JP2000096244A - 基板載置台及び成膜装置 - Google Patents
基板載置台及び成膜装置Info
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- JP2000096244A JP2000096244A JP10272791A JP27279198A JP2000096244A JP 2000096244 A JP2000096244 A JP 2000096244A JP 10272791 A JP10272791 A JP 10272791A JP 27279198 A JP27279198 A JP 27279198A JP 2000096244 A JP2000096244 A JP 2000096244A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小さいヒータで基板の表面温度をより均一に
加熱できる基板載置台を提供すること。 【解決手段】 ヒータ１を具備し、該ヒータ１の上にサ
セプタ２を載せ、該サセプタ２を介して基板３を加熱す
る装置の基板載置台であって、サセプタ２の外周部２ａ
を構成する材料が、中央部２ｂを構成する材料より熱伝
導率が高い材料である。このように構成することによ
り、基板３の外周部にはより大きな熱が移動することに
なり、ヒータ１の中央部２ｂと外周部２ａの単位面積当
たりの熱移動量をバランスさせ、ヒータ１の径が小さく
とも基板３を均一に加熱することができる。
加熱できる基板載置台を提供すること。 【解決手段】 ヒータ１を具備し、該ヒータ１の上にサ
セプタ２を載せ、該サセプタ２を介して基板３を加熱す
る装置の基板載置台であって、サセプタ２の外周部２ａ
を構成する材料が、中央部２ｂを構成する材料より熱伝
導率が高い材料である。このように構成することによ
り、基板３の外周部にはより大きな熱が移動することに
なり、ヒータ１の中央部２ｂと外周部２ａの単位面積当
たりの熱移動量をバランスさせ、ヒータ１の径が小さく
とも基板３を均一に加熱することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は被成膜基板を載置し
て加熱する装置の基板載置台及び該基板載置台を使用し
た成膜装置に関するものである。
て加熱する装置の基板載置台及び該基板載置台を使用し
た成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置等の装置においては、反応室
にヒータを具備する基板載置台を配置し、該基板載置台
の上に半導体ウエハ等の基板を載置し、ヒータから発せ
られる熱で該基板を加熱すると共に、反応室に原料ガス
を導き、該原料ガスの反応により被成膜基板に薄膜を形
成している。この基板上に均一な膜厚の薄膜を形成する
ためには、基板を均一に加熱する必要があり、これまで
基板の均一な加熱のためにヒータ自身及び載置台の改良
が提案されている。
にヒータを具備する基板載置台を配置し、該基板載置台
の上に半導体ウエハ等の基板を載置し、ヒータから発せ
られる熱で該基板を加熱すると共に、反応室に原料ガス
を導き、該原料ガスの反応により被成膜基板に薄膜を形
成している。この基板上に均一な膜厚の薄膜を形成する
ためには、基板を均一に加熱する必要があり、これまで
基板の均一な加熱のためにヒータ自身及び載置台の改良
が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような基板載置台
が具備するヒータは、その外周部からの放熱量が大きい
ため、どうしてもヒータ中央部の温度に比較し、ヒータ
外周部の温度が低くなる。そのため、基板の中央部の温
度が高く、外周部が低くなるという問題があった。
が具備するヒータは、その外周部からの放熱量が大きい
ため、どうしてもヒータ中央部の温度に比較し、ヒータ
外周部の温度が低くなる。そのため、基板の中央部の温
度が高く、外周部が低くなるという問題があった。
【０００４】そこで、基板の外周部まで均一に加熱でき
るようにするために、基板に対して十分に大きい寸法の
ヒータを用いたり、或いはヒータの外周部の入熱量（Ｗ
／ｃｍ2）を中央部より大きくしたり、或いは該外周部
に反射板を設ける等の方法がとられている。しかしなが
ら、それでも現実的にはまだ基板に対しては十分大きな
ヒータを使用しなくては、基板表面の均熱性を得ること
ができないという問題があった。
るようにするために、基板に対して十分に大きい寸法の
ヒータを用いたり、或いはヒータの外周部の入熱量（Ｗ
／ｃｍ2）を中央部より大きくしたり、或いは該外周部
に反射板を設ける等の方法がとられている。しかしなが
ら、それでも現実的にはまだ基板に対しては十分大きな
ヒータを使用しなくては、基板表面の均熱性を得ること
ができないという問題があった。
【０００５】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、小さいヒータで基板の表面温度をより均一に加熱で
きる基板載置台を提供することを目的とする。
で、小さいヒータで基板の表面温度をより均一に加熱で
きる基板載置台を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、ヒータ及びサセプタを具備
し、該ヒータにより該サセプタを介して基板を加熱する
装置の基板載置台であって、サセプタの外周部を構成す
る材料が、中央部を構成する材料より熱伝導率が高い材
料であることを特徴とする。
請求項１に記載の発明は、ヒータ及びサセプタを具備
し、該ヒータにより該サセプタを介して基板を加熱する
装置の基板載置台であって、サセプタの外周部を構成す
る材料が、中央部を構成する材料より熱伝導率が高い材
料であることを特徴とする。
【０００７】また、請求項２に記載の発明は、ヒータを
具備し、該ヒータで直接基板を加熱する装置の基板載置
台であって、ヒータの基板が直接接する面を構成する材
料が、該基板の外周部が接する部分が該基板の中央部が
接する部分より熱伝導率が高い材料で構成されることを
特徴とする。
具備し、該ヒータで直接基板を加熱する装置の基板載置
台であって、ヒータの基板が直接接する面を構成する材
料が、該基板の外周部が接する部分が該基板の中央部が
接する部分より熱伝導率が高い材料で構成されることを
特徴とする。
【０００８】また、請求項３に記載の発明は、ヒータを
具備し、該ヒータにより基板を加熱する基板載置台にお
いて、ヒータは伝熱板を内蔵し、該伝熱板が被覆部材を
介して間接的に基板を加熱するように構成されており、
該伝熱板の外周部を構成する材料が、中央部を構成する
材料より熱伝導率が高い材料であることを特徴とする。
具備し、該ヒータにより基板を加熱する基板載置台にお
いて、ヒータは伝熱板を内蔵し、該伝熱板が被覆部材を
介して間接的に基板を加熱するように構成されており、
該伝熱板の外周部を構成する材料が、中央部を構成する
材料より熱伝導率が高い材料であることを特徴とする。
【０００９】また、請求項４に記載の発明は、内部に基
板載置台を配置した成膜室を具備し、該成膜室に原料ガ
スを導き、加熱された基板上に薄膜を反応形成する成膜
装置において、基板載置台に請求項１乃至３に記載の１
又は複数の基板載置台を用いることを特徴とする。
板載置台を配置した成膜室を具備し、該成膜室に原料ガ
スを導き、加熱された基板上に薄膜を反応形成する成膜
装置において、基板載置台に請求項１乃至３に記載の１
又は複数の基板載置台を用いることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は請求項１に係る基板載置
台の構成を示す断面図である。図示するように、本基板
載置台はヒータ１を具備し、該ヒータ１の上にサセプタ
２を載せ、該サセプタ２を介して基板３を加熱するよう
になっている。該ヒータ１は抵抗発熱体等の発熱体１ａ
を具備し、該発熱体１ａを被覆体１ｂで覆った構成で、
全体が板状に構成されている。
面に基づいて説明する。図１は請求項１に係る基板載置
台の構成を示す断面図である。図示するように、本基板
載置台はヒータ１を具備し、該ヒータ１の上にサセプタ
２を載せ、該サセプタ２を介して基板３を加熱するよう
になっている。該ヒータ１は抵抗発熱体等の発熱体１ａ
を具備し、該発熱体１ａを被覆体１ｂで覆った構成で、
全体が板状に構成されている。
【００１１】ヒータ１の上に載せるサセプタ２は中央に
位置する中央部２ｂと、該中央部２ｂの外周に位置する
外周部２ａで構成され、該外周部２ａと中央部２ｂの組
立体からなるサセプタ２の上面には基板３を載置するた
めの凹部４が形成されている。また、外周部２ａと中央
部２ｂとの境界には段部２ｃが形成されている。
位置する中央部２ｂと、該中央部２ｂの外周に位置する
外周部２ａで構成され、該外周部２ａと中央部２ｂの組
立体からなるサセプタ２の上面には基板３を載置するた
めの凹部４が形成されている。また、外周部２ａと中央
部２ｂとの境界には段部２ｃが形成されている。
【００１２】サセプタ２の中央部２ｂを構成する材料
に、例えばＳｉＣを用い、外周部２ａを構成する材料に
は該ＳｉＣより熱伝導率が高いＡｌＮを用いる（ＳｉＣ
の熱伝導率：９０〔１／Ｗ・ｍ-1・ｋ-1〕、ＡｌＮの熱
伝導率：２６０〔１／Ｗ・ｍ-1・ｋ-1〕）。つまり、サ
セプタ２の外周部２ａを構成する材料を中央部２ｂを構
成する材料より熱伝導率が高い材料とする（外周部２ａ
を熱伝導率の高い材料で構成し、中央部２ｂを熱伝導率
の低い材料で構成する）。なお、外周部２ａにＡｌＮ
を、中央部２ｂにＳｉＣを用いた場合、段部２ｃにおけ
る両者の接合は、例えばろう付で接続して両者を一体化
すると両者間の熱伝導ロスが小さくなる。
に、例えばＳｉＣを用い、外周部２ａを構成する材料に
は該ＳｉＣより熱伝導率が高いＡｌＮを用いる（ＳｉＣ
の熱伝導率：９０〔１／Ｗ・ｍ-1・ｋ-1〕、ＡｌＮの熱
伝導率：２６０〔１／Ｗ・ｍ-1・ｋ-1〕）。つまり、サ
セプタ２の外周部２ａを構成する材料を中央部２ｂを構
成する材料より熱伝導率が高い材料とする（外周部２ａ
を熱伝導率の高い材料で構成し、中央部２ｂを熱伝導率
の低い材料で構成する）。なお、外周部２ａにＡｌＮ
を、中央部２ｂにＳｉＣを用いた場合、段部２ｃにおけ
る両者の接合は、例えばろう付で接続して両者を一体化
すると両者間の熱伝導ロスが小さくなる。
【００１３】上記のようにサセプタ２の外周部２ａを熱
伝導率の高い材料で構成し、中央部２ｂを熱の良導体で
あるが外周部よりは熱伝導率の低い材料で構成すること
により、基板３の外周部２ａにはより大きな熱が移動す
ることになる。ヒータ１の径を小さくすると、ヒータ１
の基板３の外周部に対面する所の温度は外周部からの放
熱分だけ下がるが、サセプタ２の外周部を熱伝導率の高
い材料で構成することにより、ヒータ１の外周部からの
放熱量を補うように外周部への熱移動量を増大させ、ヒ
ータ１の径が小さくとも基板を均一に加熱することがで
きる基板載置台を構成することができる。
伝導率の高い材料で構成し、中央部２ｂを熱の良導体で
あるが外周部よりは熱伝導率の低い材料で構成すること
により、基板３の外周部２ａにはより大きな熱が移動す
ることになる。ヒータ１の径を小さくすると、ヒータ１
の基板３の外周部に対面する所の温度は外周部からの放
熱分だけ下がるが、サセプタ２の外周部を熱伝導率の高
い材料で構成することにより、ヒータ１の外周部からの
放熱量を補うように外周部への熱移動量を増大させ、ヒ
ータ１の径が小さくとも基板を均一に加熱することがで
きる基板載置台を構成することができる。
【００１４】なお、上記例では、サセプタ２の中央部２
ｂと外周部２ａの二つに区分する例を示したが、これに
限定されるものではなく、サセプタ２をその中央部（中
心）から外周部（外周）まで同心円状に複数に区分し、
中央部から外周部に向かって、順次熱伝導率の高い材料
としてもよい。
ｂと外周部２ａの二つに区分する例を示したが、これに
限定されるものではなく、サセプタ２をその中央部（中
心）から外周部（外周）まで同心円状に複数に区分し、
中央部から外周部に向かって、順次熱伝導率の高い材料
としてもよい。
【００１５】図２は請求項２に係る基板載置台の構成を
示す断面図である。図示するように、本基板載置台はヒ
ータ１０の上に直接基板３を載せ、該基板３を加熱する
構成である。ヒータ１０は例えば抵抗発熱体等の発熱体
１１を具備し、該発熱体１１を被覆体１２で覆った構成
で、全体が板状に構成されている。被覆体１２は少なく
とも基板載置面側は中央に位置する中央部１２ｂとその
外周に位置する外周部１２ａとからなり、該中央部１２
ｂと外周部１２ａが一体に接合された構造である。そし
て中央部１２ｂを熱伝導率の低い材料で構成し、外周部
１２ａをそれより高い熱伝導率の材料で構成している。
つまり、基板３が直接接する面を構成する材料が、該基
板３の外周部が接する部分（外周部１２ａ）が該基板３
の外周部が接する部分（中央部１２ｂ）より熱伝導率が
低い材料で構成されている。
示す断面図である。図示するように、本基板載置台はヒ
ータ１０の上に直接基板３を載せ、該基板３を加熱する
構成である。ヒータ１０は例えば抵抗発熱体等の発熱体
１１を具備し、該発熱体１１を被覆体１２で覆った構成
で、全体が板状に構成されている。被覆体１２は少なく
とも基板載置面側は中央に位置する中央部１２ｂとその
外周に位置する外周部１２ａとからなり、該中央部１２
ｂと外周部１２ａが一体に接合された構造である。そし
て中央部１２ｂを熱伝導率の低い材料で構成し、外周部
１２ａをそれより高い熱伝導率の材料で構成している。
つまり、基板３が直接接する面を構成する材料が、該基
板３の外周部が接する部分（外周部１２ａ）が該基板３
の外周部が接する部分（中央部１２ｂ）より熱伝導率が
低い材料で構成されている。
【００１６】上記のようにヒータ１０を構成する被覆体
１２の中央部１２ｂを熱伝導率の低い材料で構成し、外
周部１２ａを熱伝導率の高い材料で構成することによ
り、発熱体１１の温度が同じ温度であれば、基板３の外
周部にはより大きな熱が移動することになる。ヒータ１
０の径を小さくすると、ヒータ１０の基板３の外周部に
対面する所の温度は下がるが、被覆体１２の外周部１２
ａを熱伝導率の高い材料で構成することにより、ヒータ
１０の外周部からの放熱を補うように外周部への熱移動
量を増大させ、ヒータ１０の径が小さくとも基板３を均
一に加熱することができる。
１２の中央部１２ｂを熱伝導率の低い材料で構成し、外
周部１２ａを熱伝導率の高い材料で構成することによ
り、発熱体１１の温度が同じ温度であれば、基板３の外
周部にはより大きな熱が移動することになる。ヒータ１
０の径を小さくすると、ヒータ１０の基板３の外周部に
対面する所の温度は下がるが、被覆体１２の外周部１２
ａを熱伝導率の高い材料で構成することにより、ヒータ
１０の外周部からの放熱を補うように外周部への熱移動
量を増大させ、ヒータ１０の径が小さくとも基板３を均
一に加熱することができる。
【００１７】なお、上記被覆体１２の外周部１２ａを例
えばＡｌＮで構成し、中央部１２ｂをＳｉＣで構成し、
両者の接合は、例えばろう付で接続し、一体化する。ま
た、上記例では、被覆体１２の中央部１２ｂと外周部１
２ａの二つに区分する例を示したが、これに限定される
ものではなく、被覆体の中心から外周まで同心円状に複
数に区分し、中心から外周に向かって、順次熱伝導率の
高い材料としてもよい。
えばＡｌＮで構成し、中央部１２ｂをＳｉＣで構成し、
両者の接合は、例えばろう付で接続し、一体化する。ま
た、上記例では、被覆体１２の中央部１２ｂと外周部１
２ａの二つに区分する例を示したが、これに限定される
ものではなく、被覆体の中心から外周まで同心円状に複
数に区分し、中心から外周に向かって、順次熱伝導率の
高い材料としてもよい。
【００１８】図３は請求項３に係る基板載置台の構成を
示す断面図である。図示するように、本基板載置台はヒ
ータ２０の上に直接基板３を載せ、該基板３を加熱する
構成である。ヒータ２０は抵抗発熱体等の発熱体２１を
内蔵し、その上に伝熱板２３を配置し、その全体を被覆
体２４で覆い全体が板状に構成されている。被覆体２４
の上面には基板３を載置できるようになっている。
示す断面図である。図示するように、本基板載置台はヒ
ータ２０の上に直接基板３を載せ、該基板３を加熱する
構成である。ヒータ２０は抵抗発熱体等の発熱体２１を
内蔵し、その上に伝熱板２３を配置し、その全体を被覆
体２４で覆い全体が板状に構成されている。被覆体２４
の上面には基板３を載置できるようになっている。
【００１９】上記構成の基板載置台において、ヒータ２
０の伝熱板２３は例えば逆円錐台状の中央に位置する中
央部２３ｂと該中央部２３ｂの外周に位置し該中央部２
３ｂを収容する逆円錐台状の凹部を有する外周部２３ａ
で構成される。そして中央部２３ｂを熱伝導率の低いＳ
ＵＳで構成し、外周部２３ａを熱伝導率の高いＣｕで構
成する。つまり、伝熱板２３の外周部２３ａを構成する
材料を、中央部２３ｂを構成する材料より熱伝導率の高
い材料とする。
０の伝熱板２３は例えば逆円錐台状の中央に位置する中
央部２３ｂと該中央部２３ｂの外周に位置し該中央部２
３ｂを収容する逆円錐台状の凹部を有する外周部２３ａ
で構成される。そして中央部２３ｂを熱伝導率の低いＳ
ＵＳで構成し、外周部２３ａを熱伝導率の高いＣｕで構
成する。つまり、伝熱板２３の外周部２３ａを構成する
材料を、中央部２３ｂを構成する材料より熱伝導率の高
