JPH072608Y2 - 加熱成膜用基板ホルダ - Google Patents
加熱成膜用基板ホルダInfo
- Publication number
- JPH072608Y2 JPH072608Y2 JP7587089U JP7587089U JPH072608Y2 JP H072608 Y2 JPH072608 Y2 JP H072608Y2 JP 7587089 U JP7587089 U JP 7587089U JP 7587089 U JP7587089 U JP 7587089U JP H072608 Y2 JPH072608 Y2 JP H072608Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating film
- forming substrate
- film forming
- holder
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （１）考案の目的 ［産業上の利用分野］ 本考案は、加熱成膜用基板ホルダに関するものである。
［従来の技術］ 従来、この種の加熱成膜用基板ホルダとしては、第４図
および第５図に示した加熱成膜用基板ホルダ10のごと
く、ヒータブロック31の表面に対して配設されるホルダ
本体11の平坦な支持面11Aに対し加熱成膜用基板20を接
触せしめて配設したのち、加熱成膜用基板20の両端部20
A,20Bをそれぞれ支持体12,13に係止することにより、ホ
ルダ本体11の支持面11Aに対し全面にわたり面接触せし
めて加熱成膜用基板20を保持してなるものが提案されて
いた。
および第５図に示した加熱成膜用基板ホルダ10のごと
く、ヒータブロック31の表面に対して配設されるホルダ
本体11の平坦な支持面11Aに対し加熱成膜用基板20を接
触せしめて配設したのち、加熱成膜用基板20の両端部20
A,20Bをそれぞれ支持体12,13に係止することにより、ホ
ルダ本体11の支持面11Aに対し全面にわたり面接触せし
めて加熱成膜用基板20を保持してなるものが提案されて
いた。
［解決すべき問題点］ しかしながら、従来の加熱成膜用基板ホルダ10では、ホ
ルダ本体11の平坦な支持面11Aに対し加熱成膜用基板20
を全面にわたり密着して保持していたので、（ｉ）ホル
ダ本体11の支持面11Aに対し加熱成膜用基板20が両端部2
0A,20Bを固定されてしまう欠点があり、そのため（ii）
真空チャンバ内でヒータブロック31によりホルダ本体11
を加熱するに際し、加熱成膜用基板20が熱膨張を生じる
とき、その中央部20Cがホルダ本体11の支持面11Aから離
間してしまう欠点があり、ひいては（iii）加熱成膜用
基板20の温度制御が困難となる欠点があり、結果的に
（iv）加熱成膜用基板20の温度にムラが生じる欠点があ
って、（ｖ）加熱成膜用基板20上で形成される薄膜の諸
特性（たとえば結晶の粒径，硬度，光沢，加熱成膜用基
板20に対する密着力など）が不均一となる欠点があっ
た。
ルダ本体11の平坦な支持面11Aに対し加熱成膜用基板20
を全面にわたり密着して保持していたので、（ｉ）ホル
ダ本体11の支持面11Aに対し加熱成膜用基板20が両端部2
0A,20Bを固定されてしまう欠点があり、そのため（ii）
真空チャンバ内でヒータブロック31によりホルダ本体11
を加熱するに際し、加熱成膜用基板20が熱膨張を生じる
とき、その中央部20Cがホルダ本体11の支持面11Aから離
間してしまう欠点があり、ひいては（iii）加熱成膜用
基板20の温度制御が困難となる欠点があり、結果的に
（iv）加熱成膜用基板20の温度にムラが生じる欠点があ
って、（ｖ）加熱成膜用基板20上で形成される薄膜の諸
特性（たとえば結晶の粒径，硬度，光沢，加熱成膜用基
板20に対する密着力など）が不均一となる欠点があっ
た。
そこで、本考案はこれらの欠点を除去すべく提案された
ものである。
ものである。
（２）考案の構成 ［問題点の解決手段］ 本考案により提供される問題点の解決手段は、加熱成膜
用基板を当接せしめる支持面を設けたホルダ本体と、前
記加熱成膜用基板をその端部において支持する支持体と
を備えた加熱成膜用基板ホルダにおいて、前記支持面
が、外側へ向けて凸の断面略円弧形とされ、前記支持面
と前記支持体の間に、前記加熱成膜用基板の厚さより大
きな間隔が設定されていることを特徴とする加熱成膜用
基板ホルダ である。
用基板を当接せしめる支持面を設けたホルダ本体と、前
記加熱成膜用基板をその端部において支持する支持体と
を備えた加熱成膜用基板ホルダにおいて、前記支持面
が、外側へ向けて凸の断面略円弧形とされ、前記支持面
と前記支持体の間に、前記加熱成膜用基板の厚さより大
きな間隔が設定されていることを特徴とする加熱成膜用
基板ホルダ である。
