KR20190028355A - 정전척 히터 - Google Patents

정전척 히터 Download PDF

Info

Publication number
KR20190028355A
KR20190028355A KR1020187006461A KR20187006461A KR20190028355A KR 20190028355 A KR20190028355 A KR 20190028355A KR 1020187006461 A KR1020187006461 A KR 1020187006461A KR 20187006461 A KR20187006461 A KR 20187006461A KR 20190028355 A KR20190028355 A KR 20190028355A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater
small
electrode
zone
electrostatic chuck
Prior art date
Application number
KR1020187006461A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102303971B1 (ko
Inventor
히로시 다케바야시
나츠키 히라타
신야 하세가와
Original Assignee
엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔지케이 인슐레이터 엘티디 filed Critical 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Publication of KR20190028355A publication Critical patent/KR20190028355A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102303971B1 publication Critical patent/KR102303971B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/03—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/18—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being embedded in an insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
    • H05B2203/003—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements using serpentine layout

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

정전척 히터는, 정전척과, 소형 히터 전극이 배선된 소형 존을 복수개 갖는 소형 존 형성 영역과, 복수의 소형 히터 전극이 병렬 접속된 전원과, 각 소형 히터 전극에 대응한 공급 가능한 출력에 대한 출력 비율을 이용하여 원하는 전력이 각 소형 히터 전극에 공급되도록 제어하는 소형 존 제어 장치를 구비하고 있다. 복수의 소형 히터 전극 중 쿨스팟을 포함하는 소형 존에 배선된 소형 히터 전극의 저항치는, 다른 소형 히터 전극에 비교해서 낮게 설정되어 있다.

