KR100867776B1 - 에지 증착을 방지하는 방법 및 장치 - Google Patents

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토마스 에이. 마다르
살바도르 유모토이
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로렌스 씨. 레이
안즈홍 앤드류 창
지아오지옹 존 유안
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Abstract

기판 지지체는 제거가능한 에지 링을 가지는데, 에지 링은 제공되는 기판 지지체의 열팽창 계수보다 낮은 열팽창 계수(CTE)를 가지는 재료로 제조된다. 에지 링 및 기판 지지체는 핀 및 슬롯 결합을 위하여 구성된다. 특히, 에지 링 또는 기판 지지체는 다수의 핀을 포함하며, 다른 에지 링 또는 기판 지지체는 핀이 삽입될 수 있는 다수의 중공 영역 또는 슬롯을 포함한다. 슬롯은 적어도 다수의 핀들중 대응하는 하나의 핀만큼 넓으며 열 순환 동안 팽창 및 수축한다. 각각의 슬롯은 장치가 노출되는 공정 온도의 범위에 걸쳐, 기판 지지체의 CTE와 에지 링의 CTE 사이의 차이를 보상하기 위한 충분한 길이로 연장된다. 서셉터는 알루미늄으로 제조되며 에지 링은 세라믹으로 제조되는 것이 바람직하다. 제한 갭은 기판 지지체상에 배치되는 기판의 에지로 유동하는 퍼지 가스의 용적을 제한하기 위하여 기판 지지체의 표면과 퍼지 링의 표면 사이에서 형성될 수 있다. 퍼지 가스 전달 채널은 노출된 배출구를 가질 수 있으며 세척을 용이하게 하기 위하여 상방으로 각도가 형성될 수 있다.

Description

에지 증착을 방지하는 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING EDGE DEPOSITION}
도 1은 본 발명의 서셉터의 제 1 양태에 따른 분해 사시도.
도 2는 본 발명의 서셉터의 제 1 양태에 따른 관련 부분의 측면도.
도 3은 본 발명의 서셉터의 제 2 양태에 따른 관련 부분의 측면도.
도 4는 본 발명의 서셉터의 제 3 양태에 따른 관련 부분의 측면도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 서셉터의 제 4 양태에 따른 관련 부분의 측면도.
도 6은 본 발명의 서셉터의 제 5 양태에 따른 관련 부분의 측면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11a,11b,11c,11d : 서셉터 13 : 기판 지지체
15 : 퍼지 링 17 : 슬롯
19 : 핀 21 : 패드
23 : 가이드 핀 25 : 가스 전달 채널
27 : 가스 분배 채널 29 : 퍼지 슬롯
O : 오리피스 R : 제한 갭
W : 웨이퍼
본 발명은 기판의 에지 및 후면 상에 공정 가스의 증착을 보다 균일하게 방지하며 세척이 용이한 개선된 서셉터에 관한 것이다.
화학적 기상 증착(CVD)은 반도체 기판상에 재료의 박막을 증착하기 위하여 이용되는 다수의 공정중 하나의 공정이다. CVD를 이용하여 기판을 처리하기 위하여, 진공 챔버는 기판을 수용하도록 구성된 서셉터(susceptor)가 제공된다. 통상적인 CVD 챔버에서, 기판은 로봇 블레이드에 의하여 CVD 챔버내에 놓이며 로봇 블레이드에 의하여 CVD 챔버로부터 제거되며 서셉터에 의해 처리과정 동안 지지된다. 전구체 가스는 기판 상에 설치된 가스 매니폴드 플레이트를 통하여 진공 챔버내로 충전되는데, 기판은 일반적으로 250 ℃ 내지 650 ℃의 범위의 처리 온도로 가열된다. 전구체 가스가 가열된 기판 표면 상에서 반응하여 기판 표면 상에 박막층이 증착되며 챔버 배기 시스템을 통하여 펌핑되는 휘발성의 부산물 가스가 형성된다.
기판 처리의 주목적은 최대 유효 표면적을 얻는 것으로, 결과적으로는 각각의 기판으로부터 가능한 많은 칩을 얻기 위한 것이다. 이는 처리될 기판 상에서 에지 제외부가 제로가 되도록, 즉 웨이퍼 에지를 포함하여 기판 표면의 부분이 폐기되지 않기를 원하는, 최근 반도체 칩 제조자들에 의한 요구조건에 따라 주목되고 있다. 고려되는 소정의 중요한 요인은 기판상에 증착되는 층의 두께 및 균일성에 영향을 미치는 처리 변수, 및 기판에 부착되어 기판 전체 또는 일부를 쓸모없게 만 드는 오염물을 포함한다. 이러한 두 가지 요인은 처리되는 각각의 기판에 대하여 유효 표면 영역이 최대화되도록 제어되어야 한다.
챔버내의 입자 오염의 원인 중 하나는 기판의 후면 상에 또는 에지에서의 재료의 증착이다. 기판 에지는 통상적으로 경사져있어, 이들 표면에 대한 증착 제어를 어렵게 만든다. 그러므로 기판 에지에서의 증착이 불균일할 수 있다. 부가적으로 금속이 증착될 경우, 금속은 실리콘에 부착되는 것보다 유전체에 어렵게 부착되는 경향이 있다. 웨이퍼의 유전체 층이 경사지게 연장되지 않는 경우, 금속은 실리콘 경사면 상에 증착될 수 있으며, 박편화가 야기될 수 있다. 이는 증착되는 층이 기판 에지 및 결국 칩에 적절하게 부착되지 않게 하거나 또는 챔버에 원치않는 입자를 발생시키는 박편화를 유도할 수 있다.
부가적으로, 화학적 기계적 연마는 종종 텅스텐 또는 다른 금속으로 코팅된 기판의 표면을 평탄하게 하기 위하여 종종 이용된다. 연마 작용은 에지 및 후면의 임의의 증착물이 원치 않는 입자를 생성하고 및 박편화를 야기하게 한다. 처리 공정 동안 기판 에지 상에 공정 가스의 증착을 제어하기 위한 많은 방안이 적용되었다. 이러한 방안중 하나는 본질적으로 공정 가스로부터 기판 주변부의 일부를 만들어, 기판의 전체 유효 표면 영역을 감소시키는 새도우 링(shadow ring)을 사용한다. 에지 제외부 제로를 위한 현재 요구의 견지에서, 이 방법은 덜 바람직하다.
또 다른 방안은 기판의 에지를 따라 퍼지 가스를 전달하기 위해 기판의 에지 부근에서 퍼지 링을 사용하여 에지 증착을 방지하는 것이다. 퍼지 가스는 증착 가스가 기판에 도달하는 것을 방지하거나 제한함으로써 웨이퍼의 경사진 에지 상에서 의 증착을 방지한다. 세 번째 방안은 웨이퍼의 에지 양단에 퍼지 가스를 유도하기 위해 기판의 에지에 인접한 퍼지 가스 주입구 및 배출구를 갖춘 퍼지 가스 챔버를 형성하기 위해 셔터 링과 퍼지 링을 조합하여 사용하는 것이다.
웨이퍼는 통상적으로 퍼지 링 바로 안쪽(방사상)에 장착되어 이들 사이에 갭을 갖는다. 통상적으로 퍼지 링은 알루미늄으로 제조되며 처리공정 동안 퍼지 링이 변형되는 것을 방지하기 위하여 기판 지지체에 용접된다. 그러나 CVD 처리 챔버내에서 발생하는 열적 순환 동안, 알루미늄 링이 변형되어, 링 형상의 보존이 이루어지지 않아 웨이퍼의 에지 상에 입자의 증착을 방지하는 능력이 손상된다. 이것은 갭의 크기를 변화시킬 수 있으며, 웨이퍼의 에지 양단에 불균일한 증착을 초래한다. 알루미늄 링이 팽창되고 수축됨에 따라, 알루미늄 링 상의 재료는 박편화되어 웨이퍼를 오염시킬 수 있는 입자를 발생시킨다.
또한, 링이 차폐(shadowing)를 위해, 특히 정화를 위해 효과적으로 작용하도록 하기 위하여, 링은 갭을 변형시키거나 웨이퍼 상에서 박편화되어 증착될 수 있는 증착 재료를 제거하기 위하여 자주 세척되어야 한다. 이러한 세척은 챔버 중단시간을 증가시키며, 작업 처리량을 감소시키며 더 높은 작업 비용을 초래한다. 따라서 에지 증착을 확실히 방지하며 용이하게 세척될 수 있는 개선된 서셉터에 대한 가 요구된다.
본 발명은 기판 지지체의 열팽창 계수보다 낮은 열팽창 계수(CTE)를 가지는 재료로 제조된 제거가능한 에지 링을 가지는 기판 지지체를 제공함으로써 종래기술 의 문제점을 극복하기 위한 것이다. 에지 링 및 기판 지지체는 핀 및 슬롯 결합을 위해 구성된다.
특히, 에지 링 또는 기판 지지체는 다수의 핀을 포함하며, 에지 링 또는 기판 지지체의 나머지 부분은 핀이 삽입될 수 있는 다수의 중공 영역 또는 슬롯을 포함한다. 슬롯은 적어도 다수의 핀들 중 대응하는 핀 만큼 넓으며 열적 순환동안 기판 지지체가 팽창 및 수축하는 방향으로 연장된다. 각각의 슬롯은 장치가 노출되는 공정 온도의 범위에 따라, 기판 지지체의 CTE와 에지 링의 CTE 사이의 차이를 보상하기에 충분한 길이로 연장된다. 서셉터는 알루미늄으로 제조하며 에지 링은 세라믹으로 제조하는 것이 바람직하다.
서셉터의 성능은 각각의 다수의 핀들을 단열 패드로 둘러싸고, 각각의 슬롯이 다수의 핀들중 하나의 대응하는 핀의 길이보다 더 큰 깊이를 가지는 것을 보장함으로서 더욱 개선되어, 단열 패드의 이용으로 기판 지지체로부터 핀과 에지 링 모두가 단열된다.
에지 링은 새도우 링 및/또는 퍼지 링 타입일 수 있다. 기판 지지체는 퍼지 링 및/또는 퍼지 가스 채널을 포함할 수 있다. 기판 지지 표면 주위로 방사상 이격되며 기판 지지 표면에 대해 방사상 외측 방향으로 연장되는 3개의 슬롯과 접촉하는 3개의 핀이 현재로서 바람직하다.
본 발명의 에지 링은 에지 링의 비교적 낮은 CTE, 및 에지 링과 기판 지지체 사이의 핀과 슬롯의 결합으로 인해 변형되지 않는다. 또한, 핀 및 슬롯 결합은 에지 링의 세척을 위하여 신속하고 용이하게 제거되는 것을 가능케 함으로써 챔버의 정지 시간을 감소시킨다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 장점은 바람직한 실시예 및 첨부된 도면의 후술되는 상세한 설명으로부터 더욱 명백하게 된다.
도 1은 본 발명의 서셉터(11a)의 제 1 양태의 분해 사시도이다. 서셉터(11a)는 퍼지 링(15)과 같은 에지 링과 핀 및 슬롯을 결합시키도록 조작된 기판 지지체(13)를 포함한다. 특히, 기판 지지체(13)는 기판 지지체(13)의 상부면으로부터 상향 연장되는 3개의 핀(19a 내지 19c)을 포함한다. 퍼지 링(15)의 바닥면은 3개의 핀(19a 내지 19c)과 접촉하도록 위치된 3개의 중공 영역 또는 슬롯(17)을 포함한다. 기판 지지체(13)는 중앙 웨이퍼 지지 표면(13a)을 포함하며, 3개의 핀(19)은 기판 지지 표면(13a) 둘레에 방사상 동일 간격으로 이격된다. 각각의 슬롯(17)은 적어도 대응하는 핀(19) 만큼 넓으며, 열적 순환 동안 기판 지지체가 팽창 및 수축되는 방향으로, 기판 지지 표면(13a)의 중앙에서 방사상 바깥방향으로 연장된다.
기판 지지체(13)는 종래와 같이 알루미늄과 같은 금속으로 제조하는 것이 바람직하다. 퍼지 링(15)은 기판 지지 재료의 CTE보다 낮은 CTE를 가지는 재료로 제조하는 것이 바람직하다. 퍼지 링은 세라믹으로 제조되는 것이 바람직하다. 슬롯(17)은 서셉터(11a)가 노출되는 공정 온도 범위에 따라, 기판 지지 재료의 CTE와 퍼지 링 재료의 CTE 사이의 차이를 충분히 보상하는 길이로 연장된다. 도 2를 참조로 하기 설명되는 바와 같이, 기판 지지체(13)와 퍼지 링(15) 사이의 단열을 달 성하기 위해, 각각의 핀(19)은 단열 재료로 제조된 패드(21)에 의하여 둘러싸이는 것이 바람직하다. 패드(21)는 바람직하게 고도로 연마된 세라믹으로 제조되며 입자 발생을 최소화시키면서 퍼지 링(15)이 패드를 따라 용이하게 슬라이드되게 허용한다. 1998년 6월 24일에 출원된 미국 특허 출원 제 09/103,462호(본 명세서에서 전체적으로 참조되는)에 공개된 바와 같이, 퍼지 링(15)은 정확한 웨이퍼 배치를 용이하게 하기 위하여 다수의 웨이퍼 가이드 핀(23)을 더 포함할 수 있다.
도 2는 상부에 웨이퍼(W)가 배치된 본 발명의 서셉터(11a)의 제 1 양태의 관련된 부분의 측면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지체(13), 퍼지 링(15) 및 슬롯(17)은 패드(21)의 이용과 함께, 기판 지지체(13)와 퍼지 링(15) 사이에 직접적인 접촉이 존재하지 않도록 형성된다. 금속 기판 지지체(13)로부터 퍼지 링(15)을 단열시킴으로써, 퍼지 링(15)이 통상적으로 더 높은 온도 기판 지지체(13)와 직접적으로 접촉하는 경우 발생하는 열 응력보다 적은 열 응력이 퍼지 링(15)에 작용한다. 또한 도 2에 도시된 바와 같이, 슬롯(17)은 핀(19)을 경유하는 기판 지지체(13)로부터 퍼지 링(15)으로의 열 전도를 감소시키기 위하여 핀(19)의 길이보다 더 큰 깊이를 가진다.
슬롯(17)은 기판 지지 표면(13)의 중심부를 기준으로 방사상 바깥방향으로 연장되며, 바람직하게는 각각의 핀(19)보다 각각 약간 더 넓어 슬롯(17)과 핀(19) 쌍 사이의 여유공간(clearance)에 대해 요구되는 간격보다 큰 열 순환 유도 팽창 및 수축의 결과로서 퍼지 링(15)이 측방으로 이동하는 것을 방지한다. 이러한 방식에서, 핀은 회전 정렬을 제공한다.
기판 지지체(13)는 퍼지 가스 전달 채널(25), 및 확산 링(13b)을 포함하는며, 확산 링(13b)은 확산 링(13b)의 내부 에지와 기판 지지체(13)의 외부 에지에 의하여 한정된 퍼지 가스 분배 채널(27) 및 퍼지 링(15)의 하부 에지로 확산 링(13b)에 형성된 다수의 소형 오리피스(O)를 통해 퍼지 가스 전달 채널(25)로부터 퍼지 가스와 결합된다.
동작시, 웨이퍼(W)는 웨이퍼(W)의 에지가 퍼지 슬롯(29)의 배출구에 인접하여 배치되도록 웨이퍼 지지 표면(13a) 상에 배치된다. 이런 방식으로 퍼지 가스가 웨이퍼(W)의 에지를 따라 퍼지 슬롯(29)을 통하여 상향으로 흐름에 따라, 웨이퍼의 에지상의 증착이 방지된다. 증착을 가능하게 하기 위하여, 서셉터는 통상적으로 서셉터의 하부에 접촉되거나 매립된 가열 코일에 의하여 350 ℃ 내지 475 ℃의 범위의 온도로 가열된다. 그러나 챔버 보수 또는 세척을 위하여, 서셉터는 통상적으로 대기 온도로 다시 냉각된다.
이러한 온도 변화는 기판 지지체 및 퍼지 링을 포함하는 챔버 부품의 열팽창 및 수축을 발생시킨다. CVD 공정 동안 발생하는 열 순환, 및 기판 지지체(13) 및 확산 링(13b)의 팽창 및 수축의 결과에도 불구하고, 핀과 슬롯 결합에 의하여, 온도가 변화할 때 기판 지지체(핀은 기판 지지체를 지지한다.)가 방사상 이동할 수 있기 때문에 열적으로 유도된 응력은 퍼지 링에 작용하지 않는다. 퍼지 링과 웨이퍼 사이의 갭의 열적으로 유도된 임의의 팽창은 중요하지 않다. 따라서 에지 증착은 더욱 균일하게 확실하게 방지된다. 더욱이, 퍼지 링(15)은 루틴 세척 또는 대체를 위하여 핀(19)으로부터 용이하게 상승된다. 따라서 정지시간이 최소화된다.
도 3은 본 발명의 서셉터의 제 2 양태의 관련 부분의 측면도이다. 도 3의 본 발명의 서셉터(11b)는 도 2의 기판 지지체(13)가 확산 링(13b)을 포함하지 않는다는 것을 제외하고 도 2의 서셉터(11a)에 유사하다. 퍼지 가스 전달 채널(25) 대신 퍼지 가스 분배 채널(27)로 퍼지 가스를 전달하는데, 퍼지 가스 분배 채널(27)은 더욱 좁게 형성된 퍼지 가스 슬롯(29)처럼 퍼지 링(15)의 내부 에지 및 기판 지지체(13)의 외부 에지에 의하여 형성된다. 도 3의 실시예는 더 적은 부품을 요구하며 오리피스(O; 도 1)를 제한 갭(R)으로 교체된다. 제한 갭(R)은 기판 지지체(13)의 수평 노치 및 퍼지 링(15)의 대응하는 수평 돌출부에 의하여 형성된다. 제한 갭(R)의 크기는 수평 노치 또는 돌출부에 대한 기판 지지체(13) 및 퍼지 링(15) 각각의 수직 크기 및 패드(21)의 두께에 의하여 결정된다. 그러므로 도 3의 실시예는 도 1 실시예의 오리피스(O)에 의하여 발생될 수 있는 막힘(clogging)을 감소시켜, 연속물의 기판 지지체 주위에 방사상 연장되는 제한 갭(R)이 다수의 오리피스(O)보다 덜 막히게 된다. 부품 수를 감소시킴으로써, 도 3 실시예는 부품들 간의 상이한 팽창 및 결과적인 입자 발생 가능성을 감소시킨다. 도 1 및 도 2 실시예와 같이, 퍼지 링(15)은 절연 패드(21) 상에 배치되며 핀(19)에 의하여 정렬된다.
도 4는 본 발명의 서셉터의 제 3 양태의 관련 부분의 측면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 서셉터(11c)의 퍼지 링(15)은 퍼지 링(15)의 바닥면으로부터 하향 연장되는 다수의 핀(19)(도면에는 하나만 도시됨)을 가진다. 핀(19)은 퍼지 링(15)내로 가압되며 패드(21)는 동일한 방식으로 핀(19)으로 고정 되거나 핀(19)과 통합될 수 있다. 작동시, 핀(19)은 기판 지지체(13) 상에 배치된 대응 슬롯(17)내로 삽입된다. 본 실시예에서 슬롯(17)은 기판 지지체(13)의 확산 링 부분(13b)에 형성된다. 그러므로, 도 4에는 핀(19)의 돌출부 및 슬롯(17)이 스위칭될 수 있고, 핀 및 슬롯 결합의 장점이 달성된다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 서셉터(11d)의 제 4 양태에 관련된 부분의 측면도이다. 도 5a 및 도 5b의 퍼지 링(15)은 퍼지 링의 내부 에지(15a)가 웨이퍼(W)의 에지 위에 걸리도록 형성된다. 그러므로, 기술분야에 공지된 바와 같이 퍼지 링(15)은 퍼지 링 및 새도우 링[웨이퍼의 에지 위에 걸리거나 새도우잉(shadowing)하는]으로서 기능한다. 도 2 및 도 3에 대하여 상술된 바와 같이, 도 5a 및 도 5b의 핀 및 슬롯 결합은 기판 지지체(13)가 퍼지/새도우 링(15)의 형상 또는 위치에 영향을 미치지 않고 팽창 및 수축하도록 한다. 도 5a에는 공정 위치의 퍼지/새도우 링(15)이 도시되며, 도 5b에는 웨이퍼 이송 위치의 퍼지/새도우 링(15)이 도시된다. 새도우 링이 웨이퍼의 에지와 중복되기 때문에, 웨이퍼(W)가 기판 지지체(13) 상에 배치되거나 또는 기판 지지체(13)로부터 수축되는 동안 새도우 링은 기판 지지체(13)(예를 들면, 챔버벽으로부터 돌출되는 행거 또는 립에 의하여) 상의 웨이퍼 이송 위치에서 통상적으로 지지된다. 웨이퍼가 기판 지지체(13) 상에 위치된 후, 기판 지지체(13)가 상승되어 하기에 보다 상세히 설명되는 것처럼 새도우 링을 립(lip)에서 기판 지지체(13)로 이송한다.
퍼지 및/또는 새도우 링이 이용되든지 간에 종래의 기판 지지체는 웨이퍼 이송 위치로 초기에 하강한다. 다음 웨이퍼 핸들러가 웨이퍼를 기판 지지체(13) 상 의 위치로 운반하고, 기판 지지체(13)가 상승되며 기판 지지체의 상승 핀(도시안됨)은 웨이퍼 핸들러로부터 웨이퍼를 상승시킨다. 그후 웨이퍼 핸들러는 철회되며 새도우 링이 사용되는 경우 기판 지지체(13)는 추가로 상승되어 처리 챔버(미도시)의 벽에 의해 기판 지지체(13)(도 5b) 위에서 지지되는 새도우 링을 지지체로부터 상승시킨다.
도 6은 본 발명의 서셉터의 제 5 양태의 관련 부분의 측면도이다. 본 발명의 서셉터(11e)는 세척을 위해 퍼지 가스 분배 채널(25)로의 접근이 용이하도록 구성된다. 특히, 핀(19)(또는 다른 일 실시예에서의 슬롯(17))이 위치하는 기판 지지체(13)의 표면은 퍼지 가스 분배 채널(25)의 배출구 아래에 있다. 그러므로, 퍼지 및/또는 새도우 링(15)이 기판 지지체(13)로부터 제거될 때, 가스 분배 채널의 배출구가 노출된다. 세척을 더욱 용이하게 하기 위하여, 도 6에 도시된 바와 같이, 퍼지 가스 분배 채널(25)은 상향으로 각을 이룰 수 있다(0°내지 30°사이가 바람직하다).
상술된 설명으로부터 명백한 바와 같이, 1998년 6월 24일에 출원되고 일반 양도된 미국 특허 출원 제 09/103,462호(본 명세서에서 첨부된)에서 설명된 바와 같이, 도 1 내지 도 5의 본 발명의 서셉터를 적용할 때, 종래의 증착 챔버(CVD, PVD 등)에 비교된 바와 같이 우수한 에지 증착 방지 및 증가된 작업 처리량을 제공한다.
전술된 설명은 본 발명의 바람직한 실시예만을 공개하며 본 발명의 범주내에 있는 상기에 공개된 장치 및 방법의 변형은 기술분야의 일반 기술자에게 매우 명백하다. 예를 들면, 본 발명의 서셉터는 핀이 기판 지지체 또는 링상에 배치되는지 간에 임의의 타입의 에지 링(퍼지 및/또는 새도우) 사이의 핀 및 슬롯 결합을 포함한다. 비록 각각의 도면이 단열 패드의 이용을 나타내지만 상기 패드는 선택적인 것이다. 또한, 가열 부재는 종래에 공지된 바와 같이 서셉터내에 포함될 수 있다. 또한 종래에 공지된 바와 같이, 본 발명의 다양한 실시예의 가스 전달 채널(25)의 각각은 가스 전달 채널(25)(도면의 각각에 도시된 바와 같이)의 개구부 아래로 소정 연장되는 퍼지 가스 분배 채널(27)내로 바람직하게 개방되어, 퍼지 슬롯(29)에 대한 퍼지 가스의 더욱 균일한 분배를 보장하는 버퍼 채널(buffer chanel)이 형성된다.
핀 및 슬롯이란 용어는 도시된 직선 핀 및 슬롯이 아닌 다른 모양(예를 들면, 직사각형 키, 등)을 포함하는 것으로 넓게 해석된다. 또한, 퍼지 또는 퍼지/새도우 링은 핀 및 슬롯 결합이 아닌 다른 메카니즘에 의하여 기판 지지체에 유용하게 제거가능하게 결합된다. 임의의 제거가능하게 결합된 퍼지 링은 퍼지 가스 전달 채널의 노출된 배출구 및 상향 각진 퍼지 가스 전달 채널로부터 장점을 가진다. 유사하게 서셉터가 제거가능하게 결합된 퍼지 링을 가지든 가지지 않든 간에 서셉터는 기판 지지체와 퍼지 링사이의 제한 갭을 가지는 퍼지 가스 분배 채널의 형성으로부터 장점을 가진다. 그러므로, 본 발명의 이러한 특징은 핀 및 슬롯 결합 또는 제거가능하게 결합된 퍼지 링으로 제한되지 않는다.
따라서, 본 발명이 바람직한 실시예와 관련하여 공개되었지만, 다음의 청구범위에 의하여 한정되는 바와 같이, 본 발명의 사상 및 범주내에 있는 것으로 이해 되어야 한다.
본 발명은 기판 지지체의 열팽창 계수보다 낮은 열팽창 계수를 가지는 재료로 제조된 제거가능한 에지 링을 가지는 기판 지지체를 제공함으로써 에지 증착을 확실히 방지하며 용이하게 세척될 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 퍼지 가스 전달 채널을 가진 기판 지지체;
    상기 기판 지지체에 연결된 퍼지 링; 및
    상기 기판 지지체와 상기 퍼지 링 사이에 형성되어 있으며, 제한 갭을 가지는 퍼지 가스 분배 채널
    을 포함하며, 상기 제한 갭은 상기 퍼지 가스 분배 채널을 통해 상기 퍼지 가스 전달 체널로부터 상기 기판 지지체에 의해 지지된 기판의 에지로 흐르는 퍼지 가스량(volume of purge gas)을 제한하도록 구성되며,
    상기 퍼지 링 및 상기 기판 지지체는 적어도 하나의 핀 및 슬롯을 통해 결합되며 단열 패드가 상기 핀을 둘러싸는 기판 지지 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지체는 수평 노치를 가지며 상기 퍼지 링은 제한 갭을 한정하는 대응 수평 돌출부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 지지 시스템.
  3. 삭제
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 퍼지 링과 상기 기판 지지체는 제거가능하게 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 지지 시스템.
  5. 삭제
  6. 퍼지 링; 및
    출구를 포함하는 퍼지 가스 전달 채널 및 상기 퍼지 링에 제거가능하게 결합되도록 구성된 표면을 가진 기판 지지체
    를 포함하며, 상기 퍼지 링 및 상기 기판 지지체는 적어도 하나의 핀 및 슬롯을 통해 결합되며 단열 패드가 상기 핀을 둘러싸는 기판 지지 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제거가능하게 결합되도록 구성된 표면은 상기 퍼지 가스 전달 채널의 출구 아래에 있는 것을 특징으로 하는 기판 지지 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제거가능하게 결합되도록 구성된 표면은 핀 및 슬롯이 결합하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 시스템.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 퍼지 가스 전달 채널은 상기 출구의 방향으로 상향 각진 것을 특징으로 하는 기판 지지 시스템.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 퍼지 가스 전달 채널은 상기 출구의 방향으로 상향 각진 것을 특징으로 하는 기판 지지 시스템.
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