［作用］ 本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダは、上記構成を備
えていることにより加熱成膜用基板を湾曲した状態に保
持するもので、 （ｉ）加熱成膜用基板の両端部をホルダ本体の支持面に
対して固定されない状態に保持して面方向への熱変形を
許容する作用 をなし、 （ii）加熱成膜用基板の中央部がホルダ本体の支持面か
ら離間することを回避する作用 をなし、ひいては （iii）加熱成膜用基板の温度制御を容易化する作用 をなし、換言すれば （iv）加熱成膜用基板の温度ムラを抑制する作用 をなし、結果的に （ｖ）加熱成膜用基板上で形成される薄膜の諸特性が不
均一となることを抑制する作用 をなす。
えていることにより加熱成膜用基板を湾曲した状態に保
持するもので、 （ｉ）加熱成膜用基板の両端部をホルダ本体の支持面に
対して固定されない状態に保持して面方向への熱変形を
許容する作用 をなし、 （ii）加熱成膜用基板の中央部がホルダ本体の支持面か
ら離間することを回避する作用 をなし、ひいては （iii）加熱成膜用基板の温度制御を容易化する作用 をなし、換言すれば （iv）加熱成膜用基板の温度ムラを抑制する作用 をなし、結果的に （ｖ）加熱成膜用基板上で形成される薄膜の諸特性が不
均一となることを抑制する作用 をなす。
［実施例］ 次に、本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダについて、
その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつつ、具
体的に説明する。しかしながら、以下に説明する実施例
は、本考案の理解を容易化ないし促進化するために記載
されるものであって、本考案を限定するために記載され
るものではない。換言すれば、以下に説明される実施例
において開示される各部材は、本考案の精神ならびに技
術的範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物置換を
含むものである。
その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつつ、具
体的に説明する。しかしながら、以下に説明する実施例
は、本考案の理解を容易化ないし促進化するために記載
されるものであって、本考案を限定するために記載され
るものではない。換言すれば、以下に説明される実施例
において開示される各部材は、本考案の精神ならびに技
術的範囲に属する全ての設計変更ならびに均等物置換を
含むものである。
（添付図面の説明） 第１図は、本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダの一実
施例を示すＩ−Ｉ線にそった断面図である。
施例を示すＩ−Ｉ線にそった断面図である。
第２図は、第１図実施例を示す平面図である。
第３図は、第１図実施例の使用状態を示す部分断面図で
ある。
ある。
（実施例の構成） まず、第１図ないし第３図を参照しつつ、本考案にかか
る加熱成膜用基板ホルダの一実施例について、その構成
を詳細に説明する。10 は、本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダであって、
支持面11Aが適宜（たとえば円筒面状）に突出せしめら
れて外側（図上下側）へ向けて凸の断面略円弧形とさ
れ、適宜の材料（インコネルあるいはステンレスなど）
によって作成されたホルダ本体11と、加熱成膜用基板20
をホルダ本体11の支持面11Aに対し彎曲して配置するよ
う加熱成膜用基板20の両端部20A,20Bを係止するための
適宜の形状（たとえば帯状）の支持体12,13と、加熱成
膜用基板20の両端部20A,20Bとホルダ本体11の支持面11A
との間に間隙を確保するよう支持体12,13の両端部をそ
れぞれホルダ本体11の支持面11Aに対して固定するため
の固定部材14,15とを備えており、支持面11Aと支持体1
2,13の間に、加熱成膜用基板20の厚さw1より大きな間隔
w2が設定されている。加熱成膜用基板20は、その両端部
20A,20Bがホルダ本体11の支持面11Aに対し間隙を維持し
つつ保持されているので、薄膜の形成に際して加熱され
たときにホルダ本体11の支持面11Aに対して面方向に向
け相対的に変形可能とされている。
る加熱成膜用基板ホルダの一実施例について、その構成
を詳細に説明する。10 は、本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダであって、
支持面11Aが適宜（たとえば円筒面状）に突出せしめら
れて外側（図上下側）へ向けて凸の断面略円弧形とさ
れ、適宜の材料（インコネルあるいはステンレスなど）
