素子と、前記圧電素子へ駆動電圧
を供給する電圧供給系と、を具備する。
【００２１】請求項１０記載の塗布装置は、請求項８又
は９に記載の熱処理装置であって、前記ピンを突出させ
たたときの高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．
３ｍｍであることを特徴とする。
【００２２】請求項１１記載の塗布方法は、被処理基板
と熱処理盤とを接触させる工程と、前記被処理基板と前
記熱処理盤とを微小距離だけ離間させる工程と、を具備
する。
【００２３】請求項１２記載の塗布方法は、被処理基板
と所定位置に微小突起を備えた熱処理盤との間に負圧を
作用させて被処理基板と熱処理盤とを接触させる工程
と、前記負圧を低下させて被処理基板と前記熱処理盤と
を微小距離だけ離間させる工程と、を具備する。
【００２４】請求項１３記載の塗布方法は、被処理基板
と熱処理盤とを接触させる工程と、前記熱処理盤上面か
らピンを突出させて被処理基板と前記熱処理盤とを微小
距離だけ離間させる工程と、を具備する。
【００２５】請求項１４記載の塗布方法は、請求項１２
又は１３に記載の熱処理方法であって、前記ピンを突出
させたたときの高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜
０．３ｍｍであることを特徴とする。
【００２６】請求項１記載の塗布装置では、前記接触手
段と前記離間手段との作動時期を制御することにより、
熱処理開始直後の移動する熱量が大きい時期は前記被処
理基板と前記熱処理盤とを接触させる一方、被処理基板
への熱量の移動量が低下した後は前記被処理基板と前記
熱処理盤とを離間させることができる。
【００２７】そのため、短時間で均一に加熱できるとと
もに、静電破壊を防止することができる。
【００２８】請求項２記載の塗布装置では、前記真空の
強さを制御することにより所定のタイミングで前記被処
理基板と前記熱処理盤とを接離させることができる。
【００２９】即ち、熱処理開始直後の移動する熱量が大
きい時期は真空の強さを大きくして前記被処理基板と前
記熱処理盤とを接触させる。その一方、被処理基板への
熱量の移動量が低下した後は前記真空の強さを小さくす
る。すると被処理基板は自らの剛性で真っ直ぐに戻ろう
とするため、前記被処理基板と前記熱処理盤とが離間す
る。そのため、短時間で均一に加熱できるとともに、静
電破壊を防止することができる。
【００３０】請求項３記載の塗布装置では、前記微小突
起が適当な位置と高さに形成されている。そのため、前
記真空度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処
理盤と接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処
理基板と前記熱処理盤とが離間する。
【００３１】従って、熱処理開始直後の移動する熱量が
大きい時期は真空度を高くして熱処理盤から被処理基板
への熱量の移動を促進する。その一方、被処理基板への
熱量の移動量が低下した後は前記真空度を低くして静電
気の発生を防止する。
【００３２】そのため、短時間で均一に加熱できるとと
もに、静電破壊を防止することができる。
【００３３】請求項４記載の塗布装置では、前記微小突
起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の各辺の
中点を結ぶ菱形を形成する位置に配設されている。
【００３４】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【００３５】請求項５記載の塗布装置では、前記微小突
起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の四隅と
各辺の中点の位置に配設されている。
【００３６】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【００３７】請求項６記載の塗布装置では、請求項３〜
５のいずれかに記載の熱処理装置において、前記微小突
起として、高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．
３ｍｍの微小突起を採用している。
【００３８】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【００３９】請求項７記載の塗布装置では、前記被処理
基板と前記熱処理盤とを所定距離離間させる離間手段を
備えており、この離間手段を所定のタイミングで作動さ
せることにより前記被処理基板と前記熱処理盤とを接離
させる。
【００４０】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【００４１】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【００４２】請求項８記載の塗布装置では、前記貫通孔
を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に配設された
ピンと、このピンを駆動する駆動手段とを備えており、
このピンを所定のタイミングで作動させることにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを接離させる。
【００４３】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【００４４】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【００４５】請求項９記載の塗布装置では、前記貫通孔
を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に配設された
ピンと、このピンを駆動する圧電素子と、前記圧電素子
へ駆動電圧を供給する電圧供給系とを備えており、この
ピンを所定のタイミングで作動させることにより前記被
処理基板と前記熱処理盤とを接離させる。
【００４６】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【００４７】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【００４８】請求項１０記載の塗布装置では、請求項８
又は９に記載の熱処理装置において、前記微小突起とし
て、高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．３ｍｍ
の微小突起を採用している。
【００４９】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【００５０】請求項１１記載の塗布方法では、被処理基
板と熱処理盤とを接触させて熱処理盤から被処理基板へ
熱量を移動しやすくし、被処理基板の温度を所定の温度
にした後、前記被処理基板と前記熱処理盤とを微小距離
だけ離間させて、静電気の発生を防止する。
【００５１】そのため、被処理基板を短時間で均一に熱
処理温度にするとともに、静電破壊を防止することがで
きる。
【００５２】請求項１２記載の塗布方法では、被処理基
板と熱処理盤との間に負圧を作用させて被処理基板と熱
処理盤とを接触させ、熱処理盤から被処理基板へ熱量を
移動しやすくし、被処理基板の温度を所定の温度にす
る。しかる後、前記被処理基板と前記熱処理盤とを微小
距離だけ離間させて、静電気の発生を防止する。
【００５３】そのため、被処理基板を短時間で均一に熱
処理温度にするとともに、静電破壊を防止することがで
きる。
【００５４】請求項１３記載の塗布方法では、被処理基
板と熱処理盤とを接触させて、熱処理盤から被処理基板
へ熱量を移動しやすくし、被処理基板の温度を所定の温
度にする。
【００５５】しかる後、前記熱処理盤上面からピンを突
出させて被処理基板と前記熱処理盤とを微小距離だけ離
間させて、静電気の発生を防止する。
【００５６】そのため、被処理基板を短時間で均一に熱
処理温度にするとともに、静電破壊を防止することがで
きる。
【００５７】請求項１４記載の塗布方法では、請求項１
２又は１３に記載の熱処理方法において、前記微小突起
として、高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．３
ｍｍの微小突起を採用している。
【００５８】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【００５９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に従って説明する。
【００６０】（第１の実施形態）図１は本発明の一実施
形態に係る塗布・現像装置の斜視図であり、図２はその
平面図である。
【００６１】塗布・現像装置１は、その一端側にカセッ
トステーションＣ／Ｓを備えている。
【００６２】また、塗布・現像装置１の他端側には、露
光装置（図示せず）との間でＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以
下、ＬＣＤ用ガラス基板を「基板」と略記する。）の受
け渡しを行うためのインターフェースユニットＩ／Ｆが
配置されている。
【００６３】このカセットステーションＣ／ＳにはＬＣ
Ｄ用基板等の基板Ｇを収容した複数、例えば４組のカセ
ット２が載置されている。カセットステーションＣ／Ｓ
のカセット２の正面側には、被処理基板である基板Ｇの
搬送及び位置決めを行うとともに、基板Ｇを保持してメ
インアーム３との間で受け渡しを行うための補助アーム
４が設けられている。
【００６４】インターフェースユニットＩ／Ｆには、露
光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行う補
助アーム５が設けられている。また、インターフェース
ユニットＩ／Ｆには、メインアーム３との間で基板Ｇの
受け渡しを行うためのエクステンション部６及び基板Ｇ
を一旦待機させるバッファユニット７が配置されてい
る。
【００６５】メインアーム３は、塗布・現像装置１の中
央部を長手方向に移動可能に、二基直列に配置されてお
り、各メインアーム３の搬送路の両側にはそれぞれ第１
の処理ユニット群Ａ、第２の処理ユニット群Ｂが配置さ
れている。第１の処理ユニット群Ａと第２の処理ユニッ
ト群Ｂとの間には、基板Ｇを一旦保持するとともに冷却
する中継部８が配置されている。
【００６６】第１の処理ユニット群Ａでは、カセットス
テーションＣ／Ｓの側方に基板Ｇを洗浄する洗浄処理ユ
ニットＳＣＲと現像処理を行う現像処理ユニットＤＥＶ
とが並設されている。また、メインアーム３の搬送路を
挟んで洗浄処理ユニットＳＣＲ及び現像処理ユニットＤ
ＥＶの反対側には、上下に２段配置された２組の熱処理
ユニットＨＰと、上下に２段配置されたＵＶ処理ユニッ
トＵＶ及び冷却ユニットＣＯＬとが隣り合うように配置
されている。
【００６７】第２の処理ユニット群Ｂでは、レジスト塗
布処理及びエッジリムーブ処理を行う塗布処理ユニット
ＣＯＴが配置されている。また、メインアーム３の搬送
路を挟んで塗布処理ユニットＣＯＴの反対側には、上下
に２段配置された基板Ｇを疎水処埋するアドヒージョン
ユニットＡＤ及び冷却ユニットＣＯＬと、上下に２段配
置された熱処理ユニットＨＰ及び冷却ユニットＣＯＬ
と、上下に２段配置された２組の熱処理ユニットＨＰと
が隣り合うように配置されている。熱処理ユニットＨＰ
と冷却ユニットＣＯＬとを上下に２段配置する場合、熱
処理ユニットＨＰを上に冷却ユニットＣＯＬを下に配置
することによって、相互の熱的干渉を避けている。これ
により、より正確な温度制御が可能となる。
【００６８】メインアーム３は、Ｘ軸駆動機構，Ｙ軸駆
動機構およびＺ軸駆動機構を備えており、更に、Ｚ軸を
中心に回転する回転駆動機構をそれぞれ備えている。こ
のメインアーム３が塗布・現像装置１の中央通路に沿っ
て適宜走行して、各処理ユニット間で基坂Ｇを搬送す
る。そして、メインアーム３は、各処理ユニット内に処
理前の基板Ｇを搬入し、また、各処理ユニット内から処
理済の基板Ｇを搬出する。
【００６９】本実施形態の塗布・現像装置１では、この
ように各処理ユニットを集約して一体化することによ
り、省スペース化およぴ処理の効率化を図ることができ
る。
【００７０】このように構成される塗布・現像装置１に
おいては、まずカセット２内の基板Ｇが、補助アーム４
及びメインアーム３を介して洗浄処理ユニットＳＣＲへ
搬送されて洗浄処理される。
【００７１】次に、メインアーム３、中継部８及びメイ
ンアーム３を介してアドヒージョンユニットＡＤへ搬送
されて疎水化処理される。これにより、レジストの定着
性が高められる。
【００７２】次に、メインアーム３を介して冷却ユニッ
トＣＯＬへ搬送されて冷却される。その後、メインアー
ム３を介して塗布処理ユニットＣＯＴへ搬送されてレジ
ストが塗布される。
【００７３】次に、基板Ｇは、メインアーム３を介して
加熱処理ユニットＨＰへ搬送されてプリベーク処理され
る。そして、メインアーム３を介して冷却ユニットＣＯ
Ｌへ搬送されて冷却された後、メインアーム３及びイン
ターフェース部Ｉ／Ｆを介して露光装置に搬送されてそ
こで所定のパターンが露光される。
【００７４】そして、再び露光された基板Ｇは、インタ
ーフェース部Ｉ／Ｆを介して装置１内へ搬入され、メイ
ンアーム３を介して加熱処理ユニットＨＰへ搬送されて
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００７５】その後、基板Ｇは、メインアーム３、中継
部８及びメインアーム３を介して冷却ユニットＣＯＬへ
搬入されて冷却される。そして、基板Ｇは、メインアー
ム３を介して現像処理ユニットＤＥＶへ搬入されて現像
処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理
された基板Ｇは、メインアーム３を介してポストベーク
処理ユニットＨＰへ搬入されてポストベーク処理され
る。
【００７６】そして、ポストベーク処理された基板Ｇ
は、メインアーム３及び補助アーム４を介してカセット
ステーションＣ／Ｓ上の所定のカセット２に収容され
る。
【００７７】次に、図３及び図４につき、ベーキングユ
ニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、（ＰＥＢ）、クーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）のような熱処理ユ
ニットの構成および作用を説明する。
【００７８】図３および図４は、本実施形態に係る熱処
理ユニットの構成を示す平面図および断面図である。な
お、図４では、図解のために水平遮蔽板５５を省略して
ある。
【００７９】この熱処理ユニットの処理室５０は両側壁
５３と水平遮蔽板５５とで形成され、処理室５０の正面
側（主ウエハ搬送機構２４側）および背面側はそれぞれ
開口部５０Ａ，５０Ｂとなっている。遮蔽板５５の中心
部には方形の開口５６が形成され、この開口５６内には
同じく方形状の熱処理盤５８が載置台として設けられ
る。 熱処理盤５８には例えば４つの孔６０が設けら
れ、各孔６０内にはリフトピン６２が遊嵌状態で挿通さ
れており、基板Ｇのローディング・アンローディング時
には各リフトピン６２が熱処理盤５８の表面より上に突
出または上昇して主搬送機構２２の保持部材４８との間
で基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。
【００８０】熱処理盤５８の外周囲には、円周方向にた
とえば２゜間隔で多数の通気孔６４を形成した方形枠状
の帯板からなるシャッタ６６が設けられている。このシ
ャッタ６６は、通常は熱処理盤５８より下の位置に退避
しているが、加熱処理時には熱処理盤５８の上面よりも
高い位置まで上昇して、熱処理盤５８とカバー体６８と
の間に方形枠状の側壁を形成し、図示しない気体供給系
より送り込まれるダウンフローの空気や窒素ガス等の不
活性ガスを通気孔６４より周方向で均等に流入させるよ
うになっている。
【００８１】カバー体６８の中心部には加熱処理時に基
板Ｇ表面から発生するガスを排出するための排気口６８
ａが設けられ、この排気口６８ａに排気管７０が接続さ
れている。この排気管７０は、装置正面側（主ウエハ搬
送機構２２側）のダクト５３（もしくは５４）または図
