JP7145226B2 - ウェハ用部材、ウェハ用システム及びウェハ用部材の製造方法 - Google Patents

ウェハ用部材、ウェハ用システム及びウェハ用部材の製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、ウェハ用部材、ウェハ用システム及びウェハ用部材の製造方法に関する。
上面にウェハが重ねられるウェハ用部材が知られている（例えば特許文献１又は２）。このようなウェハ用部材は、セラミックからなる板状の基体と、その内部に位置している内部導体とを有している。そして、ウェハ用部材は、内部導体に電圧が印加されることによって、例えば、ウェハを加熱する機能、ウェハを吸着する機能若しくはウェハの周囲にプラズマを発生させる機能又はこれらの２以上の組み合わせを発揮する。このようなウェハ用部材は、例えば、半導体製造装置に用いられる。
特許文献１及び２では、上述した板状の基体と、当該基体から下方へ延びる筒状部材とを有するセラミックヒータを開示している。基体の下面のうち筒状部材に囲まれた領域には、基体内の内部導体に接続されている端子が露出している。当該端子には、筒状部材に挿通されている配線が接続されている。筒状部材は、基体の支持に寄与しているとともに、端子及び配線の保護に寄与している。
特開２００３－１６０８７４号公報 特開２００５－１６６３５４号公報
本開示の一態様に係るウェハ用部材は、絶縁性の板状部と、１以上の内部導体と、絶縁性の柱状部と、複数の中継導体と、を有している。前記板状部は、ウェハが重ねられる上面及びその反対側の下面を有している。前記１以上の内部導体は、前記板状部に埋設されている。前記柱状部は、前記板状部の下面から下方へ突出している。前記複数の中継導体は、前記柱状部内を上下に延びている延在部をそれぞれ有しているとともに前記内部導体に電気的に接続されている。
本開示の一態様に係るウェハ用システムは、上記のウェハ用部材と、前記端子部に電力を供給する電力供給部と、前記電力供給部を制御する制御部と、を有している。
本開示の一態様に係る前記ウェハ用部材の製造方法は、セラミックス原料を用いて、前記柱状部を含む第１成形体を作製するステップと、前記第１成形体に前記中継導体を差し込むステップと、前記中継導体が差し込まれた前記第１成形体を焼成し、焼結体を得るステップと、セラミックス原料を用いて、前記板状部の下面に凹部を形成した形状であり、前記内部導体となる導電ペーストが埋設された第２成形体を作製するステップと、前記第２成形体における前記凹部に前記焼結体の一部を挿入した後に焼成して接合体を得るステップと、を有している。
本開示の一態様に係る前記ウェハ用部材の製造方法は、セラミックス原料を用いて、前記柱状部を含む第１成形体を作製するステップと、前記第１成形体に前記中継導体を差し込むステップと、前記中継導体が差し込まれた前記第１成形体を焼成して第１焼結体を得るステップと、セラミックス原料を用いて、前記板状部の下面に凹部を形成した形状であり、前記内部導体となる導電ペーストが埋設された第２成形体を作製するステップと、前記第２成形体を焼成して第２焼結体を得るステップと、前記第２焼結体における前記凹部に前記第１焼結体の一部を挿入して両者を接合して接合体を得るステップと、を有している。
図１（ａ）は実施形態に係るヒータの構成を示す模式的な斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩａ－Ｉａ線における断面図。 図１（ａ）のヒータにおけるヒータピラーの分解斜視図。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は図２のヒータピラーにおける上部ピラーの上面図及び底面図。 図４（ａ）は上部ピラーの側面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の一部拡大図、図４（ｃ）は図４（ｂ）の変形例を示す図、図４（ｄ）は、上部ピラーの上部側を拡大して示す斜視図。 図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は図１（ａ）のヒータにおけるヒータプレートとヒータピラーとの接合部の種々の変形例を示す図。 図１（ａ）のヒータにおける上部ピラーの中継導体と下部ピラーの下部導体との接続方法の一例を示す斜視図。 図１（ａ）のヒータの製造方法の第１例の手順の概要を示すフローチャート。 図１（ａ）のヒータの製造方法の第２例の手順の概要を示すフローチャート。 第２実施形態に係るヒータのヒータピラーの構成を示す分解斜視図。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は図９のヒータにおける板状体と柱状体との接合の例及び他の例を示す断面図。 図１１（ａ）、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）は第３実施形態に係るヒータの構成を示す図。 上部ピラー及び下部ピラーの連結構造の変形例を示す断面図。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は抵抗発熱体のパターンの一例を示す平面図。 上部ピラーの変形例を示す斜視図。 図１５（ａ）及び図１５（ｂ）はヒータの材料の一例を示す断面図。
以下、本開示のウェハ用部材について、セラミックヒータを例に取って説明する。以下で参照する各図は、説明の便宜上の模式的なものである。従って、細部は省略されていることがあり、また、寸法比率は必ずしも現実のものとは一致していない。また、ヒータは、各図に示されていない周知の構成要素をさらに備えていても構わない。
第２実施形態以降においては、基本的に、先に説明された実施形態との相違部分についてのみ説明する。特に言及がない事項については、先に説明された実施形態と同様とされてよい。また、説明の便宜上、複数の実施形態間で互いに対応する構成については、相違点があっても同じ符号を付すことがある。
［第１実施形態］
（ヒータシステム）
図１（ａ）は、第１実施形態に係るヒータ１の構成を示す模式的な分解斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のヒータ１を含むヒータシステム１０１の構成を示す模式図である。図１（ｂ）において、ヒータ１については、図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線断面図が示されている。
図１（ａ）及び図１（ｂ）の紙面上方は、例えば、鉛直上方である。ただし、ヒータ１は、必ずしも図１（ａ）及び図１（ｂ）の紙面上方を鉛直上方として利用される必要はない。以下では、便宜上、図１（ａ）及び図１（ｂ）の紙面上方を鉛直上方として、上面及び下面等の用語を用いることがある。特に断りがない限り、単に平面視という場合、図１（ａ）及び図１（ｂ）の紙面上方から見ることを指すものとする。
ヒータシステム１０１は、例えば、ヒータ１と、ヒータ１に電力を供給する電力供給部３と、ヒータ１に流体を供給する流体供給部５と、電力供給部３及び流体供給部５を制御する制御部７と、を有している。流体は、例えば、ヒータ１を冷却するための冷媒、及び／又はプロセスガスと置換されるパージガスである。流体は、気体であってもよいし、液体であってもよい。
（ヒータ）
ヒータ１は、例えば、概略板状（図示の例では円盤状）のヒータプレート９と、ヒータプレート９から下方へ突出しているヒータピラー１１とを有している。ヒータピラー１１は、例えば、ヒータプレート９の下面に固定されている上部ピラー１３と、上部ピラー１３の下端に固定されている下部ピラー１５とによって構成されている。
ヒータプレート９は、その上面１７ａに加熱対象物の一例としてのウェハＷｆ（図１（ｂ））が載置され（重ねられ）、ウェハの加熱に直接に寄与する。ヒータピラー１１は、例えば、ヒータプレート９の支持、及びヒータプレート９と電力供給部３との仲介に寄与する。ヒータピラー１１は、上部ピラー１３及び下部ピラー１５から構成されていることにより、例えば、分割された状態で輸送可能である。
ヒータプレート９は、絶縁性の板状体１７と、板状体１７の内部に位置している内部導体（後述）とを有している。上部ピラー１３は、絶縁性の柱状体１９と、柱状体１９の内部に位置している中継導体（後述）とを有している。下部ピラー１５は、絶縁性の下部基体２１と、下部基体２１の内部に位置している下部導体（後述）とを有している。
柱状体１９の上端側部分は、板状体１７の下面１７ｂに形成された凹部１７ｒに挿入されている。柱状体１９のうち凹部１７ｒに挿入されている部分と、板状体１７とを合わせて板状部２３と呼称する。また、柱状体１９のうち板状体１７の下面１７ｂよりも下方に位置している部分を柱状部２５と呼称する。
板状体１７及び柱状体１９は、例えば、別個にその形状が形成されて互いに接合されている。ただし、後述するように、板状体１７及び柱状体１９の境界は、これらの部材の材料及びヒータ１の製造方法によっては、ヒータ１の完成後、曖昧になるか、無くなる場合がある。このような場合を考慮したときに、ヒータ１の外観に基づいてヒータ１を区分した板状部２３及び柱状部２５の概念が役に立つ。
（ヒータプレート）
ヒータプレート９の上面１７ａ及び下面１７ｂは、例えば、概ね平面である。ヒータプレート９の平面形状及び各種の寸法は、加熱対象物の形状及び寸法等を考慮して適宜に設定されてよい。例えば、平面形状は、円形（図示の例）又は多角形（例えば矩形）である。寸法の一例を示すと、直径は２０ｃｍ以上３５ｃｍ以下、厚さは４ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
ヒータプレート９は、例えば、板状体１７の内部に埋設された内部導体として、抵抗発熱体２７（図２にその一部を模式的に示す。）を有している。抵抗発熱体２７に電流が流れることによって、ジュールの法則に従って熱が発生し、ひいては、板状体１７の上面１７ａに載置されているウェハＷｆが加熱される。
（板状体）
板状体１７の外形は、ヒータプレート９の外形を構成している。従って、上述のヒータプレート９の形状及び寸法に係る説明は、そのまま板状体１７の外形及び寸法の説明と捉えられてよい。板状体１７の材料は、例えば、セラミックである。セラミックは、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、アルミナ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、及び窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等を主成分とする焼結体である。なお、主成分は、例えば、その材料の５０質量％以上又は８０質量％以上を占める材料である（以下、同様。）。
（抵抗発熱体）
抵抗発熱体２７（図２参照）は、板状体１７の上面１７ａ及び下面１７ｂに沿って（例えば平行に）延びている。また、抵抗発熱体２７は、平面視において、例えば、板状体１７の概ね全面に亘って延びている。板状体１７の内部において、１層の抵抗発熱体２７が設けられていてもよいし、２層以上の抵抗発熱体２７が設けられていてもよい。換言すれば、抵抗発熱体２７は、上下方向の１つの位置のみに設けられていてもよいし、上下方向の２以上の位置に設けられていてもよい。本実施形態では、２層の抵抗発熱体２７が設けられている態様を例に取る。
平面視における抵抗発熱体２７の具体的なパターン（経路）は適宜なものとされてよい。例えば、抵抗発熱体２７が設けられている１つの層において、抵抗発熱体２７は、その一端から他端まで自己に対して交差することなく延びている。また、抵抗発熱体２７は、平面視において、渦巻状に延びていてもよいし、円周方向に往復するように（ミアンダ状に）延びていてもよいし、直線状に往復するように延びていてもよい。また、そのようなパターンは、ヒータプレート９の概ね全面に亘っていてもよいし、平面視においてヒータプレート９を複数に分割した領域毎に設けられていてもよい。
抵抗発熱体２７を局部的に見たときの形状も適宜なものとされてよい。例えば、抵抗発熱体２７は、上面１７ａ及び下面１７ｂに平行な層状導体であってもよいし、上記の経路を軸として巻かれたコイル状（スプリング状）であってもよいし、メッシュ状に形成されているものであってもよい。各種の形状における寸法も適宜に設定されてよい。
