JP2017092337A - 基板支持装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示されている本発明の一実施形態としての基板支持装置は、第1基体1と、第2基体2と、第1基体1に埋設されている導電体3と、第1基体1および第2基体2を機械的に接合するためのボルト4(圧着機構)と、を備えている。本実施形態では、導電体3は静電チャック電極を構成しており、基板支持装置は静電チャックとして構成されている。
導電体3が埋設されている第1原料粉末の略平板状の成形体が焼成されることで焼結体が作製される。その上で、当該焼結体にピン、第1凹部13および第2凹部14等がブラスト加工または機械加工などの適当な加工法にしたがって形成されることにより第1基体1が製造される。第1凹部13に受電端子31が配置され、受電端子31の上端部を導電体3に対してロウ付けなどにより電気的に接続させる。
(実施例1)
主原料である窒化アルミニウム(AlN)に3%酸化イットリウム(Y2O3)が添加された原料粉末から成形体が作製され、この成形体が焼成されることによりAlN焼結体が作製された。AlN焼結体の熱伝導率は165[W/mK]、弾性率は320[GPa]、平均線膨張係数は4.5[ppm]、比重は3.3であった。AlN焼結体に適当な加工が施されることにより、直径340[mm]、厚さ12[mm]の第1基体1が作製された。第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第1端面P1は、r1=0[mm]、φ1=0.00051°(D1=1.5[μm])であるような凸曲面状に形成された。周方向に等間隔に配置されている12個の第2凹部14が形成された。
第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.04[μm]に調節された。第1端面P1は、r1=30[mm]、φ1=0.0008°(D1=2.0[μm])であるような凸曲面状に形成された。第2基体2の第2端面P2およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.04[μm]に調節された。第2端面P2は、r2=30[mm]、φ2=0.0006°(D2=1.5[μm])であるような凸曲面状に形成された。これらの他は、実施例1と同一の条件下で実施例2の基板支持装置が構成された。
第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが1.0[μm]に調節された。第1端面P1は、r1=85[mm]、φ1=0.001°(D1=1.5[μm])であるような凸曲面状に形成された。第2基体2の第2端面P2およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが1.0[μm]に調節された。第2端面P2は、r2=85[mm]、φ2=0.0007°(D2=1.0[μm])であるような凸曲面状に形成された。これらの他は、実施例1と同一の条件下で実施例3の基板支持装置が構成された。
第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第1端面P1は、r1=0[mm]、φ1=0.0001°(D1=0.3[μm])であるような凸曲面状に形成された。第2基体2の第2端面P2およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第2端面P2は、r2=0[mm]、φ2=0.0001°(D2=0.3[μm])であるような凸曲面状に形成された。これらの他は、実施例1と同一の条件下で実施例4の基板支持装置が構成された。
第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第1端面P1は、r1=0[mm]、φ1=0.002°(D1=6.0[μm])であるような凸曲面状に形成された。第2基体2の第2端面P2およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第2端面P2は、r2=0[mm]、φ2=0.002°(D2=6.0[μm])であるような凸曲面状に形成された。これらの他は、実施例1と同一の条件下で実施例5の基板支持装置が構成された。
第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが1.0[μm]に調節された。第1端面P1は、r1=85[mm]、φ1=0.002°(D1=3.0[μm])であるような凸曲面状に形成された。第2基体2の第2端面P2およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが1.0[μm]に調節された。第2端面P2は、r2=85[mm]、φ2=0.0015°(D2=2.2[μm])であるような凸曲面状に形成された。これらの他は、実施例1と同一の条件下で実施例6の基板支持装置が構成された。
第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第1端面P1は、r1=0[mm]、φ1=0.00009°(D1=0.26[μm])であるような凸曲面状に形成された。第2基体2の第2端面P2およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第2端面P2は、r2=85[mm]、φ2=0.00009°(D2=0.26[μm])であるような凸曲面状に形成された。これらの他は、実施例1と同一の条件下で実施例7の基板支持装置が構成された。
第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第1端面P1は、r1=0[mm]、φ1=0.0025°(D1=7.5[μm])であるような凸曲面状に形成された。第2基体2の第2端面P2およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.05[μm]に調節された。第2端面P2は、r2=85[mm]、φ2=0.0025°(D2=7.5[μm])であるような凸曲面状に形成された。これらの他は、実施例1と同一の条件下で実施例8の基板支持装置が構成された。
第1基体1の第1端面P1およびその反対側の端面のそれぞれの表面粗さRaが0.2[μm]に調節された。第1端面P1は平面状に形成された。第2基体2に代えて、銅(熱伝導率400W/mK、弾性率120GPa、平均線膨張係数16.8ppm、比重8.9)からなり、内部に流通経路が形成されている冷却盤が、第1基体1と機械的圧着ではなく、有機接着剤により接着された。接着剤層の厚さは100[μm]であった。これらの他は、実施例1と同一の条件下で参考例1の基板支持装置が構成された。
冷媒としての水を第2基体2の流通経路22(または冷却盤の流通経路)に流量5[L/min]で流した際の、第1基体1により支持されているシリコンウエハ(基板)と冷媒との間の総括熱伝達率h1[W/m2K]と、第1基体1と冷媒との間の総括熱伝達率h2[W/m2K]とが測定された。
このとき基板と冷媒間の総括熱伝達率h1は、以下の式(31)で推定する。ここでSは基板の面積とする。
Claims (5)
- 導電体が埋設されている平板状のセラミックス焼結体からなる第1基体と、
内部に冷却媒体を流通させるための流通経路が形成されているセラミックス焼結体からなる第2基体と、を備え、
前記第1基体の一端面である第1端面と、前記第2基体の一端面である第2端面とが全体的に接合されることにより構成されている基板支持装置であって、
前記第1端面および前記第2端面のうち少なくとも一方の端面が、その中心を通り、前記第1基体および前記第2基体の接合方向に平行に延在する垂線を有する基準平面から基準角度以下の角度をなして徐々に離間するような凸曲面状に形成され、
前記第1端面および前記第2端面をそれぞれの中心よりも外周縁に近い位置で機械的に圧着する圧着機構をさらに備えていることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1記載の基板支持装置において、
前記第1端面が凸曲面状である場合、前記第1端面の前記基準角度が前記第1基体を構成するセラミックス焼結体の弾性率に応じて設定され、前記第2端面が凸曲面状である場合、前記第2端面の前記基準角度が前記第2基体を構成するセラミックス焼結体の弾性率に応じて設定されていることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1または2記載の基板支持装置において、
前記基準角度が0.0001〜0.002°の範囲に含まれるように設定されていることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の基板支持装置において、
前記第1端面および前記第2端面のそれぞれの表面粗さRaが0.01〜0.5[μm]の範囲に含まれていることを特徴とする基板支持装置。 - 請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の基板支持装置において、
前記第1端面および前記第2端面の間にグリース、シリコンオイルまたはフッ素系不活性液体が介在していることを特徴とする基板支持装置。
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