示しないダクトに通じている。
【００８２】遮蔽板５５の下には、遮蔽板５５、両側壁
５３および底板７２によって機械室７４が形成されてお
り、室内には熱処理盤支持板７６、シャッタアーム７
８、支持ピンアーム８０、シャッタアーム昇降駆動用シ
リンダ８２、リフトピンアーム昇降駆動用シリンダ８４
が設けられている。
【００８３】図４に示すように、基板Ｇの外周縁部が載
るべき熱処理盤５８の表面位置に複数個たとえば４個の
基板Ｇ案内支持突起部８６が設けられている。
【００８４】図３に示したように、カバー体６８の下面
側には円錐形の凹部６８ｂが形成されており、この円錐
の頂点にあたる部分には排気口６８ａが設けられ、この
排気口６８ａに排気管７０の下端が接続されている。排
気管７０の他端側は図示しない排気系に接続されてお
り、熱処理盤５８で加熱されて上昇した加熱気体が円錐
形の凹部６８ｂで集められ、前記排気口６８ａと排気管
７０とを介して排気されるようになっている。
【００８５】図５は本実施形態に係る熱処理盤５８とそ
の周辺の構造を模式的に示した垂直断面図である。
【００８６】この図５に示すように、熱処理盤５８の内
部には、例えばニクロム線などの発熱体で構成されたヒ
ータＨが配設されており、このヒータＨに電力を供給す
ることにより発熱させ、熱処理盤５８を加熱する。
【００８７】図５に示すように、このヒータＨは制御部
１００に接続されている。また熱処理盤５８には、熱処
理盤５８の温度を検出するセンサ（図示省略）が配設さ
れており、このセンサで検出した温度を制御部１００に
送るようになっている。制御部１００はセンサで検出し
た熱処理盤５８の温度に基づいて、ヒータＨへの供給電
力量を加減することによりヒータＨの発熱量を制御し、
熱処理盤５８の温度を制御するようになっている。
【００８８】図５に示すように、熱処理盤５８の上下方
向には貫通孔９０が配設されている。この貫通孔９０は
熱処理盤５８上に基板Ｇが載置されたときにこのガラス
基板を吸着するためのものである。この貫通孔９０の図
中下端側には配管９１が接続されており、この配管の先
には真空ポンプ９２が接続されている。この真空ポンプ
９２は上記の制御部１００と接続されており、制御部１
００により制御されている。従って、この真空ポンプ９
２を作動させることにより配管９１内に負圧が生じ、ひ
いては熱処理盤５８の上面と基板Ｇの下面との間に形成
される空間に負圧が生じるようになっている。
【００８９】更に、この熱処理盤５８の上面には「プロ
キシミティピン」（proximity-pin）と呼ばれる突起状
のピン９３，９３，…が複数個配設されている。
【００９０】このプロキシミティピン（以下、この「プ
ロキシミティピン」を単に「ピン」という。）９３，９
３，…は熱処理盤５８上面とこの熱処理盤５８上に載置
される基板Ｇの下面との間に僅かな間隙を形成し、基板
Ｇと熱処理盤５８との間に摩擦が生じて基板Ｇ上に静電
破壊が起こるのを防止するためのものである。
【００９１】このピンの高さは、上記真空ポンプ９２を
作動させない状態では基板Ｇはピン９３，９３…の頂点
で支持されてほぼ水平に維持され、基板Ｇの下面と熱処
理盤５８の上面との間に間隙が形成されるような高さで
ある。そして、上記真空ポンプ９２を作動させて熱処理
盤５８上面と基板Ｇ下面との間に負圧を作用させたとき
に基板Ｇが湾曲して隣接するピン９３とピン９３との間
の部分が熱処理盤５８の上面と直接接触するような高さ
である。
【００９２】この高さはピン９３，９３…の配置の仕方
や、隣接する二つのピン９３の間隔、或いは基板Ｇの剛
性や厚さなどにより適宜定められるのであるが、一般的
には０．２ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲とするのが好まし
い。
【００９３】ここで、ピンの高さを０．２ｍｍ〜０．３
ｍｍの範囲としたのは、このピンの高さが０．２ｍｍ未
満であると、基板及び熱処理盤に接触する面積が増大
し、摩擦による帯電を抑えることができない、という問
題が生じるためである。
【００９４】また、このピンの高さが０．３ｍｍを越え
ると、基板が低いバキューム圧で熱処理盤に吸着できな
くなるため、基板と熱処理盤との間の熱交換が素早く行
えなくなるという問題が生じ、特に周辺部でのバキュー
ム吸着ができなくなる、という問題が生じるためであ
る。
【００９５】なお、本実施形態ではピン９３の高さは
０．２ｍｍとした。
【００９６】また、このピン９３，９３…の配置は、上
記真空ポンプ９２を作動させない状態では基板Ｇはピン
９３，９３…の頂点で支持されてほぼ水平に維持され、
基板Ｇの下面と熱処理盤５８の上面との間に間隙が形成
されるような配置である。そして、上記真空ポンプ９２
を作動させて熱処理盤５８上面と基板Ｇ下面との間に負
圧を作用させたときに基板Ｇが湾曲して隣接するピン９
３とピン９３との間の部分が熱処理盤５８の上面と直接
接触するような配置である。
【００９７】なお、本実施形態ではピン９３，９３…の
配置は図６に示すように熱処理盤５８のうち、載置する
基板Ｇの縦横各辺の中点を頂点とする菱形を形成するよ
うな配置であり、この菱形の中心と各辺の中点の合計９
箇所に配設した。
【００９８】次に、本実施形態に係る熱処理ユニット
（ＨＰ）の動作について説明する。
【００９９】塗布処理ユニット（ＣＯＴ）や現像処理ユ
ニットＤＥＶなどで前処理が完了すると、各処理ユニッ
ト内にメインアーム３がアクセスして中に収容されてい
る基板Ｇを取り出す。この基板Ｇを保持した状態でメイ
ンアーム３は中央の通路を移動して熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）の前で停止する。ここでメインアーム３は展開して
熱処理ユニット（ＨＰ）の正面を向く。ついでメインア
ーム３は基板保持部材を伸長させて熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）内の熱処理盤５８の真上の位置まで基板Ｇを搬送す
る。一方、熱処理ユニット（ＨＰ）内では、リフトピン
６２，６２…を上方に移動させて熱処理盤５８の上面よ
り高い部分にまで突出させる。このとき、リフトピン６
２，６２…の先端はメインアーム３の先に載置された基
板Ｇより高い位置まで上方に移動する。そのため基板Ｇ
はこのリフトピン６２，６２…により持ち上げられ、メ
インアーム３からリフトピン６２，６２…へと基板Ｇが
受け渡される。
【０１００】この状態でメインアーム３は引き込み、熱
処理ユニット（ＨＰ）の外へ移動する。次いで、リフト
ピン６２，６２…が下降するのにつれて基板Ｇも下降
し、熱処理盤５８の上面に接近する。更にリフトピン６
２，６２…は下降して熱処理盤５８上面より低い位置ま
で下降すると、基板Ｇは熱処理盤５８上に載置される。
図７は基板Ｇが熱処理盤５８に載置された状態を示した
垂直断面図である。
【０１０１】この図７に示したように、リフトピン６
２，６２…を熱処理盤５８上面より低い位置まで下降す
ると、基板Ｇの下面は熱処理盤５８上面上に設けられた
ピン９３，９３…の頂部に当接し、このピン９３，９３
…の頂部で支持されるので、これより低い位置までは下
降しない。そのため、基板Ｇの下面と熱処理盤５８上面
との間には僅かな隙間が形成され、基板Ｇの下面の大部
分は熱処理盤５８の上面と非接触の状態に保たれる。
【０１０２】次にこの基板Ｇが熱処理盤５８の熱により
熱処理が施されるときの状態について説明する。
【０１０３】図１０は基板Ｇが熱処理盤５８上で熱処理
されるときのタイミングチャートを示した図であり、図
８，図９は熱処理される際の基板Ｇの状態を示した垂直
断面図である。
【０１０４】図１０に示したように、時間ｔ1 でメイン
アーム３からリフトピン６２，６２…へと基板Ｇが引き
渡される。メインアーム３が後退した後、リフトピン６
２，６２…は下降して基板Ｇと熱処理盤５８との間を４
ｍｍに維持し、時間ｔ2 になるまでの５０秒間この状態
を維持する。このｔ1 〜ｔ2 の時間で基板Ｇを予備的に
加熱する。
【０１０５】次いで時間ｔ2 になるとリフトピン６２，
６２…を更に下降させて熱処理盤５８内に収容して基板
Ｇを熱処理盤５８のピン９２，９２…上に載置する。そ