抵抗発熱体２７の材料は、電流が流れることによって熱を生じる導体（例えば金属）である。導体は、適宜に選択されてよく、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、プラチナ（Ｐｔ）若しくはインジウム（Ｉｎ）又はこれらを主成分とする合金である。また、抵抗発熱体２７の材料は、前記のような金属を含む導電ペーストを焼成して得られるものであってもよい。すなわち、抵抗発熱体２７の材料は、ガラス粉末及び／又はセラミック粉末等の添加剤（別の観点では無機絶縁物）を含むものであってもよい。
（ヒータピラー）
図２は、ヒータピラー１１の分解斜視図である。なお、ヒータピラー１１は、上部ピラー１３と下部ピラー１５とを一旦固定した後も、必要に応じて図示のように分解可能であってもよいし、一旦固定した後は、図示のような分解は（破壊無しでは）不可能であってもよい。
上部ピラー１３は、抵抗発熱体２７とヒータ１の外部とを電気的に中継するための中継導体２９（２９Ａ及び２９Ｂ）を有している。中継導体２９は、柱状体１９内を上下に延びている。中継導体２９において、上方側部分は抵抗発熱体２７に接続されており、下端は柱状体１９の下方側部分から露出している。下部ピラー１５は、下部基体２１内を上下に延びている複数の下部導体３１を有している。下部導体３１は、上端が中継導体２９の下端に接続されており、下端が下部基体２１の下方側部分から露出している。これにより、ヒータ１においては、ヒータピラー１１の下方側部分からヒータピラー１１を介して抵抗発熱体２７へ電力を供給可能となっている。
柱状体１９は、柱状体１９の上方側部分に開口するとともに下方側部分に開口する上部流路１９ｃを有している。上部流路１９ｃの上方側の開口は、板状体１７に設けられたプレート流路１７ｃにつながる。また、下部基体２１は、下部基体２１の上方側部分に開口するとともに下方側部分に開口している下部流路２１ｃを有している。下部流路２１ｃの上方側の開口は、上部流路１９ｃの下方側の開口につながる。これにより、ヒータ１においては、ヒータピラー１１の下方側部分からヒータピラー１１を介してプレート流路１７ｃに流体を供給可能になっている。
（柱状体）
柱状体１９は、例えば、基本的に（上部流路１９ｃ等を除いて）中実の部材である。中実は、ガスが存在する、又は真空とされている空間を有さないという意味である。例えば、柱状体１９（又は柱状部２５）は、上側（板状体１７側）の１／３以上、１／２以上又は２／３以上の範囲において、流路の容積及び導体の体積を除いて、１００％又は８０％以上の体積が中実である。柱状体１９の形状及び寸法は適宜に設定されてよい。柱状体１９（又は柱状部２５）は、上下方向の長さが径（平面視で非円形の場合は例えば最大径）に対して、大きくてもよいし、同等でもよいし、小さくてもよい。換言すれば、柱状体１９（柱状部２５）は、上下に細長い形状でなくてもよい。
柱状体１９は、例えば、柱状部２５となる柱本体１９ｄと、柱本体１９ｄの上面から突出している突部１９ｅとを有している。突部１９ｅは、板状体１７の凹部１７ｒに挿入されて、板状体１７とともに板状部２３を構成する部分である。突部１９ｅは、柱本体１９ｄの上面から直接に突出している大径部１９ｍと、大径部１９ｍの上面から突出している小径部１９ｎとを有している。なお、本実施形態の説明において、「突部１９ｅの上面」という場合、小径部１９ｎの上面及び／又は大径部１９ｍの上面を指すものとする。同様に、「突部１９ｅの側面」という場合、小径部１９ｎの側面及び／又は大径部１９ｍの側面を指すものとする。
柱本体１９ｄ、大径部１９ｍ及び小径部１９ｎ（突部１９ｅ）それぞれの形状は適宜に設定されてよい。例えば、これらの横断面（水平な断面）の形状は、円形（図示の例）又は多角形等の適宜な形状とされてよい。また、例えば、柱本体１９ｄ、大径部１９ｍ及び小径部１９ｎは、平面視において、中心が一致していてもよいし（図示の例）、一致していなくてもよい。また、柱本体１９ｄ、大径部１９ｍ及び小径部１９ｎは、横断面の形状及び面積が上下方向において一定（図示の例）であってもよいし、変化してもよい。また、例えば、鉛直な軸回りにおいて板状体１７と柱状体１９とを位置決めするためのキー溝及びキーの一方が突部１９ｅに形成され、他方が凹部１７ｒに形成されてもよい。
なお、本開示において、平面視において中心という場合、特に断りがない限り、平面視において部材の外縁がなす図形の幾何中心（図心）を指す。確認的に記載すると、幾何中心は、そのまわりでの一次モーメントが０になる点である。従って、例えば、円又は回転対称の形状以外においても、中心は定義され得る。また、中心は、部材の外縁において特異的な部分（例えば上記のキー溝又はキー。また、例えば横断面の面積の１０％以下又は５％以下の部分）を無視して合理的に特定されてよい。
柱状体１９の各種の寸法も適宜に設定されてよい。例えば、柱本体１９ｄの径（非円形の場合は最大径）は、例えば、板状体１７の径（非円形の場合は最大径）に対して、１／２０以上、１／１０以上又は１／５以上とされてよく、また、２／３以下、１／２以下、１／３以下又は１／５以下とされてよく、上記の下限と上限とは、矛盾しない限り、適宜に組み合わされてよい。また、例えば、柱本体１９ｄの径（非円形の場合は最大径）は、２０ｍｍ以上、３０ｍｍ以上又は４０ｍｍ以上とされてよく、また、７０ｍｍ以下、６０ｍｍ以下又は５０ｍｍ以下とされてよく、上記の下限と上限とは、適宜に組み合わされてよい。また、例えば、柱本体１９ｄの上下方向の長さは、板状体１７の厚さに対して、１／１０以上、１／２以上、２倍以上、５倍以上又は１０倍以上とされてよく、また、例えば、２０倍以下、１０倍以下、５倍以下、２倍以下又は１／２以下とされてよく、上記の下限と上限とは、矛盾しない限り、適宜に組み合わされてよい。また、例えば、柱本体１９ｄの上下方向の長さは、１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以上又は３０ｍｍ以上とされてよく、また、３００ｍｍ以下、２００ｍｍ以下又は１００ｍｍ以下とされてよく、上記の下限と上限とは、適宜に組み合わされてよい。
また、例えば、突部１９ｅの径（小径部１９ｎの径又は大径部１９ｍの径。非円形の場合は最大径）は、柱本体１９ｄの径（非円形の場合は最大径）に対して、１／１０以上、１／５以上、１／３以上又は１／２以上とされてよく、また、２／３以下、１／２以下、１／３以下又は１／５以下とされてよく、上記の下限と上限とは、矛盾しない限り、適宜に組み合わされてよい。また、例えば、突部１９ｅの高さは、例えば、板状体１７の厚さに対して、１／１０以上、１／５以上、１／３以上又は１／２以上とされてよく、また、４／５以下、２／３以下、１／３以下又は１／５以下とされてよく、上記の下限と上限とは、矛盾しない限り、適宜に組み合わされてよい。また、例えば、突部１９ｅの高さ（凹部１７ｒの深さ）は、３ｍｍ以上又は８ｍｍ以上とされてよく、また、１５ｍｍ以下又は１０ｍｍ以下とされてよく、上記の下限と上限とは、適宜に組み合わされてよい。
柱状体１９の材料は、例えば、セラミックである。セラミックの具体的な材料としては、例えば、板状体１７の説明で挙げたもの（ＡｌＮ等）が利用されてよい。また、柱状体１９の材料は、板状体１７の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。柱状体１９の材料が板状体１７の材料と異なっている場合において、両者の主成分は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（中継導体）
複数の中継導体２９（２９Ａ及び２９Ｂ）は、例えば、柱状体１９内を上下方向に平行に直線状に延びる金属によって構成されている。ただし、例えば、中継導体２９は、途中で屈曲していたり、途中に水平方向に延びる部分を有していたり、上下方向に対して傾斜して延びていたりしてもよい。中継導体２９の柱状体１９（又は柱状部２５）内に位置する部分の全体を見たときに、抵抗発熱体２７に接続される側に対して、下部ピラー１５（別の観点では電力供給部３）に接続される側が下方（板状部２３から離れる側）に位置している場合、中継導体２９は、柱状体１９（又は柱状部２５）内を上下方向に延びていると捉えてよい。
複数の中継導体２９（２９Ａ及び２９Ｂ）は、柱本体１９ｄの上面から上方側（柱本体１９ｄの上面を含む）にて柱状体１９から露出している。これにより、中継導体２９は、抵抗発熱体２７に接続可能となっている。より具体的には、図示の例では、中継導体２９は、突部１９ｅの側面及び上面において露出しており、この露出している部分に抵抗発熱体２７が接続される。別の観点では、中継導体２９は、柱本体１９ｄ（柱状部２５）内で上下に延びている延在部２９ａと、延在部２９ａから突部１９ｅ（板状部２３の一部）内に延びている接続部２９ｂとを有しており、接続部２９ｂが抵抗発熱体２７に接続される。
さらに詳細には、複数の中継導体２９は、例えば、柱本体１９ｄ、大径部１９ｍ及び小径部１９ｎを貫通している中継導体２９Ａと、柱本体１９ｄ及び大径部１９ｍを貫通している（小径部１９ｎを貫通していない）中継導体２９Ｂとを有している。平面視において小径部１９ｎは大径部１９ｍ内に収まっているから、複数の中継導体２９Ａは、複数の中継導体２９Ｂの内側（別の観点では平面視における柱状部２５の中心に近づく側）に位置している。中継導体２９Ａは、小径部１９ｎの上面及び側面において露出している。中継導体２９Ｂは、大径部１９ｍの上面及び側面において露出している。
別の観点では、中継導体２９Ｂは、中継導体２９Ａに比較して、平面視において柱状部２５の中心から離れているとともに、その上端が中継導体２９Ａよりも上方（内部導体に近づく側）に位置している。また、中継導体２９Ａ及び２９Ｂは、それぞれ、延在部２９ａから板状部２３内（突部１９ｅ内）に延びている接続部２９ｂを有している。中継導体２９Ｂの接続部２９ｂは、中継導体２９Ａの接続部２９ｂに比較して、平面視において柱状部２５の中心から離れているとともに、板状部２３の下面１７ｂから上方（内部導体へ近づく側）への長さが短い。
既述のように、本実施形態では、２層の抵抗発熱体２７が設けられている。中継導体２９Ａの接続部２９ｂは、上方側の層の抵抗発熱体２７に接続されている。中継導体２９Ｂの接続部２９ｂは、下方側の層の抵抗発熱体２７に接続されている。換言すれば、中継導体２９Ａ及び２９Ｂは、それぞれ１層の抵抗発熱体２７に接続されている。なお、接続部２９ｂは、上下方向のある程度の長さに亘って露出している。従って、特に図示しないが、１つの接続部２９ｂの上下方向の互いに異なる位置に２層以上の抵抗発熱体２７を接続することも可能である。
また、複数の中継導体２９は、柱本体１９ｄ（柱状部２５）の下方側部分から露出している。下方側部分は、例えば、柱本体１９ｄのうちの下方側の半分である。また、別の観点では、複数の中継導体２９は、柱本体１９ｄの表面のうち、下部ピラー１５（下部基体２１）によって外部から隠される領域において露出している。図示の例では、中継導体２９は、柱本体１９ｄの下面から突出している。すなわち、中継導体２９は、延在部２９ａから下方へ延びて、柱状部２５の下面から突出している突出部２９ｃを有している。
なお、特に図示しないが、中継導体２９は、平面視において図示の例よりも突部１９ｅの中心側に位置して、突部１９ｅの上面からのみ露出してもよい。また、中継導体２９は、図示の例よりも上端の位置が低くされ、突部１９ｅ（１９ｎ又は１９ｍ）の側面からのみ露出されてもよい。既述のように、中継導体２９は、屈曲等していてもよい。従って、例えば、中継導体２９を上端側にて屈曲させて、突部１９ｅの側面からのみ露出させたり、中継導体２９を下端側にて屈曲させて、柱本体１９ｄの下方側部分の側面から露出させたりすることも可能である。また、中継導体２９の下端は、柱本体１９ｄの表面から突出せずに、柱本体１９ｄの表面よりも奥まった位置にて露出してもよい。
図３（ａ）は上部ピラー１３の上面図である。図３（ｂ）は上部ピラー１３の底面図である。
複数の中継導体２９Ａは、例えば、平面視における柱本体１９ｄ（柱状部２５）の中心Ｃ１を中心側とする同一の円周上に配列されている。図示の例では、中継導体２９Ａが配列された円周の中心は、柱本体１９ｄの中心Ｃ１に一致している。また、複数の中継導体２９Ａは、例えば、上記円周の中心（中心Ｃ１）に対して点対称（１８０°回転対称）に配置されている。また、例えば、中継導体２９Ａは、均等なピッチで円周上に配列されている。別の観点では、ｎを２以上の整数としたときにｎ個の中継導体２９Ａは、ｎ回対称に配置されている。