によって作成されたホルダ本体11と、加熱成膜用基板20
をホルダ本体11の支持面11Aに対し彎曲して配置するよ
う加熱成膜用基板20の両端部20A,20Bを係止するための
適宜の形状（たとえば帯状）の支持体12,13と、加熱成
膜用基板20の両端部20A,20Bとホルダ本体11の支持面11A
との間に間隙を確保するよう支持体12,13の両端部をそ
れぞれホルダ本体11の支持面11Aに対して固定するため
の固定部材14,15とを備えており、支持面11Aと支持体1
2,13の間に、加熱成膜用基板20の厚さw1より大きな間隔
w2が設定されている。加熱成膜用基板20は、その両端部
20A,20Bがホルダ本体11の支持面11Aに対し間隙を維持し
つつ保持されているので、薄膜の形成に際して加熱され
たときにホルダ本体11の支持面11Aに対して面方向に向
け相対的に変形可能とされている。
加熱成膜用基板20は、ガラス，セラミックスあるいは金
属などの適宜の材料によって形成されており、通常、矩
形平板状の形状を有していることが好ましい。
属などの適宜の材料によって形成されており、通常、矩
形平板状の形状を有していることが好ましい。
（実施例の作用） 更に、第１図ないし第３図を参照しつつ、本考案にかか
る加熱成膜用基板ホルダの一実施例について、その作用
を詳細に説明する。
る加熱成膜用基板ホルダの一実施例について、その作用
を詳細に説明する。
加熱成膜用基板の保持 本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダ10は、ホルダ本体
11の支持面11Aに対し加熱成膜用基板20の中央部20Cを当
接した状態で、その両端部20A,20Bを支持体12,13に係止
する。支持体12,13は、加熱成膜用基板20の両端部20A,2
0Bをホルダ本体11の支持面11Aに向けて押圧した状態
で、その両端部が固定部材14,15によってホルダ本体11
の支持面11Aに対して固定される。
11の支持面11Aに対し加熱成膜用基板20の中央部20Cを当
接した状態で、その両端部20A,20Bを支持体12,13に係止
する。支持体12,13は、加熱成膜用基板20の両端部20A,2
0Bをホルダ本体11の支持面11Aに向けて押圧した状態
で、その両端部が固定部材14,15によってホルダ本体11
の支持面11Aに対して固定される。
このとき、加熱成膜用基板20は、ホルダ本体11の支持面
11Aにそって彎曲せしめられており、両端部20A,20Bでホ
ルダ本体11の支持面11Aとの間に適宜の間隙を維持して
いる。
11Aにそって彎曲せしめられており、両端部20A,20Bでホ
ルダ本体11の支持面11Aとの間に適宜の間隙を維持して
いる。
加熱時の動作 本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダ10は、加熱成膜用
基板20を彎曲しつつ保持した状態で、真空チャンバ30の
内部空間に収容されたヒータブロック31に対し、ホルダ
本体11の取付面11Bを接触しつつ取付けられる。
基板20を彎曲しつつ保持した状態で、真空チャンバ30の
内部空間に収容されたヒータブロック31に対し、ホルダ
本体11の取付面11Bを接触しつつ取付けられる。
真空チャンバ30が適宜に減圧されたのち、ヒータブロッ
ク31は、加熱成膜用基板20の表面上に薄膜（図示せず）
を形成すべく、導線32を介して電源（図示せず）に対し
接続される。これにより、ヒータブロック31が発熱さ
れ、本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダ10が加熱せし
められる。
ク31は、加熱成膜用基板20の表面上に薄膜（図示せず）
を形成すべく、導線32を介して電源（図示せず）に対し
接続される。これにより、ヒータブロック31が発熱さ
れ、本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダ10が加熱せし
められる。
本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダ10が加熱される
と、加熱成膜用基板20も加熱される。これに伴なって、
加熱成膜用基板20は、ホルダ本体11の支持面11Aに対
し、面方向に向けて相対的に熱変形せしめられる。
と、加熱成膜用基板20も加熱される。これに伴なって、
加熱成膜用基板20は、ホルダ本体11の支持面11Aに対
し、面方向に向けて相対的に熱変形せしめられる。
このとき、本考案によれば、加熱成膜用基板20がホルダ
本体11の支持面11Aにそって彎曲せしめられ、かつその
両端部20A,20Bでホルダ本体11の支持面11Aとの間に適宜
の間隙が維持されているので、（ｉ）加熱成膜用基板20
の面方向への熱変形（すなわち伸長あるいは収縮）が十
分に許容でき、このため（ii）ホルダ11の支持面11Aか
ら加熱成膜用基板20の中央部20Cが離間されることを回
避でき、ひいては（iii）加熱成膜用基板20の温度制御
を容易化できる。したがって、本考案によれば、（iv）
加熱成膜用基板20の温度ムラを抑制でき、結果的に
（ｖ）加熱成膜用基板20の表面上で形成される薄膜の諸
特性を均一化できる。
本体11の支持面11Aにそって彎曲せしめられ、かつその
両端部20A,20Bでホルダ本体11の支持面11Aとの間に適宜
の間隙が維持されているので、（ｉ）加熱成膜用基板20
の面方向への熱変形（すなわち伸長あるいは収縮）が十
分に許容でき、このため（ii）ホルダ11の支持面11Aか
ら加熱成膜用基板20の中央部20Cが離間されることを回
避でき、ひいては（iii）加熱成膜用基板20の温度制御
を容易化できる。したがって、本考案によれば、（iv）
加熱成膜用基板20の温度ムラを抑制でき、結果的に
（ｖ）加熱成膜用基板20の表面上で形成される薄膜の諸
特性を均一化できる。
（３）考案の効果 上述より明らかなように、本考案にかかる加熱成膜用基
板ホルダは、加熱成膜用基板を当接せしめる支持面を設
けたホルダ本体と、前記加熱成膜用基板をその端部にお
いて支持する支持体とを備えた加熱成膜用基板ホルダに
おいて、前記支持面が、外側へ向けて凸の断面略円弧形
とされ、前記支持面と前記支持体の間に、前記加熱成膜
用基板の厚さより大きな間隔が設定されていることを特
徴とするので、 （ｉ）加熱成膜用基板の両端部をホルダ本体の支持面に
対して固定されない状態に保持でき、面方向への熱変形
を許容できる効果 を有し、 （ii）加熱成膜用基板の中央部がホルダ本体の支持面か
ら離間することを回避できる効果 を有し、ひいては （iii）加熱成膜用基板の温度制御を容易化できる効果 を有し、換言すれば （iv）加熱成膜用基板の温度ムラを抑制できる効果 を有し、結果的に （ｖ）加熱成膜用基板上で形成される薄膜の諸特性が不
均一となることを抑制できる効果 を有する。
板ホルダは、加熱成膜用基板を当接せしめる支持面を設
けたホルダ本体と、前記加熱成膜用基板をその端部にお
いて支持する支持体とを備えた加熱成膜用基板ホルダに
おいて、前記支持面が、外側へ向けて凸の断面略円弧形
とされ、前記支持面と前記支持体の間に、前記加熱成膜
用基板の厚さより大きな間隔が設定されていることを特
徴とするので、 （ｉ）加熱成膜用基板の両端部をホルダ本体の支持面に
対して固定されない状態に保持でき、面方向への熱変形
を許容できる効果 を有し、 （ii）加熱成膜用基板の中央部がホルダ本体の支持面か
ら離間することを回避できる効果 を有し、ひいては （iii）加熱成膜用基板の温度制御を容易化できる効果 を有し、換言すれば （iv）加熱成膜用基板の温度ムラを抑制できる効果 を有し、結果的に （ｖ）加熱成膜用基板上で形成される薄膜の諸特性が不
均一となることを抑制できる効果 を有する。
第１図は本考案にかかる加熱成膜用基板ホルダの一実施
例を示すＩ−Ｉ線にそった断面図、第２図は第１図実施
例を示す平面図、第３図は第１図実施例の使用状態を示
す部分断面図、第４図は従来例としての加熱成膜用基板
ホルダを示す部分断面図、第５図は第４図従来例を示す
平面図である。10 ……加熱成膜用基板ホルダ 11……ホルダ本体 11A……支持面 11B……取付面 12,13……支持体 14,15……固定部材20 ……加熱成膜用基板 20A,20B……端部 20C……中央部30 ……真空チャンバ 31……ヒータブロック 32……導線
例を示すＩ−Ｉ線にそった断面図、第２図は第１図実施
例を示す平面図、第３図は第１図実施例の使用状態を示
す部分断面図、第４図は従来例としての加熱成膜用基板
ホルダを示す部分断面図、第５図は第４図従来例を示す
平面図である。10 ……加熱成膜用基板ホルダ 11……ホルダ本体 11A……支持面 11B……取付面 12,13……支持体 14,15……固定部材20 ……加熱成膜用基板 20A,20B……端部 20C……中央部30 ……真空チャンバ 31……ヒータブロック 32……導線
Claims (1)
- 【請求項１】加熱成膜用基板（20）を当接せしめる支持
面（11A）を設けたホルダ本体（11）と、前記加熱成膜
用基板（20）をその端部（20A）（20B）において支持す
る支持体（12）（13）とを備えた加熱成膜用基板ホルダ
（10）において、前記支持面（11A）が、外側へ向けて
凸の断面略円弧形とされ、前記支持面（11A）と前記支
持体（12）（13）の間に、前記加熱成膜用基板（20）の
厚さ（w1）より大きな間隔（w2）が設定されていること