れと同時に、真空配管９１に真空を作用させて基板Ｇと
熱処理盤５８との間の空間の空気を抜く。このときの状
態を示したのが図８である。
【０１０６】図８に示したように、基板Ｇと熱処理盤５
８との間の空間に真空が作用すると、基板Ｇの上方から
下方に向けて大気圧がかかる。そのため基板Ｇは隣接す
る二つのピン９２，９２に挟まれた部分が下方に湾曲
し、湾曲した底の部分が熱処理盤５８の上面と直接接触
する。この直接接触することにより熱処理盤５８から基
板Ｇへ直接熱量が移動するので、短時間でしかも大量の
熱量が移動する。
【０１０７】この真空引きの状態はｔ2 〜ｔ3 の１０秒
間継続される。従って、このｔ2 〜ｔ3 の間は基板Ｇと
熱処理盤５８とが直接接触した状態が維持される。
【０１０８】時間ｔ3 になると真空引きは停止される
が、リフトピン６２，６２…は熱処理盤５８より低い位
置に維持される。この状態が時間ｔ4 まで維持される。
【０１０９】従って、時間ｔ3 以降は真空により基板Ｇ
を湾曲させて熱処理盤５８と接触させる力が弱くなる。
基板Ｇは自己の剛性により湾曲を解消し水平状態に戻ろ
うとする。また、基板Ｇと熱処理盤５８との間に少しず
つ空気が流れ込む。
【０１１０】そのため、基板Ｇと熱処理盤５８とは時間
ｔ3 から時間ｔ4 にかけて除序に離間する。一方、熱処
理盤５８からは間の空気層を介して基板Ｇへ熱量が供給
されるので、この時間ｔ3 〜ｔ4 の間も熱処理は継続し
て行われる。
【０１１１】時間ｔ4 になるとリフトピン６２，６２…
が上方に突出して基板Ｇを持ち上げる。こうして基板Ｇ
は熱処理盤５８から引き離され、基板Ｇの熱処理が完了
する。
【０１１２】この持ち上げられた基板Ｇは上記熱処理ユ
ニットへの搬入と逆の工程を経てメインアーム３に引き
渡され、後続の処理を行うユニットへ向けて搬送され
る。
【０１１３】このように、本実施形態に係る熱処理ユニ
ットでは、熱処理工程の初期には基板Ｇと熱処理盤５８
とを直接接触させるので、基板Ｇを短時間で均一に加熱
することができる。
【０１１４】一方、熱処理工程の後半では基板Ｇと熱処
理盤５８とを離間させたのち、極めて近い位置に維持し
て熱処理を行うので、静電気の発生による基板Ｇの静電
破壊が防止される。特に、真空引きしたあと、基板Ｇの
剛性を利用して除序に基板Ｇと熱処理盤５８とが離間す
るようにしているので、基板Ｇが熱処理盤５８に対して
水平方向に移動する移動速度が遅く、摩擦による静電気
の発生が起きにくい。そのため、より一層静電破壊を確
実に防止することができるようになっている。なお、本
発明は上記実施形態に限定されない。
【０１１５】例えば、上記実施形態では、基板Ｇを加熱
処理するための熱処理盤５８を例にして説明したが、本
発明は冷却装置にも適用できる。
【０１１６】また、上記実施形態ではニクロム線などの
発熱体を用いて直接熱処理盤５８を加熱する構造の熱処
理ユニットについて説明したが、密閉した空洞内に熱媒
蒸気が循環するようになっており、この空洞の底に液化
した熱媒をヒータで加熱し、この熱媒蒸気を介して熱処
理盤全体を均一に加熱できるようにした、いわゆる熱定
盤と呼ばれる熱処理盤を用いることも可能である。
【０１１７】更に、上記実施形態ではピン９２，９２…
は熱処理盤５８上面に菱形を描くような位置に配設した
ものを用いたが、ピン９２，９２…の配設位置は、基板
Ｇと熱処理盤５８との間の空間に作用させる真空の真空
度を上昇させたときに基板Ｇが熱処理盤５８と接触し、
真空度を低下させたときに基板Ｇと前記熱処理盤５８と
が離間するような位置であれば良い。従って、例えば図
１１に示したように、熱処理盤５８上面に、載置される
基板Ｇの四隅と各辺の中点に対応する位置に配設するこ
とも可能である。
【０１１８】また、上記実施形態ではＬＣＤ用基板Ｇを
熱処理するための熱処理ユニットについて説明したが、
シリコンウエハ用の熱処理ユニットについても適用でき
ることはいうまでもない。
【０１１９】次に、本実施形態に係る熱処理ユニットの
効果を確認するために行った測定について説明する。
【０１２０】基板Ｇに熱処理する際の静電気の発生状況
と基板温度の均一性を調査するために下記の測定を行っ
た。
【０１２１】まず、基板温度の均一性を測定する条件と
して、温度２３．５°Ｃ、湿度５９％の環境で行った。
熱処理（postbake）の条件としては、熱処理盤の設定温
度を１３９°Ｃとし、リフトピンの突出高さを４ｍｍで
５０秒間維持し、その後リフトピンの突出高さを０ｍｍ
まで降下させ、この状態で１１０秒間維持した。なお、
この測定のタイミングチャートは図１０と同じである。
【０１２２】また、熱処理盤の上面に配設したピンのギ
ャップ、即ち熱処理盤の上面からピンの頂点までの高さ
は０．２ｍｍとし、ピンの配置位置は図６に示したよう
な菱形を形成する９箇所とした。熱処理盤上に基板Ｇを
吸着させる際の真空ポンプの真空度は真空ポンプの元圧
で５ｋＰａであり、センサーで検出した真空度は３．２
〜４．８ｋＰａであった。
【０１２３】測定試料としては、Ｃｒ膜を形成したも
の、素ガラス、及びＳｉＮｘ膜を形成したものの３種類
の基板を用いた。これらの基板にＫ型熱電対を使用し、
ポリイミドテープにより付着させ、ADVANTEST 社製の型
式R7430 DATA LOGER測定装置にて測定を行った。測定箇
所としては図１２に示したような基板面内の９点につい
て測定した。結果を図１３〜図１８に示した。
【０１２４】図１３はＣｒ膜を形成した基板にピンを介
して加熱処理した際の昇温状態を示した図であり、図１
４は同基板を加熱初期の１０秒間真空吸着して加熱処理
した際の昇温状態を示した図である。
【０１２５】以下同様に、図１５は素ガラスの基板を非
接触のまま加熱処理した際の昇温状態を示した図であ
り、図１６は同基板を加熱初期真空吸着して加熱処理し
た際の昇温状態を示した図である。
【０１２６】図１７はＳｉＮｘ膜を形成した基板を非接
触のまま加熱処理した際の昇温状態を示した図であり、
図１８は同基板を加熱初期真空吸着して加熱処理した際
の昇温状態を示した図である。
【０１２７】図１３と図１４とを比較すると、図１３で
は時間８０秒から１４０秒にかけて除序に昇温している
のに対し、図１４では時間９０秒の時点で各測定点の温
度が１３０°Ｃ以上に達し、その後は１８０秒まで高温
域で安定している。このことから初期の時点で真空吸着
した方が、昇温速度、温度均一性共に高いことが分か
る。
【０１２８】図１５と図１６とを比較すると、実質的な
差異は殆ど見られない。このことから、初期の真空吸着
の有無は素ガラス自体に対しては殆ど影響がないことが
分かる。
【０１２９】図１７と図１８とを比較すると、図１７で
は時間９０秒付近で各測定点の温度上昇がおさまり、時
間１２０秒にかけて除序に温度安定域に入っている。こ
れに対し、図１８では時間８０秒付近で各測定点の温度
上昇がおさまり、時間９０秒の時点で既に温度安定域に
入っている。このことから初期の時点で真空吸着した方
が、昇温速度、温度均一性共に高いことが分かる。
【０１３０】次に、基板に発生する静電気について測定
した。
【０１３１】静電気測定については、試料としてＣｒ膜
を形成した基板を使用し、温度２３．５°Ｃ、湿度５９
％の環境で測定した。測定装置としてはHugle 社製の型
式ＭＯＤＥＬ７２０表面電位計を使用し、基板の中心の
１点について測定した。
【０１３２】測定条件としては、９個のピンを配設した
熱処理盤上に基板を載置した状態で、熱処理の初期１
５秒間、−９．２ｋｐａで真空吸着した後、除電処理を
施したもの、熱処理の初期１５秒間、−９．２ｋｐａ
で真空吸着したもの、及び熱処理工程する全期間、−
６２．４ｋｐａで真空吸着したもの、の３つについて測
定した。
【０１３３】図１９は上記〜の処理後に測定した基
板電位を示したグラフである。
【０１３４】この図１９に示すように、基板と熱処理盤
とを終始接触させた状態で熱処理したの基板電位が−
８〜−１４ｋＶと高電位に摩擦帯電しているのに対し、
初期だけ真空吸着させたとでは０〜−２ｋＶと摩擦
帯電量が極めて低いことが分かる。
【０１３５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態