Description

정전척 히터
본 발명은 정전척 히터에 관한 것이다.
반도체 제조 장치에 있어서는, 웨이퍼를 가열하기 위한 세라믹 히터가 채용되고 있다. 이러한 세라믹 히터로는, 소위 다(多)존 히터가 알려져 있다. 이것은, 세라믹 기체 중에, 고융점 금속으로 이루어진 내주측 히터와 외주측 히터를 내측 존과 외측 존에 각각 매설하고, 각 히터에 각각 독립적으로 전력을 공급함으로써, 각 히터의 발열을 독립적으로 제어하는 것이다(예컨대 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2007-88484호 공보
이러한 다존 히터의 각 히터의 발열을 독립적으로 제어함에 있어서, 각 히터를 개별적으로 전력 제어하는 것이 고려된다. 그 경우, 쿨스팟을 포함하는 존의 히터의 발열량을 다른 존의 히터에 비교해서 많게 함으로써, 전체의 균열화를 도모할 필요가 있다. 그러나, 투입 가능한 전력은, 히터의 저항치, 전원 용량의 제약 때문에 상한이 있어, 투입 가능 전력의 상한을 초과하여 쿨스팟을 포함하는 존의 히터에 전력을 부여할 수 없다. 그 때문에, 쿨스팟을 포함하는 존의 히터의 발열량이 부족하여 균열화를 충분히 달성할 수 없는 경우가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 다존 히터형의 정전척 히터에 있어서 균열화를 충분히 달성하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 정전척 히터는,
세라믹스 소결체에 정전 전극이 매설된 정전척과,
상기 세라믹스 소결체의 내부 또는 상기 세라믹스 소결체에 일체화된 히터 유지체의 내부에 설치되고, 소형 히터 전극이 배선된 소형 존을 복수개 갖는 소형 존 형성 영역과,
복수의 상기 소형 히터 전극이 병렬 접속된 전원과,
각 소형 히터 전극에 대응한 공급 가능한 출력에 대한 출력 비율을 이용하여 원하는 전력이 각 소형 히터 전극에 공급되도록 제어하는 소형 존 제어 장치
를 구비하고,
복수의 상기 소형 히터 전극 중 쿨스팟을 포함하는 소형 존에 배선된 소형 히터 전극의 저항치는, 다른 소형 히터 전극에 비교해서 낮게 설정된 것이다.
이 정전척 히터에서는, 정전 전극이 매설된 세라믹스 소결체의 내부나, 그 세라믹스 소결체에 일체화된 히터 유지체의 내부에, 소형 존 형성 영역이 설치되어 있다. 소형 존 형성 영역은, 소형 히터 전극이 배선된 소형 존을 복수 갖고 있다. 또한, 복수의 소형 히터 전극은 전원에 병렬 접속되어 있다. 각 소형 히터 전극에 공급되는 전력은, 각 소형 히터 전극에 대응한 공급 가능한 출력에 대한 출력 비율을 이용하여 전원으로부터 공급된다. 이러한 출력 비율로는, 예컨대 전압이 일정한 전원이 스위치를 통해 히터에 연결되어 있는 경우, 어떤 시간 T에 대한 스위치가 온으로 되어 있는 시간 τ의 비 τ/T(듀티비)를 들 수 있다. 여기서, 쿨스팟을 포함하는 소형 존에 배선된 소형 히터 전극의 저항치는, 다른 소형 히터 전극에 비교해서 낮게 설정되어 있다. 복수의 소형 히터 전극은 전원에 병렬 접속되어 있기 때문에, 각 소형 히터 전극의 발열 가능량은 저항치가 낮을수록 커진다. 쿨스팟을 포함하는 존의 소형 히터 전극은, 출력 비율의 상한을 초과하여 전력을 공급할 수는 없지만, 다른 존의 소형 히터 전극보다 저항치가 낮기 때문에 동일한 출력 비율이라 하더라도 발열량이 커진다. 그 때문에, 쿨스팟을 포함하는 존의 온도를 쿨스팟을 포함하지 않는 존의 온도와 동일하거나 거의 동일하게 한 상태에서 각 소형 히터에 대한 투입 가능 전력의 마진을 확보할 수 있다. 따라서, 다존 히터형의 정전척 히터에 있어서 여러가지 외란에 의한 균열 붕괴에 대하여 균열화를 충분히 달성할 수 있다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 쿨스팟을 포함하는 소형 존에 배선된 소형 히터 전극은, 다른 소형 히터 전극에 비교해서 선폭이 넓게 되어 있거나 저항률이 낮은 재료가 이용되도록 해도 좋다. 동일한 전극 재료라 하더라도 선폭이 넓어지면 저항치가 낮아진다. 또한, 동일한 선폭이라 하더라도 저항률이 낮은 재료를 이용하면 저항치가 낮아진다. 따라서, 이와 같이 하면 본 발명을 용이하게 실현할 수 있다.
본 발명의 정전척 히터에 있어서, 상기 쿨스팟을 포함하는 소형 존은, 상하 방향의 관통 구멍 또는 바닥이 있는 구멍이 형성된 소형 존으로 해도 좋다. 소형 히터 전극 중 상하 방향의 관통 구멍이나 바닥이 있는 구멍은 배선할 수 없는 부분이므로, 쿨스팟이 되기 쉽다. 상하 방향의 관통 구멍으로는, 예컨대, 웨이퍼를 들어 올리기 위한 리프트핀의 삽입 관통 구멍이나, 웨이퍼의 이면에 He 가스를 보내기 위한 가스 공급 구멍 등을 들 수 있다. 또한, 상하 방향의 바닥이 있는 구멍으로는, 예컨대, 정전 전극 또는 히터 전극에 전력을 공급하기 위한 급전 막대를 정전척 히터의 이면으로부터 삽입하기 위한 구멍이나, 정전척 히터의 이면으로부터 웨이퍼 배치면의 근방을 향해 온도 센서를 삽입하기 위한 구멍 등을 들 수 있다.
본 발명의 정전척 히터는, 상기 세라믹스 소결체의 내부 또는 상기 히터 유지체의 내부에 설치되고, 대형 존 전극이 배선된 대형 존을 상기 소형 존의 수보다 적은 수 갖는 대형 존 형성 영역과, 각 대형 존 전극에 대한 전력 공급을 제어하는 대형 존 제어 장치를 구비하고 있어도 좋다. 이렇게 하면, 정전척에 배치되는 웨이퍼의 균열화에 관해서는 기본적으로 대형 존 전극을 제어함으로써 행하고, 한층 더 웨이퍼를 균열화하는 것은 소형 존 전극을 제어함으로써 행하기 때문에, 균열화를 섬세하게 행할 수 있다.
도 1은 플라즈마 처리 장치(10)의 개략 구성을 나타내는 단면도.
도 2는 시트 히터(30)의 내부 구조를 나타내는 사시도.
도 3은 보정 히터 전극(34) 및 기준 히터 전극(44)의 전기적 접속을 나타내는 설명도.
도 4는 온도 프로파일을 나타내는 설명도.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 플라즈마 처리 장치(10)의 개략 구성을 나타내는 단면도, 도 2는 시트 히터(30)의 내부 구조를 나타내는 사시도이다.
