JP2005166475A - AlNセラミックスヒータ - Google Patents
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Abstract
【課題】この発明は、AlN焼結体ベースに設けた端子埋設穴に電力供給端子を挿入し、端子埋設穴の端子周りの間隙を高融点金属紛の焼結体で埋めてここに隙間が生じないようにしたセラミックスヒータを得ようとするものである。
【解決手段】AlN焼結体ベースに、発熱体と電力供給端子を埋め込んで固定し、これにAlN焼結体カバーをホットプレスで一体化したAlNセラミックスヒータであって、AlN焼結体ベースに設けた端子埋設穴に高融点金属の電力供給端子を挿入し、端子埋設穴の電力供給端子周りの隙間を金属紛の仮焼体で埋めた構造のAlNセラミックスヒータである。
【選択図】 図1
【解決手段】AlN焼結体ベースに、発熱体と電力供給端子を埋め込んで固定し、これにAlN焼結体カバーをホットプレスで一体化したAlNセラミックスヒータであって、AlN焼結体ベースに設けた端子埋設穴に高融点金属の電力供給端子を挿入し、端子埋設穴の電力供給端子周りの隙間を金属紛の仮焼体で埋めた構造のAlNセラミックスヒータである。
【選択図】 図1
Description
この発明は、電力供給端子がAlN焼結体ベースの端子埋設穴に隙間なく、しっかりと埋め込み固定されたAlNセラミックスヒータに関するものである。
半導体製造プロセスにおいては、ウェーハにプラズマCVD、プラズマエッチングなどの処理が施される。これらの処理には様々なウェーハ加熱ヒータが用いられているが、フッ素系プラズマに対してはAlN素材からなるヒータが耐食性も高く好評である。このAlNセラミックスヒータは、一面を加熱面とするAlN焼結体と、このAlN焼結体の内部に埋設される抵抗発熱体と、この抵抗発熱体に一端が接続された電力供給端子の3つの部材から構成されている。
AlNセラミックスヒータの製造では、AlN焼結体に発熱体と電力供給端子を埋め込み一体化しなければならない。これの部品の埋設・一体化の方法としては一般的にホットプレスが用いられている。また、埋設・一体化の手順としては、これまで次の二つの方法が考えられている。
その第1は、焼結前の造粒紛(脱脂紛造粒紛)をプレス成形する際に発熱体と電力端子の埋設を同時に行う方法である。具体的にはプレス成形された成形体に発熱体埋設溝、電力端子埋設穴を白地加工し、そこへパーツをセットして再度プレスすることにより、パーツ埋設済みの成型体を得る。これをホットプレス焼結することでヒータを得る。第2の方法は、発熱体埋設溝、電力端子埋設穴の加工を施したAlN焼結体ベースと、溝・穴加工を行わないAlN焼結体カバーを用意し、これら2枚のプレートでパーツで挟み込んだものをホットプレス接合することで、ヒータを得る。いずれの方法においても材料に発熱体・端子の埋設溝・埋設穴の加工が必要となるが、焼結体を用いた第2の方法の場合、成型体を用いた第1の方法に比べて加工が困難である。また、第2の方法の場合、基材の焼結と接合の工程が2つに分かれているため製造コストの点から見ても好ましくない。
しかしながら、第2の方法で得られたものは、常圧焼結によって得られた高熱伝導率の基材を用いることで、面内の温度均一性が向上するなどヒータの性能面では利点が多い。温度均一性を向上するためには、シュミレーションによる均熱性のよい発熱性のパターンを用いることと、熱伝導率の高い焼結体を加熱面に用いることが必要である。しかし、第1の方法によると、ホットプレス時の収縮により発熱体や端子の正確な位置決めが難しく、ホットプレス焼結では100Wm/K以上の高い熱伝導率を有するAlN焼結体を得ることが難しい。いずれの方法によっても、セラミックスであるAlN焼結体と発熱体・端子などの金属部品は熱膨張率が異なるため、これら部品をAlN焼結体に隙間なくしっかりと埋め込み固定するために各種の工夫が試みられている。
AlN焼結体と電力端子や発熱体などの金属部品では熱膨張率が異なるために、どうしても埋め込み部周辺にはクラックや隙間が生じやすい。この問題は電力端子の埋め込み部で特に生じやすく、この部分に隙間があると、入力電圧が高くなったときに隙間で火花放電が起こることが確認されている。これはAlNの誘電率が加熱時の雰囲気(N2などの不活性ガス又は真空など)に比べて高く、電界が電力端子を嵌め込んだ隙間に集中することに起因するものである。
また、先に述べた従来法において、第2の方法であるAlN焼結体を用いたものでは、第1の成形体(脱脂体)を用いた場合と比較して、ホットプレス時のAlNベースの変形量が少ないので、AlNに設けた端子埋設穴の中に挿入した電力端子の周囲に隙間がさらに生じやすいものとなる。そのために、焼結体ベースをホットプレスで接合した後に、電力端子の接続をロウ付けによって行うなどの方法もあるが、これによると熱処理工程がさらに増えるためにコスト高となるデメリットがある。また、AlNと金属の接合が行えるロウ材の融点は高融点のものでも800℃前後であるから、これ以上の高温領域で使用するようなヒータを製造することはできないといった問題が生じていた。
本願発明の従来技術としては、セラミックスベースの表面に凹部を形成し、この凹部内に絶縁管を挿入してその末端面をセラミックスベースに接触させることで、電力供給部材間で放電するのを防止したセラミックスヒータが公知となっている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平7−94257号公報[0014]
ところで、この先行技術は、内側に空間を有する絶縁管を用い、この絶縁管の内側に電力供給部材、塊状端子、端子を順次結合するもので、電力供給部材と塊状端子は螺合、塊状端子と端子は挟持接合するものである。そのために、この先行技術のものは構造が複雑で加工も面倒なものである。こうした多数の部材を用いることなく、電力端子をAlNベースに直接に接合する技術が求められているが、先行技術にはこうした技術は何も開示がなされていない。この発明は、AlN焼結体ベースに設けた端子埋設穴に電力供給端子を挿入し、端子埋設穴の端子周りの間隙を高融点金属紛の焼結体で埋めてここに隙間が生じないようにしたセラミックスヒータを得ようとするものである。
この発明は、溝・穴加工を施したAlN焼結体ベースに、発熱体と電力供給端子を埋め込み、これとAlN焼結体カバーをホットプレスで一体化したAlNセラミックスヒータであって、AlN焼結体ベースに設けた端子埋設穴に高融点金属の電力供給端子を挿入し、端子埋設穴の電力供給端子周りの隙間を金属紛の仮焼体で埋めた構造のAlNセラミックスヒータ(請求項1)、上記高融点金属粉が、粒径6〜12μm、融点1800℃以上の高融点金属粉末である請求項1記載のAlNセラミックスヒータ(請求項2)及び電力供給端子は、発熱体と拡散接合されている請求項1記載のAlNセラミックスヒータ(請求項3)である。
この発明は、AlN焼結体ベースに設けた端子埋設穴に電力供給端子を挿入してセットするに際して、端子埋設穴に挿入した端子の周りに隙間が生じないように、端子埋設穴の端子周りの隙間を高融点の金属紛の仮焼体で埋めて固定し、ここに隙間が生じて通電時に火花放電が生じないようにようにしたものである。
この発明によれば、端子埋設穴の電力端子周りが導電性の粉体の仮焼体で隙間無く埋められているので、ここでの火花放電を防ぐことができるようになったものである。また、ホットプレス工程では1800〜1900℃の熱処理を行うが、この隙間に充填する金属粉の融点がその温度以上であるために、ホットプレス工程では金属粉の仮焼を同時に行うことが可能である。さらに、ホットプレス時に発熱体と金属端子を拡散接合すると、端子を引き抜く方向に対しても十分な強度が得られ、実用上問題のない強度をもった電力供給端子を得ることができる。
図1は、この発明の1実施例のセラミックスヒータの構成部品の配置を示す説明図、図2は、図1の点線で示す端子部の拡大図である。
図1において、1は抵抗発熱体で、この抵抗発熱体1はAlNの常圧焼結体ベース2に設けた溝3に埋設されている。4は焼結体2に形成した電流導入端子埋設穴である。この穴4には端子7が抵抗発熱体4と接合するようにして挿入されている。5は上記のAlN常圧焼結体ベース2のカバーで、これもAlN常圧焼結体で形成されている。6はこのAlN焼結体カバーの焼結体ベース側に塗布された接合剤層である。
焼結体ベース2における端子の接続部の詳細は図2に示されている。図2で、4は端子埋設穴でその中に電力端子7が挿入されている。電力端子の下端には抵抗発熱体1が白金箔8を介して接続されている。図2に示すように、電力端子7は端子埋設穴4に挿入されただけではその周囲に間隙があるが、その隙間は導電性の金属粉の仮焼体9で埋められている。このために、端子埋設穴4では端子7との間には隙間は存在せず、ここでの火花放電を防ぐことができる。この隙間を金属紛の仮焼で埋めるには、この隙間に金属紛を充填して1800〜1900℃で熱処理(ホットプレス)して仮焼体とするが、ここに充填する金属紛の融点をこの熱処理温度以上のものとすることによって、焼結体のホットプレスと同時に金属紛の仮焼を行うことができる。しかし、ここでのホットプレスによって高融点金属の仮焼体が大きく収縮するとここに隙間が生ずるようになって意味がなくなるので、ここに用いる金属紛は収縮が小さくなるように粒径の大きな金属紛を用いる。しかし、あまり大きな粒径の粒子を用いると今度は仮焼体の強度が落ちるといった問題が生じる。従って、ここに用いる金属紛の粒径は6〜12μmのものが好ましい。さらに、ホットプレス時に発熱体と金属端子を拡散接合させると、端子を引き抜く方向に対しても十分な強度が生じて、実用上問題のない強度をもった電力供給端子を形成することができる。なお、ここで用いる金属粉は電力端子と同一の材料を用い、通常はタングステン粉末である。
(実施例1)
抵抗発熱体1としてタングステン箔を1000Wに相当する渦巻き状のパターンに加工した。図1に示す直径200mm、厚さ10mmのAlN常圧焼結体ベース2に、発熱体1を収める溝3と、径6mmの電流導入用端子穴4を機械加工で穿孔した。さらに、直径200mm、厚さ7mmのAlN常圧焼結体カバー5に接合剤6をスクリーン印刷した。発熱体をセットした焼結体ベースと焼結体カバーを張り合わせ、端子埋設穴4の底に10μmのPt箔を敷き、その上に直径5.0mmのタングステン端子7をセットし、その周りに粒径8〜10μmのタングステン紛を充填した。
抵抗発熱体1としてタングステン箔を1000Wに相当する渦巻き状のパターンに加工した。図1に示す直径200mm、厚さ10mmのAlN常圧焼結体ベース2に、発熱体1を収める溝3と、径6mmの電流導入用端子穴4を機械加工で穿孔した。さらに、直径200mm、厚さ7mmのAlN常圧焼結体カバー5に接合剤6をスクリーン印刷した。発熱体をセットした焼結体ベースと焼結体カバーを張り合わせ、端子埋設穴4の底に10μmのPt箔を敷き、その上に直径5.0mmのタングステン端子7をセットし、その周りに粒径8〜10μmのタングステン紛を充填した。
これを常圧窒素雰囲気、1800℃、0.1t/cm2の温度・圧力で1時間保持する条件でホットプレスを行い、AlN焼結体同士の接合と、端子と発熱体の接合と、タングステン紛の仮焼を行った。これによって得られたものに対し、形状加工、端子部ねじ加工を行って直径190mm、厚さ8mmの円盤状AlNヒータを得た。
この円盤状AlNヒータは、端子部のねじ加工に際して、端子の抜けや緩みは一切生じなかった。このAlNヒータを真空チャンバー内にセットし、通電加熱による加熱テストを行った。真空チャンバーにはヒータの表裏面が観察できる石英製の窓を設け、端子部で火花放電が生じないかを確認しながら2[Pa]の真空下で800℃まで加熱を行った。AlN基材には若干の透光性があるため、火花放電が生じると基材越しに放電の有無が確認できる。800℃到達時のヒータ端子間に印可されている電圧は170Vであったが、端子部での放電は生じなかった。
(比較例1−従来例)
各部品の配置は実施例1と同様としたが、タングステン端子7は直径5.9mmのものを用いた。端子の周りにはタングステン紛を充填しなかった。その後、これをホットプレスすると端子埋設穴の径はクリープ変形により数十〜数百μm程度細くなるので、この変形を利用してタングステン端子7を固定した。このようにして得られたAlNヒータを実施例1と同様にして加熱試験を行ったところ、600℃に到達した時点で端子部から火花放電が見られたために加熱を終了した。冷却後、端子部を切断して断面観察を行ったところ、クリープ変形量の小さい端子埋設穴底において、数十μmの隙間と放電痕が観察された。
各部品の配置は実施例1と同様としたが、タングステン端子7は直径5.9mmのものを用いた。端子の周りにはタングステン紛を充填しなかった。その後、これをホットプレスすると端子埋設穴の径はクリープ変形により数十〜数百μm程度細くなるので、この変形を利用してタングステン端子7を固定した。このようにして得られたAlNヒータを実施例1と同様にして加熱試験を行ったところ、600℃に到達した時点で端子部から火花放電が見られたために加熱を終了した。冷却後、端子部を切断して断面観察を行ったところ、クリープ変形量の小さい端子埋設穴底において、数十μmの隙間と放電痕が観察された。
(比較例2)
実施例1と同様にして、端子挿入埋設穴に挿入した端子の周りに充填するタングステン粒子の粒径を2〜4μmとしてホットプレスを行った。ホットプレス後に端子部を切断して断面観察を行ったところ、タングステン仮焼体の収縮が大きく目視で確認できる隙間が生じていた。
実施例1と同様にして、端子挿入埋設穴に挿入した端子の周りに充填するタングステン粒子の粒径を2〜4μmとしてホットプレスを行った。ホットプレス後に端子部を切断して断面観察を行ったところ、タングステン仮焼体の収縮が大きく目視で確認できる隙間が生じていた。
(比較例3)
実施例1と同様にして、、端子挿入穴に挿入した電力端子の周りに充填するタングステン粒子の粒径を15〜17μmとしてホットプレスを行った。ホットプレス後に端子部を切断して断面観察を行ったところ隙間は生じていなかった。しかし、タングステン紛は十分な強度で固まっておらずねじ加工時に端子部の破損が起こった。
実施例1と同様にして、、端子挿入穴に挿入した電力端子の周りに充填するタングステン粒子の粒径を15〜17μmとしてホットプレスを行った。ホットプレス後に端子部を切断して断面観察を行ったところ隙間は生じていなかった。しかし、タングステン紛は十分な強度で固まっておらずねじ加工時に端子部の破損が起こった。
以上の結果から、適度な粒径のタングステン紛を端子挿入穴の端子周りに充填することで、端子部で火花放電の生じないAlNセラミックスヒータとすることができる。また、上記の本発明の構造を採用すれば、ホットプレス工程の一度の熱処理で、AlNの接合、端子と発熱体の接合、タングステン紛の仮焼を同時に行うことができる。
1…抵抗発熱体、2…AlN常圧焼結体ベース、3…発熱体埋設溝、4…電流導入端子埋設用穴、5…AlN常圧焼結体カバー、6…接合剤層、7…タングステン端子、8…白金箔、9…タングステン紛の仮焼体。
Claims (3)
- AlN焼結体ベースに、発熱体と電力供給端子を埋め込んで固定し、これにAlN焼結体カバーをホットプレスで一体化したAlNセラミックスヒータであって、AlN焼結体ベースに設けた端子埋設穴に高融点金属の電力供給端子を挿入し、端子埋設穴の電力供給端子周りの隙間を高融点金属紛の仮焼体で埋めた構造のAlNセラミックスヒータ。
- 上記高融点金属粉が、粒径6〜12μm、融点1800℃以上の高融点金属粉末である請求項1記載のAlNセラミックスヒータ。
- 電力供給端子は、発熱体と拡散接合されている請求項1記載のAlNセラミックスヒータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003404289A JP2005166475A (ja) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | AlNセラミックスヒータ |
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Cited By (2)
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KR101130093B1 (ko) | 2006-05-03 | 2012-03-28 | 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 | 세라믹 히터를 위한 전력 단자 |
US20210387290A1 (en) * | 2018-12-17 | 2021-12-16 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Process for forming an electric heater |
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2003
- 2003-12-03 JP JP2003404289A patent/JP2005166475A/ja active Pending
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