なお、複数の中継導体２９Ａが同一の円周上に位置しているか否かは、柱本体１９ｄの中心Ｃ１が上記円周の中心であることを前提に２以上の中継導体２９Ａについて判断してもよいし、中心Ｃ１を特定せずに４以上の中継導体２９Ａについて判断してもよい。また、上記の説明では、中継導体２９Ａについて述べたが、中継導体２９Ｂについても同様である。すなわち、上記の説明において、中継導体２９Ａは中継導体２９Ｂに置換されてよい。また、中継導体２９Ａが配列されている円周と、中継導体２９Ｂが配列されている円周とは、例えば、同心円である。
図示の例では、中継導体２９Ｂの数は、中継導体２９Ａの数よりも多い。また、図示の例では、中継導体２９Ｂの径（非円形の場合は例えば最大径）は、中継導体２９Ａの径（非円形の場合は例えば最大径）に対して大きい（図２も参照）。中継導体２９Ｂは、中継導体２９Ａよりも中心Ｃ１から離れた位置で中心Ｃ１を囲むように配列されているから、中継導体２９Ｂの位置における弧は、中継導体２９Ａの位置における弧よりも同一の中心角に対して長い。従って、上記のように中継導体２９Ｂの数を相対的に多くしたり、中継導体２９Ｂの径を大きくしたりしても、短絡の蓋然性は相対的に低い。ただし、中継導体２９Ｂの数は、中継導体２９Ａの数に対して、同じであってもよいし、少なくてもよい。同様に、中継導体２９Ｂの径は、中継導体２９Ａの径に対して、同じであってもよいし、小さくてもよい。
中継導体２９の数は、適宜に設定されてよい。例えば、中継導体２９の数は、２個以上、４個以上又は５個以上とされてよく、また、３０個以下、１０個以下又は４個以下とされてよく、前記の下限と上限とは、矛盾しない限り、適宜に組み合わされてよい。
図４（ａ）は、上部ピラー１３の側面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の上部側の一部の拡大図である。図４（ｃ）は、図４（ｂ）の変形例を示す図である。
図４（ｃ）に示すように、中継導体２９Ａの上面は、小径部１９ｎ（別の観点では柱状体１９又は突部１９ｅ）の上面と面一とされてよい。また、図４（ｂ）に示すように、中継導体２９Ａの上端は、小径部１９ｎの上面から突出していてもよい。また、特に図示しないが、中継導体２９Ａの上面は、小径部１９ｎの上面から奥まった位置にあってもよい。なお、中継導体２９Ａの上面と小径部１９ｎの上面とで上下方向の位置が異なっていても、その差が公差以内であれば、面一とされてよい。例えば、位置の差が中継導体２９Ａの径（非円形の場合は最大径）の１／５以下若しくは１／１０以下の場合、及び／又は位置の差が１ｍｍ以下若しくは０．１ｍｍ以下の場合、中継導体２９Ａの上面と小径部１９ｎの上面とは面一と捉えられてよい。
中継導体２９Ａの上端について述べたが、中継導体２９Ｂの上端についても同様である。上記の説明は、中継導体２９Ａ及び小径部１９ｎを中継導体２９Ｂ及び大径部１９ｍに読み替えて中継導体２９Ｂに援用されてよい。
中継導体２９の具体的な形状及び各種の寸法は適宜に設定されてよい。例えば、中継導体２９の柱状部２５内における部分（延在部２９ａ）の横断面（長さ方向に直交する断面）の形状及び大きさは、長さ方向において一定であり、また、円形又は多角形等の適宜な形状とされてよい。なお、本実施形態の説明では、延在部２９ａの横断面の形状が円形である場合を例に取る。中継導体２９は、図示のように中実であってもよいし、図示の例とは異なり、中空状であってもよい。
中継導体２９（延在部２９ａ）の径（非円形の場合は最大径）は、例えば、０．０５ｍｍ以上又は０．３ｍｍ以上とされてよく、また、１０ｍｍ以下又は１ｍｍ以下とされてよく、上記の下限と上限とは適宜に組み合わされてよい。中継導体２９の長さは、例えば、概略、上述の柱本体１９ｄ（柱状部２５）の上下方向の長さを援用してよい。念のために記載すると、例えば、中継導体２９又はそのうちの延在部２９ａの長さは、板状体１７の厚さに対して、１／１０以上、１／２以上、２倍以上、５倍以上又は１０倍以上とされてよく、また、例えば、２０倍以下、１０倍以下、５倍以下、２倍以下又は１／２以下とされてよく、上記の下限と上限とは、矛盾しない限り、適宜に組み合わされてよい。また、例えば、中継導体２９又は延在部２９ａの長さは、１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以上又は３０ｍｍ以上とされてよく、また、３００ｍｍ以下、２００ｍｍ以下又は１００ｍｍ以下とされてよく、上記の下限と上限とは、適宜に組み合わされてよい。また、延在部２９ａの長さは、延在部２９ａの径（非円形の場合は最大径）の１倍以上、１０倍以上又は１００倍以上とされてよい。上記の中継導体２９又は延在部２９ａの長さの範囲の例は、延在部２９ａが柱本体１９ｄの上端から下端まで上下方向に平行に直線状に延びている場合、それ以外の場合のいずれに適用されてもよい。
図４（ｄ）は、小径部１９ｎの上部側を拡大して示す斜視図である。
図２及び図４（ｄ）に示すように、中継導体２９Ａのうち小径部１９ｎに位置する部分（接続部２９ｂの一部）は、中継導体２９Ａのうち柱本体１９ｄ（柱状部２５）内に位置する部分（延在部２９ａ）に対して、一部が除去された形状とされている。
別の観点では、中継導体２９Ａの接続部２９ｂは、平面視において、所定形状（平面視における延在部２９ａの形状。ここでは円形）から、小径部１９ｎの外縁を延長した線を境界にして柱状部２５の中心Ｃ１とは反対側の一部が除去された形状とされている。換言すれば、平面視において、接続部２９ｂの外縁の一部は、あたかも小径部１９ｎの外縁の一部を構成しているかのように、小径部１９ｎの外縁に滑らかに連続している。ここでいう滑らかに連続しているとは、例えば、接続部２９ｂの外縁の一部と小径部１９ｎの外縁とのつなぎ目において、段差及び角部が生じていないということである。なお、段差があっても、その段差の大きさが公差以内であれば、連続していると捉えられてよい。例えば、段差が接続部２９ｂの径（最大径）の１／５以下若しくは１／１０以下の場合、及び／又は段差が１ｍｍ以下若しくは０．１ｍｍ以下の場合、連続していると捉えられてよい。角部の有無は、断面拡大画像の目視によって合理的に判断されてよい。
本実施形態では、中継導体２９Ａに係る上記所定形状は円形（本段落において第１の円形という。）である。従って、別の観点では、平面視において、中継導体２９Ａの接続部２９ｂは、第１の円形から、柱状部２５の中心Ｃ１に対して反対側の一部が除去された形状を有している。また、平面視において、小径部１９ｎの形状は、第１の円径の径よりも径が大きい円形である。従って、別の観点では、平面視において、中継導体２９Ａの接続部２９ｂは、上記第１の円形の円周よりも曲率が小さく、柱状部２５の中心Ｃ１側を曲率中心側とする弧を境界として、上記第１の円形から中心Ｃ１とは反対側の一部が除去された形状を有している。
上記の除去された部分は、上記所定形状（平面視における延在部２９ａの形状。ここでは円形）の中心よりも、小径部１９ｎの中心とは反対側の部分である。従って、小径部１９ｎの中心から接続部２９ｂを水平方向に見たときに上記所定形状のうち最大径となる部分は除去されずに残っている。別の観点では、平面視において、接続部２９ｂは、小径部１９ｎに対して外側へ係合する形状が維持されている。ただし、そのような形状が維持されていなくてもよい。
なお、中継導体２９Ａの側面は、図示の例とは異なり、小径部１９ｎの側面から奥まった位置にあってもよいし、小径部１９ｎの側面よりも外側にあってもよい。このことは、図示の例のように、接続部２９ｂの平面視における形状が、円形から当該円形よりも曲率が小さい弧を境界として一部が除去された形状である場合も同様である。また、中継導体２９Ａの柱状部２５内の部分の平面視における形状として円形を例に取り、小径部１９ｎの平面視における形状として円形を例に取ったが、これは一例に過ぎない。例えば、小径部１９ｎの形状は矩形等の多角形とされ、中継導体２９Ａの接続部２９ｂの平面視の形状は、円形から直線を境界として一部が除去された形状とされていてもよい。
中継導体２９Ａの接続部２９ｂの形状について述べたが、中継導体２９Ｂについても同様である。上記の説明は、中継導体２９Ａ及び小径部１９ｎを中継導体２９Ｂ及び大径部１９ｍに読み替えて、中継導体２９Ｂの接続部２９ｂに援用されてよい。
中継導体２９の材料は適宜に設定されてよい。例えば、中継導体２９の材料として、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ又はＮｉを挙げることができる。中継導体２９の材料は、内部導体（抵抗発熱体２７）の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（下部基体）
図２に戻って、下部基体２１は、例えば、基本的に（下部流路２１ｃ等を除いて）中実の部材である。下部基体２１の形状及び寸法は適宜に設定されてよい。下部基体２１は、上下方向の長さが径（平面視で非円形の場合は例えば最大径）に対して、大きくてもよいし、同等でもよいし、小さくてもよい。
下部基体２１は、例えば、基体本体２１ｄと、基体本体２１ｄの下端から外側へ突出しているフランジ２１ｆとを有している。フランジ２１ｆには、当該フランジ２１ｆを上下に貫通する孔２１ｆｈが形成されている。特に図示しないが、孔２１ｆｈには、ボルトが挿通され、当該ボルトは、ヒータ１を収容しているチャンバ内の適宜な支持部材に螺合される。すなわち、フランジ２１ｆは、ヒータ１の設置に寄与している。
基体本体２１ｄの横断面（水平な断面）の形状（例えば上端における形状）は、柱状体１９の柱本体１９ｄの横断面の形状（例えば下端における形状）と相似（合同含む）であってもよいし、相似でなくてもよい。また、基体本体２１ｄの横断面の大きさ（例えば上端における大きさ）は、柱本体１９ｄの横断面における大きさ（例えば下端における大きさ）に対して、同等であってもよいし（図示の例）、大きくてもよいし、小さくてもよい。
基体本体２１ｄの横断面の形状は、円形（図示の例）又は多角形等の適宜な形状とされてよい。基体本体２１ｄは、横断面の形状及び面積が上下方向において一定（図示の例）であってもよいし、変化してもよい。また、例えば、鉛直な軸回りにおいて柱状体１９と基体本体２１ｄとを位置決めするための凸部及び凹部の一方が柱状体１９の下端に形成され、他方が基体本体２１ｄの上端に形成されてもよい。
下部基体２１の材料は、例えば、セラミックである。セラミックの具体的な材料としては、例えば、板状体１７の説明で挙げたもの（ＡｌＮ等）が利用されてよい。また、下部基体２１の材料は、板状体１７及び／又は柱状体１９の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。下部基体２１の材料が板状体１７及び／又は柱状体１９の材料と異なっている場合において、これらの主成分は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（下部導体）
複数の下部導体３１（３１Ａ及び３１Ｂ）は、例えば、下部基体２１内を上下方向に平行に直線状に延びる金属によって構成されている。ただし、例えば、下部導体３１は、途中で屈曲していたり、途中に水平方向に延びる部分を有していたり、上下方向に対して傾斜して延びていたりしてもよい。
複数の下部導体３１（３１Ａ及び３１Ｂ）は、例えば、下部基体２１の上面のうち、中継導体２９の下端と対向する位置において露出している。これにより、下部導体３１は、中継導体２９に接続可能となっている。複数の下部導体３１は、中継導体２９Ａと接続される下部導体３１Ａと、中継導体２９Ｂと接続される下部導体３１Ｂとを有している。また、複数の下部導体３１は、例えば、下部基体２１の下面において下部基体２１の外部に露出している。
下部導体３１の具体的な形状及び各種の寸法は適宜に設定されてよい。例えば、下部導体３１の横断面（長さ方向に直交する断面）の形状及び大きさは、端部を除いて、長さ方向において一定である。また、下部導体３１の横断面の形状は、円形又は多角形等の適宜な形状とされてよく、また、中継導体２９の横断面の形状に対して、相似形（合同含む）であってもよいし、相似形でなくてもよい。本実施形態の説明では、下部導体３１の横断面が、中継導体２９の横断面よりも大きい円形（別の観点では相似）である態様を例に取る。
下部導体３１の材料も適宜に設定されてよい。例えば、下部導体３１の材料として、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ又はＮｉを挙げることができる。下部導体３１の材料は、内部導体（抵抗発熱体２７）の材料及び／又は中継導体２９の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（板状体と柱状体との接合部）
図１（ｂ）に戻って、板状体１７と柱状体１９とは、例えば、直接に接して接合されている。より詳細には、例えば、後に例示する製造方法から理解されるように、板状体１７と柱状体１９との境界においては、両者のセラミック粒子が互いに密着しており、これにより、互いに接合されている。柱状体１９のうち、板状体１７に対して接合されている面は、本実施形態においては、柱本体１９ｄの上面及び突部１９ｅの側面及び上面（大径部１９ｍの側面及び上面並びに小径部１９ｎの側面及び上面）である。板状体１７のうち、柱状体１９に接合されている面は、本実施形態においては、下面１７ｂのうち凹部１７ｒの周囲の一部及び凹部１７ｒの内面である。
図５（ａ）は、板状体１７と柱状体１９との接合部に係る変形例を示す断面図であり、図１（ｂ）の一部拡大図に相当する。
この例では、板状体１７と柱状体１９とは接合材３３によって接合されている。接合材３３は、例えば、絶縁材料からなる。また、接合材３３は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。具体的には、接合材３３としては、例えば、ガラス系のものが用いられてよい。すなわち、板状体１７と柱状体１９とはガラス接合されてよい。また、接合材３３として、ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３系のものが用いられてもよい。
接合材３３の配置位置も適宜に設定されてよい。例えば、柱状体１９は、柱本体１９ｄの上面及び突部１９ｅの上面及び側面（大径部１９ｍの側面及び上面並びに小径部１９ｎの側面及び上面）が、板状体１７の下面１７ｂのうち凹部１７ｒの周囲部分及び凹部１７ｒの内面に向かい合わされる。接合材３３は、上記の向かい合わされる面のうち、一部に配置されてもよいし（図示の例）、全部に配置されてもよい。
図示の例では、より詳細には、接合材３３は、大径部１９ｍの上面（例えばその全面）及び柱本体１９ｄの上面（例えばその全面）に設けられている。大径部１９ｍの上面に位置する接合材３３は、小径部１９ｎの下端を周回しており、小径部１９ｎから露出している中継導体２９Ａの接続部２９ｂの封止に寄与している。柱本体１９ｄの上面に位置する接合材３３は、大径部１９ｍの下端を周回しており、大径部１９ｍから露出している中継導体２９Ｂの接続部２９ｂの封止に寄与している。
なお、板状体１７及び柱状体１９の上記の向かい合わされる面のうち、接合材３３が配置されていない領域は、例えば、互いに当接しているだけである。ただし、当該領域は、セラミック粒子が互いに密着することによって互いに接合されていても構わない。
図５（ｂ）は、板状体１７と柱状体１９との接合部に係る他の変形例を示す断面図であり、図１（ｂ）の一部拡大図に相当する。
この例では、板状体１７の凹部１７ｒと柱本体１９ｄの突部１９ｅとの隙間を封止する封止材３５が設けられている。封止材３５は、柱本体１９ｄを周回するように、板状体１７の下面１７ｂ及び柱本体１９ｄの側面に密着している。この封止材３５は、板状体１７と柱状体１９とが直接に接合されている態様において設けられていてもよいし、板状体１７と柱状体１９とが接合材３３を介して接合されている態様において設けられていてもよい。
封止材３５の材料は適宜なものとされてよい。例えば、封止材３５は、絶縁材料からなる。また、封止材３５は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。具体的には、封止材３５としては、例えば、ガラス接合に用いられるガラス系の接合材が用いられてよい。また、封止材３５として、ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３系のものが用いられてもよい。
（抵抗発熱体と中継導体との接続）
図２及び図４（ｄ）に示すように、中継導体２９と内部導体（抵抗発熱体２７）との接続は、例えば、中継導体２９の側面においてなされている。ただし、両者の接続は、図示の例とは異なり、中継導体２９の上端面においてなされていてもよい。また、中継導体２９の上端が柱状体１９から上方へ突出している場合においては（図４（ｃ））、その上端の側面において接続がなされていてもよい。中継導体２９と抵抗発熱体２７との接続は、例えば、図４（ｄ）に示すように、両者が直接に当接することによってなされていてよい。
図５（ｃ）は、中継導体２９と抵抗発熱体２７との接続の変形例を示す断面図である。
この図に示すように、中継導体２９と抵抗発熱体２７とは、両者の間に両者とは異なる材料及び／又は他の部材が介在することによって接続されていてもよい。図示の例では、抵抗発熱体２７と中継導体２９との間には、導電性の中間層３７が介在している。
中間層３７の材料は適宜なものとされてよい。例えば、中間層３７は、抵抗発熱体２７の材料と同一の成分と、板状体１７（及び／又は板状部２３）の材料と同一の成分とを含む複合材料によって構成されている。同一の成分を含むとは、例えば、同一の原子を含むということである。このような複合材料としては、例えば、抵抗発熱体２７がＷ又はＷを主成分とする合金からなり、板状体１７がＡｌＮの焼結体又はＡｌＮを主成分とする焼結体からなる場合において、ＷとＡｌＮとを含むものを挙げることができる。
図４（ｂ）及び図４（ｃ）を参照して説明したように、中継導体２９（接続部２９ｂ）は、その上端が突部１９ｅ（小径部１９ｎ又は大径部１９ｍ）の上面から突出していてもよい。この場合において、図５（ｃ）に示すように、凹部１７ｒ内に中継導体２９の上端が挿入される穴１７ｓ（凹部）が形成されていてもよい。この場合、中間層３７は、この穴１７ｓ内に少なくとも一部が配置されてよい。なお、図５（ｃ）では、中継導体２９Ａを例示しているが、中継導体２９Ｂについても同様である。
なお、特に図示しないが、中継導体２９の上端を突部１９ｅ（小径部１９ｎ又は大径部１９ｍ）の上面から吐出させる一方で、穴１７ｓを設けないようにしてもよい。この場合は、例えば、中継導体２９の、突部１９ｅの上面からの突出量に応じた高さの隙間が突部１９ｅの上面と、凹部１７ｒの下方に面する面との間に構成される。この場合、中間層３７は、上記隙間に少なくとも一部が配置されてよい。
（柱状体と下部基体との連結）
柱状体１９と下部基体２１とは、適宜な方法によって連結されてよい。例えば、特に図示しないが、両者は、接着剤によって固定されていてもよいし、直接接合（例えば拡散接合）によって固定されていてもよいし、ボルト及びナット等を用いた機械的結合によって固定されてもよい。また、例えば、後述する中継導体２９と下部導体３１との接続によって柱状体１９と下部基体２１との水平方向における位置決めがなされ、上下方向については、単に柱状体１９が下部基体２１に載置されているだけであってもよい。
また、柱状体１９と下部基体２１との連結部分においては、適宜な封止構造が採用されてよい。例えば、図２の例では、下部基体２１の上面には、外縁に沿って周回する凹溝（符号省略）が形成されており、当該凹溝にはパッキン３９が配置されている。パッキン３９は、例えば、Ｏリングである。そして、このパッキン３９は、柱状体１９の下面に形成された凹溝１９ｒの底面に当接する。これにより、柱状体１９の下面及び下部基体２１の上面との間は密封される。この密封された領域において、中継導体２９及び下部導体３１は露出し、また、上部流路１９ｃ及び下部流路２１ｃは開口している。
（中継導体と下部導体との接続）
図６は、中継導体２９と下部導体３１との接続方法の一例を示す斜視図である。
この例では、下部導体３１の上面には凹部３１ｒが形成されている。この凹部３１ｒには、中継導体２９のうち、柱本体１９ｄの下面から突出している部分（突出部２９ｃ）が挿入される。そして、突出部２９ｃと凹部３１ｒの内面とが当接する。これにより、中継導体２９と下部導体３１とは電気的に接続されている。また、この突出部２９ｃと凹部３１ｒの内面との当接により、上部ピラー１３と下部ピラー１５との水平方向の位置決めもなされる。
突出部２９ｃの形状及び凹部３１ｒの形状は適宜なものとされてよい。図示の例では、突出部２９ｃは、一定の横断面（ここでは円形）で延びている。一方、凹部３１ｒは、上方側ほど拡径するテーパ面を有している。従って、突出部２９ｃが凹部３１ｒに挿入されていくと、突出部２９ｃの先端面の外縁が、テーパ面に当接する。これにより、突出部２９ｃと凹部３１ｒの内面との接続の信頼性を向上させることができる。また、凹部３１ｒのうちテーパ面によって構成されている部分（図示の例では凹部３１ｒの全体）の横断面（水平方向に平行な面）の形状は、突出部２９ｃの横断面の形状と相似形である。従って、突出部２９ｃとテーパ面との当接は、加工精度を無視すれば、突出部２９ｃの全周に亘ってなされる。
なお、図示の例とは異なり、突出部２９ｃに下端側ほど縮径するテーパ面を設けてもよい。また、図示の例とは異なり、中継導体２９の下面と下部導体３１の上面とを直接に当接させたり、中継導体２９と下部導体３１との間に導電性の弾性部材又は導電性のグリースを介在させたりしてもよい。また、図示の例とは逆に、中継導体２９の下面に凹部が形成され、当該凹部に下部導体３１の上端が挿入されても構わない。
（流路）
図２に戻って、プレート流路１７ｃ、上部流路１９ｃ及び下部流路２１ｃの形状及び寸法等は、これらの流路に供給される流体の目的等に応じて適宜に設定されてよい。図示の例では、プレート流路１７ｃの一端は、板状体１７の下面１７ｄのうち柱本体１９ｄの上面と対向する領域において開口している。上部流路１９ｃは、柱本体１９ｄを上下方向に直線状に延びており、上端は柱本体１９ｄの上面にて開口し、下端は、柱本体１９ｄの下面にて開口している。また、下部流路２１ｃは、下部基体２１を上下方向に直線状に延びており、上端は下部基体２１の上面にて開口し、下端は、下部基体２１の下面にて開口している。
また、図示の例では、互いにつながるプレート流路１７ｃ、上部流路１９ｃ及び下部流路２１ｃの組み合わせは、２組設けられている。この２組は、いずれもが板状体１７内に流体を供給するものであってもよいし、板状体１７内で互いに接続されて、一方が流体の供給用、他方が流体の回収用とされるものであってもよい。
特に図示しないが、プレート流路１７ｃと上部流路１９ｃとは、柱本体１９ｄの上面に代えて、又は加えて、突部１９ｅの上面及び／又は側面において互いに接続されていてもよい。また、上部流路１９ｃ及び下部流路２１ｃは、板状体１７へ流体を供給するためのものでなく、柱状体１９及び下部基体２１内において完結しているものであってもよい。このような流路としては、例えば、柱状体１９及び下部基体２１を冷却するための冷媒用のものが挙げられる。
（ヒータの製造方法の第１例）
図７は、ヒータ１の製造方法の第１例の手順の概要を示すフローチャートである。
ステップＳＴ１では、焼成前の板状体１７（第２成形体）を作製する。この作製方法は、凹部１７ｒ等の具体的な形状を除いては、公知の種々の方法と同様とされてよい。例えば、第２成形体は、抵抗発熱体２７となる導電ペーストが配置された複数のセラミックグリーンシートを積層することによって作製されてよい。凹部１７ｒは、例えば、積層前のセラミックグリーンシートに凹部１７ｒとなる貫通孔又は凹部が形成されることによって構成される。また、例えば、抵抗発熱体２７となるコイルと、板状体１７となるセラミック原料粉末とを型内に配置して加圧を行い、第２成形体を作製してもよい。この場合、凹部１７ｒは、型の内面に突部が形成されていることによって形成される。
ステップＳＴ２～ＳＴ５では、ステップＳＴ１に並行して、上部ピラー１３を作製する。具体的には、まず、ステップＳＴ２では、焼成前の柱状体１９（第１成形体）を作製する。第１成形体の作製方法は、その具体的な形状を除いては、セラミックの成形体を作製する公知の種々の方法と同様とされてよい。例えば、柱状体１９は、セラミック原料粉末を型内で加圧することによって形成される。これにより、柱本体１９ｄ及び突部１９ｅに対応する形状を有している第１成形体が形成される。
次に、ステップＳＴ３では、中継導体２９となる軸状の金属部材を焼成前の柱状体１９（第１成形体）に挿入する。この挿入に先立って、第１成形体には、中継導体２９が挿通される孔が形成されてよい。孔の形成は、第１成形体を型によって成形するときに中子によって形成されてもよいし、成形後、ドリルによって形成されてもよい。また、この段階では、例えば、中継導体２９は、柱本体１９ｄの下面及び突部１９ｅの上面から露出するのみであり、突部１９ｅの側面からは露出していない。ただし、露出していてもよい。また、中継導体２９が挿通される孔の形成と同様に、適宜な時期に上部流路１９ｃとなる孔が形成されてよい。
ステップＳＴ４では、焼成前の柱状体１９（第１成形体）を焼成する。焼成方法は、公知の種々の方法と同様とされてよい。焼成によって、第１成形体は収縮する。この収縮によって、柱状体１９が中継導体２９を締め付けてよい。これにより、柱状体１９と中継導体２９との固定の強度が向上する。このような締め付けのために、中継導体２９が挿通される第１成形体の孔の径は、中継導体２９の径以上であって、焼成後に収縮によって（中継導体２９が無いと仮定した場合に）中継導体２９の径よりも小さくなる大きさとされる。中継導体２９の径と、中継導体２９が無いと仮定した場合の収縮後の孔の径との差は、例えば、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下とされてよい。
なお、ステップＳＴ３に代えて、ステップＳＴ２において、型内に中継導体２９となる金属部材と、柱状体１９となるセラミック原料粉末とを型内に配置して加圧することによって、中継導体２９が挿通されている第１成形体を形成するようにしてもよい。この場合、中継導体２９の形状は、挿通可能な形状（少なくとも一端から途中まで直線状に延びている形状）に限定されない。例えば、中継導体２９は、第１成形体内で適宜に屈曲した形状とされてもよい。さらに、ステップＳＴ２では、加圧だけでなく加熱も行い（すなわちホットプレス法を行い）、ステップＳＴ４を省略してもよい。
ステップＳＴ５では、突部１９ｅの側面を研削する。これにより、中継導体２９の側面が突部１９ｅの側面から露出する。また、突部１９ｅの側面と共に中継導体２９の側面も研削されることによって、平面視において、中継導体２９の接続部２９ｂの形状は、元の形状（本実施形態では円形）から、突部１９ｅの外縁を延長した線（ここでは前記円形よりも曲率が小さい弧）を境界として一部が除去された形状となる。
ステップＳＴ６では、焼成前の板状体１７（第２成形体）の凹部１７ｒに、焼成後の柱状体１９の突部１９ｅを挿入する。その後、ステップＳＴ７では、両者を焼成する。これにより、板状体１７と柱状体１９とは接合される。すなわち、板状体１７及び柱状体１９の接合体が得られる。その接合面においては、両者のセラミック粒子が互いに密着した状態となる。両者の材料が同一又は主成分が同一の場合においては、その境界は曖昧となり、又は無くなる。
焼成によって、板状体１７（第２成形体）は収縮する。この収縮によって、板状体１７が柱状体１９の突部１９ｅを締め付けてよい。また、この締め付けに伴って、板状体１７内の抵抗発熱体２７が中継導体２９の突部１９ｅの側面にて露出している部分に押し付けられてよい。これにより、板状体１７と柱状体１９との固定の強度が向上し、また、中継導体２９と抵抗発熱体２７との接続の信頼性が向上する。このような締め付けのために、焼成前の凹部１７ｒの径は、突部１９ｅの径以上であって、焼成後に収縮によって（突部１９ｅが無いと仮定した場合に）突部１９ｅの径よりも小さくなる大きさとされる。突部１９ｅの径と、突部１９ｅが無いと仮定した場合の収縮後の凹部１７ｒの径との差は、例えば、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下とされてよい。
ステップＳＴ６では、図５（ｃ）を参照して説明した中間層３７となる導電ペーストが凹部１７ｒと突部１９ｅとの間に配置されても構わない。この導電ペーストは、例えば、抵抗発熱体２７を構成する材料（例えばＷ又はＷ合金）と同じ、又は主成分が同じ材料とされてよい。この場合、焼成前の板状体１７（第２成形体）の材料又はその主成分（例えばＡｌＮ）が導電ペーストに拡散又は浸透する。これにより、板状体１７及び抵抗発熱体２７の材料の成分と同一の成分を含む材料からなる中間層３７が形成される。
この第１例では、板状体１７と柱状体１９とを直接に接合可能である。ただし、ステップＳＴ６において、図５（ａ）を参照して説明した接合材３３となる材料（例えばガラス）が凹部１７ｒと突部１９ｅとの間に配置されても構わない。また、図５（ｂ）を参照して説明した封止材３５となる材料（例えばガラス）は、例えば、ステップＳＴ５とステップＳＴ６との間において板状体１７及び柱状体１９に配置されてよい。
下部ピラー１５の製造方法は、その具体的な形状及び研削工程（ステップＳＴ５）を除いて、上部ピラー１３の製造方法と同様とされてよい。
（ヒータの製造方法の第２例）
図８は、ヒータ１の製造方法の第２例の手順の概要を示すフローチャートである。
ステップＳＴ１～ＳＴ５は、図７のステップＳＴ１～ＳＴ５と同様である。この例では、板状体１７の凹部１７ｒに柱状体１９の突部１９ｅを挿入して両者を接合する前に、板状体１７の焼成が行われている。すなわち、ステップＳＴ１の後、ステップＳＴ２～ＳＴ５に並行して、ステップＳＴ２において、板状体１７となる第２成形体の焼成が行われる。その後、ステップＳＴ１２において、突部１９ｅが凹部１７ｒに挿入される。そして、ステップＳＴ１３において、板状体１７と柱状体１９との接合が行われ、両者の接合体が得られる。
ステップＳＴ１３の接合は、既述のように、種々の方法によりなされてよい。例えば、固相接合が利用されてよい。固相接合としては、例えば、拡散接合が利用されてよい。拡散接合では、板状体１７と柱状体１９とが加熱加圧されることによって接合される。この場合、両者のセラミック粒子が互いに密着する。板状体１７及び柱状体１９の材料によっては、焼成の場合と同様に、両者の境界は曖昧になるか、無くなる。拡散接合は、板状体１７と柱状体１９とを直接に当接させるものだけでなく、両者の間に接合を促進するための材料が配置されるものも含むものとする。当該材料は、接合に際して、固相状態のままであってもよいし、液相状態となってもよい。また、例えば、図５（ａ）を参照して説明したように、接合材３３によって接合が行われてもよい。例えば、ガラスペーストを板状体１７及び柱状体１９の間に配置して、加熱及び加圧が行われてよい。
第１例と同様に、ステップＳＴ１２では、図５（ｃ）を参照して説明した中間層３７となる導電ペーストが凹部１７ｒと突部１９ｅとの間に配置されても構わない。この導電ペーストは、例えば、拡散接合又は接合材３３による接合の際に加熱される。そして、抵抗発熱体２７の材料の成分及び板状体１７の材料の成分を含む材料からなる中間層３７が形成される。
なお、ヒータ１の製造方法は、第１例及び第２例以外にも種々可能である。例えば、抵抗発熱体２７及び中継導体２９となる金属部材と、板状部２３及び柱状部２５となるセラミック原料粉末とを型内に配置して、加圧及び加熱してもよい。すなわち、ホットプレス法により、板状部２３及び柱状部２５を一体的に形成してもよい。
以上のとおり、本実施形態に係るウェハ支持部材（ヒータ１）は、板状部２３と、１以上の内部導体（抵抗発熱体２７）と、柱状部２５と、複数の中継導体２９とを有している。板状部２３は、絶縁性であり、また、ウェハＷｆが重ねられる上面１７ａ及びその反対側の下面１７ｂを有している。抵抗発熱体２７は、板状部２３に埋設されている。柱状部２５は、絶縁性であり、板状部２３の下面１７ｂから下方へ突出している。複数の中継導体２９は、柱状部２５内を上下に延びている延在部２９ａをそれぞれ有しているとともに抵抗発熱体２７に電気的に接続されている。
従って、例えば、従来のように抵抗発熱体に電気的に接続されている配線が、ヒータプレートから下方へ延びるパイプ内に配置されている場合に比較して、ヒータの周囲のガス及び／又はプラズマから配線（中継導体２９）を保護することが容易化される。また、例えば、板状体に埋設されている端子と、パイプ内に配置されている配線とによって抵抗発熱体２７に接続される導体を構成するのではなく、中継導体２９のみで端子と配線とを兼ねることができる。その結果、構成が簡素化される。このように、本実施形態では、内部導体への電気的接続に係る構成が好適化される。
また、本実施形態では、複数の中継導体２９の少なくとも１つは、柱状部２５内の延在部２９ａから板状部２３の内部へ延びる接続部２９ｂを更に有している。内部導体と接続部２９ｂとが、接続部２９ｂの側面又は端面（上端面）で接合されている。
この場合、例えば、上記のように、中継導体２９のみで端子と配線とを兼ねることができる。また、例えば、柱状体１９の突部１９ｅを板状体１７の凹部１７ｒに挿入する構成によって、板状部２３内へ延びている中継導体２９を実現できる。この場合、例えば、柱状体１９及び板状体１７の固定に関する信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態では、平面視において、中継導体２９の接続部２９ｂは、柱状部２５の中心Ｃ１から離れており、円形から、中心Ｃ１に対して反対側の一部が除去された形状を有している。
この場合、例えば、平面視において、接続部２９ｂの外縁は、中心Ｃ１とは反対側に面する比較的長い直線又は曲線を有することになる。従って、例えば、抵抗発熱体２７との接触面積を確保しやすい。また、例えば、柱状体１９の突部１９ｅを研削することにより、円形から一部が除去された形状の接続部２９ｂを実現できる。この場合、例えば、接続部２９ｂを突部１９ｅによって強度的に保護しつつ、抵抗発熱体２７を接続部２９ｂの側面に接続することが容易化される。すなわち、突部１９ｅを設けず、かつ接続部２９ｂの側面と抵抗発熱体２７との接続を容易化するために接続部２９ｂを柱本体１９ｄの上面から突出させた場合（このような場合も本開示に係る技術に含まれる。）には、接続部２９ｂが折れたり、曲がったりする蓋然性が高いが、そのような蓋然性を低下させることができる。
また、本実施形態では、上記のような円形（第１の円形とする。）の一部が除去された形状の接続部２９ｂは、前記第１の円形の円周よりも曲率が小さく、柱状部２５の中心Ｃ１側を曲率中心側とする弧を境界として、前記第１の円形から中心Ｃ１とは反対側の一部が除去された形状を有している。
この場合、例えば、平面視において、接続部２９ｂの外縁は、中心Ｃ１とは反対側に面する曲率が小さい曲線を有することになる。従って、例えば、接続部２９ｂの外縁が中心Ｃ１側の弧と同一の曲率の円形である態様（このような態様も本開示に係る技術に含まれる）に比較して、抵抗発熱体２７との接触面積を確保しやすい。
また、本実施形態では、２つ以上の中継導体２９Ａ（又は２つ以上の中継導体２９Ｂ）が接続部２９ｂをそれぞれ有している。平面視において、２つ以上の中継導体２９Ａの接続部２９ｂは、柱状部２５の中心Ｃ１を中心とする同一の円周上に位置している。別の観点では、４つ以上の中継導体２９Ａ（又は４つ以上の中継導体２９Ｂ）が接続部２９ｂをそれぞれ有している。平面視において、４つ以上の中継導体２９Ａの接続部２９ｂは、柱状部２５の中心Ｃ１側を中心側とする同一の円周上に位置している。
この場合、例えば、接続部２９ｂの外縁のうちの、中心Ｃ１とは反対側の曲率が小さい部分が同一円周上で抵抗発熱体２７と接続される。その結果、例えば、抵抗発熱体２７の中心付近における錯綜が低減されたり、抵抗発熱体２７のうちの接続部２９ｂに接続される部分同士の相互影響の評価が容易化されたりする。また、中継導体２９Ａが同一の円周上に位置しているということは、別の観点では、平面視において円形状の突部１９ｅの外縁に沿って中継導体２９Ａが配列されているということである。この場合、例えば、円柱状の突部１９ｅの側面の研削によって複数の中継導体２９Ａを同一の形状にすることが容易である。
また、本実施形態では、平面視において、４つ以上の中継導体２９Ａ（又は４つ以上の中継導体２９Ｂ）の接続部２９ｂは、この中継導体２９Ａが配列されている円周の中心（柱状部２５の中心Ｃ１）に対して点対称に配置されている。
この場合、例えば、接続部２９ｂと板状部２３との間で生じる残留応力及び／又は熱応力の影響を平面視において均等にしやすい。その結果、例えば、局所の応力が大きくなる蓋然性を低下させることができる。接続部２９ｂは、平面視において中心Ｃ１の外側の一部が除去された形状であるから、中心Ｃ１回りの円周方向における径が、中心Ｃ１からの放射方向の径に対して大きくなりやすい。一方、点対称配置によって、円周方向における接続部２９ｂ同士のピッチを確保しやすくなる。その結果、局所の応力が大きくなる蓋然性を低下させる効果が向上する。
また、本実施形態では、複数の中継導体２９（２９Ａ及び２９Ｂ）は、第１中継導体（中継導体２９Ａ）と、第２中継導体（中継導体２９Ｂ）とを有している。中継導体２９Ｂは、平面視において中継導体２９Ａよりも柱状部２５の中心Ｃ１から離れており、かつ上端が中継導体２９Ａの上端よりも上方（ウェハＷｆが重ねられる上面１７ａが面する側）に位置している。
この場合、例えば、２層の抵抗発熱体２７と複数の中継導体２９との電気的接続の構成が簡素化される。また、上記のような構成は、平面視において中継導体２９Ｂが設けられている領域に対して上方へ突出する突部（小径部１９ｎ）を設けることによって実現できる。この場合、小径部１９ｎの側面から中継導体２９Ａを露出させることが容易である。ひいては、中継導体２９Ａと抵抗発熱体２７との接触面積を確保することが容易である。
また、本実施形態では、ヒータ１は、下部基体２１と、下部導体３１とを更に有している。下部基体２１は、絶縁性であり、柱状部２５の下部に固定されている。下部導体３１は、下部基体２１に埋設されており、中継導体２９と電気的に接続されている。
この場合、例えば、ヒータ１の設置前において、上部ピラー１３（及びヒータプレート９）と、下部ピラー１５とを別個に搬送することができる。その結果、例えば、搬送容積を低減し、ひいては、搬送コストを削減することができる。この観点からは、例えば、上部ピラー１３の上下方向の長さがヒータピラー１１の上下方向の長さに占める割合を小さくしてよい。上部ピラー１３は、ヒータプレート９と接合されており、両者の接合体は、水平方向に大きいことから、上部ピラー１３の上下方向の長さを短くすることにより、搬送が容易になる場合が多い。例えば、上部ピラー１３の上下方向の長さは、下部ピラー１５の上下方向の長さ以下とされてよい。また、上部ピラー１３及び下部ピラー１５によってヒータピラー１１を構成した場合においては、例えば、要求された仕様に応じて、上部ピラー１３及び下部ピラー１５の一方のみを交換したり、設計変更したりすることができる。すなわち、上部ピラー１３及び／又は下部ピラー１５の汎用性が向上し、生産性が向上する。
また、本実施形態では、中継導体２９は、柱状部２５の表面のうち下部基体２１によって外部から隠されている領域（図示の例では柱状部２５の下面）にて柱状部２５から露出して、これにより下部導体３１と電気的に接続されている。
この場合、例えば、上記のように上部ピラー１３及び下部ピラー１５によってヒータピラー１１を構成することによる効果を得つつ、両者の電気的な接続部分を周囲のガス及び／又はプラズマから保護することが容易化される。
また、本実施形態では、中継導体２９は、柱状部２５の下面から突出している突出部２９ｃを有している。下部導体３１は、下部基体２１の上面から露出している凹部３１ｒを有している。凹部３１ｒには突出部２９ｃが挿入される。
この場合、例えば、中継導体２９のうち柱状部２５から露出している部分が、下部導体３１によって覆われる。その結果、例えば、周囲のガス及び／又はプラズマから中継導体２９を保護しやすい。ここで、中継導体２９が汚染されて上部ピラー１３及びこれに接合されているヒータプレート９を交換する場合と、下部導体３１が汚染されて下部ピラー１５を交換する場合とでは、通常、前者の方がコスト的に有利である。従って、全体としてヒータ１のコストを低下させることができる。また、突出部２９ｃが凹部３１ｒに挿入されることによって、電気的な接続が上部ピラー１３及び下部ピラー１５の位置決めも兼ねることになる。
本実施形態では、板状部２３は、第１流路（プレート流路１７ｃ）を有している。柱状部２５は、プレート流路１７ｃに通じている第２流路（上部流路１９ｃ）を有している。
ここで、従来のようにヒータプレート９から下方に延びるパイプを設けている態様においては、流路は、パイプの内面と外面との間に形成される。この態様に比較すると、本実施形態では、基本的に中実な柱状部２５に上部流路１９ｃを形成することから、上部流路１９ｃの断面積及び上部流路１９ｃのヒータプレート９に対する接続位置についての設計の自由度が高い。例えば、極端な例では、特に図示しないが、柱状部２５の中心側部分（パイプでは配線を収容するための空間になる部分）に上部流路１９ｃを形成することも可能である。
また、本実施形態では、板状部２３と柱状部２５との間、板状部２３の内部の少なくとも一方に、板状部２３及び柱状部２５のいずれの材料とも異なる材料からなり、複数の中継導体２９の少なくとも一つの、上下方向の所定位置を平面視で囲んでいる封止剤層（接合材３３）を更に有している。
この場合、例えば、柱状体１９の突部１９ｅの側面と、板状体１７の凹部１７ｒの内面との間を接合材３３によって封止することができる。その結果、例えば、中継導体２９の突部１９ｅの側面から露出している部分をヒータ１の周囲のガス及び／又はプラズマから保護しやすい。
また、本実施形態では、内部導体（抵抗発熱体２７）と中継導体２９とは、中間層３７（図５（ｃ））を介して接続されている。中間層３７は、板状部２３の材料と同じ成分（例えばＡｌＮ）と、抵抗発熱体２７の材料と同じ成分（例えばＷ）とを含んでいる材料からなる。
この場合、例えば、抵抗発熱体２７と中継導体２９との間に隙間が生じてしまったときにも、当該隙間に位置する中間層３７（導電ペースト）によって両者を電気的に接続することができる。すなわち、電気的接続の信頼性が向上する。さらに、中間層３７は、抵抗発熱体２７及び板状部２３の材料と同じ成分を含む材料からなるから、両者との結合（固定）に係る強度が向上する。これによっても、電気的接続の信頼性が向上する。
また、本実施形態では、ヒータ１の製造方法の第１例は、以下のステップを有している。セラミックス原料を用いて、柱状部２５を含む第１成形体（焼成前の柱状体１９）を作製するステップ（ＳＴ２）。第１成形体に中継導体２９を差し込むステップ（ＳＴ３）。中継導体２９が差し込まれた第１成形体を焼成し、焼結体（焼成後の柱状体１９）を得るステップ（ＳＴ４）。セラミックス原料を用いて、板状部２３の下面１７ｂに凹部１７ｒを形成した形状であり、内部導体（抵抗発熱体２７）となる導電ペーストが埋設された第２成形体（焼成前の板状体１７）を作製するステップ（ＳＴ１）。第２成形体における凹部１７ｒに焼結体の一部（突部１９ｅ）を挿入した後に焼成して接合体（板状体１７及び柱状体１９の組み合わせ）を得るステップ（ＳＴ６及びＳＴ７）。
この場合、例えば、中継導体２９を第１成形体に差し込む簡便な方法によって、柱状部２５内を延びる中継導体２９を有するヒータ１を実現することができる。また、板状体１７及び柱状体１９の接合が焼成によってなされることから、両者の接合強度を向上させることができる。既述のように、板状体１７によって突部１９ｅを締め付けて、接合強度をさらに向上させることができる。
また、本実施形態では、ヒータ１の製造方法の第２例は、以下のステップを有している。セラミックス原料を用いて、柱状部２５を含む第１成形体（焼成前の柱状体１９）を作製するステップ（ＳＴ２）。第１成形体に中継導体２９を差し込むステップ（ＳＴ３）。中継導体２９が差し込まれた第１成形体を焼成して第１焼結体（焼成後の柱状体１９）を得るステップ（ＳＴ４）。セラミックス原料を用いて、板状部２３の下面１７ｂに凹部１７ｒを形成した形状であり、内部導体（抵抗発熱体２７）となる導電ペーストが埋設された第２成形体（焼成前の板状体１７）を作製するステップ（ＳＴ１）。第２成形体を焼成して第２焼結体（焼成後の板状体１７）を得るステップ（ＳＴ１１）。第２焼結体における凹部１７ｒに第１焼結体の一部（突部１９ｅ）を挿入して両者を接合して接合体（板状体１７及び柱状体１９の組み合わせ）を得るステップ（ＳＴ１２及びＳＴ１３）。
この場合、例えば、第１例と同様に、中継導体２９を第１成形体に差し込む簡便な方法によって、柱状部２５内を延びる中継導体２９を有するヒータ１を実現することができる。また、板状体１７及び柱状体１９の双方をそれぞれ作製した後に両者を接合するから、例えば、接合前までに板状体１７及び柱状体１９を長期間に亘って保管しておくことができる。すなわち、製造プロセスの自由度が向上する。
また、本実施形態では、第１成形体（焼成前の柱状体１９）に中継導体２９を差し込むステップ（ＳＴ３）では、中継導体２９の一端（上端）が第１成形体の上面から突出するように中継導体２９を第１成形体に差し込む。第２成形体（焼成前の板状体１７）を作製するステップ（ＳＴ１）では、凹部１７ｒ内に穴１７ｓ（図５（ｃ））を形成する。接合体（板状体１７及び柱状体１９の組み合わせ）を得るステップ（ＳＴ６又はＳＴ１２）では、中継導体２９の一端が穴１７ｓに挿入される。
この場合、例えば、中継導体２９の上端と穴１７ｓとで板状体１７と柱状体１９との位置決めを行うことができる。また、例えば、中間層３７となる導電ペーストを設けた場合において、導電ペーストが広がって中継導体２９同士を短絡させてしまう蓋然性を低下させることができる。その結果、導電ペーストを比較的多い量で配置することが容易化される。ひいては、突部１９ｅ及び凹部１７ｒの加工精度が低くても、中継導体２９と抵抗発熱体２７との電気的接続の信頼性を向上させることができる。
［第２実施形態］
図９は、第２実施形態に係るヒータ２０１（符号は図１０（ａ））のヒータピラー２１１の構成を示す分解斜視図であり、第１実施形態の図２に相当する。
ヒータピラー２１１は、端的に言えば、第１実施形態の柱状体１９において、突部１９ｅを小径部１９ｎのみによって構成したものである。すなわち、本実施形態の上部ピラー２１３の柱状体２１９は、柱本体２１９ｄと、柱本体２１９ｄの上面から突出している突部２１９ｅを有している。突部２１９ｅは、第１実施形態のように多段のものではなく、１段のものである。
複数の中継導体２９Ａは、第１実施形態と同様に、柱本体２１９ｄ及び突部２１９ｅにおいて上下方向に延びており、突部２１９ｅの側面にて露出している。中継導体２９Ａの形状も、第１実施形態の中継導体２９Ａの形状と同様である。一方、複数の中継導体２９Ｂは、第１実施形態とは異なり、柱本体２１９ｄのみにおいて上下方向に延びており（突部２１９ｅにおいては延びておらず）、上端を柱本体１９ｄの上面から露出させている。なお、中継導体２９Ｂの上端は、柱本体１９ｄの上面から突出していてもよいし、突出していなくてもよい。また、本実施形態では、中継導体２９Ｂは、一定の横断面（図示の例では円形）で、上端から下端まで延びている。
図１０（ａ）は、板状体１７と柱状体２１９との接合の例を示す断面図であり、第１実施形態の図１（ｂ）に概ね相当している。この例では、突部２１９ｅは、板状体１７の凹部１７ｒに挿入され、柱本体２１９ｄの上面は、第１実施形態と同様に、板状体１７の下面１７ｂに対向している。この場合、板状体１７及び突部２１９ｅが板状部２３を構成し、柱本体１９ｄが柱状部２５を構成している。中継導体２９Ａと抵抗発熱体２７との接続は、第１実施形態と同様とされてよい。中継導体２９Ｂは、例えば、その上面が、板状体１７内にて抵抗発熱体２７の位置から下面１７ｂまで延びる不図示の導体と直接又は中間層３７（図５（ｃ）参照）を介して接続されている。中継導体２９Ｂの上端が柱本体２１９ｄの上面から突出している場合においては、その側面と抵抗発熱体２７とが直接又は中間層３７を介して接続されてもよい。
図１０（ｂ）は、板状体１７と柱状体２１９との接合の他の例を示す断面図であり、第１実施形態の図１（ｂ）に概ね相当している。この例では、突部２１９ｅ及び柱本体２１９ｄの上側の一部が、板状体１７の凹部１７ｒに挿入される。この場合、板状体１７、突部２１９ｅ及び柱本体２１９ｄの上側の一部が板状部２３を構成し、柱本体１９ｄの下側の一部が柱状部２５を構成している。中継導体２９Ａと抵抗発熱体２７との接続は、第１実施形態と同様とされてよい。中継導体２９Ｂは、例えば、その上面が、抵抗発熱体２７と直接に、又は中間層３７（図５（ｃ）参照）を介して接続されている。中継導体２９Ｂの上端が柱本体２１９ｄの上面から突出している場合においては、その側面と抵抗発熱体２７とが直接又は中間層３７を介して接続されてもよい。なお、板状体１７内にて抵抗発熱体２７から中継導体２９Ｂの上面に向かって延びる不図示の導体が抵抗発熱体２７と中継導体２９Ｂとの間に介在してもよい。
以上のとおり、本実施形態に係るヒータ２０１においても、複数の中継導体２９は、柱状部２５内を上下に延びている延在部２９ａをそれぞれ有しているとともに抵抗発熱体２７に電気的に接続されている。従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、ヒータの周囲のガス及び／又はプラズマから配線（中継導体２９）を保護することが容易化される。
［第３実施形態］
図１１（ａ）は、第３実施形態に係るヒータ３０１（符号は図１１（ｂ））のヒータピラー３１１の構成を示す斜視図である。
ヒータピラー３１１は、端的に言えば、第１実施形態のヒータピラー１１を極力簡素化したものである。具体的には、ヒータピラー３１１は、上部ピラー及び下部ピラーに分割された構成とはなっていない。また、ヒータピラー３１１の柱状体３１９は、第１実施形態の突部１９ｅを有しておらず、いわば、第１実施形態の柱本体１９ｄのみから構成されている。中継導体２９は、第２実施形態の中継導体２９Ｂと同様に、上端面が柱状体３１９の上面から露出している。全ての中継導体２９の上端の位置は、突部が設けられていないことから、例えば、互いに同一である。中継導体２９の上端は、柱状体３１９の上面から突出していてもよいし、突出していなくてもよい。
なお、中継導体２９の上端の位置が互いに同一か否かは、ヒータプレート９の厚さ等に基づいて合理的に判断されてよい。例えば、同一は、中継導体２９の上端の上下方向の位置の差が、板状部２３の下面１７ｂから当該下面１７ｂに最寄りの内部導体（抵抗発熱体２７）までの距離の１／２以下又は１／１０以下の場合とされてよく、また、１ｍｍ以下又は０．１ｍｍ以下の場合とされてよい。
図１１（ｂ）は、板状体１７と柱状体３１９との接合の例を示す断面図であり、第１実施形態の図１（ｂ）に概ね相当している。この例では、柱状体３１９の上面は、板状体１７の下面１７ｂに対向している。この場合、板状体１７が板状部２３を構成し、柱状体１９が柱状部２５を構成している。中継導体２９と抵抗発熱体２７との接続は、第２実施形態の図１０（ａ）の例における中継導体２９Ｂと抵抗発熱体２７との接続と同様になされてよい。
図１１（ｃ）は、板状体１７と柱状体３１９との接合の他の例を示す断面図であり、第１実施形態の図１（ｂ）に概ね相当している。この例では、柱状体３１９の上側の一部が、板状体１７の凹部１７ｒに挿入される。この場合、板状体１７及び柱状体３１９の上側の一部が板状部２３を構成し、柱状体３１９の下側の一部が柱状部２５を構成している。中継導体２９と抵抗発熱体２７との接続は、第２実施形態の図１０（ｂ）の例における中継導体２９Ｂと抵抗発熱体２７との接続と同様になされてよい。
以上のとおり、本実施形態に係るヒータ３０１においても、複数の中継導体２９は、柱状部２５内を上下に延びている延在部２９ａ（図示の例では中継導体２９の全体）をそれぞれ有しているとともに抵抗発熱体２７に電気的に接続されている。従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、ヒータの周囲のガス及び／又はプラズマから配線（中継導体２９）を保護することが容易化される。また、本実施形態は他の実施形態に比較して構成が簡素である。
［変形例］
（柱状部の変形例）
図１４は、ヒータピラー１１（より詳細には上部ピラー１３）の変形例を示す斜視図であり、図２の一部に相当する。
上部ピラー１３の柱状体１９は、突部１９ｅの外周面に凹部２０を有している。これにより、例えば、製造過程において、突部１９ｅと、突部１９ｅが挿入される板状体１７の凹部１７ｒとの間に存在する流動性の材料が、意図されていない領域にまで広がってしまう蓋然性が低減される。
より具体的には、例えば、図５（ｃ）では、上部ピラー１３の中継導体２９（より詳細には接続部２９ｂ）と抵抗発熱体２７との間に中間層３７が設けられる変形例を示した。中間層３７は、例えば、当該中間層３７となる導電ペーストが接続部２９ｂに塗布され、次に、突部１９ｅが凹部１７ｒに挿入され、その後、これらが焼成されることによって作製される。この場合において、突部１９ｅが凹部１７ｒに挿入されたときに、余剰な導電ペーストは凹部１７ｒに貯留される。その結果、導電ペーストが必要以上に凹部１７ｒの内周面及び底面に広がる蓋然性が低減される。従って、例えば、接続部２９ｂに塗布された導電ペーストが、他の接続部２９ｂ又は他の接続部２９ｂに塗布された導電ペーストに接触する蓋然性が低減される。ひいては、複数の接続部２９ｂ同士の短絡の蓋然性が低減される。
凹部２０の形状及び大きさは適宜に設定されてよい。図示の例では、凹部２０は、突部１９ｅ（より詳細には大径部１９ｍ及び小径部１９ｎ）の外周面を上下方向に延びる溝状（上下方向の長さが左右方向の長さ（幅）よりも長い形状）とされている。また、凹部２０の上端は、大径部１９ｍ及び小径部１９ｎの上面に到達しており、凹部２０は切り欠き状となっている。また、大径部１９ｍに設けられた凹部２０の上下方向の長さは、大径部１９ｍの上下方向の長さの半分以上である。同様に、小径部１９ｎに設けられた凹部２０の上下方向の長さは、小径部１９ｎの上下方向の長さの半分以上である。凹部２０の突部１９ｅの外周面からの深さは、中継導体２９の突部１９ｅの外周面からの埋設深さよりも浅い。溝の横断面の形状は、半円状である。
凹部２０の形状が図示の例のような形状であると、例えば、接続部２９ｂの上端側の比較的長い範囲に亘って導電ペーストを塗布しても、余剰な導電ペーストが突部１９ｅの周方向に広がる蓋然性を低減できる。導電ペーストを上下の比較的長い範囲に塗布することができることから、上下方向の特定の位置に存在する抵抗発熱体２７に対して導電ペーストを確実に接触させることができる。一方で、凹部２０は細長い形状であるから、突部１９ｅの強度は維持される。
もちろん、図示の例とは異なり、凹部２０は、長さと幅とが同等の形状であってもよい。凹部２０は、中継導体２９の埋設深さよりも深い深さを有していてもよい。凹部２０は、大径部１９ｍ又は小径部１９ｎの上面に到達していなくてもよい。凹部２０の横断面は矩形状であってもよい。溝状の凹部２０は、上下方向に傾斜する方向に延びていたり、湾曲していたりしてもよい。
凹部２０の位置及び数も適宜に設定されてよい。図示の例では、凹部２０は、全ての接続部２９ｂに関して、突部１９ｅの周方向において互いに隣り合う２つの接続部２９ｂの間に２つずつ設けられている。このようにすると、一方の接続部２９ｂから広がった導電ペーストは、２つの凹部２０のうち前記一方の接続部２９ｂに近い凹部２０に入り込む。同様に、他方の接続部２９ｂから広がった導電ペーストは、２つの凹部２０のうち前記他方の接続部２９ｂに近い凹部２０に入り込む。すなわち、互いに隣り合う２つの接続部２９ｂから広がった導電ペーストは、互いに異なる凹部２０に入り込む。従って、導電ペースト同士が接触する蓋然性が低減される。
もちろん、図示の例とは異なり、凹部２０は、互いに隣り合う２つの接続部２９ｂの間に１つずつ設けられてもよい。凹部２０は、全ての接続部２９ｂに関して設けられるのではなく、一部の接続部２９ｂについてのみ設けられてもよい。例えば、複数の接続部２９ｂのうち、隣の接続部２９ｂまでの距離が相対的に長い一部の接続部２９ｂについては、凹部２０を設けないようにしてもよい。接続部２９ｂと凹部２０との距離、及び凹部２０同士の距離は、適宜に設定されてよい。
凹部２０について、柱状体１９の観点から説明した。ただし、完成後のヒータ１においては、柱状体１９と板状体１７との境界の特定は困難である場合がある。ここで、既に述べたように、平面視において、複数の接続部２９ｂは、柱状部２５の中心Ｃ１を中心とする円周上に位置してよい。また、凹部２０は、例えば、中間層３７となる導電ペースト等によって満たされないようにその大きさが設計される。従って、例えば、完成後のヒータ１を観察したとき、中心Ｃ１を中心とする円周上において互いに隣り合う接続部２９ｂの間に空洞が位置していれば、この空洞は、凹部２０の一部又は全部として特定されてよい。空洞は、気体が密閉されているか、真空状態とされている。
ここでは、第１実施形態を例に取って説明したが、凹部２０は、第２実施形態等の他の実施形態に適用されてもよい。また、凹部２０は、突部の外周面ではなく、突部の上面に設けられていてもよいし、突部が挿入される凹部１７ｒの内周面又は底面に設けられていてもよい。
（上部ピラー及び下部ピラーの連結構造の変形例）
図１２は、上部ピラー１３（２１３でもよい。）及び下部ピラー１５の連結構造の変形例を示す断面図である。
この図に示すように、下部基体２１の上面に形成した凹部（符号省略）に柱状体１９の下部を挿入して（嵌合させて）、両者を連結してもよい。また、この場合において、パッキン３９は、柱状体１９の側面と、下部基体２１の凹部側面との間に介在してもよい。
このような構造では、パッキン３９は、まず、柱状体１９と下部基体２１との間の封止に寄与する。また、パッキン３９は、その弾性力（復元力）によって柱状体１９と下部基体２１とに押し付けられ、柱状体１９を下部基体２１の凹部から引き抜く力に対する抵抗を生じるから、柱状体１９及び下部基体２１の機械的な連結の強化にも寄与する。
本変形例から理解されるように、柱状体１９のうち下部基体２１から隠される領域（別の観点では封止される領域）は、柱状体１９の下面に限定されず、柱状体１９の下方側の側面であってもよい。そして、中継導体２９を屈曲させることなどにより、柱状体１９の側面かつ封止された領域において、中継導体２９の一端が露出していてもよい。
［抵抗発熱体のパターンの例］
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、抵抗発熱体２７のパターンの一例を示す平面図である。図１３（ａ）は、中継導体２９Ａに接続される抵抗発熱体２７を示している。図１３（ｂ）は、中継導体２９Ｂに接続される抵抗発熱体２７を示している。すなわち、図１３（ａ）は、上層の抵抗発熱体２７を示し、図１３（ｂ）は、下層の抵抗発熱体２７を示している。
図１３（ａ）では、板状体１７を２分割した各領域において、１本の抵抗発熱体２７が円周方向に沿ってミアンダ状に延びている。すなわち、合計で２本の抵抗発熱体２７が延びている。各抵抗発熱体２７の両端には、２つの中継導体２９Ａが接続されている。すなわち、合計で４つの中継導体２９Ａが２本の抵抗発熱体２７に接続されている。抵抗発熱体２７は、中継導体２９Ａに対して、板状体１７の外縁側に位置している。なお、２本の抵抗発熱体２７は互いにつなげられてもよい。
図１３（ｂ）では、板状体１７を３分割した各領域において、１本の抵抗発熱体２７が円周方向に沿ってミアンダ状に延びている。すなわち、合計で３本の抵抗発熱体２７が延びている。各抵抗発熱体２７の両端には、２つの中継導体２９Ｂが接続されている。すなわち、合計で６つの中継導体２９Ｂが３本の抵抗発熱体２７に接続されている。抵抗発熱体２７は、中継導体２９Ｂに対して、板状体１７の外縁側に位置している。６つの中継導体２９Ｂの内側には、中継導体２９Ａが位置している。なお、３本の抵抗発熱体２７は互いにつなげられてもよい。
このようなパターンで抵抗発熱体２７が設けられている場合、例えば、複数の抵抗発熱体２７に対して印加する電圧を個別に制御することによって、板状体１７の領域間における温度差を縮小又は拡大することができる。
［ヒータの材料の一例］
既述のように、ヒータプレート９の板状体１７の材料及び上部ピラー１３の柱状体１９の材料は、いずれもセラミックとされてよく、また、両者の材料（又はその主成分）は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。ここでは、板状体１７の材料及び柱状体１９の材料が、成分全体又は主成分が同一のセラミックである場合の一例について述べる。なお、ここでは、第１実施形態の符号を用いるが、ここでの材料の一例は、第２実施形態等の他の実施形態に適用されてもよい。
図１５（ａ）は、板状体１７の一部の断面図である。図１５（ｂ）は、柱状体１９の一部の断面図である。この断面図は、例えば、１辺が５０μｍ以上２００μｍ以下となるような範囲を示しており、複数の粒子Ｇｒ（単結晶粒子、セラミック粒子）が図示されている。別の観点では、粒界が図示されている。
これらの図に示されているように、柱状体１９の結晶粒径の平均値（平均粒径）は、板状体１７の結晶粒径の平均値よりも大きくされてよい。この場合、例えば、セラミックは結晶粒径が大きいほどヤング率が大きくなるから、柱状体１９の強度を高くすることができる。その結果、例えば、柱状体１９に曲げモーメントが加えられたときに柱状体１９にクラックが生じる蓋然性を低減できる。
このような態様におけるセラミックの成分及び平均粒径は適宜に設定されてよい。例えば、セラミックの主成分は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とされてよい。板状体１７における平均粒径は、例えば、３μｍ以上８μｍ以下とされてよい。柱状体１９における平均粒径は、例えば、５μｍ以上１２μｍ以下（ただし、板状体１７における平均粒径よりも大きい）とされてよい。板状体１７及び柱状体１９は、同一又は主成分が同一の焼結助剤を含んでいてもよい。焼結助剤を構成する元素は、例えば、イットリウム（Ｙ）とされてよい。
なお、平均粒径は適宜な方法によって測定されてよい。以下に、一例を示す。板状体１７及び柱状体１９の主成分（例えばＡｌＮ）の結晶の平均円相当径を平均粒径としてみなすこととする。円相当径は、次のように測定する。まず、板状体１７及び柱状体１９それぞれの断面を鏡面に加工する。加工した断面をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）により撮影する。このときの倍率は概ね１０００倍以上３０００倍以下とする。また、投影面積は、１０００μｍ２以上２００００μｍ２以下とする。次に、撮影した画像のうち、主成分の結晶の輪郭を黒い線でトレースして描く。このとき、焼結助剤が含まれる場合には、焼結助剤を含む結晶を黒く塗りつぶす。トレースした画像を画像解析ソフト「Ａ像くん」（登録商標、旭化成エンジニアリング（株）製）の粒子解析という手法を用いて解析する。この解析によって、粒子の平均円相当径が得られる。
柱状体１９の平均粒径を板状体１７の平均粒径よりも大きくする方法は適宜なものとされてよい。例えば、柱状体１９の焼成の回数を板状体１７の焼成の回数よりも多くしたり、及び／又は柱状体１９の焼成の時間を板状体１７の焼成の時間よりも長くしたりしてよい。なお、図７を参照して説明した製造方法では、板状体１７は、柱状体１９と共に焼成されるだけであるのに対して（ステップＳＴ７）、柱状体１９は、単独でも焼成されるから（ステップＳＴ４）、柱状体１９の粒径は板状体１７の粒径よりも大きくなりやすい。
以上の実施形態及び変形例において、ヒータ１、２０１及び３０１それぞれはウェハ用部材の一例である。ヒータシステム１０１はウェハ用システムの一例である。抵抗発熱体２７は内部導体の一例である。中継導体２９Ａは第１中継導体の一例である。中継導体２９Ｂは第２中継導体の一例である。プレート流路１７ｃは第１流路の一例である。上部流路１９ｃは第２流路の一例である。接合材３３は封止剤層の一例である。焼成前の板状体１７は第２成形体の一例である。焼成後の板状体１７は第２焼結体の一例である。焼成前の柱状体１９は第１成形体の一例である。焼成後の柱状体１９は焼結体又は第１焼結体の一例である。焼成後の板状体１７及び焼成後の柱状体１９の組み合わせは接合体の一例である。
本開示に係るヒータは、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
上述した実施形態及び変形例等は適宜に組み合わされてよい。例えば、第３実施形態の柱状体が突部を有さない構成と、第１及び第２実施形態の下部ピラーが設けられる構成とが組み合わされてもよい。また、例えば、第１実施形態のように柱状体１９が多段の突部１９ｅを有する場合において、図１０（ｂ）の例のように、柱本体１９ｄの上方の一部が板状体１７の凹部１７ｒに挿入されてもよい。
実施形態では、ウェハ用部材として、加熱機能を有するセラミックヒータを例に取った。ただし、ウェハ用部材は、他の機能を有するものであってもよい。例えば、ウェハ用部材は、静電チャック、又はプラズマ発生用の構造体であってもよいし、これら及びヒータの２つ以上の組み合わせとして機能するものであってもよい。
換言すれば、内部導体は、実施形態では加熱用の抵抗発熱体であったが、他の用途の導体であってよく、例えば、静電チャック用の電極、又はプラズマ発生用の電極であってもよい。ウェハ用部材は、これらの電極及び抵抗発熱体の１つ、又は２以上の組み合わせを有していてもよい。内部導体は、例えば、全体として、板状部の上面に沿って広がっている（上方に面している）といえる形状を有している導体である。また、例えば、平面視において内部導体全体を囲む最小の凸曲線を仮定したときに、当該凸曲線により囲まれた領域は、板状部の上面の６割以上又は８割以上を占める。
下部ピラーの下部基体は、例えば、上端が塞がれたパイプ状とされてもよい。パイプの上端にてパイプの上方及びパイプ内に露出する端子が設けられ、この端子に上部ピラーの中継導体が接続されてよい。パイプ内には、端子に接続された配線導体が配置されてよい。この配線導体は、ロッド状の導体であってもよいし、可撓性を有する導体であってもよい。
１…ヒータ（ウェハ用部材）、１７…板状体、１７ａ…上面、１７ｂ…下面、２３…板状部、２５…柱状部、２７…抵抗発熱体（内部導体）、２９…中継導体、２９ａ…延在部。

Claims (19)

  1. ウェハが重ねられる上面及びその反対側の下面を有している、絶縁性の板状部と、
    前記板状部に埋設されている１以上の内部導体と、
    前記板状部の下面から下方へ突出している、絶縁性の柱状部と、
    前記柱状部内を上下に延びている延在部をそれぞれ有しているとともに前記内部導体に電気的に接続されている複数の中継導体と、
    を有しており、
    前記複数の中継導体の少なくとも１つは、前記延在部から前記板状部の内部へ延びる接続部を更に有しており、
    前記内部導体と前記接続部とが、前記接続部の側面又は端面で接合されており、
    平面視において、前記接続部は、
    前記柱状部の中心から離れており、
    円形から、前記中心に対して反対側の一部が除去された形状を有している
    ウェハ用部材。
  2. 平面視において、前記接続部は、弧を境界として前記円形から前記中心とは反対側の一部が除去された形状を有しており、前記弧は、前記円形の円周よりも曲率が小さく、前記柱状部の中心側を曲率中心側としている
    請求項１に記載のウェハ用部材。
  3. ２つ以上の前記中継導体が前記接続部をそれぞれ有しており、
    平面視において、前記２つ以上の中継導体の前記接続部は、前記柱状部の前記中心を中心とする同一の円周上に位置している
    請求項１又は２に記載のウェハ用部材。
  4. 平面視において、前記２つ以上の中継導体の前記接続部は、前記円周の中心に対して点対称に配置されている
    請求項３に記載のウェハ用部材。
  5. 前記板状部は、前記円周上において互いに隣り合う前記接続部の間に位置している空洞を有している
    請求項４に記載のウェハ用部材。
  6. 複数の前記中継導体は、
    第１中継導体と、
    平面視において前記第１中継導体よりも前記柱状部の中心から離れており、かつ上端が前記第１中継導体の上端よりも下方に位置している第２中継導体と、を含んでいる
    請求項１～５のいずれか１項に記載のウェハ用部材。
  7. 全ての前記複数の中継導体の上端の、上下方向における位置が互いに同一である
    請求項１～５のいずれか１項に記載のウェハ用部材。
  8. 前記柱状部の下部に固定されている絶縁性の下部基体と、
    前記下部基体に埋設されており、前記中継導体と電気的に接続されている下部導体と、
    を更に有している
    請求項１～７のいずれか１項に記載のウェハ用部材。
  9. 前記中継導体は、前記柱状部の表面のうち前記下部基体によって外部から隠されている領域にて前記柱状部から露出して、これにより前記下部導体と電気的に接続されている
    請求項８に記載のウェハ用部材。
  10. 前記中継導体は、前記柱状部の下面から突出している突出部を有しており、
    前記下部導体は、前記下部基体の上面から露出しており、前記突出部が挿入される凹部を有している
    請求項９に記載のウェハ用部材。
  11. 前記板状部は、第１流路を有しており、
    前記柱状部は、前記第１流路に通じている第２流路を有している
    請求項１～１０のいずれか１項に記載のウェハ用部材。
  12. 前記板状部と前記柱状部との間、及び前記板状部の内部の少なくとも一方に、前記板状部及び前記柱状部のいずれの材料とも異なる材料からなり、前記複数の中継導体の少なくとも一つの、上下方向の所定位置を平面視で囲んでいる封止剤層を更に有している
    請求項１～１１のいずれか１項に記載のウェハ用部材。
  13. 前記内部導体と前記中継導体とは、前記板状部の材料と同じ成分と、前記内部導体の材料と同じ成分とを含んでいる材料からなる中間層を介して接続されている
    請求項１～１２のいずれか１項に記載のウェハ用部材。
  14. 前記板状部の少なくとも一部を構成している板状体と、
    前記柱状部を構成している柱状体と、
    を有しており、
    前記板状体と前記柱状体とは、互いに主成分が同じセラミックからなり、かつ前記柱状部の平均結晶粒径は、前記板状体の平均結晶粒径よりも大きい
    請求項１～１３のいずれか１項に記載のウェハ用部材。
  15. 請求項１～１４のいずれか１項に記載のウェハ用部材と、
    前記中継導体に電気的に接続されている電力供給部と、
    前記電力供給部を制御する制御部と、
    を有しているウェハ用システム。
  16. 請求項１～１４のいずれか１項に記載のウェハ用部材の製造方法であって、
    セラミックス原料を用いて、前記柱状部を含む第１成形体を作製するステップと、
    前記第１成形体に前記中継導体を差し込むステップと、
    前記中継導体が差し込まれた前記第１成形体を焼成し、焼結体を得るステップと、
    セラミックス原料を用いて、前記板状部の下面に凹部を形成した形状であり、前記内部導体となる導電ペーストが埋設された第２成形体を作製するステップと、
    前記第２成形体における前記凹部に前記焼結体の一部を挿入した後に焼成して接合体を得るステップと、
    を有しているウェハ用部材の製造方法。
  17. 請求項１～１４のいずれか１項に記載のウェハ用部材の製造方法であって、
    セラミックス原料を用いて、前記柱状部を含む第１成形体を作製するステップと、
    前記第１成形体に前記中継導体を差し込むステップと、
    前記中継導体が差し込まれた前記第１成形体を焼成して第１焼結体を得るステップと、
    セラミックス原料を用いて、前記板状部の下面に凹部を形成した形状であり、前記内部導体となる導電ペーストが埋設された第２成形体を作製するステップと、
    前記第２成形体を焼成して第２焼結体を得るステップと、
    前記第２焼結体における前記凹部に前記第１焼結体の一部を挿入して両者を接合して接合体を得るステップと、
    を有しているウェハ用部材の製造方法。
  18. 前記差し込むステップでは、前記中継導体の一端が前記第１成形体の上面から突出するように前記中継導体を前記第１成形体に差し込み、
    前記第２成形体を作製するステップでは、前記凹部内に穴を形成し、
    前記接合体を得るステップでは、前記中継導体の前記一端が前記穴に挿入される
    請求項１６又は１７に記載のウェハ用部材の製造方法。
  19. ウェハが重ねられる上面及びその反対側の下面を有している、絶縁性の板状部と、
    前記板状部に埋設されている１以上の内部導体と、
    前記板状部の下面から下方へ突出している、絶縁性の柱状部と、
    前記柱状部内を上下に延びている延在部をそれぞれ有しているとともに前記内部導体に電気的に接続されている複数の中継導体と、
    前記板状部の少なくとも一部を構成している板状体と、
    前記柱状部を構成している柱状体と、
    を有しており、
    前記板状体と前記柱状体とは、互いに主成分が同じセラミックからなり、かつ前記柱状部の平均結晶粒径は、前記板状体の平均結晶粒径よりも大きい
    ウェハ用部材。
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