と重複する部分については説明を省略する。
【０１３６】図２０及び図２１は本実施形態に係る熱処
理ユニットの熱処理盤５８に基板Ｇを載置した状態を部
分的に拡大した垂直断面図である。
【０１３７】本実施形態の熱処理ユニットでは、熱処理
盤５８を貫通する貫通孔を介して垂直方向に移動するリ
フターＬを配設し、このリフターＬを上下動させること
により基板Ｇと熱処理盤５８とを接離するようにした。
【０１３８】即ち、熱処理工程開始直後の基板Ｇの温度
と処理温度との差が大きい間は図２０のようにリフター
Ｌは熱処理盤５８の上面より低いに位置に待機させてお
く。基板Ｇの温度がほぼ処理温度に到達した後は図２１
のようにリフターＬを上方に移動させ、熱処理盤５８の
上面から適当な距離、例えば０．２〜０．３ｍｍ突出さ
せる。このようにすることにより、基板Ｇの迅速で均一
な熱処理を可能にすると同時に、基板Ｇの静電破壊を未
然に防止することができる。
【０１３９】本実施形態の熱処理ユニットでは、リフタ
ーＬを用いて基板Ｇと熱処理盤５８とを接離させるの
で、この接離させる動作を確実に行うことができる。特
に接触させる時間、離間させる時間を正確に制御できる
ので、高精度の管理が可能である。更に、基板Ｇを撓ま
せることがないので、余計なストレスを与えることがな
く、基板Ｇの品質を損なう恐れがないという利点があ
る。
【０１４０】なお、本実施形態で使用するリフターＬと
して、リフトピン６２，６２…を利用してこれを微小距
離だけ移動させることにより基板Ｇと熱処理盤５８とを
接離させることも可能である。
【０１４１】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について説明する。なお、上記第１、第２の実
施形態と重複する部分については説明を省略する。
【０１４２】図２２は本実施形態に係る熱処理盤５８の
平面図であり、図２３及び図２４は本実施形態に係る熱
処理ユニットの熱処理盤５８に基板Ｇを載置した状態を
部分的に拡大した垂直断面図である。
【０１４３】本実施形態の熱処理ユニットでは、熱処理
盤５８の上面上の適当な位置、例えば熱処理盤５８上に
載置した基板Ｇの四隅と各辺の中点と対角線の交点の９
箇所に円柱型の凹部を設けた。そして、この凹部にちょ
うど嵌まり込む形の円柱型の圧電素子を利用した変形ピ
ン９３´を配設し、外部からこの変形ピン９３´に駆動
電圧を供給できるように配線した。
【０１４４】本実施形態の熱処理ユニットでは、上記第
２の実施形態のリフターＬの代わりにこの変形ピン９３
´を用い、この変形ピン９３´，９３´…に電圧を印加
させて上下動させることにより基板Ｇと熱処理盤５８と
を接離するようにした。
【０１４５】即ち、熱処理工程開始直後の基板Ｇの温度
と処理温度との差が大きい間は図２３のように変形ピン
９３´，９３´…へは電圧を印加せず、変形ピン９３
´，９３´…を変形させることなく熱処理盤５８の上面
より低いに位置に待機させておく。
【０１４６】基板Ｇの温度がほぼ処理温度に到達した後
は図２４のように電圧を印加して変形ピンを変形させて
上方に伸長させ、熱処理盤５８の上面から適当な距離、
例えば０．２〜０．３ｍｍ突出させる。このようにする
ことにより、基板Ｇの迅速で均一な熱処理を可能にする
と同時に、基板Ｇの静電破壊を未然に防止することがで
きる。
【０１４７】本実施形態の熱処理ユニットでは、圧電素
子を利用した変形ピン９３´，９３´…を用いて基板Ｇ
と熱処理盤５８とを接離させるので、この接離させる動
作を確実に行うことができる。特に接触させる時間、離
間させる時間を正確に制御できるので、高精度の管理が
可能である。更に、基板Ｇを撓ませることがないので、
余計なストレスを与えることがなく、基板Ｇの品質を損
なう恐れがないという利点がある。
【０１４８】また、構造が簡単で製造コストを大幅に増
大させることもないという利点もある。
【０１４９】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の発
明によれば、前記接触手段と前記離間手段との作動時期
を制御することにより、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【０１５０】そのため、短時間で均一に加熱できるとと
もに、静電破壊を防止することができる。
【０１５１】請求項２記載の発明によれば、前記真空の
強さを制御することにより所定のタイミングで前記被処
理基板と前記熱処理盤とを接離させることができる。
【０１５２】即ち、熱処理開始直後の移動する熱量が大
きい時期は真空の強さを大きくして前記被処理基板と前
記熱処理盤とを接触させる。その一方、被処理基板への
熱量の移動量が低下した後は前記真空の強さを小さくす
る。すると被処理基板は自らの剛性で真っ直ぐに戻ろう
とするため、前記被処理基板と前記熱処理盤とが離間す
る。そのため、短時間で均一に加熱できるとともに、静
電破壊を防止することができる。
【０１５３】請求項３記載の発明によれば、前記微小突
起が適当な位置と高さに形成されている。そのため、前
記真空度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処
理盤と接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処
理基板と前記熱処理盤とが離間する。
【０１５４】従って、熱処理開始直後の移動する熱量が
大きい時期は真空度を高くして熱処理盤から被処理基板
への熱量の移動を促進する。その一方、被処理基板への
熱量の移動量が低下した後は前記真空度を低くして静電
気の発生を防止する。
【０１５５】そのため、短時間で均一に加熱できるとと
もに、静電破壊を防止することができる。
【０１５６】請求項４記載の発明によれば、前記微小突
起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の各辺の
中点を結ぶ菱形を形成する位置に配設されている。
【０１５７】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【０１５８】請求項５記載の発明によれば、前記微小突
起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基板の四隅と
各辺の中点の位置に配設されている。
【０１５９】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【０１６０】請求項６記載の発明によれば、請求項３〜
５のいずれかに記載の熱処理装置において、前記微小突
起として、高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．
３ｍｍの微小突起を採用している。
【０１６１】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【０１６２】請求項７記載の発明によれば、前記被処理
基板と前記熱処理盤とを所定距離離間させる離間手段を
備えており、この離間手段を所定のタイミングで作動さ
せることにより前記被処理基板と前記熱処理盤とを接離
させる。
【０１６３】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【０１６４】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【０１６５】請求項８記載の発明によれば、前記貫通孔
を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に配設された
ピンと、このピンを駆動する駆動手段とを備えており、
このピンを所定のタイミングで作動させることにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを接離させる。
【０１６６】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【０１６７】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【０１６８】請求項９記載の発明によれば、前記貫通孔
を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に配設された
ピンと、このピンを駆動する圧電素子と、前記圧電素子
へ駆動電圧を供給する電圧供給系とを備えており、この
ピンを所定のタイミングで作動させることにより前記被
処理基板と前記熱処理盤とを接離させる。
【０１６９】そのため、熱処理開始直後の移動する熱量
が大きい時期は前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触
させる一方、被処理基板への熱量の移動量が低下した後
は前記被処理基板と前記熱処理盤とを離間させることが
できる。
【０１７０】従って、短時間で均一に加熱できるととも
に、静電破壊を防止することができる。
【０１７１】請求項１０記載の発明によれば、請求項８
又は９に記載の熱処理装置において、前記微小突起とし
て、高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．３ｍｍ
の微小突起を採用している。
【０１７２】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【０１７３】請求項１１記載の発明によれば、被処理基
板と熱処理盤とを接触させて熱処理盤から被処理基板へ
熱量を移動しやすくし、被処理基板の温度を所定の温度
にした後、前記被処理基板と前記熱処理盤とを微小距離
だけ離間させて、静電気の発生を防止する。
【０１７４】そのため、被処理基板を短時間で均一に熱
処理温度にするとともに、静電破壊を防止することがで
きる。
【０１７５】請求項１２記載の発明によれば、被処理基
板と熱処理盤との間に負圧を作用させて被処理基板と熱
処理盤とを接触させ、熱処理盤から被処理基板へ熱量を
移動しやすくし、被処理基板の温度を所定の温度にす
る。しかる後、前記被処理基板と前記熱処理盤とを微小
距離だけ離間させて、静電気の発生を防止する。
【０１７６】そのため、被処理基板を短時間で均一に熱
処理温度にするとともに、静電破壊を防止することがで
きる。
【０１７７】請求項１３記載の発明によれば、被処理基
板と熱処理盤とを接触させて、熱処理盤から被処理基板
へ熱量を移動しやすくし、被処理基板の温度を所定の温
度にする。
【０１７８】しかる後、前記熱処理盤上面からピンを突
出させて被処理基板と前記熱処理盤とを微小距離だけ離
間させて、静電気の発生を防止する。
【０１７９】そのため、被処理基板を短時間で均一に熱
処理温度にするとともに、静電破壊を防止することがで
きる。
【０１８０】請求項１４記載の発明によれば、請求項１
２又は１３に記載の熱処理方法において、前記微小突起
として、高さが前記熱処理盤の上面から０．２〜０．３
ｍｍの微小突起を採用している。
【０１８１】そのため、前記被処理基板と前記熱処理盤
との間に作用する真空の真空度を制御することにより前
記被処理基板と前記熱処理盤とを適宜接離させることが
でき、短時間で均一に加熱できるとともに、静電破壊を
防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の斜視
図である。
【図２】本発明の実施形態に係る塗布・現像装置の平面
図である。
【図３】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの平面
図である。
【図５】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る熱処理盤の平面図であ
る。
【図７】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの垂直
断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る熱処理ユニットの動
作を示すタイミングチャートである。
【図１１】本発明の実施形態に係る熱処理盤の平面図で
ある。
【図１２】本発明の実施形態に係る熱処理盤の平面図で
ある。
【図１３】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１４】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１５】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１６】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１７】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１８】基板の昇温経過を示すグラフである。
【図１９】基板の帯電状態を示すグラフである。
【図２０】本発明の第２の実施形態に係る熱処理盤の垂
直断面図である。
【図２１】本発明の第２の実施形態に係る熱処理盤の垂
直断面図である。
【図２２】本発明の第３の実施形態に係る熱処理盤の平
面図である。
【図２３】本発明の第３の実施形態に係る熱処理盤の垂
直断面図である。
【図２４】本発明の第３の実施形態に係る熱処理盤の垂
直断面図である。
【符号の説明】
Ｇ 基板 ５８ 熱処理盤 ９０ 貫通孔 ９１ 配管 ９２ 真空ポンプ ９３ ピン １００ 制御部

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板を載置する熱処理盤と、 前記被処理基板と前記熱処理盤とを接触させる接触手段
    と、 前記被処理基板と前記熱処理盤とを微小距離離間させる
    離間手段と、 前記接触手段と前記離間手段との作動時期を制御する手
    段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  2. 【請求項２】 被処理基板を載置する熱処理盤と、 前記熱処理盤上面上の所定位置に配設された微小突起
    と、 前記被処理基板と前記熱処理盤との間に真空を供給する
    手段と、 前記真空の強さを制御して前記被処理基板と前記熱処理
    盤とを接離させる手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  3. 【請求項３】 被処理基板を載置する熱処理盤と、 前記熱処理盤上面上に配設された吸着口と、 前記吸着口に真空を供給する真空供給系と、 前記真空供給系の真空度を制御する手段と、 前記熱処理盤上面上に配設された微小突起であって、前
    記真空度を上昇させたときに前記被処理基板が前記熱処
    理盤と接触し、前記真空度を低下させたときに前記被処
    理基板と前記熱処理盤とが離間するような位置及び高さ
    に形成されている微小突起と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の熱処理装置であって、 前記微小突起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基
    板の各辺の中点を結ぶ菱形を形成する位置に配設されて
    いることを特徴とする熱処理装置。
  5. 【請求項５】 請求項３記載の熱処理装置であって、 前記微小突起が、前記熱処理盤上に載置された被処理基
    板の四隅と各辺の中点の位置に配設されていることを特
    徴とする熱処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項３〜５のいずれかに記載の熱処理
    装置であって、前記微小突起の高さが前記熱処理盤の上
    面から０．２〜０．３ｍｍであることを特徴とする熱処
    理装置。
  7. 【請求項７】 被処理基板を載置する熱処理盤と、 前記被処理基板と前記熱処理盤とを所定距離離間させる
    離間手段と、 前記離間手段の作動を制御する手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  8. 【請求項８】 被処理基板を載置する熱処理盤と、 前記熱処理盤上に配設された貫通孔と、 前記貫通孔を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に
    配設されたピンと、 前記ピンを駆動する駆動手段と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  9. 【請求項９】 被処理基板を載置する熱処理盤と、 前記熱処理盤上に配設された貫通孔と、 前記貫通孔を介して前記熱処理盤上面上から出没可能に
    配設されたピンと、 前記貫通孔内に配設され、前記ピンを駆動する圧電素子
    と、 前記圧電素子へ駆動電圧を供給する電圧供給系と、 を具備することを特徴とする熱処理装置。
  10. 【請求項１０】 請求項８又は９に記載の熱処理装置で
    あって、前記ピンを突出させたたときの高さが前記熱処
    理盤の上面から０．２〜０．３ｍｍであることを特徴と
    する熱処理装置。
  11. 【請求項１１】 被処理基板と熱処理盤とを接触させる
    工程と、 前記被処理基板と前記熱処理盤とを微小距離だけ離間さ
    せる工程と、 を具備することを特徴とする熱処理方法。
  12. 【請求項１２】 被処理基板と所定位置に微小突起を備
    えた熱処理盤との間に負圧を作用させて被処理基板と熱
    処理盤とを接触させる工程と、 前記負圧を低下させて被処理基板と前記熱処理盤とを微
    小距離だけ離間させる工程と、 を具備することを特徴とする熱処理方法。
  13. 【請求項１３】 被処理基板と熱処理盤とを接触させる
    工程と、 前記熱処理盤上面からピンを突出させて被処理基板と前
    記熱処理盤とを微小距離だけ離間させる工程と、 を具備することを特徴とする熱処理方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２又は１３に記載の熱処理方
    法であって、前記ピンを突出させたたときの高さが前記
    熱処理盤の上面から０．２〜０．３ｍｍであることを特
    徴とする熱処理方法。
JP17911498A 1998-06-25 1998-06-25 熱処理装置及び熱処理方法 Expired - Fee Related JP3333135B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17911498A JP3333135B2 (ja) 1998-06-25 1998-06-25 熱処理装置及び熱処理方法
US09/338,231 US6129546A (en) 1998-06-25 1999-06-22 Heat process apparatus and heat process method
TW088110643A TW417185B (en) 1998-06-25 1999-06-24 Heat process apparatus and heat process method
KR10-1999-0024254A KR100467916B1 (ko) 1998-06-25 1999-06-25 열처리장치 및 열처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17911498A JP3333135B2 (ja) 1998-06-25 1998-06-25 熱処理装置及び熱処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000012447A true JP2000012447A (ja) 2000-01-14
JP3333135B2 JP3333135B2 (ja) 2002-10-07

Family

ID=16060265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17911498A Expired - Fee Related JP3333135B2 (ja) 1998-06-25 1998-06-25 熱処理装置及び熱処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6129546A (ja)
JP (1) JP3333135B2 (ja)
KR (1) KR100467916B1 (ja)
TW (1) TW417185B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1324380C (zh) * 2002-03-20 2007-07-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于制造液晶显示装置的粘合装置
JP2010147503A (ja) 2010-03-15 2010-07-01 Canon Anelva Corp 基板搭載装置
JP2021042928A (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社九州日昌 加熱装置および加熱方法
CN112518323A (zh) * 2020-11-25 2021-03-19 武汉耀皮康桥汽车玻璃有限公司 一种汽车后挡风玻璃加工装置

Families Citing this family (340)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4343326B2 (ja) * 1999-05-14 2009-10-14 キヤノン株式会社 基板搬送装置および露光装置
US6528767B2 (en) * 2001-05-22 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications
JP2003338499A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd 膜形成方法及び膜形成装置
KR100992803B1 (ko) * 2002-07-25 2010-11-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 용기
US7452712B2 (en) 2002-07-30 2008-11-18 Applied Biosystems Inc. Sample block apparatus and method of maintaining a microcard on a sample block
KR100574058B1 (ko) * 2004-08-20 2006-04-27 삼성전자주식회사 웨이퍼 베이크 장치
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
KR101089096B1 (ko) * 2004-12-28 2011-12-06 엘지디스플레이 주식회사 노광장치용 척
JP4421501B2 (ja) * 2005-03-25 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
WO2006107550A2 (en) 2005-04-01 2006-10-12 Fsi International, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
KR100922801B1 (ko) * 2005-06-20 2009-10-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조 장치 및 액정표시장치 제조 방법과 이를 위한 액정표시장치 제조 공정용 경화 장치
JP2007158077A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
US8003919B2 (en) * 2005-12-06 2011-08-23 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate heat treatment apparatus
JP4827569B2 (ja) * 2006-03-23 2011-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板支持構造とこれを用いた熱処理装置と基板支持構造に用いられるシート状物と基板支持構造の製造方法