반도체 제조 장치인 플라즈마 처리 장치(10)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 진공 챔버(12)와, 샤워 헤드(14)와, 정전척 히터(20)를 구비하고 있다. 진공 챔버(12)는, 알루미늄 합금 등에 의해 박스형으로 형성된 용기이다. 샤워 헤드(14)는, 진공 챔버(12)의 천장면에 설치되어 있다. 샤워 헤드(14)는, 가스 도입관(16)으로부터 공급되는 프로세스 가스를 다수의 가스 분사 구멍(18)으로부터 진공 챔버(12)의 내부로 방출한다. 또한, 샤워 헤드(14)는, 플라즈마 생성용의 캐소드판으로서의 역할을 한다. 정전척 히터(20)는, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치면(22a)에 흡착 유지하는 장치이다. 이하, 정전척 히터(20)에 관해 상세히 설명한다.
정전척 히터(20)는, 정전척(22), 시트 히터(30) 및 지지대(60)를 구비하고 있다. 정전척(22)의 하면과 시트 히터(30)의 상면(30a)은 제1 본딩 시트(81)를 통해 서로 접착되어 있다. 지지대(60)의 상면과 시트 히터(30)의 하면(30b)은 제2 본딩 시트(82)를 통해 서로 접착되어 있다. 각 본딩 시트(81, 82)로는, 폴리프로필렌제의 코어재의 양면에 아크릴 수지층을 갖춘 시트, 폴리이미드제의 코어재의 양면에 실리콘 수지층을 갖춘 시트, 에폭시 수지 단독의 시트 등을 들 수 있다. 정전척 히터(20)에는, 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)이 상하 방향으로 관통하도록 복수(예컨대 3개) 형성되어 있다. 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)에는 웨이퍼를 리프트업하는 리프트핀(도시하지 않음)이 정전척 히터(20)의 하면측으로부터 상하 이동 가능하게 삽입 관통된다.
정전척(22)은, 원판형의 부재이며, 세라믹스 소결체(26)에 정전 전극(24)이 매설된 것이다. 세라믹스 소결체(26)로는, 예컨대 질화알루미늄 소결체나 알루미나 소결체 등을 들 수 있다. 정전척(22)의 상면은, 웨이퍼(W)를 배치하는 웨이퍼 배치면(22a)이 되어 있다. 세라믹스 소결체(26)의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.5∼4 mm가 바람직하다.
시트 히터(30)는, 원판형의 부재이며, 내열성의 수지 시트(32)에, 보정 히터 전극(34), 점퍼선(36), 그라운드 전극(40) 및 기준 히터 전극(44)을 내장한 것이다. 수지 시트(32)의 재질로는, 예컨대 폴리이미드 수지나 액정 폴리머 등을 들 수 있다. 시트 히터(30)는, 시트 히터(30)의 상면(30a)에 평행하고 높이가 상이한 제1 전극 영역(A1)∼제4 전극 영역(A4)(도 2 참조)을 갖고 있다. 전술한 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)은, 이 시트 히터(30)의 상면(30a)으로부터 하면(30b)까지를 상하 방향으로 관통하고 있다.
제1 전극 영역(A1)은, 다수의 존(Z1)(예컨대 100존이나 300존)으로 나누어져 있다. 각 존(Z1)에는, 끊기지 않고 단번에 보정 히터 전극(34)이 일단(34a)으로부터 타단(34b)까지 그 존(Z1)의 전체에 골고루 퍼지도록 배선되어 있다. 도 2에서는, 제1 전극 영역(A1)에 점선으로 나타내는 가상선을 그리고, 그 가상선으로 둘러싸인 부분을 존(Z1)으로 했다. 이 도 2에서는, 편의상 하나의 존(Z1)에만 보정 히터 전극(34)을 나타냈지만, 다른 존(Z1)에도 동일한 보정 히터 전극(34)이 설치되어 있다. 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)이 배치되는 존(Z1)에서는, 보정 히터 전극(34)은 그 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)을 우회하도록 배선되어 있다. 시트 히터(30)의 외형을 일점쇄선으로 나타냈다.
제2 전극 영역(A2)에는, 복수의 보정 히터 전극(34)의 각각에 급전하는 점퍼선(36)이 설치되어 있다. 그 때문에, 점퍼선(36)의 수는 보정 히터 전극(34)의 수와 일치한다. 제2 전극 영역(A2)은, 존(Z1)의 수보다 적은 수(예컨대 6존이나 8존)의 존(Z2)으로 나누어져 있다. 도 2에서는, 제2 전극 영역(A2)에 점선으로 나타내는 가상선을 그리고, 그 가상선으로 둘러싸인 부분을 존(Z2)으로 했다. 이 도 2에서는, 편의상 하나의 존(Z2)에만 점퍼선(36)(일부)을 나타냈지만, 다른 존(Z2)에도 동일한 점퍼선(36)이 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 하나의 존(Z2)을 제1 전극 영역(A1)에 투영했을 때의 투영 영역 내에 들어가는 복수의 보정 히터 전극(34)을, 동일한 조에 속하는 것으로서 설명한다. 하나의 조에 속하는 보정 히터 전극(34)의 일단(34a)은, 그 조에 대응하는 존(Z2) 내의 점퍼선(36)의 일단(36a)에, 제1 전극 영역(A1)과 제2 전극 영역(A2) 사이를 상하 방향으로 관통하는 비아(35)(도 1 참조)를 통해 접속되어 있다. 그 점퍼선(36)의 타단(36b)은 그 존(Z2)에 설치된 외주 영역(38)까지 인출되어 있다. 그 결과, 동일한 조에 속하는 보정 히터 전극(34)에 접속된 점퍼선(36)의 타단(36b)은, 하나의 외주 영역(38)에 정리하여 배치되어 있다. 그 외주 영역(38)을 시트 히터(30)의 하면(30b)에 투영한 영역(X) 내에는, 각 점퍼선(36)의 타단(36b)과 비아(41)(도 1 참조)를 통해 접속되는 점퍼 랜드(46a)가 나란히 배치되어 있다. 환언하면, 복수의 점퍼 랜드(46a)는, 2개 이상이 1조가 되어 동일한 영역(X)에 외부에 노출되도록 배치되어 있다. 또, 보정 히터 전극(34)의 비저항은 점퍼선(36)의 비저항 이상으로 하는 것이 바람직하다.
