JPS58197719A - 基板の加熱構造および加熱方法 - Google Patents
基板の加熱構造および加熱方法Info
- Publication number
- JPS58197719A JPS58197719A JP57080579A JP8057982A JPS58197719A JP S58197719 A JPS58197719 A JP S58197719A JP 57080579 A JP57080579 A JP 57080579A JP 8057982 A JP8057982 A JP 8057982A JP S58197719 A JPS58197719 A JP S58197719A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heat
- heating
- heat dispersion
- temperature distribution
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は、ＭＬ（エレクトロ・ル建ネッセンス）、１ｃ
Ｄ（ｚレフトロ・クロ建ツク・デバイス）、薄膜トラン
ジスタ等の薄膜デバイス作成において。
Ｄ（ｚレフトロ・クロ建ツク・デバイス）、薄膜トラン
ジスタ等の薄膜デバイス作成において。
均一な膜厚を得るための基板の加熱方法に関する。
一般に、ＭＬ勢の薄膜デバイスを基板上に被着させるた
めの蒸着（Ｔｏるいはスパッタ）装置は第１図に示すよ
うな構成をとる。すなわち、薄膜デバイスを蒸着させる
基板／は、基板ホルダーコにより支持されてお）、被着
面と反対側の面をヒーターＪで加熱した状態で蒸着源亭
からの蒸着（めるいはスパック）が行われる。このよう
に、薄膜デバイスを被着する際に基板を加熱することは
。
めの蒸着（Ｔｏるいはスパッタ）装置は第１図に示すよ
うな構成をとる。すなわち、薄膜デバイスを蒸着させる
基板／は、基板ホルダーコにより支持されてお）、被着
面と反対側の面をヒーターＪで加熱した状態で蒸着源亭
からの蒸着（めるいはスパック）が行われる。このよう
に、薄膜デバイスを被着する際に基板を加熱することは
。
薄膜と基板との良好な接着強度を得るために必要であり
ｔ＊、膜特性の向上を図るために通常行われていること
であるが、従来の基板の加熱方法には。
ｔ＊、膜特性の向上を図るために通常行われていること
であるが、従来の基板の加熱方法には。
以下に述べるような欠点があった・
すなわち、ＫＬ、ｌｌｌ０Ｉ）等の薄膜デバイス作成に
用いられる基板は、通常、ガラス、セラミック尋の熱伝
導率の小さな物質からなるため、薄膜被着時にヒーター
で基板を加熱する場合、薄膜被着面の温度分布が均一化
するのに比較的時間がかかるという問題があった。特に
、基板な支持するための基板ホルダーの熱伝導度が基板
より大きい吃のである場合、基板に供給される熱はヒー
ターからの放射熱のみならず基板ホルダ一部からも熱移
動が生じ、そのため基板ホルダーに近い部分は。
用いられる基板は、通常、ガラス、セラミック尋の熱伝
導率の小さな物質からなるため、薄膜被着時にヒーター
で基板を加熱する場合、薄膜被着面の温度分布が均一化
するのに比較的時間がかかるという問題があった。特に
、基板な支持するための基板ホルダーの熱伝導度が基板
より大きい吃のである場合、基板に供給される熱はヒー
ターからの放射熱のみならず基板ホルダ一部からも熱移
動が生じ、そのため基板ホルダーに近い部分は。
基板の中心部分に比して高温になｐ、その結果薄膜被着
面の温度分布が不均一となる。このような温度分布の不
均一さは、直接、膜厚の不均一さの原因となる良め好ま
しくない。し良がって、たとえば、ｌＬのように、比較
的大面積な一度に発光させるデバイスの場合、上記のよ
うな温度分布の不均一さに起因する膜厚の不均一により
、いわゆる発光むらが生じることとなる。このように、
薄膜被着時の基板の温度分布な均一圧することは、製品
品質という見地から解決しなければならない重要な問題
であるが未解決であった。
面の温度分布が不均一となる。このような温度分布の不
均一さは、直接、膜厚の不均一さの原因となる良め好ま
しくない。し良がって、たとえば、ｌＬのように、比較
的大面積な一度に発光させるデバイスの場合、上記のよ
うな温度分布の不均一さに起因する膜厚の不均一により
、いわゆる発光むらが生じることとなる。このように、
薄膜被着時の基板の温度分布な均一圧することは、製品
品質という見地から解決しなければならない重要な問題
であるが未解決であった。
本発明は、上述した従来の薄膜デバイス作成における基
板の加熱方法に伴う欠点を解決するものであシ、比較的
短い時間で基板の温度分布な均一にすることによ如、基
板上に均一々Ｍ厚の薄膜を形成するための基板の加熱構
造および加熱方法を提供することを目的とする。すなわ
ち、本発明の基板の加熱方法は、基板の非被着面に温度
分布な均一にする皮めの熱分散体ｔｔａ接させて該熱分
散体な介して基板を加熱するととｆｋ特徴とするもので
ある。また１本発明の基板の加熱構造は、基板の非被着
面に温度分布を均一にするための熱分散体な隣接して亀
ることを特徴とするものである。
板の加熱方法に伴う欠点を解決するものであシ、比較的
短い時間で基板の温度分布な均一にすることによ如、基
板上に均一々Ｍ厚の薄膜を形成するための基板の加熱構
造および加熱方法を提供することを目的とする。すなわ
ち、本発明の基板の加熱方法は、基板の非被着面に温度
分布な均一にする皮めの熱分散体ｔｔａ接させて該熱分
散体な介して基板を加熱するととｆｋ特徴とするもので
ある。また１本発明の基板の加熱構造は、基板の非被着
面に温度分布を均一にするための熱分散体な隣接して亀
ることを特徴とするものである。
以下１図面な参照して本発明の爽施例について説明する
。
。
本発明で用いられる熱分散体は、金楓勢の熱伝導率の高
い物質からなシ、たとえば、ＣＵ、ム１、ムＵ勢が好ま
しく用いられる。第１図は、基板ホルダーコに基板／を
装着し、さらに該基板の加熱される側の面に熱分散体ｔ
な並置し丸状ｍｔあられす断面図である。図中の矢印は
、ヒーターからの放射熱なあられす。すなわち、ヒータ
ーからの熱は、熱分散体６な介して基板に伝達される。
い物質からなシ、たとえば、ＣＵ、ム１、ムＵ勢が好ま
しく用いられる。第１図は、基板ホルダーコに基板／を
装着し、さらに該基板の加熱される側の面に熱分散体ｔ
な並置し丸状ｍｔあられす断面図である。図中の矢印は
、ヒーターからの放射熱なあられす。すなわち、ヒータ
ーからの熱は、熱分散体６な介して基板に伝達される。
この熱分散体は、熱伝導率の大きい材料からなるため、
熱分散体は短時間で均一な温度分布な有するようになる
とと４に、基板への均一な熱伝達が短時間で達成される
。さらに、熱分散体は、基板に生ずる不均一な温度分布
な迅速に平均化するために有効な働きｔする。また、熱
分散体と基板の間の熱伝達な有効に行うためＫは、熱分
散体な基板面に密着させ良状態で着脱自在Ｋｉｌ接され
ていることが好ましい。
熱分散体は短時間で均一な温度分布な有するようになる
とと４に、基板への均一な熱伝達が短時間で達成される
。さらに、熱分散体は、基板に生ずる不均一な温度分布
な迅速に平均化するために有効な働きｔする。また、熱
分散体と基板の間の熱伝達な有効に行うためＫは、熱分
散体な基板面に密着させ良状態で着脱自在Ｋｉｌ接され
ていることが好ましい。
熱分散体の厚さは、ヒーターの容置、ヒーター・基板間
の距離るるいは基板の大きさによって適宜選ぶことがで
きるが、およそ０．７〜１０８＆の範囲が好ましい。ま
た、熱分散体の形状は、基板と基板ホルダーの熱伝導率
の差異等の温度分布の不均一化を促す要因な緩和するよ
うな形状であることが好ましい。
の距離るるいは基板の大きさによって適宜選ぶことがで
きるが、およそ０．７〜１０８＆の範囲が好ましい。ま
た、熱分散体の形状は、基板と基板ホルダーの熱伝導率
の差異等の温度分布の不均一化を促す要因な緩和するよ
うな形状であることが好ましい。
たとえば、中空部を有するくもの巣状の熱分散体な用い
た場合の平面図を第３図に示す。この熱分散体は基板ホ
ルダーの熱伝導率の方が基板よりも大きい場合に特に有
効でるる、すなわち、基板ホルダーコが金属郷の熟成導
体からなシ、基板／がセラｉック等の熱不良導体からな
る場合、ヒーターからの放射熱によシ基板と基板ホルダ
ーの双方が加熱されると、熱伝導率の差異により、基板
ホルダーから基板への熱移動が生じ、その結果基板周辺
部の温度が、中心部よりも高い温度となる。
た場合の平面図を第３図に示す。この熱分散体は基板ホ
ルダーの熱伝導率の方が基板よりも大きい場合に特に有
効でるる、すなわち、基板ホルダーコが金属郷の熟成導
体からなシ、基板／がセラｉック等の熱不良導体からな
る場合、ヒーターからの放射熱によシ基板と基板ホルダ
ーの双方が加熱されると、熱伝導率の差異により、基板
ホルダーから基板への熱移動が生じ、その結果基板周辺
部の温度が、中心部よりも高い温度となる。
そのため、熱分散体の形状としては、熱分散体の（平）
面密度が基板の中心部にいく程大きくなるような形状が
好ましい。このような形状にすることによシ、中心部の
温度上昇が促進され、これによシ基板の温に分布な短時
間で均一にすることができる。そして、このような作用
な有する熱分散体としては、第３図に示したようなくも
の果状の形状のみならず、放射状、同心円状郷の種々の
形状な適宜選ぶことができる。
面密度が基板の中心部にいく程大きくなるような形状が
好ましい。このような形状にすることによシ、中心部の
温度上昇が促進され、これによシ基板の温に分布な短時
間で均一にすることができる。そして、このような作用
な有する熱分散体としては、第３図に示したようなくも
の果状の形状のみならず、放射状、同心円状郷の種々の
形状な適宜選ぶことができる。
第φ図は、べた板状の熱分散体な用いた場合の平面図で
ある。この熱分散体は、基板ホルダーと基板の熱伝導率
が同等もしくは基板ホルダーの熱伝導率が低い場合に１
効である。すなわち、この場合は基板ホルダーコからの
熱移動は起こシにくく、はとんどヒーターからの放射熱
のみにより基板が加熱されることとなる。したかって、
ヒーターと基板との間に、基板に密着した状態で、べた
板状の熱分散体６が介在しているので、ヒーターからの
熱は、まず熱分散体に伝達し、次いで温度分布が均一化
した状態でさらに基板に伝達される。
ある。この熱分散体は、基板ホルダーと基板の熱伝導率
が同等もしくは基板ホルダーの熱伝導率が低い場合に１
効である。すなわち、この場合は基板ホルダーコからの
熱移動は起こシにくく、はとんどヒーターからの放射熱
のみにより基板が加熱されることとなる。したかって、
ヒーターと基板との間に、基板に密着した状態で、べた
板状の熱分散体６が介在しているので、ヒーターからの
熱は、まず熱分散体に伝達し、次いで温度分布が均一化
した状態でさらに基板に伝達される。
そのため、このよう々熱分散体な用いることにより、基
板の温度分布な極めて有効に均一化することかできる。
板の温度分布な極めて有効に均一化することかできる。
上述したように１本発明の基板の加熱方法は、基板の非
被看向に熱伝導率の大きな材料からなる熱分散体な並置
し、この熱分散体を介して基板な加熱するようにしたの
で、基板の温度分布のむらな短い時間で均一化すること
ができ、基板上に均一な膜厚の薄膜な形成することが可
能となる。その結果１品質の高い製品を供給することが
可能となる。
被看向に熱伝導率の大きな材料からなる熱分散体な並置
し、この熱分散体を介して基板な加熱するようにしたの
で、基板の温度分布のむらな短い時間で均一化すること
ができ、基板上に均一な膜厚の薄膜な形成することが可
能となる。その結果１品質の高い製品を供給することが
可能となる。
第７図は、従来の真空蒸着（スパッタ）装置の概略図で
ある。第一図は、本発明の基板の加熱構造および加熱方
法を示す断面図である３、第、７図および第参図は１本
発明の実施例を示す平面−である。 ／・・・基板、／ａ・・蒸着面、−・・基板ホルダー、
３・・ビー１−．弘・・・蒸着源、ｊ・・・ベルジャ
ｔ・・熱分散体。
ある。第一図は、本発明の基板の加熱構造および加熱方
法を示す断面図である３、第、７図および第参図は１本
発明の実施例を示す平面−である。 ／・・・基板、／ａ・・蒸着面、−・・基板ホルダー、
３・・ビー１−．弘・・・蒸着源、ｊ・・・ベルジャ
ｔ・・熱分散体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／、基板上に薄膜を被着する際の基板の加熱構造におい
て、基板の非被着面に温度分布な均一にするための熱分
散体をｉ１１接してなることを特徴とする。基板の加熱
構造。 Ｊ、前記熱分散体が０の巣状の熱良導体からなることを
ＩｆＩｉ徴とする。特許請求の範囲第７項に記載の方法
。 Ｊ、前記熱分散体がべた板状の熱良導体からなることを
特徴とする特許晴求の範囲第１項に記載の方法。 ←、基板上に薄１ｌＩｖ被着する際の基板の加熱方法に
おいて、基板の非被着面に温度分布を均一にするための
熱分散体を隣接させて、骸熱分散体を介して基板を加熱
すること１１−４１像とする。基板の加熱方法。 ！・前記熱分散体が（し適状の熱良導体からなること１
＊黴とする。４１許請求の範囲第Ｖ項に記−の基板の加
熱方法。 基、前記熱分散体がべた板状の熱良導体からなることな
４Ｉ像とする。特許請求の範囲第参項に記載の基板の加
熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080579A JPS58197719A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 基板の加熱構造および加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080579A JPS58197719A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 基板の加熱構造および加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197719A true JPS58197719A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13722251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57080579A Pending JPS58197719A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 基板の加熱構造および加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197719A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS6142125A (ja) * | 1984-08-03 | 1986-02-28 | Rohm Co Ltd | Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法 |
| JPS61139021A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | Rohm Co Ltd | Ｍｂｅ用基板の温度測定方法 |
| JP2007154316A (ja) * | 1999-07-14 | 2007-06-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置 |
-
1982
- 1982-05-13 JP JP57080579A patent/JPS58197719A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH0565586B2 (ja) * | 1984-03-23 | 1993-09-20 | Hitachi Ltd | |
| JPS6142125A (ja) * | 1984-08-03 | 1986-02-28 | Rohm Co Ltd | Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法 |
| JPS61139021A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | Rohm Co Ltd | Ｍｂｅ用基板の温度測定方法 |
| JP2007154316A (ja) * | 1999-07-14 | 2007-06-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置 |
| JP4589346B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2010-12-01 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置 |
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