JP2014099313A - ヒータユニット - Google Patents

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Abstract

【課題】ヒータパターンの最適化により、均熱性を向上させたヒータユニットを提供する。
【解決手段】ヒータユニットは、帯状の発熱体によって形成される略円形状の加熱面を備える。加熱面は、内側領域に形成される内側ヒータと、中央部から径方向外側に延びる連絡部、及び外側領域に形成される外側部分を含む外側ヒータとを有する。連絡部における発熱体の幅は、外側部分における発熱体の幅よりも広い。
【選択図】図3

Description

本発明は、ウェハ加熱用のヒータユニットに関し、特に、均熱性を向上させたヒータユニットに関する。
半導体デバイスの製造工程では、基板加熱にヒータユニットが用いられる。ウェハの外周部では、軸方向に熱が逃げやすい(いわゆる熱引き)ため、内周部よりも温度が低下しやすい。そこで、ウェハを保持する加熱面を内周側の内ヒータと外周側の外ヒータとに分け、2ゾーン制御としたヒータユニットが使用されている。2ゾーン制御のヒータユニットでは、外ヒータを内ヒータよりも高い温度に設定することにより、ウェハ全体の均熱性を保持することができる。
2ゾーン制御のヒータは、ゾーンごとに電極を設置し、個別に制御を行うことが一般的であった。しかし現在は、半導体製造装置の仕様と適合させるために、電極をヒータの中央部で垂直に連結し、断面形状をT型としたいわゆるT型構造のヒータユニットが主流となっている。
T型構造のヒータユニットとして、例えば、加熱面と発熱体とを分離して異なる平面上に配置したヒータユニットが知られている(例えば、特許文献1)。このヒータユニットは、加熱面の下層に発熱体であるリード回路を設け、中央部の電極から内ヒータ及び外ヒータまでリード回路を延長することにより、2ゾーン制御を行う。
特開2004−296254号公報
しかしながら、加熱面と発熱体とを異なる平面上に配置するヒータユニットは、構成が複雑なことから、加工が煩雑であるという問題があった。
2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットにおいて、加熱面と発熱体とを同一平面上に配置すると、ヒータ中央部の電極と外ヒータとを接続する経路、いわゆる渡り部が、加熱面に形成される。この渡り部は、他の領域と比較して発熱増大による温度上昇(ホットスポット)又は発熱減少による温度低下(コールドスポット)が多く見られ、温度制御が困難であった。
そこで、本発明は、2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットにおいて、均熱性を向上させることを目的とする。
また本発明は、上述のヒータユニットにおいて、加熱面と発熱体とを同一平面上に配置した簡易な構成にすることを、別の目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明は、以下の特徴を有する。本発明の第1の特徴は、帯状の発熱体(発熱体33)によって形成される略円形状の加熱面(加熱面31)を備えるヒータユニットであって、前記加熱面は、前記加熱面の中心を含む中央部と、前記中央部を囲む内側領域と、前記内側領域を囲む外側領域とを含み、前記加熱面は、前記中央部から延びる前記発熱体によって前記内側領域に形成される内側ヒータ(内ヒータ34)と、前記中央部から径方向外側に延びる前記発熱体によって前記内側領域に形成される連絡部(渡り部36)、及び前記連絡部から延びる前記発熱体によって前記外側領域に形成される外側部分を含む外側ヒータ(外ヒータ35)と、を有し、前記連絡部における前記発熱体の幅は、前記外側部分における前記発熱体の幅よりも広いことを要旨とする。
かかる特徴によれば、外側ヒータにおいて、連絡部における発熱体の幅が、外側部分における発熱体の幅よりも広いことにより、連絡部の抵抗が外側部分よりも小さくなる。そのため、連絡部における発熱が抑制されると共に、外側部分における発熱量が増大し、均熱性が向上する。つまり、2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットにおいて、帯状の発熱体が形成するヒータパターンの最適化により、加熱面に連絡部が形成されても均熱性を確保することができるため、加熱面と発熱体を同一平面上に配置した簡易な構成にすることができる。
本発明の第2の特徴は、本発明の第1の特徴に係り、前記連絡部における前記発熱体の幅は、前記内側ヒータにおける前記発熱体の幅と等しいか、又はそれよりも狭いことを要旨とする。
本発明の第3の特徴は、本発明の第1又は第2の特徴に係り、前記発熱体は、前記加熱面上に形成された複数の溝(溝38)によって画定され、前記溝は、前記加熱面の径方向に延びる径方向溝(径方向溝39)を含み、前記内側ヒータ及び前記外側部分における前記径方向溝の各々は、異なる直線上に位置することを要旨とする。
本発明の第4の特徴は、本発明の第3の特徴に係り、前記内側ヒータ及び前記外側部分における前記発熱体は、前記加熱面の周方向に延びる帯状部(帯状部33A)と、前記帯状部を、その端部において、隣接する前記帯状部の端部と接続する接続部(接続部33B)とを含み、前記接続部は、前記帯状部と前記径方向溝との間に介在することを要旨とする。
本発明の第5の特徴は、本発明の第4の特徴に係り、前記加熱面は、複数の孔(孔40)を有し、前記接続部は、前記帯状部と前記孔との間に介在することを要旨とする。
本発明は、2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットにおいて、均熱性を向上させるという効果を奏する。
また、本発明は、上述のヒータユニットにおいて、加熱面と発熱体とを同一平面上に配置した簡易な構成にするという効果を奏する。
図1は、従来技術に係るヒータユニットの平面図である。 図2は、図1とは異なる従来技術に係るヒータユニットの平面図である。 図3は、本発明の実施形態に係るヒータユニットの平面図である。 図4は、図2及び図3に示すヒータユニットにおける温度分布図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なのものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることを留意すべきである。従って、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
図1は、従来技術に係るヒータユニットの平面図である。図1に示すヒータユニット10は、2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットであり、加熱面と発熱体とが異なる平面上に配置されている。ヒータユニット10は、略円形の加熱面11によって、ウェハを保持する。ヒータユニット10は、加熱面11の中央部に4つの電極12が接続し、2つの電極12を結ぶ抵抗発熱体13が内ヒータ14を形成し、他の2つの電極12を結ぶ抵抗発熱体13が外ヒータ15を形成する。
外ヒータ15の抵抗発熱体13は、電極12から径方向外側に向かって延びる渡り部16を含む。また、抵抗発熱体13は、加熱面11を概ね周方向に延びるが、渡り部16と当接する位置において、折り返して反対方向に向かう折返し部17が形成される。抵抗発熱体13の渡り部16や折返し部17では温度制御が困難であり、均熱性の問題が生じる。
図2は、図1とは異なる従来技術に係るヒータユニットの平面図である。図2に示すヒータユニット20は、2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットである。図1に示すヒータユニット10と異なり、図2に示すヒータユニット20は、ウェハを保持する略円形の加熱面21自体が、熱源(例えば、電極)と接続されることによって発熱する。加熱面21には、複数の溝28が形成されることによって、帯状の発熱体23が画定される。帯状の発熱体23は、長さ方向に熱を伝達する。従って、図2に示すヒータユニット20は、図1に示すヒータユニット10とは異なり、加熱面と発熱体とが一体化しており、図1に示すヒータユニット10よりも構成が簡易で加工性に優れる。
加熱面21は、加熱面21の中心を含む中央部Cと、中央部を囲む内側領域Iと、内側領域を囲む外側領域Oとに区分される。内側領域Iの外周は、加熱面21より小径の同心円であるが、内側領域Iの径は任意に定めることができる。ヒータユニット20は、加熱面21の中央部Cで複数の電極22と接続する。
加熱面21は、内ヒータ24と、外ヒータ25とに区分される。内ヒータ24は、中央部Cから延びる発熱体23によって内側領域Iに形成される。外ヒータ25は、中央部Cから径方向外側に延びる発熱体23によって内側領域Iに形成される渡り部26と、渡り部26から延びる発熱体23によって外側領域Oに形成される外側部分27とを含む。
内ヒータ24及び外ヒータ25には、中央部Cから延びる帯状の発熱体23が一筆書き状に連続したパターンが形成されている。内ヒータ24の発熱体23は、外ヒータ25の渡り部26と当接する位置で折り返すことによって、内ヒータ24をC形の形状に形成する。これにより、電極22と接続する中央部Cで生じた熱が、発熱体23を介して内ヒータ24全域に伝達される。外ヒータ25の発熱体23は、中央部Cから渡り部26を介して外側領域Oに至り、外側領域Oにおいて円環状の外側部分27を形成する。これにより、電極22と接続する中央部Cで生じた熱が、渡り部26の発熱体23を介して外側部分27まで伝達され、外ヒータ25全域に伝達される。
ここで、発熱体23の幅は、内ヒータ24及び外ヒータ25の外側部分27において、概ね等しく形成され、外ヒータ25の連絡部26において、それよりも狭く形成されている。
加熱面21には、複数の孔40が形成される。孔40は、支柱やリフトピン、熱電対等の部材を通し、保持するために用いられる。発熱体23は、孔40に当接する位置において、孔40の周囲を迂回するように形成される。そのため、発熱体23の幅は、孔40の周囲において、部分的に狭く形成されている。
なお、加熱面21は、高純度の炭化ケイ素焼結体から形成される。高純度の炭化ケイ素焼結体は、高純度の炭化ケイ素粉末を用いることによって製造することができる。高純度の炭化ケイ素粉末は、例えば、ケイ素化合物(ケイ素源)と、加熱により炭素を発生する有機材料と、Z重合触媒又は架橋触媒とを混合し、得られた固形物を非酸化性雰囲気中で焼成することにより製造することができる。また、非金属発熱体である炭化ケイ素焼結体は、熱伝導率が高く、金属導線を埋め込んだ発熱体と比較して単位面積あたりの発熱量が大きいため、効率的にウェハを加熱することができる。
図3は、本発明の実施形態に係るヒータユニットの平面図である。図3に示すヒータユニット30は、2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットである。図3に示すヒータユニット30は、ウェハを保持する略円形の加熱面31自体が、熱源(例えば、電極)と接続されることによって発熱する。加熱面31には、複数の溝38が形成されることによって、帯状の発熱体33が画定される。帯状の発熱体33は、長さ方向に熱を伝達する。発熱体33は、図2に示す発熱体23と同様に、高純度の炭化ケイ素焼結体から形成される。
加熱面31は、加熱面31の中心を含む中央部Cと、中央部を囲む内側領域Iと、内側領域を囲む外側領域Oとに区分される。内側領域Iの外周は、加熱面31より小径の同心円であるが、内側領域Iの径は任意に定めることができる。ヒータユニット30は、加熱面31の中央部Cで複数の電極32と接続する。
加熱面31は、内ヒータ34と、外ヒータ35とに区分される。内ヒータ34は、中央部Cから延びる発熱体33によって内側領域Iに形成される。外ヒータ35は、中央部Cから径方向外側に延びる発熱体33によって内側領域Iに形成される渡り部36と、渡り部36から延びる発熱体33によって外側領域Oに形成される外側部分37とを含む。
内ヒータ34及び外ヒータ35には、中央部Cから延びる帯状の発熱体33が一筆書き状に連続したパターンが形成されている。内ヒータ34の発熱体33は、外ヒータ35の渡り部36と当接する位置で折り返すことによって、内ヒータ34をC形の形状に形成する。これにより、電極32と接続する中央部Cで生じた熱が、発熱体33を介して内ヒータ34全域に伝達される。外ヒータ35の発熱体33は、中央部Cから渡り部36を介して外側領域Oに至り、外側領域Oにおいて円環状の外側部分37を形成する。これにより、電極32と接続する中央部Cで生じた熱が、渡り部36の発熱体33を介して外側部分37まで伝達され、外ヒータ35全域に伝達される。
ここで、外ヒータ35において、連絡部36における発熱体33の幅は、外側部分37における発熱体33の幅よりも広く形成されている。
好ましくは、渡り部36における発熱体33の幅は、内ヒータ34における発熱体33の幅と同幅か、又は、それよりも狭く形成されている。
内ヒータ34及び外ヒータ25の外側部分37において、溝38は、径方向に延びる複数の径方向溝39を含む。径方向溝39の各々は、異なる直線上に位置する。
発熱体33は、加熱面31の周方向に延びる帯状部33Aと、帯状部33Aを、その端部において、隣接する帯状部33Aの端部と接続する接続部33Bとを含む。接続部33Bが帯状部33Aと径方向溝39との間に介在することにより、概ね周方向に延びる発熱体33が、径方向溝39と当接する位置で折り返され、反対方向に向かうこれにより、内ヒータ34及び外ヒータ35において、中央部Cから延びる帯状の発熱体33が一筆書き状に連続したパターンが形成される。
加熱面31には、図2に示す加熱面21と同様に、複数の孔40が形成される。孔40は、支柱やリフトピン、熱電対等の部材を通し、保持するために用いられる。発熱体33が孔40に当接する位置において、接続部33Bが帯状部33Aと孔40との間に介在する。
発熱体33の抵抗は、原則として、発熱体33の幅に反比例する。そのため、図2に示すヒータユニット20では、内ヒータ24及び渡り部26の発熱が顕著で、均熱性が悪化していた。しかし、図3に示すヒータユニット30では、渡り部36における発熱体33の幅が、外ヒータ35の外側部分37における発熱体33の幅よりも広く構成される。これにより、渡り部36の抵抗が外側部分37の抵抗よりも小さくなるため、渡り部36における発熱が抑制されると共に、外側部分37における発熱が増大する。その結果、外ヒータ25(特に、外側部分37)における熱引きや、渡り部26のホットスポット化が防止され、均熱性が向上する。つまり、ヒータユニット30は、2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットでありながらも、加熱面と発熱体と一体化した簡易な構成としつつ、均熱性を向上させることができる。
また、ヒータユニット30では、径方向溝39の各々が同一直線上に位置しないことから、径方向溝39の周囲において発熱体33の帯状部33Aの端部を接続する接続部33Bが位置をずらして配置される。そのため、加熱面31における温度分布の偏りが防止され、均熱性が向上する。さらに、加熱面31にかかる応力が分散され、ヒータユニット30の取扱い性が向上する。
また、ヒータユニット30では、接続部33Bが帯状部33Aと孔40との間に介在する。図2に示すヒータユニット20では、孔40の周囲において発熱体23が迂回するために幅が狭まり、発熱が増大する傾向があったが、図3に示すヒータユニット30では、孔40の周囲において発熱体33を折り返すことにより、発熱の増大を抑制し、均熱性を確保することができる。
次に、本発明の効果を更に明確にするために、実施例及び従来例に係るヒータユニットについて、CAE(熱流体解析)によるシミュレーションを実施した。ここで、実施例に係るヒータユニットは、図3に示すヒータユニット30とし、従来例に係るヒータユニットは、図2に示すヒータユニット20とした。ウェハの平均温度を600℃として制御したときの、各ヒータユニットの均熱性の計算結果を表1に示す。なお、本発明は、これらの例によって何ら限定されるものではない。
Figure 2014099313
均熱性は、各ヒータユニットの加熱面における温度分布をCAEによって算出し、算出された温度の最大値と最小値との差を2で割り、ウェハの平均温度に対する百分率で示した。この数値が低いほど、温度分布が均一であり、均熱性が高いことを意味する。
表1からわかるように、実施例に係るヒータユニットは、従来例よりも均熱性が大幅に向上したことが確認された。
図4は、図2及び図3に示すヒータユニットにおける温度分布図である。図4に示す温度分布図において、図2及び図3が示すヒータユニットにおける加熱面の中心を原点とし、水平方向をX軸、垂直方向をY軸とした。また、加熱面を、原点を中心とする半径1の円とした。従って、渡り部は、X軸上において0〜−1.0の範囲に位置する。
まず、図4(a)を参照して、従来例に係るヒータユニット、すなわち、図2に示すヒータユニット20の温度分布を検証する。図4(a)からわかるように、Y軸上の温度は、正方向の温度分布と負方向の温度分布とが概ね等しいパターンを示した。すなわち、Y軸上では、加熱面の中心から径方向外側に向かって、温度が上昇し、±0.5付近でピークに達した後、温度が下降した。X軸上では、正方向の温度分布と負方向の温度分布とに顕著な相違が見られた。X軸上では、渡り部26が位置する0〜−1.0の範囲において温度上昇が見られ、−0.5付近でピークに達した。一方、渡り部26の反対側である0〜+1.0の範囲では、ほとんど温度が上昇せず、中心から離れるにつれて温度低下が見られた。従って、従来例に係るヒータユニットでは、渡り部において温度分布の偏りが生じ、加熱面上にホットスポット及びコールドスポットの発生が確認された。
次に、図4(b)を参照して、実施例に係るヒータユニット、すなわち、図3に示すヒータユニット30の温度分布を検証する。Y軸上の温度は、正方向の温度分布と負方向の温度分布とが概ね等しいパターンを示し、従来例係るヒータユニットと同様の結果となった。X軸上では、渡り部36が位置する0〜−1.0の範囲においては、図4(a)よりも加熱面の中心との温度差が小さく、発熱の抑制が確認された。X軸の0〜+1.0の範囲では、若干の温度上昇が見られたが、Y軸の温度分布とほぼ同程度であった。すなわち、実施例に係るヒータユニットでは、渡り部における温度分布の偏りが解消され、従来例に係るヒータユニットよりも均熱性が向上したことが確認された。
以上のように、本発明は、2ゾーン制御でT型構造のヒータユニットにおける均熱性の向上に利用することができる。
10,20,30 ヒータユニット
11,21,31 加熱面
12,22,32 電極
13,23,33 発熱体
14,24,34 内ヒータ
15,25,35 外ヒータ
16,26,36 渡り部
17 折返し部
27,37 外側部分
28,38 溝
33A 帯状部
33B 接続部
39 径方向に延びる溝
40 孔
C 中央部
I 内側領域
O 外側領域

Claims (5)

  1. 帯状の発熱体によって形成される略円形状の加熱面を備えるヒータユニットであって、
    前記加熱面は、前記加熱面の中心を含む中央部と、前記中央部を囲む内側領域と、前記内側領域を囲む外側領域とを含み、
    前記加熱面は、
    前記中央部から延びる前記発熱体によって前記内側領域に形成される内側ヒータと、
    前記中央部から径方向外側に延びる前記発熱体によって前記内側領域に形成される連絡部、及び前記連絡部から延びる前記発熱体によって前記外側領域に形成される外側部分を含む外側ヒータと、を有し、
    前記連絡部における前記発熱体の幅は、前記外側部分における前記発熱体の幅よりも広い、ヒータユニット。
  2. 前記連絡部における前記発熱体の幅は、前記内側ヒータにおける前記発熱体の幅と等しいか、又はそれよりも狭い、請求項1に記載のヒータユニット。
  3. 前記発熱体は、前記加熱面上に形成された複数の溝によって画定され、
    前記溝は、前記加熱面の径方向に延びる径方向溝を含み、
    前記内側ヒータ及び前記外側部分における前記径方向溝の各々は、異なる直線上に位置する、請求項1又は2に記載のヒータユニット。
  4. 前記内側ヒータ及び前記外側部分における前記発熱体は、
    前記加熱面の周方向に延びる帯状部と、
    前記帯状部を、その端部において、隣接する前記帯状部の端部と接続する接続部とを含み、
    前記接続部は、前記帯状部と前記径方向溝との間に介在する、請求項3に記載のヒータユニット。
  5. 前記加熱面は、複数の孔を有し、
    前記接続部は、前記帯状部と前記孔との間に介在する、請求項4に記載のヒータユニット。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016129183A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
KR20170040617A (ko) * 2015-10-05 2017-04-13 주식회사 미코 온도 편차 특성이 개선된 기판 가열 장치
CN107059112A (zh) * 2017-04-14 2017-08-18 南京晶能半导体科技有限公司 半导体级硅单晶炉底部加热器
JP2018005999A (ja) * 2016-06-27 2018-01-11 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ
WO2018159687A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 日本碍子株式会社 ウエハ加熱装置
KR20190103403A (ko) * 2017-02-28 2019-09-04 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 기판 지지 유닛 및 기판 지지 유닛을 가지는 성막장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064665A (ja) * 1996-08-23 1998-03-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 均熱セラミックスヒーター
JP2000228270A (ja) * 1998-11-30 2000-08-15 Komatsu Ltd 円盤状ヒータ及び温度制御装置
JP2003133195A (ja) * 2001-10-24 2003-05-09 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JP2007088484A (ja) * 2006-10-11 2007-04-05 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JP2008016796A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Momentive Performance Materials Inc 抵抗加熱素子用電極パターン及び基板処理装置
JP2009302223A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Soken Kogyo Kk 基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置
JP2011081939A (ja) * 2009-10-05 2011-04-21 Bridgestone Corp ヒータユニット

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064665A (ja) * 1996-08-23 1998-03-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 均熱セラミックスヒーター
JP2000228270A (ja) * 1998-11-30 2000-08-15 Komatsu Ltd 円盤状ヒータ及び温度制御装置
JP2003133195A (ja) * 2001-10-24 2003-05-09 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JP2008016796A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Momentive Performance Materials Inc 抵抗加熱素子用電極パターン及び基板処理装置
JP2007088484A (ja) * 2006-10-11 2007-04-05 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JP2009302223A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Soken Kogyo Kk 基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置
JP2011081939A (ja) * 2009-10-05 2011-04-21 Bridgestone Corp ヒータユニット

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016129183A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US11133202B2 (en) 2015-10-05 2021-09-28 Mico Ceramics Ltd. Substrate heating apparatus with enhanced temperature uniformity characteristic
KR20170040617A (ko) * 2015-10-05 2017-04-13 주식회사 미코 온도 편차 특성이 개선된 기판 가열 장치
KR102348108B1 (ko) * 2015-10-05 2022-01-10 주식회사 미코세라믹스 온도 편차 특성이 개선된 기판 가열 장치
JP2018537802A (ja) * 2015-10-05 2018-12-20 ミコ リミテッド 温度偏差特性が改善された基板加熱装置
JP2018005999A (ja) * 2016-06-27 2018-01-11 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ
KR20190103403A (ko) * 2017-02-28 2019-09-04 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 기판 지지 유닛 및 기판 지지 유닛을 가지는 성막장치
US11201040B2 (en) 2017-02-28 2021-12-14 Nhk Spring Co., Ltd. Substrate supporting unit and film forming device having the substrate supporting unit
KR102329130B1 (ko) 2017-02-28 2021-11-19 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 기판 지지 유닛 및 기판 지지 유닛을 가지는 성막장치
WO2018159687A1 (ja) * 2017-03-02 2018-09-07 日本碍子株式会社 ウエハ加熱装置
KR102276102B1 (ko) * 2017-03-02 2021-07-13 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 가열 장치
TWI745556B (zh) * 2017-03-02 2021-11-11 日商日本碍子股份有限公司 晶圓加熱裝置
CN110352626A (zh) * 2017-03-02 2019-10-18 日本碍子株式会社 晶圆加热装置
KR20190112789A (ko) * 2017-03-02 2019-10-07 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 가열 장치
US11515180B2 (en) 2017-03-02 2022-11-29 Ngk Insulators, Ltd. Wafer-heating device
CN107059112A (zh) * 2017-04-14 2017-08-18 南京晶能半导体科技有限公司 半导体级硅单晶炉底部加热器
CN107059112B (zh) * 2017-04-14 2023-12-08 南京晶能半导体科技有限公司 半导体级硅单晶炉底部加热器

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