US8387635B2 (en) 2006-07-07 2013-03-05 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
WO2009020524A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Fsi International, Inc. Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses
US7900579B2 (en) * 2007-09-26 2011-03-08 Tokyo Electron Limited Heat treatment method wherein the substrate holder is composed of two holder constituting bodies that move relative to each other
KR20110005699A (ko) 2008-05-09 2011-01-18 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) * 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9859145B2 (en) * 2013-07-17 2018-01-02 Lam Research Corporation Cooled pin lifter paddle for semiconductor substrate processing apparatus
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR20240043474A (ko) 2022-09-27 2024-04-03 세메스 주식회사 열 처리 장치, 그 동작 방법, 및 포토 스피너 설비
KR20240105098A (ko) 2022-12-28 2024-07-05 세메스 주식회사 열 처리 장치 및 이의 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2889926B2 (ja) * 1989-10-20 1999-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板の加熱処理方法及び加熱処理装置
JP2806650B2 (ja) * 1991-08-19 1998-09-30 東京エレクトロン株式会社 温度調整装置
US5803977A (en) * 1992-09-30 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
US5738165A (en) * 1993-05-07 1998-04-14 Nikon Corporation Substrate holding apparatus
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
TW277139B (ja) * 1993-09-16 1996-06-01 Hitachi Seisakusyo Kk
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
JP3052116B2 (ja) * 1994-10-26 2000-06-12 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1324380C (zh) * 2002-03-20 2007-07-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于制造液晶显示装置的粘合装置
JP2010147503A (ja) 2010-03-15 2010-07-01 Canon Anelva Corp 基板搭載装置
JP2021042928A (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社九州日昌 加熱装置および加熱方法
JP7473147B2 (ja) 2019-09-13 2024-04-23 株式会社九州日昌 加熱装置および加熱方法
CN112518323A (zh) * 2020-11-25 2021-03-19 武汉耀皮康桥汽车玻璃有限公司 一种汽车后挡风玻璃加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100467916B1 (ko) 2005-01-24
TW417185B (en) 2001-01-01
JP3333135B2 (ja) 2002-10-07
KR20000006469A (ko) 2000-01-25
US6129546A (en) 2000-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3333135B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
US8138456B2 (en) Heat processing method, computer-readable storage medium, and heat processing apparatus
JP3028462B2 (ja) 熱処理装置
US5970717A (en) Cooling method, cooling apparatus and treatment apparatus
JP3052116B2 (ja) 熱処理装置
US7987019B2 (en) Substrate transfer method and substrate transfer apparatus
JP2007329008A (ja) 熱板及びその製造方法
JP3888620B2 (ja) 基板搬送装置における基板の受け渡し位置検知方法及びその教示装置
WO2006085489A1 (ja) 加熱処理装置及び加熱処理方法
JPH11260718A (ja) 現像処理方法および現像処理装置
JP3935303B2 (ja) 加熱処理装置
JP3649048B2 (ja) レジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いる基板加熱処理装置および基板搬送装置
JP2006237262A (ja) 加熱処理装置
JP4267809B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP3874960B2 (ja) 基板処理装置
JP3803487B2 (ja) 基板冷却装置および基板冷却方法
KR20180001690A (ko) 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JPH09148417A (ja) 基板熱処理装置
JP3324974B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JPH11329925A (ja) 基板熱処理装置および基板熱処理方法
JP2012227264A (ja) 基板加熱装置、これを備える塗布現像装置、及び基板加熱方法
JP3307377B2 (ja) レジストベーキング装置及びベーキング方法
JP2885502B2 (ja) 熱処理装置
JPH11329927A (ja) 基板冷却方法および基板冷却装置
JP3822752B2 (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020709

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110726

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110726

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140726

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees