JP2007088484A - 加熱装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体設置面の均熱性を向上させ、ヒーターの端子部が半導体製造装置内部の雰囲気への暴露を防止できるようにした半導体加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１０Ａは、半導体設置面２ａを備えるヒーター１Ａ、およびヒーターの背面２ｂに対して固定される中空の支持部材１１を備え、支持部材１１の外周面間寸法よりも、支持部材長寸法のほうが大きく、ヒーターが、板状の基体２、抵抗発熱体からなる第一の加熱素子３、第一の加熱素子３とは独立して制御される第二の加熱素子４、第一の加熱素子３に接続された第一の端子部６Ａ、および第二の加熱素子４に接続された第二の端子部７を備え、支持部材の内側空間１２に、第一の端子部６Ａに接続された第一の電力供給手段１５と、第二の端子部７に接続された第二の電力供給手段１４と、第一の加熱素子３と第二の加熱素子４とが互いに電気的に接続しないように略同一の平面Ａ内とした構成である。
【選択図】図３

Description

本発明は、加熱装置に関するものである。

半導体製造装置においては、熱ＣＶＤなどによってシランガスなどの原料ガスから半導体薄膜を製造するに当たって、ウエハーを加熱するためのセラミックヒーターが採用されている。こうしたセラミックヒーターとしては、いわゆる２ゾーンヒーターが知られている。これは、セラミック基体中に、高融点金属からなる内周側抵抗発熱体と外周側抵抗発熱体とを埋設し、各抵抗発熱体にそれぞれ別個の電流導入端子を形成し、各抵抗発熱体にそれぞれ独立して電圧を印加することにより、内周側抵抗発熱体及び外周側抵抗発熱体からの発熱を独立して制御するものである。

この種類に属するヒーターとして、以下のものが知られている。特許文献１においては、セラミック基体内に、２層の加熱素子を埋設する。そして、各層の加熱素子の内周側の発熱量と外周側の発熱量とを制御することによって、内周ゾーンと外周ゾーンとの２ゾーン制御を行っている。
特開２００１−１０２１５７号公報

また、特許文献２においては、円盤状のセラミック基体の表面に、複数の略リング状の加熱素子を形成し、各加熱素子を同心円状に配置する。各加熱素子は、金属粉末の焼結体によって成形する。各加熱素子に対してそれぞれ独立して電力を投入できる。更に、特許文献３、特許文献４も知られている。
特開２００１−５２８４３号公報 特開昭６３−２７８３２２号公報 特開平７−２９７００５号公報

特許文献１記載の技術においては、２層の加熱素子を基体中に埋設するが、各層の加熱素子上部、下部の基体内厚みが異なることから、上下の熱容量が各層で同一でないことから、基体の厚さ方向に熱が伝わり、半導体設置面の均熱性が所望の度合いに達しないことがある。また、２層の加熱素子を埋設することから、成形工程数が増加し、生産性が劣る傾向がある。また、セラミック基体の厚さが大きくなるので、熱容量が増大し、温度上昇時、温度下降時の応答性が低下することがある。

特許文献２記載の技術においては、各加熱素子に対してそれぞれ端子取り出し部分があり、各端子取り出し部分が、ヒーターの周囲の雰囲気に対して曝露される。特に半導体製造装置内の雰囲気には、プロセスガスやクリーニングガスなど、各種の腐食性ガスやそのプラズマが含まれていることが多い。このため、各端子取り出し部分が、腐食性雰囲気に曝露されるので、ヒーターの寿命が短い。また、セラミック基体の背面側において、各加熱素子に対して接続されるべき各導電接続体を配線する必要があるために、配線が煩雑であり、複雑な構成になる。更に、ヒーターの背面に複雑な配線が設けられていることから、ヒーターを半導体製造装置のチャンバーへと取り付けるための構造も複雑になる。

本発明の課題は、半導体製造装置用加熱装置において、半導体設置面の均熱性を向上させ、ヒーターの端子部が半導体製造装置内部の雰囲気に暴露されるのを防止できるようにすることである。

本発明は、半導体を設置するための半導体設置面を備えるヒーター、およびこのヒーターの背面に対して固定される中空の支持部材を備えている半導体製造装置用加熱装置であって、前記支持部材の外周面間寸法よりも、支持部材長寸法のほうが大きく、
ヒーターが、半導体設置面を備える板状の基体、抵抗発熱体からなる第一の加熱素子、抵抗発熱体からなり、第一の加熱素子とは独立して制御される第二の加熱素子、第一の加熱素子に接続された第一の端子部、第二の加熱素子に接続された第二の端子部を備えており、
支持部材の内側空間に、第一の端子部に対して接続された第一の電力供給手段と、第二の端子部に対して接続された第二の電力供給手段とが収容されており、第一の加熱素子と第二の加熱素子とが互いに電気的に接続しないように略同一の平面内に設けられていることを特徴とする。

本発明によれば、略同一面内に配置された第一の加熱素子と第二の加熱素子とを組み合わせ、２ゾーン制御、あるいは３ゾーン以上の多ゾーン制御を可能としており、これによって、ヒーターの半導体設置面の均熱性を向上させることができる。

これと同時に、第一の加熱素子と第二の加熱素子とを略同一の平面内に設置することによって、加熱素子の積層による基体の厚さの不可避的な増大を防止でき、加熱装置の熱容量の増大を防止できる。この結果、ヒーターの温度上昇時、下降時の応答性を良好にすることができ、かつヒーターの軽量化も可能である。

更に、ヒーターの背面に中空の支持部材を取り付け、支持部材の内側空間に、第一の端子部に対して接続された第一の電力供給手段と、第二の端子部に対して接続された第二の電力供給手段とを収容することによって、ヒーターの半導体製造装置への取りつけを容易に行うことができる。この際、ヒーターが上述のように軽量化されていることから、中空の支持部材による支持を容易に行える。これと共に、ヒーターの第一の端子部と第二の端子部とが共に支持部材の内側空間に収容され、半導体製造装置内部の雰囲気とは隔離されることから、端子部の腐食を防止、抑制し、ヒーターの寿命を長くし、半導体の金属汚染を防止することができる。
更に、支持部材の外周面間寸法よりも、支持部材長寸法を大きくすることで、ヒーターからの装置接続部への伝熱を抑制して均熱性を向上させることができる。

以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る加熱装置１０Ａにおいて、平面Ａ内における加熱素子の平面的パターンを示す模式図であり、図２は、加熱装置１０ＡをＩＩ−ＩＩ線に沿って見た断面図であり、図３は、加熱装置１０ＡをＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切ってみた断面図である。

加熱装置１０Ａは、円板状のヒーター１Ａと支持部材１１とを備えている。ヒーター１Ａの基体２は円板状である。基体２の一方の主面は、半導体Ｗを設置するための半導体設置面２ａである。基体２の他方の主面は、支持部材２の端面２ｃに接合される背面２ｂである。

基体２は絶縁性材料からなる。基体２の内部には、所定平面Ａに沿って、第一の加熱素子３と第二の加熱素子４とが埋設されている。第一の加熱素子３は、同心円状に配置された円弧部３ａと、複数の円弧部３ａを接続する径方向接続部３ｂとを備えている。第一の加熱素子３には、例えば２つの端部３ｃが設けられており、各端部３ｃは導電接続部８Ａの一端に接続されている。導電接続部８Ａの他端はそれぞれ端子６Ａに接続されており、端子６Ａは背面２ｂに露出している。

第二の加熱素子４は、同心円状に配置された円弧部４ａと、複数の円弧部４ａを接続する径方向接続部４ｂとを備えている。第二の加熱素子４には、例えば２つの端部４ｃが設けられており、各端部４ｃは導電接続部９Ａの一端に接続されている。導電接続部９Ａの他端はそれぞれ端子７に接続されており、端子７は背面２ｂに露出している。５は、第一の加熱素子の設置ゾーン１７と、第二の加熱素子の設置ゾーン１６との境界である。

本例では、内周側の加熱素子４用の導電接続部９Ａの間に、外周側の加熱素子３用の導電接続部８Ａが挟まれている。そして、内周側の加熱素子３用の一対の端子７の距離ＷＩよりも、外周側の加熱素子４用の一対の端子６Ａ間の距離ＷＯの方が小さい。

ヒーター１Ａの背面２ｂには、中空の支持部材１１の端面１１ｃが接合されている。この接合方法は特に限定されず、例えばろう材によって接合でき、あるいは特開平８−７３２８０号公報に記載のようにして固相接合できる。また、ヒーターと支持部材とは、Ｏリングやメタルパッキングなどのシール部材を用いてシール接合することができる。

支持部材１１は筒状を呈している。支持部材１１の内側空間１２は、チャンバー内の雰囲気１３とは隔離されている。内側空間１２には、第一の電力供給手段１５と第二の電力供給手段１４とが収容されている。第一の電力供給手段１５は端子６Ａに接続されており、第二の電力供給手段１４は端子７に接続されている。１１ａは支持部材１１の外周面であり、１１ｂは内周面である。支持部材１１の外周面１１ａ間寸法Ｌよりも、支持部材長寸法が大きい。

本例の加熱装置によれば、略同一面Ａ内に配置された第一の加熱素子３と第二の加熱素子４とを組み合わせ、２ゾーン制御を可能としている。また、第一の加熱素子３と第二の加熱素子４とを略同一の平面Ａ内に設置することによって、加熱素子の積層による基体の厚さの不可避的な増大を防止でき、加熱装置の熱容量の増大を防止でき、軽量化が可能である。

更に、ヒーター１Ａの背面２ｂに中空の支持部材１１を取り付け、支持部材１１の内側空間１２に、第一の端子部６Ａに対して接続された第一の電力供給手段１５と、第二の端子部７に対して接続された第二の電力供給手段１５とを収容しており、この支持部材１１は半導体製造装置のチャンバーなどの外部部材に対して容易に取り付けることができる。この際、ヒーター１Ａが上述のように軽量化されていることから、中空の支持部材１１による支持を容易に行える。これと共に、ヒーターの第一の端子部６Ａと第二の端子部７とが共に支持部材の内側空間１２に収容され、半導体製造装置内部の雰囲気１３とは隔離されることから、端子部６Ａ、７や部材１４、１５の腐食を防止、抑制し、ヒーターの寿命を長くし、半導体の金属汚染を防止することができる。

本発明における半導体製造装置とは、半導体の金属汚染が懸念されるような、幅広い半導体製造プロセスにおいて使用される装置のことを意味している。これには、成膜装置の他、エッチング装置、クリーニング装置、検査装置が含まれる。

ヒーターを構成する板状の基体の材質は特に限定されない。好ましくは、基体の材質は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びサイアロンなどの窒化物セラミックス、アルミナー炭化ケイ素複合材料などの公知のセラミックス材料であってよい。ハロゲン系ガスなどの腐食性ガスに対して高い耐腐食性を付与するためには、窒化アルミニウムやアルミナが特に好ましい。

基体の形状は特に限定されないが、円板形状が好ましい。半導体設置面の形状は、ポケット形状、エンボス形状、溝形状が施される場合もある。

ヒーターの基体の製法は限定されないが、ホットプレス製法、ホットアイソスタティックプレス製法が好ましい。

支持部材の材質は限定されないが、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びサイアロンなどの窒化物セラミックス、アルミナー炭化ケイ素複合材料などの公知のセラミックス材料であってよい。

加熱素子の形状は、コイル形状、リボン形状、メッシュ形状、板状、膜状であってよい。ただし、図１〜図３においては、加熱素子の具体的形状は図示しておらず、単に加熱素子の平面的な設置パターンを図示している。また、加熱素子の材質は、タンタル、タングステン、モリブデン、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの合金である高融点金属であることが好ましい。特に、セラミックス基体を窒化アルミニウムから構成した場合においては、モリブデン及びモリブデン合金であることが好ましい。また、上記高融点金属以外に、カーボン、ＴｉＮ、ＴｉＣなどの導電性材料を使用することもできる。

第一の加熱素子と第二の加熱素子とが略同一の平面内に設けられているとは、設計上、各加熱素子が同一平面Ａを通過するように設計すればよく、各加熱素子の中心が幾何学的に厳密に平面Ａを通過することは要求していない。製造上の誤差により、各加熱素子の中心面が、意図した平面Ａに対してずれることは許容されている。しかし、本発明の作用効果を得る上で、各加熱素子の中心面の間隔は、３mm以下であることが好ましく、１mm以下であることが更に好ましい。

図１〜図３に示す加熱装置においては、第一の加熱素子と第二の加熱素子とが、それぞれ、基体２の半導体設置面２ａと略平行となるように配設されている。これにより、半導体設置面の均熱性を確保しやすくなる。なお、ここでいう略平行とは、完全に平行な場合に加えて、−０．５〜０．５度の範囲内にあるものを含む。また、製造上の誤差は許容される。

第一の電力供給手段、第二の電力供給手段の形態は限定されず、ロッド形状、ワイヤー形状、ロッドとワイヤーとの複合体を例示できる。第一の電力供給手段、第二の電力供給手段の材質も限定されない。これらはチャンバー内雰囲気１３から隔離されており、腐食を受けにくいことから、その材質を金属とすることが好ましく、特にニッケルが好ましい。

各加熱素子用の端子部の材質は、前述の高融点金属やニッケルが好ましい。また、端子部は、図１〜図３に示したような円柱形状の端子であってよく、また他の形状の柱状端子であってよい。また、端子部の断面積は、加熱素子の断面積よりも大きくする必要はない。しかし、第一の電力供給手段、第二の電力供給手段との接合強度を高くするという観点からは、端子部の断面積が、加熱素子の断面積よりも大きいことが好ましい。

各加熱素子は、各端子部間で一筆書きのパターンを構成している必要はなく、端子部間で、電気的分岐部、電気的結合部を有していてよい。

第一の電力供給手段、第二の電力供給手段と端子部との電気的結合方法としては、ネジ、かしめ、勘合、ロウ付け、溶接、共晶を例示できる。

好適な実施形態においては、第一の加熱素子をヒーターの周縁部に設け、第二の加熱素子をヒーターの中央部に設ける。これによって、内周側の加熱素子と外周側の加熱素子との間での多ゾーン制御が可能となる。

好適な実施形態においては、内周側の第二の加熱素子のゾーンに半導体を設置し、外周側の第一の加熱素子のゾーンは、半導体を設置しない領域とする。

好適な実施形態においては、内周側の第二の加熱素子のみを発熱させた場合には、半導体設置面の中央部がホットな温度分布になるようにする。また、外周側の第一の加熱素子のみを発熱させた場合には、半導体設置面の中央部がクールな温度分布になるようにする。

好適な実施形態においては、ヒーターの昇温時に、ヒーター破損を防止するため、ヒーターの中央部がホットな温度分布となるように各加熱素子への供給電力を調整する。

更に、第一の加熱素子のゾーン、第二の加熱素子のゾーンは、それぞれ複数のゾーンに分割することが可能である。この場合には、分割後の各ゾーンごとに、それぞれ、互いに電気的に接続されない加熱素子を設置する。

各加熱素子は、基体の表面に設置することもできる。好適な実施形態においては、第一の加熱素子および第二の加熱素子を基体の内部に埋設する。

好適な実施形態においては、支持部材が、ヒーターの背面の中央部に対して固定されている。この場合には、第一の加熱素子用の端子部と、第二の加熱素子用の端子部とが、それぞれヒーターの背面の中央部に集まるように、導電接続部を設ける必要がある。

好適な実施形態においては、第一の加熱素子と第一の端子部とを接続し、かつ第二の加熱素子とは電気的に接続していない導電接続部を、前記平面内において第二の加熱素子の設置ゾーン内に設ける。図１〜図３はこの実施形態に係るものである。即ち、平面Ａ内において、第二の加熱素子４の設置ゾーン１６内に、第一の加熱素子３と第一の端子部６Ａとを接続し、かつ第二の加熱素子４とは電気的に接続していない導電接続部８Ａを設けてある。

この場合には、内周側の中央部ゾーン１６において、導電接続部８Ａの周辺の温度が相対的に低下する傾向がある。このため、導電接続部８Ａの周囲の加熱素子４および導電接続部９Ａの単位面積当たりの発熱量を増大させることによって、導電接続部８Ａの周囲の温度低下を抑制することが好ましい。

加熱素子や導電接続部の単位面積当たりの発熱量を増大させる方法は周知であり、加熱素子の表面積を増大させるか、あるいは加熱素子の抵抗値を増大させればよい。例えば、加熱素子をメッシュ（網状物）によって構成した場合には、導電接続部８Ａの周囲において、網状物を構成する線材の編み込み密度を増大させたり、あるいは、線材の断面積を小さくすることができる。また、抵抗発熱体をコイルスプリング状物から構成する場合は、導電接続部８Ａの周囲において、コイルスプリングの単位長さ当たりの巻き数を増加させたり（ピッチを小さくしたり）、コイルスプリングを構成する螺旋の直径を大きくしたり、線材の断面積を小さくしたりすることができる。抵抗発熱体をリボン状物から構成する場合は、導電接続部８Ａの周囲において、リボンの幅を小さくできる。

前述した外周側加熱素子用の導電接続部８Ａの間隔は小さくする方が好ましい。このためには、導電接続部８Ａを、内周側加熱素子用の導電接続部９Ａよりも内側に設けることが好ましい。また、導電接続部８Ａの間隔を、導電接続部９Ａ間の間隔よりも小さくすることが好ましい。更に、第一の加熱素子用の端子６Ａの間隔ＷＯを、第二の加熱素子用の端子７間の間隔ＷＩ以下とすることが好ましい。

導電接続部は、加熱素子と端子部との間で、一本の導電ラインを構成している必要はなく、電気的分岐、結合を有していて良い。加熱素子と端子部との間で、複数の導電接続部を設けることによって、導電接続部を並列回路とし、抵抗を低下させ、発熱を抑制し、半導体設置面の温度分布への影響を低減することができる。

導電接続部を構成する金属としては、前述したような高融点金属やニッケルを例示できる。また、導電接続部の形状は、前述したように、コイル形状、リボン形状、メッシュ形状、板状、膜状であってよい。

好適な実施形態においては、図１に示すように、加熱素子が設けられた平面Ａに対して平行であり、かつ、基体の平面的な中心Ｏを通る直線Ｍに対して、各加熱素子３、４が略対称に配置されている。これによって、半導体設置面の均熱性を一層向上させることができる。

基体の内部には、加熱素子、端子部、導電接続部の他、高周波電極用エレメントや、静電チャック用エレメントも埋設することができる。

好適な実施形態においては、第一の加熱素子と第一の端子部とを接続し、かつ第二の加熱素子とは電気的に接続していない導電接続部を、加熱素子が設置されている平面Ａとは異なる他の平面内において、第二の加熱素子の設置ゾーン内に設ける。

図４〜図７は、この実施形態に係るものである。図４は、この実施形態に係る加熱装置において、平面Ａ内における加熱素子３、４の平面的パターンを示す模式図であり、図５は、加熱装置１０Ｂを図４のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図であり、図６は、加熱装置１０ＢをＶＩ−ＶＩ線に沿って切ってみた断面図である。各図面において、図１〜図３に示した構成部分には同じ符号を付け、その説明を省略する。

本例においては、図４および図５に示すように、第二の加熱素子４の端部４ｃが、導電接続部９Ａの一端に対して接続されており、導電接続部９Ａの他端が端子７に接続されている。一方、図４および図６に示すように、外周側の第一の加熱素子３の端部３ｃが、接続材１５および８Ｂを通して端子６Ｂに対して接続されており、端子６Ｂが第一の電力供給手段１５に接続されている。ここで、接続材１５は、基体２の厚さ方向に向かって、平面Ａに対して略垂直に延びており、導電接続部８Ｂは、平面Ａとは異なる平面Ｂに沿って延びている。

このように、導電接続部８Ｂを、加熱素子の設置面Ａとは異なる平面Ｂに沿って設けることによって、図１に示したように、外周側加熱素子３用の導電接続部８Ａを平面Ａ内に設ける必要がなくなる。この結果、導電接続部８Ａを平面Ａ内に設けることによるクールスポットの生成を防止できる。

平面Ｂは、平面Ａから見て、背面２ｂに近い方に設けることができ、あるいは、半導体設置面２ａに近い側に設けることもできる。

好適な実施形態においては、第一の加熱素子３と接続材１５との間に、図７（ａ）に示すように接続端子１７を設ける。また、接続材１５と導電接続部８Ｂとの間に、接続端子１６を設ける。

好適な実施形態においては、図７（ａ）において、導電接続部８Ｂと第一の加熱素子３とを接続する接続材１５が、伸縮可能な材質からなる。これによって、加熱素子３と導電接続部８Ｂとの間の相対的位置が変化したときに、その位置変化に対して追従することができ、断線を防止できる。特に、基体２をホットプレス製法によって製造した場合には、基体２の厚さがホットプレスの段階で大きく縮小する。このため、接続材１５が伸縮不能であると、基体２の厚さの縮小に伴い、接続材１５およびその近辺において断線や抵抗値上昇が生ずる可能性がある。

この観点からは、図７（ｂ）に示すように、接続材１５をコイルスプリング１５Ａとすることが特に好ましい。

（実施例１）
図１−図３に示す加熱装置１０Ａを製造した。基体２は、窒化アルミニウム焼結体とし、基体の直径φは２５０ｍｍとし、厚さは１０ｍｍとした。基体２の内部には、半導体ウエハーの直径に相当するφ２００のゾーン１６に第二の加熱素子４を埋設し、直径２００−２５０ｍｍのゾーン１７に第一の加熱素子３を埋設した。各加熱素子は、モリブデン製のコイルスプリング形状のものである。端子６Ａ、７は、それぞれモリブデン製の円柱状端子とした。導電接続部８Ａ、９Ａはモリブデン線とした。

支持部材１１は、窒化アルミニウム焼結体によって形成した。支持部材１１の外径φを８０ｍｍとし、内径φを５０ｍｍとし、長さを２５０ｍｍとした。支持部材１１を基体の中央部の背面に固相接合した。支持部材の端部１１ｃは、ヒーターへの取りつけを容易にするべく、シール面を設け，あるいは、切り欠き、位置決め穴、溝を設けることが好ましい。ニッケルロッドからなる電力供給手段１４、１５を支持部材の内側空間１２に挿入し、各端子と電気的に接続した。

（実施例２）
図４〜図６に示す加熱装置１０Ｂを製造した。ただし、基体２は、窒化アルミニウム焼結体とし、基体の直径φは２５０ｍｍとし、厚さは１０ｍｍとした。基体２の内部には、半導体ウエハーの直径に相当するφ２００のゾーン１６に第二の加熱素子４を埋設し、直径２００−２５０ｍｍのゾーン１７に第一の加熱素子３を埋設した。各加熱素子は、モリブデン製のコイルスプリング形状のものである。端子６Ｂ、７は、それぞれモリブデン製の円柱状端子とした。導電接続部９Ａ、８Ｂはモリブデン線とした。接続材１５は、モリブデン製のコイルスプリングとした。

実施例１と同じ支持部材１１を準備し、実施例１と同様にして支持部材１１を基体２の背面２ｂに固相接合した。ニッケルロッドからなる電力供給手段１４、１５を支持部材の内側空間１２に挿入し、各端子と電気的に接続した。

以上述べたように、本発明によれば、半導体製造装置用加熱装置において、半導体設置面の均熱性を向上させ、ヒーターの端子部が半導体製造装置内部の雰囲気に暴露されるのを防止でき、加熱装置の熱容量の増大を防止でき、かつヒーターの半導体製造装置への取りつけを容易化できる。

本発明の一実施形態に係るヒーター１Ａにおいて、加熱素子および導電接続部の平面的パターンを示す模式図である。 加熱装置１０Ａを、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って見た断面図である。 加熱装置１０Ａを、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切ってみた断面図である。 本発明の他の実施形態に係る加熱装置１０Ｂにおいて、平面Ａ内における加熱素子３、４、導電接続部８Ｂ、９Ａの平面的パターンを示す模式図である。 加熱装置１０Ｂを、図４のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図である。 加熱装置１０Ｂを、図４のＶＩ−ＶＩ線に沿って切ってみた断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、それぞれ、第一の加熱素子３と導電接続部８Ｂとの接続部分の拡大図である。

符号の説明

１Ａ、１Ｂ ヒーター ２ 基体 ２ａ 半導体設置面 ２ｂ 背面 ３ 第一の加熱素子 ３ａ 円弧部 ３ｂ 径方向接続部 ３ｃ 加熱素子の端部 ４ 第二の加熱素子 ４ａ 円弧部 ４ｂ 径方向接続部 ４ｃ 加熱素子の端部 ５ ゾーンの境界 ６Ａ、６Ｂ 第一の加熱素子用の端子部 ７ 第二の加熱素子用の端子部 ８Ａ 第一の加熱素子用の導電接続部（平面Ａ内の導電接続部） ８Ｂ 第一の加熱素子用の導電接続部（平面Ａと異なる平面Ｂ内の導電接続部） ９Ａ 第二の加熱素子用の導電接続部 １０Ａ、１０Ｂ 加熱装置 １１ 支持部材 １２ 支持部材１１の内側空間 １３ チャンバー内の雰囲気 １４ 第二の電力供給手段 １５ 第一の電力供給手段 １６ 第二のゾーン（内周側ゾーン） １７ 第一のゾーン（外周側ゾーン） Ａ 加熱素子の設置平面 Ｂ Ａと異なる平面 Ｍ 平面Ａに平行であって、基体２の中心Ｏを通る直線 Ｏ 基体２の中心 ＷＩ 第二の加熱素子４用の端子７間の間隔 ＷＯ 第一の加熱素子３用の端子６Ａ間の間隔

Claims (8)

1. 半導体を設置するための半導体設置面を備えるヒーター、およびこのヒーターの背面に対して固定される中空の支持部材を備えている半導体製造装置用加熱装置であって、
   前記支持部材の外周面間寸法よりも、支持部材長寸法のほうが大きく、前記ヒーターが、前記半導体設置面を備える板状の基体、抵抗発熱体からなる第一の加熱素子、抵抗発熱体からなり、前記第一の加熱素子とは独立して制御される第二の加熱素子、前記第一の加熱素子に接続された第一の端子部、および前記第二の加熱素子に接続された第二の端子部を備えており、前記支持部材の内側空間に、前記第一の端子部に対して接続された第一の電力供給手段と、前記第二の端子部に対して接続された第二の電力供給手段とが収容されており、前記第一の加熱素子と前記第二の加熱素子とが互いに電気的に接続しないように略同一の平面内に設けられていることを特徴とする、加熱装置。
2. 前記第一の加熱素子が前記ヒーターの周縁部に設けられており、前記第二の加熱素子が前記ヒーターの中央部に設けられていることを特徴とする、請求項１記載の加熱装置。
3. 前記支持部材が、前記ヒーターの前記背面の中央部に対して固定されていることを特徴とする、請求項１または２記載の加熱装置。
4. 前記第一の加熱素子および前記第二の加熱素子が前記基体の内部に埋設されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の加熱装置。
5. 前記第一の加熱素子と前記第一の端子部とを接続し、かつ前記第二の加熱素子とは電気的に接続していない導電接続部が、前記平面内において前記第二の加熱素子の設置ゾーン内に設けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の加熱装置。
6. 前記第一の加熱素子と前記第一の端子部とを接続し、かつ前記第二の加熱素子とは電気的に接続していない導電接続部が、前記平面とは異なる他の平面内において前記第二の加熱素子の設置ゾーン内に設けられていることを特徴とする、請求項４記載の加熱装置。
7. 前記基体内に埋設されており、前記導電接続部と前記第一の加熱素子とを電気的に接続する伸縮可能な接続材を備えていることを特徴とする、請求項６記載の加熱装置。
8. 前記接続材がコイルスプリングであることを特徴とする、請求項７記載の加熱装置。

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