제3 전극 영역(A3)에는, 복수의 보정 히터 전극(34)에 공통의 그라운드 전극(40)이 설치되어 있다. 각 보정 히터 전극(34)은, 제1 전극 영역(A1)으로부터 제2 전극 영역(A2)을 거쳐 제3 전극 영역(A3)에 이르는 비아(42)(도 1 참조)를 통해 그라운드 전극(40)에 접속되어 있다. 또한, 그라운드 전극(40)은, 외주로부터 외측으로 비어져 나온 돌기(40a)를 갖고 있다. 이 돌기(40a)는, 각 외주 영역(38)의 절결(39)과 마주보는 위치에 설치되어 있다. 이 돌기(40a)는, 시트 히터(30)의 하면(30b)에 설치된 그라운드 랜드(46b)에 비아(43)(도 1 참조)를 통해 접속되어 있다. 그라운드 랜드(46b)는, 시트 히터(30)의 하면(30b)의 영역(X) 내에 점퍼 랜드(46a)와 함께 설치되어 있다.
제4 전극 영역(A4)은, 제1 전극 영역(A1)에 설치된 보정 히터 전극(34)의 총수보다 적은 수(예컨대 4존이나 6존)의 존(Z4)으로 나누어져 있다. 각 존(Z4)에는, 보정 히터 전극(34)보다 고출력의 기준 히터 전극(44)이 끊기지 않고 단번에 일단(44a)으로부터 타단(44b)까지 그 존(Z4) 전체에 골고루 퍼지도록 배선되어 있다. 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)을 포함하는 존(Z4)에서는, 기준 히터 전극(44)은 삽입 관통 구멍 우회부(441)를 갖고 있다.
삽입 관통 구멍 우회부(441)는, 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)을 우회하도록 배선되어 있는 부분이다. 도 2에서는, 제4 전극 영역(A4)에 점선으로 나타내는 가상선을 그리고, 그 가상선으로 둘러싸인 부분을 존(Z4)으로 했다. 이 도 2에서는, 편의상 1개의 존(Z4)에만 기준 히터 전극(44)을 나타냈지만, 다른 존(Z4)에도 동일한 기준 히터 전극(44)이 설치되어 있다. 각 기준 히터 전극(44)의 양단(44a, 44b)은, 제4 전극 영역(A4)으로부터 시트 히터(30)의 하면(30b)에 이르는 도시하지 않은 비아를 통해 시트 히터(30)의 하면(30b)에 설치된 한쌍의 기준 랜드(50a, 50b)에 접속되어 있다.
지지대(60)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, Al 또는 Al 합금 등의 금속으로 제작된 원판형의 부재이며, 내부에 냉매 유로(62)가 설치되어 있다. 냉매 유로(62)의 입구(62a)와 출구(62b)에는, 냉매의 온도를 조정하는 칠러(70)가 접속되어 있다. 냉매는, 칠러(70)로부터 냉매 유로(62)의 입구(62a)에 공급되면, 지지대(60)의 전체에 골고루 퍼지도록 설치된 냉매 유로(62)를 통과하고, 냉매 유로(62)의 출구(62b)로부터 칠러(70)로 복귀되어, 칠러(70) 내에서 설정 온도로 냉각된 후 다시 냉매 유로(62)의 입구(62a)에 공급된다. 지지대(60)는, 지지대(60)를 상하 방향으로 관통하는 복수 종류의 관통 구멍(64∼67)을 갖고 있다. 관통 구멍(64)은, 정전 전극(24)의 급전 단자(25)를 외부에 노출하기 위한 구멍이다. 관통 구멍(65)은, 시트 히터(30)의 하면(30b)의 영역(X)에 설치된 랜드군(점퍼 랜드(46a)와 그라운드 랜드(46b), 도 2 참조)을 외부에 노출하기 위한 구멍이다. 관통 구멍(66, 67)은, 기준 히터 전극(44)의 기준 랜드(50a, 50b)를 각각 외부에 노출하는 것이다. 관통 구멍(66, 67)에는 전기 절연통(66a, 67a)이 삽입되어 있다.
플라즈마 처리 장치(10)는 또한, 정전척 전원(72), 보정 히터 전원(74), 기준 히터 전원(76) 및 RF 전원(79)을 구비하고 있다. 정전척 전원(72)은 직류 전원이며, 관통 구멍(64)에 삽입된 급전 막대(73)를 통해 정전 전극(24)의 급전 단자(25)에 접속되어 있다. 보정 히터 전원(74)은 직류 전원이며, 관통 구멍(65)에 삽입된 금속 배선 집합체인 접속용 플렉시블 프린트 기판(접속용 FPC)(75)을 통해 보정 히터 전극(34)의 점퍼 랜드(46a) 및 그라운드 랜드(46b)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 도 2에 나타내는 동일한 조에 속하는 점퍼 랜드(46a) 및 그라운드 랜드(46b)는, 동일한 영역(X)에 나란히 설치되어 있기 때문에, 하나의 접속용 FPC(75)을 통해 접속되어 있다. 접속용 FPC(75)은, 수지 피막으로 덮인 금속 배선(75a, 75b)을 띠모양으로 묶은 케이블이며, 영역(X)과 대향하는 단부는 각 금속 배선(75a, 75b)이 노출되어 있다. 금속 배선(75a)은, 점퍼 랜드(46a)를 보정 히터 전원(74)의 플러스극에 접속하기 위한 도선이며, 금속 배선(75b)은, 그라운드 랜드(46b)를 보정 히터 전원(74)의 마이너스극에 접속하기 위한 도선이다. 기준 히터 전원(76)은 교류 전원이며, 관통 구멍(66)에 삽입된 케이블 단자(77)를 통해 기준 히터 전극(44)의 한쪽의 기준 랜드(50a)에 접속됨과 함께, 관통 구멍(67)에 삽입된 케이블 단자(78)를 통해 기준 히터 전극(44)의 다른쪽 기준 랜드(50b)에 접속되어 있다. RF 전원(79)은 플라즈마 생성용의 전원이며, 애노드판으로서 기능하는 지지대(60)에 고주파 전력을 공급하도록 접속되어 있다. 또, 캐소드판으로서 기능하는 샤워 헤드(14)는 가변 저항을 통해 접지되어 있다.
여기서, 시트 히터(30)의 각 존(Z1)에 배선된 보정 히터 전극(34) 및 각 존(Z4)에 배선된 기준 히터 전극(44)의 제어에 관해 설명한다. 도 3은, 보정 히터 전극(34) 및 기준 히터 전극(44)의 전기적 접속을 나타내는 설명도, 도 4는, 온도 프로파일의 일례를 나타내는 설명도이다. 도 3 및 도 4에서는, 설명의 편의상, 정전척 히터(20)가 보정 히터 전극(34)으로서 5개의 보정 히터 전극(341∼345)을 구비하고, 하나의 기준 히터 전극(44)을 구비하고 있는 것으로서 설명한다.
기준 히터 전극(44)은, 기준 히터 제어 장치(96)를 통해 교류 전원인 기준 히터 전원(76)에 접속되어 있다. 기준 히터 제어 장치(96)는, 기준 히터 전원(76)의 전류를 제어함으로써, 기준 히터 전극(44)의 발열량을 조정하여 웨이퍼 배치면(22a)에 배치된 웨이퍼(W)의 온도를 제어한다. 기준 히터 전극(44) 중 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)을 우회하고 있는 삽입 관통 구멍 우회부(441)(도 2 참조)는 다른 부분에 비교해서 배선 밀도가 낮기 때문에 쿨스팟이 되기 쉽다. 이 삽입 관통 구멍 우회부(441)는, 도 3에서는, 기준 히터 전극(44) 중 일점쇄선의 사각형 영역(쿨스팟을 포함하는 존)에 둘러싸인 부분으로 했다.
복수의 보정 히터 전극(341∼345)은, 직류 전원인 보정 히터 전원(74)에 병렬 접속되어 있다. 보정 히터 전원(74)으로부터 보정 히터 전극(341∼345)으로 분기되는 분기선에는, 보정 히터 전극(341∼345)의 각각에 대응하여 솔리드 스테이트 릴레이(SSR)(91∼95)가 배치되어 있다. SSR(91∼95)는 각각 신호원(91a∼95a)에 접속되어 있다. 신호원(91a∼95a)은 보정 히터 제어 장치(86)에 접속되어 있다. 신호원(91a∼95a)은, 보정 히터 제어 장치(86)로부터 입력한 듀티비에 따라서, 대응하는 SSR(91∼95)에 온/오프 신호인 펄스 신호를 출력한다. 도 3의 네모칸에 나타낸 바와 같이, 펄스 신호의 펄스폭 τ을 펄스 주기 T로 나눈 값 τ/T이 듀티비이며, 듀티비의 상한치는 장치 성능 등에 따른 값(예컨대 1(100%)이나 0.75(75%))으로 설정되어 있는 것으로 한다. 듀티비는 각 보정 히터 전극(341∼345)에 대응하여 개별로 설정된다. 보정 히터 전극(341∼345)은, 운전시의 외란(구조상의 특이점이나 플라즈마 입열)에 의해 균열 붕괴가 생겼을 때의 온도 보정이나 실제의 웨이퍼 온도를 목표 온도에 일치시키기 위한 온도 보정에 이용된다. 여기서, 보정 히터 전극(341∼345) 중 보정 히터 전극(343)의 배선된 존만, 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)이 삽입 관통하고 있는 존, 즉 쿨스팟을 포함하는 존으로 한다. 이 존에 배선된 보정 히터 전극(343)의 저항치는, 다른 보정 히터 전극(341, 342, 344, 345)에 비교해서 낮은 값으로 설정되어 있다. 보정 히터 전극(341∼345)에 동일한 전압이 인가된 경우, 발열량은 저항치에 반비례하기 때문에 보정 히터 전극(343)의 발열량이 가장 커진다. 이러한 보정 히터 전극(343)은, 다른 보정 히터 전극(341, 342, 344, 345)에 비교해서, 예컨대 선폭이 넓게 되어 있거나 저항률이 낮은 재료가 이용되고 있고, 그것에 의해 저항치가 낮아졌다.
그런데, 웨이퍼(W)의 면내에서 온도를 균열로 함에 있어서는, 우선, 플라즈마 발생 조건을 설정하고, 그 조건으로 플라즈마를 발생시켰을 때의 웨이퍼(W)의 온도 분포를 적외선 서모그래피로 측정한다. 그리고, 복수의 측정점에서의 온도차가 미리 정해진 허용 범위 내에 들어가도록 기준 히터 전극(44)의 전류를 설정함과 함께 보정 히터 전극(341∼345)의 각각의 듀티비를 설정한다. 기준 히터 제어 장치(96)는, 이와 같이 설정된 전류가 기준 히터 전원(76)으로부터 기준 히터 전극(44)으로 흐르도록 제어한다. 보정 히터 제어 장치(86)는, 각 보정 히터 전극(341∼345)에 대응하여 설정된 듀티비를 이용하여 보정 히터 전원(74)으로부터 각 보정 히터 전극(341∼345)으로 전류가 흐르도록 제어한다.
이 때의 웨이퍼(W)의 면내의 온도 분포의 일례를 도 4에 나타낸다. 기준 히터 전극(44)만을 이용하여 제어하면, 도 4의 점선의 온도 분포선에 나타낸 바와 같이, 삽입 관통 구멍 우회부(441)의 주변에서 온도 저하가 보인다. 보정 히터 전극(341∼345)만을 이용하여 듀티비를 전부 n%로 설정하면, 도 4의 파선의 온도 분포선에 나타낸 바와 같이, 쿨스팟을 포함하는 존의 보정 히터 전극(343)의 저항치 R2가 다른 보정 히터 전극(341, 342, 344, 345)의 저항치 R1보다 낮기 때문에, 보정 히터 전극(343)의 주변에서 온도 상승이 보인다. 그리고, 기준 히터 전극(44)과 보정 히터 전극(341∼345)을 모두 이용하여 제어하면, 도 4의 실선의 온도 분포선에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 면내의 온도가 일정해져, 양호한 균열화가 도모된다.
여기서, 각 보정 히터 전극(341∼345)에 동일한 전압 E가 인가되고, 각 듀티비가 100%로 설정되어 있는 것으로 하면, 보정 히터 전극(341, 342, 344, 345)의 발열량 P1은 P1=E2/R1, 보정 히터 전극(343)의 발열량 P2는 P2=E2/R2가 된다. 저항치 R2는 저항치 R1보다 낮기 때문에(R2<R1), 발열량 P2는 발열량 P1보다 높아진다(P2>P1). 듀티비의 설정 범위가 0∼100%라고 하면, 보정 히터 전극(341, 342, 344, 345)의 발열량의 설정 범위는 0∼P1, 보정 히터 전극(343)의 발열량의 설정 범위는 0∼P2가 되어, 후자쪽이 광범위하고 발열량의 조정, 나아가서는 온도 조정이 가능한 것을 알 수 있다.
또, 도 4에서는, 보정 히터 전극(341∼345)의 듀티비가 전부 동일한 값(n%)인 경우를 예시했지만, 이들 듀티비는 각 보정 히터 전극(341∼345)의 배선되어 있는 존의 온도가 동일한 온도가 되도록 설정되므로, 반드시 모두 동일한 값이 되지는 않고, 모두 상이한 값이 되는 경우도 있다.
여기서, 본 실시형태의 구성 요소와 본 발명의 구성 요소의 대응 관계를 명확하게 한다. 본 실시형태의 정전척(22)이 본 발명의 정전척에 해당하고, 보정 히터 전극(34, 341∼345)이 소형 히터 전극에 해당하고, 제1 전극 영역(A1)이 소형 존 형성 영역에 해당하고, 보정 히터 전원(74)이 전원에 해당하고, 보정 히터 제어 장치(86)가 소형 존 제어 장치한다. 또한, 시트 히터(30)가 히터 유지체에 해당하고, 기준 히터 전극(44)이 대형 존 전극에 해당하고, 제4 전극 영역(A4)이 대형 존 형성 영역에 해당하고, 기준 히터 제어 장치(96)가 대형 존 제어 장치에 해당한다.
이상 설명한 정전척 히터(20)에 의하면, 쿨스팟을 포함하는 존의 보정 히터 전극(343)은, 듀티비의 상한을 초과하여 전력을 공급할 수는 없지만, 다른 존의 보정 히터 전극(341, 342, 344, 345)보다 저항치가 낮기 때문에 동일한 듀티비라 하더라도 발열량이 커진다. 그 때문에, 쿨스팟을 포함하는 존의 온도를 쿨스팟을 포함하지 않는 존의 온도와 동일하거나 거의 동일하게 한 상태로 각 소형 히터에 대한 투입 가능 전력의 마진을 확보할 수 있다. 따라서, 다존 히터형의 정전척 히터(20)에 있어서 여러 외란에 의한 균열 붕괴에 대하여 균열화를 충분히 달성할 수 있다.
또한, 보정 히터 전극(343)은, 다른 보정 히터 전극(341, 342, 344, 345)에 비교해서 선폭이 넓게 되어 있거나 저항률이 낮은 재료가 이용되고 있다. 동일한 전극 재료라 하더라도 선폭이 넓어지면 저항치가 낮아진다. 또한, 동일한 선폭이라 하더라도 저항률이 낮은 재료를 이용하면 저항치가 낮아진다.
또한, 제1 전극 영역(A1) 중 쿨스팟을 포함하는 존으로서 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)이 형성된 존을 예시했지만, 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)은 배선할 수 없는 부분이므로 쿨스팟이 되기 쉽다.
또한, 정전척(22)에 배치되는 웨이퍼(W)의 균열화에 관해서는 기본적으로 기준 히터 전극(44)을 제어함으로써 행하고, 웨이퍼(W)를 더욱 균열화하는 것을 보정 히터 전극(341∼345)을 제어함으로써 행하기 때문에, 균열화를 섬세하게 행할 수 있다.
본 발명은 전술한 실시형태에 전혀 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에 있어서, 웨이퍼(W)의 온도 제어를 행함에 있어서, 웨이퍼 배치면(22a) 중 각 존(Z1)의 바로 위의 위치에 온도 센서를 설치하고, 각 온도 센서로부터 검출되는 온도가 목표 온도가 되도록 각 보정 히터 전극(34)의 듀티비를 제어해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 쿨스팟을 포함하는 존으로서, 리프트핀 삽입 관통 구멍(28)을 포함하는 존을 예시했지만, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 쿨스팟을 포함하는 존은, 정전척 히터(20)의 상하 방향을 관통하여 웨이퍼(W)의 이면에 He 가스를 보내기 위한 가스 공급 구멍을 포함하는 존이어도 좋다. 혹은, 상하 방향의 바닥이 있는 구멍를 포함하는 존이어도 좋다. 이러한 바닥이 있는 구멍으로는, 정전 전극(24)에 전력을 공급하기 위한 급전 막대(73)를 정전척 히터(20)의 이면으로부터 삽입하기 위한 구멍 등을 들 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 기준 히터 전극(44)의 저항치에 관해 특별히 언급하지 않았지만, 삽입 관통 구멍 우회부(441)의 히터선에 관해서는 저항치를 크게 하여, 동일한 전류가 흘렀을 때에도 다른 부분과 비교해서 발열량이 커지도록 설계해도 좋다. 이렇게 하면, 기준 히터 전극(44)에 의한 웨이퍼(W)의 균열 제어를 어느 정도 정밀하게 행할 수 있다. 그 때문에, 기준 히터 전극(44)과 보정 히터 전극(34, 341∼345)을 모두 이용한 웨이퍼(W)의 균열 제어를 보다 정밀하게 행할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 정전 전극(24)이 매설된 세라믹스 소결체(26)와는 별도의 시트 히터(30)의 내부에 보정 히터 전극(34)을 형성하는 영역을 설치했지만, 보정 히터 전극(34)을 형성하는 영역을 세라믹스 소결체(26)의 내부에 설치해도 좋다. 기준 히터 전극(44)에 관해서도 마찬가지이다.
본 출원은, 2016년 7월 19일에 출원된 일본 특허 출원 제2016-141329호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 반도체 제조 장치의 부품으로서 이용 가능하다.
10 : 플라즈마 처리 장치, 12 : 진공 챔버, 14 : 샤워 헤드, 16 : 가스 도입관, 18 : 가스 분사 구멍, 20 : 정전척 히터, 22 : 정전척, 22a : 웨이퍼 배치면, 24 : 정전 전극, 25 : 급전 단자, 26 : 세라믹스 소결체, 28 : 리프트핀 삽입 관통 구멍, 30 : 시트 히터, 30a : 상면, 30b : 하면, 32 : 수지 시트, 34, 341∼345 : 보정 히터 전극, 34a : 일단, 34b : 타단, 35 : 비아, 36 : 점퍼선, 36a : 일단, 36b : 타단, 38 : 외주 영역, 39 : 절결, 40 : 그라운드 전극, 40a : 돌기, 41∼43 : 비아, 44 : 기준 히터 전극, 44a : 일단, 44b : 타단, 46a : 점퍼 랜드, 46b : 그라운드 랜드, 50a, 50b : 기준 랜드, 60 : 지지대, 62 : 냉매 유로, 62a : 입구, 62b : 출구, 64∼67 : 관통 구멍, 66a, 67a : 전기 절연통, 70 : 칠러, 72 : 정전척 전원, 73 : 급전 막대, 74 : 보정 히터 전원, 75 : 접속용 FPC, 75a : 금속 배선, 75b : 금속 배선, 76 : 기준 히터 전원, 77, 78 : 케이블 단자, 79 : RF 전원, 81 : 제1 본딩 시트, 82 : 제2 본딩 시트, 86 : 보정 히터 제어 장치, 91∼95 : SSR, 91a∼95a : 신호원, 96 : 기준 히터 제어 장치, 441 : 삽입 관통 구멍 우회부, A1∼A4 : 제1 전극 영역∼제4 전극 영역, Z1∼Z4 : 존.

Claims (4)

  1. 정전척 히터에 있어서,
    세라믹스 소결체에 정전 전극이 매설된 정전척과,
    상기 세라믹스 소결체의 내부 또는 상기 세라믹스 소결체에 일체화된 히터 유지체의 내부에 설치되고, 소형 히터 전극이 배선된 소형 존을 복수개 갖는 소형 존 형성 영역과,
    복수의 상기 소형 히터 전극이 병렬 접속된 전원과,
    각 소형 히터 전극에 대응한 공급 가능한 출력에 대한 출력 비율을 이용하여 원하는 전력이 각 소형 히터 전극에 공급되도록 제어하는 소형 존 제어 장치
    를 포함하고,
    복수의 상기 소형 히터 전극 중 쿨스팟을 포함하는 소형 존에 배선된 소형 히터 전극의 저항치는, 다른 소형 히터 전극에 비교해서 낮게 설정되어 있는 것인 정전척 히터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 쿨스팟을 포함하는 소형 존에 배선된 소형 히터 전극은, 다른 소형 히터 전극에 비교해서 선폭이 넓게 되어 있거나 저항률이 낮은 재료가 이용되는 것인 정전척 히터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 쿨스팟을 포함하는 소형 존은, 상하 방향의 관통 구멍 또는 바닥이 있는 구멍이 형성된 소형 존인 것인 정전척 히터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 정전척 히터에 있어서,
    상기 세라믹스 소결체의 내부 또는 상기 히터 유지체의 내부에 설치되고, 대형 존 전극이 배선된 대형 존을 상기 소형 존의 수보다 적은 수 갖는 대형 존 형성 영역과,
    각 대형 존 전극에 대한 전력 공급을 제어하는 대형 존 제어 장치
    를 포함하는 정전척 히터.
KR1020187006461A 2016-07-19 2017-07-11 정전척 히터 KR102303971B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-141329 2016-07-19
JP2016141329 2016-07-19
PCT/JP2017/025267 WO2018016384A1 (ja) 2016-07-19 2017-07-11 静電チャックヒータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190028355A true KR20190028355A (ko) 2019-03-18
KR102303971B1 KR102303971B1 (ko) 2021-09-24

Family

ID=60992059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187006461A KR102303971B1 (ko) 2016-07-19 2017-07-11 정전척 히터

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10483146B2 (ko)
JP (1) JP6397588B2 (ko)
KR (1) KR102303971B1 (ko)
CN (1) CN108028221B (ko)
TW (1) TWI751180B (ko)
WO (1) WO2018016384A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230109114A (ko) 2022-01-12 2023-07-19 주식회사 아모센스 정전 척 히터 소결체 제조용 세라믹 조성물 및 이를 이용한 정전 척 히터용 질화규소 소결체 제조방법
US11915905B2 (en) 2019-07-02 2024-02-27 Semes Co., Ltd. Support unit and substrate treating apparatus including the same

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102435888B1 (ko) * 2017-07-04 2022-08-25 삼성전자주식회사 정전 척, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US11236422B2 (en) 2017-11-17 2022-02-01 Lam Research Corporation Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability
US11950329B2 (en) * 2018-02-16 2024-04-02 Niterra Co., Ltd. Holding device
US10633742B2 (en) 2018-05-07 2020-04-28 Lam Research Foundation Use of voltage and current measurements to control dual zone ceramic pedestals
CN118360588A (zh) 2018-07-05 2024-07-19 朗姆研究公司 衬底处理系统中的衬底支撑件的动态温度控制
US10872747B2 (en) 2018-08-08 2020-12-22 Lam Research Corporation Controlling showerhead heating via resistive thermal measurements
US11183400B2 (en) 2018-08-08 2021-11-23 Lam Research Corporation Progressive heating of components of substrate processing systems using TCR element-based heaters
CN113574652B (zh) * 2019-03-18 2023-09-01 日本碍子株式会社 静电卡盘
JP7411431B2 (ja) * 2020-01-31 2024-01-11 新光電気工業株式会社 静電チャック、基板固定装置
JP7252378B2 (ja) * 2020-02-03 2023-04-04 京セラ株式会社 試料保持具
JP7427517B2 (ja) * 2020-04-27 2024-02-05 京セラ株式会社 ヒータ
CN113745082B (zh) * 2020-05-28 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其加热装置与工作方法
CN114496693A (zh) * 2020-11-11 2022-05-13 中微半导体设备(上海)股份有限公司 多区加热装置、下电极组件、等离子处理装置及调温方法
KR20220082132A (ko) * 2020-12-09 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 증착장치 및 이를 포함하는 표시패널의 제조장치
CN118103947A (zh) * 2022-09-26 2024-05-28 株式会社日立高新技术 半导体器件的制造系统以及制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030035878A (ko) * 2001-10-24 2003-05-09 니뽄 가이시 가부시키가이샤 가열 장치
JP2007088484A (ja) 2006-10-11 2007-04-05 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
KR20080037879A (ko) * 2006-10-27 2008-05-02 주식회사 코미코 히터 및 이의 제조방법
KR20080087702A (ko) * 2007-03-26 2008-10-01 니뽄 가이시 가부시키가이샤 가열 장치
KR101268822B1 (ko) * 2011-11-30 2013-05-28 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 가열용 히터

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08125001A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Fuji Electric Co Ltd 静電チャック
JP2005166354A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Ngk Insulators Ltd セラミックヒーター
JP4187208B2 (ja) 2004-01-09 2008-11-26 日本碍子株式会社 ヒーター
WO2009086013A2 (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US8901459B2 (en) * 2011-06-30 2014-12-02 Semes Co. Ltd. Substrate supporting units and substrate treating apparatuses including the same
JP6100672B2 (ja) * 2013-10-25 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置
JP6335341B2 (ja) * 2014-07-23 2018-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 可変型温度制御式基板支持アセンブリ
KR102110267B1 (ko) * 2014-10-31 2020-05-14 와틀로 일렉트릭 매뉴팩츄어링 컴파니 히터를 위한 열적 동적 응답 감지 시스템
CN107004626B (zh) * 2014-11-20 2019-02-05 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
JP6325424B2 (ja) * 2014-11-21 2018-05-16 日本特殊陶業株式会社 静電チャック

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030035878A (ko) * 2001-10-24 2003-05-09 니뽄 가이시 가부시키가이샤 가열 장치
JP2007088484A (ja) 2006-10-11 2007-04-05 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
KR20080037879A (ko) * 2006-10-27 2008-05-02 주식회사 코미코 히터 및 이의 제조방법
KR20080087702A (ko) * 2007-03-26 2008-10-01 니뽄 가이시 가부시키가이샤 가열 장치
KR101268822B1 (ko) * 2011-11-30 2013-05-28 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 가열용 히터

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11915905B2 (en) 2019-07-02 2024-02-27 Semes Co., Ltd. Support unit and substrate treating apparatus including the same
KR20230109114A (ko) 2022-01-12 2023-07-19 주식회사 아모센스 정전 척 히터 소결체 제조용 세라믹 조성물 및 이를 이용한 정전 척 히터용 질화규소 소결체 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102303971B1 (ko) 2021-09-24
JPWO2018016384A1 (ja) 2018-07-19
US10483146B2 (en) 2019-11-19
JP6397588B2 (ja) 2018-09-26
TW201816930A (zh) 2018-05-01
TWI751180B (zh) 2022-01-01
CN108028221A (zh) 2018-05-11
WO2018016384A1 (ja) 2018-01-25
CN108028221B (zh) 2022-12-06
US20180190529A1 (en) 2018-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190028355A (ko) 정전척 히터
US11265971B2 (en) Sensor system for multi-zone electrostatic chuck
KR101776562B1 (ko) 정전 척 히터
TWI594362B (zh) 可調式溫度控制基板支撐組件
US10043685B2 (en) High definition heater and method of operation
TWI650442B (zh) 溫度控制的基板支撐組件
US9538583B2 (en) Substrate support with switchable multizone heater
JP2019505092A5 (ko)
KR102664620B1 (ko) 라우팅 레이어가 있는 다중-구역 받침대 히터
CN110352626B (zh) 晶圆加热装置
KR20190017878A (ko) 세라믹스 히터
KR20170113214A (ko) 금속 배선 접합 구조 및 그 제법
US11996313B2 (en) Member for semiconductor manufacturing apparatus
JPH11185940A (ja) 半導体素子製造用セラミックヒータ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant