JP2002502555A - 一体型イオンフォーカスリングを有する静電支持組立体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 基板（８）を支持する静電支持組立体。支持組立体（１０）は、基板（８）を支持するための支持面（４４）と、基板（８）の支持面（４４）から外側に伸び基板（８）をほぼ取り囲む一体型周縁外側部分（４６）とを有する非金属の本体（３０）を含む。支持組立体（１０）はまた、基板（８）を非金属の本体（３０）の支持面（４４）に静電力により結合させるために、非金属の本体（３０）に具備される少なくとも１つの電極（３４，３６）と、非金属の本体（３０）と自身の間に熱を移動させるために非金属の本体(３０)の下側に結合されるベース(３２)とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】 一体型イオンフォーカスリングを有する静電支持組立体発明の簡単な説明 本発明は、半導体ウエハ等の基板を処理中に保持するための支持組立体に関し 、更に具体的には、基板を静電力により支持体にクランプする支持組立体に関す る。発明の背景 化学気相堆積、スパッタリング、エッチングその他のプロセスを行う際、半導 体ウエハ等の基板を支持するために、静電支持システムないし静電チャックが用 いられてきた。基板を静電力によりクランピングすることは、様々な利点をもた らす。支持体に電圧を印加しウエハにイメージチャージを生成することにより、 ポテンシャルの違いによりウエハを支持面に引きつけ、基板は支持体に対して保 持される。ペリメータクランプリングを有するシステムとは異なり、基板を静電 力により支持体にクランプする場合は、基板の上面全体を処理のために露出させ る。また、機械的なクランピングによる表面汚染のリスクも低減される。更に、 基板全体を静電引力により支持体の表面にしっかりとクランプするすることによ り、基板と支持体の間の熱移動が改善される。化学プロセスを制御することや、 プロセスの均一性を得ることや、既に基板に形成した集積回路へのダメージを回 避するために、処理中基板ないしウエハをほぼ一定の温度に保つことが重要であ る。 静電力支持システムは典型的には、冷却された支持体本体に設置された電極を 有する。ヘリウム等の不活性ガスを、基板と支持面の間のスペースに導入し、基 板の冷却を促進する。典型的には、熱移動ガスの背圧よりも大きなクランプ力を 得ることができるよう、誘電体のコーティングで電極をカバーする。処理中は、 基板は誘電体でコーティングされた電極の上に配置され、電極はプラズマ及びプ ロセスガスより遮断される。典型的には、別個の誘電体イオンフォーカスリング が電極を取り囲み、静電力支持体の側面をプラズマから遮断し、静電力ポテンシ ャルの等高線がウエハの表面全体に対して維持されることで、基板中心及び基板 エッジに近接する領域を、プロセスガスがほぼ均一に散布されているところへ曝 露させる。静電力支持体がイオンフォーカスリングを有していない場合は、静電 電位等高線及びイオン流束がウエハエッジで落ち込むため、ウエハエッジをプロ セスガスが均一に散布しているところに曝露できなくなる。誘電体イオンフォー カスリングによれば、ウエハエッジにおいても静電ポテンシャル等高線を確実に 一定に保ち、ウエハエッジへのイオンのフォーカシングを確実に低減する。フォ ーカスリングの上面は典型的には、ウエハの上面と平行か、あるいはこれよりも 下にある。 このイオンフォーカスリングは、電極及び基板の下面を保護するものであるが 、この別個の誘電体リングは熱的に制御することができず、何故ならセラミック リングの材料とメタル電極のベースといった異なる材料間の熱的な結合は良好で はないからである。このように、この別個のイオンフォーカスリングは、基板と 静電力支持体の間の熱移動のプロファイルの均一性に対して悪影響を及ぼす。ま た、イオンフォーカスリングを用いれば、所与のサイズの静電チャックのための 電極のサイズの全てを制限してしまう。イオンフォーカスリングと電極ベースと 部材の組立体の公差が厳しく監視されない場合は、イオンフォーカスリングは、 電極ベース上に基板を正確に配置することを妨害するものとなる。 基板ないしウエハと支持組立体の間の熱移動の均一性を最大にする静電支持組 立体が望まれる。また、電極を基板の外側エッジまで伸ばすことができるよう、 電極に使用可能な面積を増加させることも望まれる。支持体上へ基板を正確に配 置することを促進する支持組立体を提供することも望まれる。また、組立体の部 品の数を最小にすることで、品質を高めコストを低減することができる。本発明の目的及び摘要 本発明の第１の目的は、処理中にウエハ等の基板を支持するための静電支持シ ステムを提供することである。 本発明の他の目的は、基板と支持体の間の熱移動の均一性を最適化する静電支 持システムを提供することである。 本発明のまた別の目的は、電極配置のために使用可能な面積を最大にとり、他 方で支持面及び基板の下側をプラズマやプロセス反応物から遮断する静電支持シ ステムを提供することにある。 本発明の更に別の目的は、支持体上への基板の正確な配置を容易にする静電支 持システムを提供することである。 本発明の更に概説的な目的は、部品の数が最小で、且つ、製造及び維持が効率 よく経済的である静電支持組立体を提供することである。 要約すれば、本発明は、処理中に半導体ウエハ等の基板を保持するために特に 適した静電支持組立体を提供する。この支持組立体は、支持面を有するセラミッ クないし非金属の本体を有しており、この支持面は、選定した基板及び支持面を ほぼ取り囲む一体型イオンフォーカスリングを支持するに十分なサイズを有して いる。一体型イオンフォーカスリングは、非金属の本体及び基板下側を、プラズ マやプロセスガスやＲＦ電界から保護するバリアを形成する。この支持面に基板 を静電力により結合させるため、電極を少なくとも１つ、好ましくは２つを、セ ラミック本体に具備させる。ベースがセラミック本体の下側に結合され、セラミ ック本体とベースの間に熱を移動させる。このベースが一体型イオンフォーカス リング及び支持面の下まで伸びて、セラミック本体とベースの間の熱移動の均一 性を最大にすることにより、基板とセラミック本体の間の熱移動の均一性を向上 させる。 本発明の１つの変形態様では、セラミック本体は、支持面から上向きに突出し 且つ支持面をほぼ取り囲む一体型バリアリッジを有している。この一体型リッジ により、基板を支持面に適正に配置させることが容易となり、また、基板のエッ ジを保護する作用もある。 本発明の更なる目的及び特徴は、以下の詳細な説明及び添付の請求の範囲を、 図面と関連させて理解することにより、更に容易に理解されるだろう。図面の簡単な説明 図１は、本発明に従って構築された静電支持組立体の模式的な図であり、これ は処理チャンバ内に設置されている様子を示している。 図２は、図１の静電支持組立体の断面図であり、半導体ウエハを支持する様子 を示している。 図３は、図１の静電支持組立体の電極パターンの上面図である。 図４は、図１の静電支持組立体の拡大した部分破断断面図であり、半導体ウエ ハを支持する様子を示している。 図５は、図１の静電支持組立体の上面図である。 図６は、図５の６−６線にほぼ沿った支持面の断面図であり、半導体ウエハを 支持する様子を示している。発明の詳細な説明 図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。各図において、 同様な部材は同様な参照番号によって示す。ここで、図１を参照する。 図１は、基板、例えば半導体ウエハ８を処理する処理システム６を概略的に示 す。本発明に従って構成される静電支持システム１０は、処理中にウエハ８を支 持するために使用される。本発明の静電支持システム１０は、高密度プラズマ化 学気相堆積法（ＨＤＰ ＣＶＤ）の用途に特に適当であるが、システム１０はま た、プラズマ励起ＣＶＤ、ＣＶＤ、スパッタリング、エッチングなどを含む他の タイプの処理に使用してもよく、これらに限定されるものではない。示された実 施形態において、支持システム１０は、同時継続中の米国特許出願０８／５００ ４９３号に示されるタイプのＨＤＰ ＣＶＤシステムに取り付けられており、こ の文献を本願明細書に組み入れる。処理システム６は一般に、反応チャンバ１４ 上に配置されたプラズマソース１２、反応チャンバ１４内に配置されたガス分配 装置１６、及び反応チャンバ１４から排気ガスを除去する真空システム１８を含 む。プラズマソース１２、ガス分配装置１６及び真空システム１８は、同時継続 中の米国特許出願０８／５００４９３号に開示された装置または他の適当な装置 に設けられていてもよい。 処理システム６は、堆積、フィルムエッチバック、反応器セルフクリーニング 及び同時エッチング及び堆積ステップを含む種々の処理操作を実行するために採 用される。例えは、処理システム６は、酸素とシラン及びアルゴンの混合物とが ガス分配装置１６によって反応チャンバ１４に注入される堆積操作に使用できる 。シラン、酸素及びアルゴン分子は、反応チャンバ１４からプラズマソース１２ のチャンバ（図示しない）に移動し、プラズマソースによってイオン化される。 プラズマソース１２は、また、プラズマチャンバに直接にアルゴン及び酸素を供 給するガス噴射マニホルド（図示しない）を含んでもよい。分配装置１６によっ て注入されるガス状物質のイオン化されたガス又はプラズマ及び活性種は、ウエ ハ表面上の下方に移動し、ウエハ上にフィルム層を堆積する。支持組立体１０の 局在化された領域におけるプラズマの浮遊電位を増大するために、ＲＦバイアス を支持組立体１０に印加してもよい。支持組立体１０の表面に印加されるＲＦバ イアスにより誘導されるセフルバイアスは、支持組立体領域のプラズマシース内 に拡散する電子及び支持組立体１０により保持されるウエハ８に向かう電子を加 速する。 図２〜６を参照すると、本発明の支持システム１０は一般に、ベース３２に取 り付けられたセラミック又は非金属の本体３０及び第１及び第２の電極３４及び ３６を含む。電極３４及び３６は、当業界で既知であるＲＣフィルタ（図示しな い）を介して、電源３８に電気的に接続されている。電源３８は、電極３６の極 性とは反対の極性で、電極３４にＤＣバイアスを印加する。電極３４及び３６に 印加されたＤＣポテンシャルは、ウエハ８の裏面において鏡像電荷を発生し、ウ エハを静電的にセラミック本体３０に吸引し、ウエハをセラミック本体にしっか りとクランプする。ウエハがセラミック本体３０から除去される度毎に、例えば 連結スイッチ（図示しない）を作動させることにより電極の極性を逆転させても よく、これにより、支持面からウエハが解放されるのを妨げる残余電荷を最小化 する。例示された実施形態では、支持アセンブリ１０は２つの電極を含むが、本 発明を変更するために、支持アセンブリは１つの電極または２つ以上の電極を含 んでもよいことを理解されたい。特に図３に示すように、例示された実施形態に おいて、電極は間隔をあけて交互に延びる形状のフィンガ４０及び４２を含む。 しかし、電極３４及び３６の形状は、本発明の範囲内でかなり変更できることを 理解されたい。 例示された実施形態において、電極３４及び３６は、未硬化セラミックのシー ト間に積層されてセラミック本体内に埋設されており、次いで、日本国のＴｏＴ ｏ社により硬化される。あるいは、電極３４及び３６は、例えばフランスのＳｅ ｍｃｏエンジニアリング社による溶着のような他の適当な技術を使用して、セラ ミック本体３０に埋め込まれてもよい。 モノリシックセラミック本体３０は一般に、ウエハ８を支持するのに十分なサ イズの支持面４４、及び外部方向に延びて支持面４４及び電極３４及び３６を実 質的に囲む周縁外側部分４６を含む。支持面４４は、例えば図５及び６に示すよ うに、滑らかではないが複数の溝部に囲まれた隆起領域４８のネットワークを形 成している。支持組立体１０の動作中、ウエハ８は隆起領域４８の表面に対して クランプされる。図５は、本発明に支持体組立体１０のための隆起領域分布を示 しており、各々の円はウエハ８に接触した隆起表面を示している。隆起領域４８ の実際の分布は、本発明の範囲内でかなり変更できることを理解されたい。複数 の入口ホール４９は、隆起領域間の支持面に形成されており、導管５２を通して ヘリウムソース５０に連結されている。同時継続中の米国特許出願０８／５００ ４８０号に記載されているように、リフトピン（図示しない）は、３つの入口ホ ール４９を介して延びる支持面に関連して、ウエハ８を動かすために使用される 。電極３４及び３６が支持面４４の隆起領域４８に対してウエハ８をクランプす るとき、ヘリウムのような冷却ガスは入口ホールを通して供給され、隆起領域４ ８を囲む溝部全体に分配される。これにより、ウエハの下側と支持面４４との間 の空間に満たされ、処理中、ウエハを冷却する。図５に示すように、多数の比較 的小さな隆起領域を使用することにより、冷却ガスはウエハの下側を横切って素 早くかつ均一に分配される。 例示された実施形態において、周縁外側部分４６の上部表面（上面）５４が、 ウエハ８の露出表面とほぼ同じ高さ又は僅かに高くなるように、周縁外側部分４ ６は支持面４４の作る平面から上方に突出している。例えば、本発明の例示され た実施形態において、支持面４４上の上部表面５４の高さは、０〜０．０５０イ ンチの範囲内である。勾配をつけられた内部表面（内面）５５は、上部表面５４ 及び支持面４４に接合する。また、内部表面５５は他の形状を有してもよいが、 内部表面５５の形状は、支持面上にウエハ８を載置するのを容易にする形状であ る。特に図４に示すように、ウエハ８のエッジは、内部表面５５の近くに近接す る。上で示したように、プラズマ及びＲＦ電界を導く周縁外側部分４６は、ウエ ハの外側エッジから離れて並んでおり、これにより、ウエハの中心領域及び外側 領域は、実質的に同じ電界に置かれ、ウエハ表面へのフィルム堆積の均一性を改 善する。例示された実施形態の上昇した周縁外側部分もまた、ウエハを支持面上 へ案内することによってウエハ８をセラミック本体上に載置するのを容易にし、 プラズマから支持面及びウエハの下側を隔離する。 本発明のセラミック本体３０における一体化支持面４４及び周縁外側部分４６ は、電極及びベースの周囲に誘電体イオンフォーカスリングを使用することなく 、改善された均一な堆積を提供する。イオンフォーカスリングを除去することに より、別個なイオンフォーカスリングを使用することによる問題、例えばサイジ ング問題、部材のミスマッチ及びウエハ載置における不一致が除去される。ウエ ハの外周エッジに沿った領域は、冷却ガスがウエハのエッジに近接して流れるの でより均一に冷却され、これにより、ウエハのエッジにおける温度勾配を減少す る。加えて、電極３４及び３６は、特に図４に示すように、ウエハ８のエッジを 越えて延長されてもよい。電極３４及び３６の表面積を拡張することにより、ウ エハ全体を横切るクランプ力を均一にし、ウエハ表面の作る平面により均一なＦ Ｒを供給する。ウエハのエッジにおけるクランプ力の改善及びＦＲ供給の組み合 わせにより、標準的な静電支持体で起こるエッジ効果を減少し、高晶質なフィル ムのために使用できる表面領域を改善する。例示された実施形態において、別個 なイオンフォーカスリングを必要とする支持体と比較して、電極範囲の全直径は 、０．２４〜０．４インチ増加してもよい。図に示される電極の代わりに、支持 組立体１０は、支持面４４上に配置されるウエハ８のエッジ又はその手前に終端 を有する電極を含んでもよい。 この実施形態において、セラミッタ本体３０は、主に酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃）で形成されるが、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のような種々の適当な非金 属のセラミックまたはガラス材料で形成されてもよい。この実施形態のセラミッ ク本体は、積層及び硬化により製造されるが、種々の適当な製造技術を使用して 形成されてもよい。 処理中にウエハ８の温度を実質的に一定に維持することは重要であり、これに より、化学プロセスを制御し、プロセスの均一化を獲得し、基板に既に形成され ている集積回路に損傷を与えるのを防止する。電極３４及び３６が作動されると き、ウエハ８はセラミック本体３０の表面４４に対してクランプされ、これによ り、ヘリウムまたは他の冷却ガスはウエハからセラミック本体３０に熱を均一に 移動させる。プロセス中ウエハの温度が実質的に均一に維持されるのを確実にす るために、本発明の支持システム１０のベース３２は、セラミック本体３０及び ベース３２間の熱を均一に移動させるように構成されている。 ベース３２は、セラミック本体及びベース間の熱伝導を容易にするために、セ ラミック本体３０の下側６０に隣接する上部表面５８を有する。特に図２に示す ように、ベースの上部表面５８は、セラミック本体の下側６０と実質的に同じ形 状及びサイズであり、これにより、セラミック本体の全体を横切る２つの部材間 の均一な熱伝導が得られる。この実施形態において、セラミック及び金属に適合 する半田又はろう付け材を使用して、ベース３２をセラミック本体３０に半田付 け又はろう付けしてもよい。他の適当な実装方法には、熱伝導性材料、例えば不 活性ガス、グリース、エポキシ樹脂またはインジウムのような軟金属をベース３ ２及びセラミック本体３０間に使用して又は使用しないで、ベース３２及びセラ ミック本体３０を互いに機械的に締め付けることが含まれる。熱伝導体の使用は 、熱伝導を増大する。ベース３２はアルミニウムで形成されるが、ステンレス鋼 のような他の適当な材料を使用してもよい。セラミック本体からの熱の均一な放 出は、セラミック本体の不連続な領域における過剰な熱の蓄積を最小化又は防止 する。ここで、このようなヒートポケットは、ウエハ８から熱が均一に除去され るのを妨害し、これにより、ウエハ８全体は所望の一定温度に維持されない。従 って、本発明のベース３２は、プロセス中ウエハ８及びセラミック本体３０間の 実質的に均一な熱伝導を維持するために使用されてもよい。 本発明の支持組立体１０に従って、冷却システム６２はベース３２に連結され ており、これにより、ベースから熱を除去する。ベース３２は、ベース３２内に 形成される少なくとも１つの溝または通路６４を含む。通路６４は、導管６８及 び７０を通してクーラントソース６６に連結される。クーラントソース６６は、 導管６８、通路６４及び導管７０を含むループを通して、冷却流体、例えば水、 エチレングリコール、プロピレングリコールまたは他の適当な流体をポンプで流 す。クーラントソース６６に戻った流体は、当業界において既知のように冷却さ れ、次いで、ベース３２を通って再びポンプで流される。 例示された実施形態の冷却システム６２の代わりに、他の適当な温度制御手段 を使用してベース３２を冷却してもよい。上述した本発明の具体的な実施形態は 、本発明を例示又は記述するために示されたものである。開示された形態に正確 に本発明を限定するものではなく、上述した教示に照らして、自明な種々の変形 や変更も可能である。実施形態は、本発明の原理及びその応用を最もよく説明す るために選択され記述されたものであり、これにより、当業者は、本発明及び特 定の仕様に適合された種々の変形を有する実施形態を最も良好に使用することが できる。ここに添付される請求の範囲及びその同等物により、本発明の範囲が規 定されるものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ， ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，Ｌ Ｓ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ， ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，Ｅ Ｅ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ， ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，Ｍ Ｄ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ， ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，Ｖ Ｎ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 デ シャンブリアー，アレクサンダー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 キャ ピトラ ファンマー ウェイ 208

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．基板支持体であって、 基板を支持するための支持面と、前記支持面から外側に伸び本体の上に配置さ れる基板をほぼ取り囲む一体型周縁外側部分とを有する非金属の本体と、 基板を前記非金属の本体の前記支持面に静電力により結合させるために、前記 非金属の本体に具備される、少なくとも１つの電極と、 前記非金属の本体と自身の間に熱を移動させるために前記非金属の本体の下側 に結合されるベースであって、前記ベースは、前記支持面及び前記非金属の本体 の前記周縁外側部分の下方まで伸び、前記ベースは、前記非金属の本体を均一に 冷却するため、前記非金属の本体よりも熱伝導率の高い材料で形成される、前記 ベースと を備える基板支持体。 ２．前記周縁外側部分の上面及び前記支持面が、前記非金属の本体の第１の主面 を画し、前記非金属の本体が、前記第１の主面とは間隔を置く第２の主面を有し また前記第１の主面と前記第２の主面をつなぐ周縁エッジを有し、前記ベースが 前記非金属の本体の前記第２の主面に隣接する第１の主面を有する請求項１に記 載の基板支持体。 ３．前記ベースが金属ないしメタルで形成される請求項１に記載の基板支持体。 ４．前記周縁外側部分が、前記支持面から上向きに突き出ることにより、前記支 持面が前記非金属の本体の窪んだ中央部分を画する請求項１に記載の基板支持体 。 ５．前記周縁外側部分が、上面と、前記周縁外側部分の前記上面と前記支持面と をつなぐ勾配付き内面とを有する請求項４に記載の基板支持体。 ６．前記非金属の本体がセラミック材料で形成される請求項１に記載の基板支持 体。 ７．基板を前記非金属の本体の前記支持面に静電力により結合させるために、前 記非金属の本体に具備される第２の電極を更に備える請求項１に記載の基板支持 体。 ８．前記電極が、前記支持面上に支持される基板のサイズよりも大きなサイズの 前記非金属本体の領域の全体にわたって伸びる請求項１に記載の基板支持体。 ９．前記ベースから熱を取り除く熱除去システムを更に備える請求項１に記載の 基板支持体。 １０．前記熱除去システムが、前記ベースに形成され、中に冷却流体を流すため の通路を有する請求項９に記載の基板支持体。 １１．前記熱除去システムが、前記通路に冷却流体を循環させるため、前記通路 に結合された冷却流体ソースを有する請求項１０に記載の基板支持体。 １２．前記支持面には、基板を支持するための複数のフィンガが形成され、前記 フィンガは、前記支持面と基板下側の間に不活性な冷却ガスを散布するためのネ ットワークを、前記フィンガ同士の間に形成する請求項１に記載の基板支持体。 １３．前記電極により前記支持面に半導体ウエハが静電力で引きつけられる請求 項１に記載の基板支持体。 １４．プラズマ励起処理中に基板を支持するための組立体であって、 ベース部材と、 前記ベース部材の上に重ねられた支持本体であって、前記支持本体は、基板を 支持するための基板支持領域を有し、また、前記支持本体は、プラズマ及びＲＦ 電界線を基板の周縁エッジの外側に向けるために前記支持面から外向きに伸びて 且つ前記支持面をほぼ取り囲む一体型の周縁外側部分を有し、前記支持領域は、 互いに間隔を置き上向きに突き出る、基板を支持するための複数のフィンガと、 基板下側の近隣に不活性な冷却ガスを散布するための、前記フィンガ同士の間に 与えられるネットワークとを有し、前記支持本体は、前記支持本体と前記ベース の間に熱を移動させるために、前記ベースに結合される、前記支持本体と、 基板を前記支持面に静電力により結合させるために、前記支持本体及び前記ベ ースに具備されるバイアス装置と を有する組立体。 １５．前記ベースが、ほぼ前記支持本体の周縁エッジまで伸びる請求項１４に記 載の組立体。 １６．前記ベースから熱を取り去るために前記ベースに結合される冷却システム を更に備える請求項１４に記載の組立体。 １７．前記周縁外側部分が、前記支持領域より上向きに伸びて、前記支持領域上 に配置される基板の周縁エッジを囲むように伸びるバリアリッジを画すことによ り、前記支持領域と基板下側を遮断する請求項１４に記載の組立体。 １８．前記周縁外側部分が、上面と、前記周縁部分の前記上面と前記支持領域を つなぐ勾配付き内面とを有する請求項１７に記載の組立体。 １９．前記支持本体が、非金属の材料で形成される請求項１４に記載の組立体。 ２０．前記バイアス装置が、前記支持本体に装備される第１の電極と第２の電極 を有する請求項１４に記載の組立体。 ２１．前記電極が、前記支持領域上に支持される基板のサイズよりも大きなサイ ズの前記支持本体の領域の全体にわたって伸びる請求項２０に記載の組立体。 ２２．請求項１４に記載の組立体と、前記バイアス装置により前記支持領域に静 電力により引きつけられた半導体ウエハとの組み合わせ。 ２３．処理中に基板を保持するための支持システムであって、 支持面を有するように形成された第１の主面であって、前記支持面は、基板と 、前記支持面から外向きに伸びる周縁外側部分とを支持するような構成が与えら れる、前記第１の主面と、前記第１の主面と間隔を置く前記第２の主面と、前記 第１の主面と前記第２の主面をつなぐ周縁エッジとを有する、セラミック本体と 、基板を前記支持面に静電力によりクランプするための、前記セラミック本体に 具備される第１の電極及び第２の電極と、 前記セラミック本体に具備される金属ないしメタルのベース部材であって、前 記セラミック本体と前記ベースの間に熱を移動させて前記セラミック本体を均一 に冷却するため、前記ベース部材は前記第２の主面全体に広がり前記セラミック 本体の前記周縁エッジまで伸びる、前記ベース部材と、 前記ベース部材から熱を除去するための冷却システムと を備える支持システム。 ２４．前記周縁外側部分が、前記支持面より上向きに伸びて、前記支持面上に配 置される基板の周縁エッジを囲むように伸びるバリアリッジを画すことにより、 前記支持領域と基板下側を遮断する請求項２３に記載の支持システム。 ２５．前記周縁外側部分が、上面と、前記周縁部分の前記上面と前記支持面をつ なぐ勾配付き内面とを有する請求項２４に記載の支持システム。 ２６．前記冷却システムが、前記ベース部材に冷却流体を流すためのチャンネル を、前記ベース部材に形成されて有する請求項２３に記載の支持システム。 ２７．前記第１の電極と前記第２の電極が、前記支持面上に配置した基板により 覆われる前記支持面上の領域より外向きに伸びる請求項２３に記載の支持システ ム。 ２８．前記支持面が、基板を支持するための複数の突起領域を有し、前記突起領 域は、複数の谷部によって画され、前記谷部は、前記支持面と基板下面の間の不 活性な冷却ガスを散布するためのネットワークを画する請求項２３に記載の支持 システム。 ２９． 請求項２３に記載の組立体と、前記第１の電極及び前記第２の電極によ り前記支持面に静電力により引きつけられた半導体ウエハとの組み合わせ。