い材料とする。
【００２０】上記のようにヒータ２０を構成する伝熱板
２３の中央部２３ｂを熱伝導率の低い材料で構成し、外
周部２３ａを熱伝導率の高い材料で構成することによ
り、発熱体２１の温度が同じ温度であれば、基板３の外
周部にはより大きな熱が移動することになる。ヒータ２
０の径を小さくすると、ヒータ２０の基板３の外周部に
対面する所の温度は下がるが、伝熱板２３の外周部２３
ａを熱伝導率の高い材料で構成することにより、ヒータ
２０の外周部からの放熱を補うように外周部への熱移動
量を増大させ、ヒータ２０の径が小さくとも基板３を均
一に加熱することができる。
２３の中央部２３ｂを熱伝導率の低い材料で構成し、外
周部２３ａを熱伝導率の高い材料で構成することによ
り、発熱体２１の温度が同じ温度であれば、基板３の外
周部にはより大きな熱が移動することになる。ヒータ２
０の径を小さくすると、ヒータ２０の基板３の外周部に
対面する所の温度は下がるが、伝熱板２３の外周部２３
ａを熱伝導率の高い材料で構成することにより、ヒータ
２０の外周部からの放熱を補うように外周部への熱移動
量を増大させ、ヒータ２０の径が小さくとも基板３を均
一に加熱することができる。
【００２１】なお、外側の被覆体２４は必ずしも必要な
ものではなく、場合によっては被覆体２４を設けること
なく、伝熱板２３に直接基板３を載せるようにしてもよ
い。
ものではなく、場合によっては被覆体２４を設けること
なく、伝熱板２３に直接基板３を載せるようにしてもよ
い。
【００２２】また、伝熱板２３の熱伝導率の高い材料か
らなる外周部２３ａは逆円錐台状の凹部が形成され、該
凹部に熱伝導率の低い材料からなる逆円錐台状の中央部
２３ｂを嵌合させ接合させた構造であるから、外周部２
３ａと中央部２３ｂが接合する傾斜面で、徐々に熱伝導
率が変化し、ヒータ２０の中央部と外周部の単位面積当
たりの熱移動量をより精度良くバランスさせることが可
能となり、基板３をより均一に加熱することができる。
らなる外周部２３ａは逆円錐台状の凹部が形成され、該
凹部に熱伝導率の低い材料からなる逆円錐台状の中央部
２３ｂを嵌合させ接合させた構造であるから、外周部２
３ａと中央部２３ｂが接合する傾斜面で、徐々に熱伝導
率が変化し、ヒータ２０の中央部と外周部の単位面積当
たりの熱移動量をより精度良くバランスさせることが可
能となり、基板３をより均一に加熱することができる。
【００２３】図４は請求項４に係る成膜装置の構成例を
示す図で、例えばチタン酸バリウム／ストロンチウム等
の高誘電体又は強誘電体薄膜を形成するための成膜装置
の全体構成例を示す図である。例えば、原料を気化する
気化器３４の下流側に原料ガス配管３５を介して反応室
３１が設けられ、更にその下流側の排気経路３８に真空
ポンプ３７が配置されて排気系が構成されている。ま
た、反応室３１には酸素Ｏ2等の酸化ガスを供給する酸
化ガス配管３６が接続されている。
示す図で、例えばチタン酸バリウム／ストロンチウム等
の高誘電体又は強誘電体薄膜を形成するための成膜装置
の全体構成例を示す図である。例えば、原料を気化する
気化器３４の下流側に原料ガス配管３５を介して反応室
３１が設けられ、更にその下流側の排気経路３８に真空
ポンプ３７が配置されて排気系が構成されている。ま
た、反応室３１には酸素Ｏ2等の酸化ガスを供給する酸
化ガス配管３６が接続されている。
【００２４】上記構成の成膜装置において、反応室３１
内の基板載置台３０上に基板３３を載置し、該基板３３
を所定温度（数百度）に加熱維持し、シャワーヘッド３
２のノズル孔３２ａから原料と酸化ガスとの混合ガス
（反応ガス）を基板３３に向けて噴射して基板３３の表
面に高誘電体又は強誘電体の薄膜を成長させる。
内の基板載置台３０上に基板３３を載置し、該基板３３
を所定温度（数百度）に加熱維持し、シャワーヘッド３
２のノズル孔３２ａから原料と酸化ガスとの混合ガス
（反応ガス）を基板３３に向けて噴射して基板３３の表
面に高誘電体又は強誘電体の薄膜を成長させる。
【００２５】上記構成の成膜装置において、反応室３１
内の基板載置台３０に図１乃至図３に示すような請求項
１乃至３に記載の発明に係る基板載置台の何れかを用い
る。これにより、基板載置台３０に載置された基板３３
の表面は均一温度に加熱されるから、基板３３の表面に
膜厚が均一な高誘電体又は強誘電体の薄膜を形成するこ
とができる。
内の基板載置台３０に図１乃至図３に示すような請求項
１乃至３に記載の発明に係る基板載置台の何れかを用い
る。これにより、基板載置台３０に載置された基板３３
の表面は均一温度に加熱されるから、基板３３の表面に
膜厚が均一な高誘電体又は強誘電体の薄膜を形成するこ
とができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば下記のような優れた効果が得られる。
明によれば下記のような優れた効果が得られる。
【００２７】請求項１に記載の発明によれば、サセプタ
の外周部を構成する材料が、中央部を構成する材料より
熱伝導率が高い材料であるので、基板の外周部にはより
大きな熱が移動することになり、ヒータの外周部からの
放熱を補うように外周部への熱移動量を増大させ、ヒー
タの径が小さくとも基板を均一に加熱することができ
る。
の外周部を構成する材料が、中央部を構成する材料より
熱伝導率が高い材料であるので、基板の外周部にはより
大きな熱が移動することになり、ヒータの外周部からの
放熱を補うように外周部への熱移動量を増大させ、ヒー
タの径が小さくとも基板を均一に加熱することができ
る。
【００２８】また、請求項２に記載の発明によれば、ヒ
ータの基板が直接接する面を構成する材料が、該基板の
外周部が接する部分が該基板の中央部が接する部分より
熱伝導率が高い材料で構成されるので、基板の外周部に
はより大きな熱が移動することになり、ヒータの外周部
からの放熱を補うように外周部への熱移動量を増大さ
せ、ヒータの径が小さくとも基板を均一に加熱すること
ができる。
ータの基板が直接接する面を構成する材料が、該基板の
外周部が接する部分が該基板の中央部が接する部分より
熱伝導率が高い材料で構成されるので、基板の外周部に
はより大きな熱が移動することになり、ヒータの外周部
からの放熱を補うように外周部への熱移動量を増大さ
せ、ヒータの径が小さくとも基板を均一に加熱すること
ができる。
【００２９】また、請求項３に記載の発明によれば、ヒ
ータは伝熱板を内蔵し、該伝熱板が被覆部材を介して間
接的に基板を加熱するように構成されており、該伝熱板
の外周部を構成する材料が、中央部を構成する材料より
熱伝導率が高い材料であるので、基板の外周部にはより
大きな熱が移動することになり、ヒータの外周部からの
放熱を補うように外周部への熱移動量を増大させ、ヒー
タの径が小さくとも基板を均一に加熱することができ
る。
ータは伝熱板を内蔵し、該伝熱板が被覆部材を介して間
接的に基板を加熱するように構成されており、該伝熱板
の外周部を構成する材料が、中央部を構成する材料より
熱伝導率が高い材料であるので、基板の外周部にはより
大きな熱が移動することになり、ヒータの外周部からの
放熱を補うように外周部への熱移動量を増大させ、ヒー
タの径が小さくとも基板を均一に加熱することができ
る。
【００３０】また、請求項４に記載の発明によれば、成
膜装置の基板載置台に請求項１乃至３に記載の１又は複
数の基板載置台を用いるので、基板の表面を均一温度に
加熱することができ、基板の表面に膜厚が均一な薄膜を
形成することができる。
膜装置の基板載置台に請求項１乃至３に記載の１又は複
数の基板載置台を用いるので、基板の表面を均一温度に
加熱することができ、基板の表面に膜厚が均一な薄膜を
形成することができる。
【図１】請求項１に係る基板載置台の構成例を示す断面
図である。
図である。
【図２】請求項２に係る基板載置台の構成例を示す断面
図である。
図である。
【図３】請求項３に係る基板載置台の構成例を示す断面
図である。
図である。
【図４】請求項４に係る成膜装置の構成例を示す断面図
である。
である。
１ ヒータ ２ サセプタ ２ａ 外周部 ２ｂ 中央部 ３ 基板 ４ 凹部 １０ ヒータ １１ 発熱体 １２ 被覆体 １２ａ 外周部 １２ｂ 中央部 ２０ ヒータ ２１ 発熱体 ２３ 伝熱板 ２３ａ 外周部 ２３ｂ 中央部 ２４ 被覆体 ３０ 基板載置台 ３１ 反応室 ３２ シャワーヘッド ３３ 基板 ３４ 気化器 ３５ 原料ガス配管 ３６ 酸化ガス配管 ３７ 真空ポンプ ３８ 排気経路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 武司 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 4K030 FA10 GA02 KA23 KA46 5F045 AC11 BB02 EK08 EK21 EM02 EM09
Claims (4)
- 【請求項１】 ヒータ及びサセプタを具備し、該ヒータ
により該サセプタを介して基板を加熱する装置の基板載
置台であって、 前記サセプタの外周部を構成する材料が、中央部を構成
する材料より熱伝導率が高い材料であることを特徴とす
る基板載置台。 - 【請求項２】 ヒータを具備し、該ヒータで直接基板を
加熱する装置の基板載置台であって、 前記ヒータの前記基板が直接接する面を構成する材料
が、該基板の外周部が接する部分が該基板の中央部が接
する部分より熱伝導率が高い材料で構成されることを特
徴とする基板載置台。 - 【請求項３】 ヒータを具備し、該ヒータにより基板を
加熱する基板載置台において、 前記ヒータは伝熱板を内蔵し、該伝熱板が被覆部材を介
して間接的に前記基板を加熱するように構成されてお
り、該伝熱板の外周部を構成する材料が、中央部を構成
する材料より熱伝導率が高い材料であることを特徴とす
る基板載置台。 - 【請求項４】 内部に基板載置台を配置した成膜室を具
備し、該成膜室に原料ガスを導き、加熱された基板上に
薄膜を反応形成する成膜装置において、 前記基板載置台に請求項１乃至３に記載の１又は複数の
基板載置台を用いることを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272791A JP2000096244A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 基板載置台及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272791A JP2000096244A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 基板載置台及び成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000096244A true JP2000096244A (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17518800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10272791A Pending JP2000096244A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 基板載置台及び成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000096244A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086516A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sanyo Electric Co Ltd | サセプタ、ｃｖｄ装置、成膜方法、および半導体装置 |
| JPWO2017056835A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2018-03-15 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
-
1998
- 1998-09-28 JP JP10272791A patent/JP2000096244A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086516A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sanyo Electric Co Ltd | サセプタ、ｃｖｄ装置、成膜方法、および半導体装置 |
| JPWO2017056835A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2018-03-15 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
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