を特徴とする加熱成膜用基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7587089U JPH072608Y2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 加熱成膜用基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7587089U JPH072608Y2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 加熱成膜用基板ホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0314147U JPH0314147U (ja) | 1991-02-13 |
| JPH072608Y2 true JPH072608Y2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=31616833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7587089U Expired - Lifetime JPH072608Y2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | 加熱成膜用基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH072608Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP7587089U patent/JPH072608Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314147U (ja) | 1991-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100426111B1 (ko) | 세라믹 히터 | |
| KR20050074930A (ko) | 가열 장치 | |
| US5133286A (en) | Substrate-heating device and boat structure for a vacuum-depositing apparatus | |
| JP3004846B2 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
| JPH072608Y2 (ja) | 加熱成膜用基板ホルダ | |
| ES2029009T3 (es) | Substratos para soportar componentes electricos. | |
| JPS63140085A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH02122071A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| US20210360748A1 (en) | Plate type heater and manufacturing method thereof | |
| JPH06333810A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH1053427A (ja) | ガラスシートをアニールする方法およびそれに用いる枠 | |
| JPS58197719A (ja) | 基板の加熱構造および加熱方法 | |
| JPH04289168A (ja) | 薄膜形成用基板保持具 | |
| JPS622544A (ja) | 無声放電型ガスプラズマ処理装置 | |
| JPH11350133A (ja) | ディスク盤の製造方法および基板ホルダ | |
| JPH09219440A (ja) | ウエハ加熱用トレイ | |
| JPH0518832Y2 (ja) | ||
| JP2841108B2 (ja) | 薄膜形成基板の加熱用ヒーター | |
| JPH03220718A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06163413A (ja) | 成膜時の基板加熱方法および成膜装置の基板加熱機構 | |
| JPH04293782A (ja) | プラズマ化学気相堆積装置 | |
| JPH02166726A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH06132233A (ja) | 薄膜製造装置用加熱装置の均熱板 | |
| JPH05125549A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH10152226A (ja) | ボート |