JP2001203163A - 端部の堆積を防止する方法及びその装置 - Google Patents

端部の堆積を防止する方法及びその装置

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 端部の堆積を確実に防止でき、容易に洗浄可
能な改善したサセプタを提供する。 【解決手段】 取外し可能な端部リングは基板支持１３
より小さい熱膨張係数（ＣＴＥ）の材料製である。端部
リング及び基板支持はピン１９ａ〜ｃ及びスロット１７
ａ〜ｃ結合のために構成されている。端部リング又は基
板支持の一方、及び他方は複数の中空領域又はスロット
を備え、ピンが挿入されてもよい。スロットは少なくと
も複数のピンの対応するものと同様で、熱サイクルの
間、基板支持が膨張すると共に収縮する方向に延びる。
好ましくは、サセプタ１１ａはアルミニウム製であり、
端部リングはセラミック製である。リストリクターの間
隙は基板支持の表面とパージリング１５の表面の間に形
成されてもよく、基板支持に配置された基板の端部に流
れるパージガスの量を制限するようになっている。パー
ジガス放出経路は露出の出口を有し、洗浄を促進するよ
うに上方に角度を向けられていてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の端部及び後面
への処理ガスの堆積をより均一に抑制し、容易に洗浄で
きる改善したサセプタに関する。
【０００２】
【従来の技術】化学気相成長法（ＣＶＤ）は半導体基板
に材料の薄膜を堆積するために使用される多数の処理の
１つである。ＣＶＤを使用して基板を処理するため、真
空チャンバーは基板を受け取るように構成されたサセプ
ターを供給されている。通常のＣＶＤチャンバーでは、
基板はロボットブレードによりチャンバーに配置される
と共に取り除かれ、処理の間、サセプタにより支持され
る。先駆物質ガスは基板上方に置かれたガスマニホール
ド板を通って真空チャンバーに充填され、基板は、通常
約２５０℃から６５０℃の範囲の処理温度まで加熱され
る。先駆物質ガスは加熱された基板表面で反応し、そこ
に薄層を堆積し、揮発性の副産物ガスを形成し、チャン
バー排気システムを介して排出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】基板処理の主要な目的
は最大の有用な表面領域を得て、結果として、各基板か
ら可能な最大数のチップを得ることである。これは、処
理される基板の端部を排除することのない、すなわち、
ウェーハの端部を含めて基板表面の如何なる部分も無駄
にしないという半導体チップ製造業者による最近の要求
により強調されてきている。考える幾つかの重要な要因
は、基板に堆積された層の均一性及び厚さに影響を与え
る処理変数、及び基板に付着し、基板の全て又は一部分
を無用にする汚染物質を含んでいる。これらの要因の両
方は処理された各基板のための有用な表面領域を最大に
するように制御されるべきである。
【０００４】チャンバー内の粒子汚染の１つの原因は端
部又は基板の後面での材料の堆積である。通常、基板端
部は面取りされ、これらの表面上で堆積を制御するのを
困難にしている。従って、基板端部での堆積は不均一と
なることがある。さらに、金属が堆積されるところで
は、それはシリコンより異なって誘電体に付着する傾向
がある。ウェーハの誘電層が面取り部まで延びない場合
には、金属はシリコンの面取り部に堆積され、剥離を生
じさせることがある。これは、基板の端部、そして結局
はチップ又は薄片に適当に付着しない堆積層となり、チ
ャンバー内に不必要な粒子を発生させる。
【０００５】さらに、化学機械的研磨はしばしば、タン
グステン又は他の材料で被覆された基板の表面を円滑に
するために使用される。研磨の作用は端部及び後面に堆
積させ、剥離させると共に不必要な粒子を発生させる。
多数のアプローチが使用され、処理中の基板端部への処
理ガスの堆積を制御する。１つのアプローチは、基板の
外辺部の一部分を本質的に処理ガスから覆うシャドウリ
ングを使用し、基板の全体有効表面領域を減少させる。
端部を排除しないという現在の要求に照らして、この方
法は余り好ましくなくなって来ている。
【０００６】別のアプローチは、基板の端部近くのパー
ジリングを使用し、基板の端部に沿ってパージガスを放
出し、それにより端部の堆積を防止する。パージガスは
堆積ガスが基板に到達するのを制限又は防止し、従っ
て、ウェーハの面取り端部への堆積を防止する。第３の
アプローチは、シャッターリングとパージリングを組合
せて使用し、基板の端部近傍にパージガス入口及び出口
を有するパージガスチャンバーを形成し、ウェーハの端
部を渡ってパージガスを導くようになっている。
【０００７】一般的に、ウェーハはその間に間隙をあけ
てパージリングのちょうど内側（放射状に）位置してい
る。伝統的に、パージリングはアルミニウム製であり、
処理中にリングが変形するのを防止するように努力して
基板支持に溶接される。しかし、ＣＶＤ処理チャンバー
内に起こる熱サイクルの間、それにもかかわらず、アル
ミニウムリングは変形し、それらの形状の完全性は失わ
れ、そのため基板の端部に粒子が堆積するのを抑制する
能力を損なう。これは間隙の寸法を変え、ウェーハの端
部に不均一な堆積をさせる。アルミニウムリングが膨張
すると共に収縮すると、その材料は剥離し、ウェーハを
汚染する可能性のある粒子を発生させる。
【０００８】さらに、光を遮り、特にパージするために
有効に作動するリングのため、それらはしばしば洗浄さ
れ、間隙を変えたり、又は剥げ落ちてウェーハに堆積し
たりする可能性のある堆積材料を取り除かなければなら
ない。そのような洗浄はチャンバーの休止時間を増加さ
せ、スループットを減少させ、結果として稼動コストが
高くなる。従って、端部の堆積を確実に防止でき、容易
に洗浄可能な改善したサセプタの必要性がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板支持より
小さい熱膨張率（ＣＴＥ）を有する材料製の取外し可能
な端部リングを有する基板支持を供給することにより従
来技術の問題を克服する。端部リング及び基板支持はピ
ン及びスロット結合のために構成される。特に、端部リ
ング又は基板支持の一方は複数のピンを備え、端部リン
グ又は基板支持の他方はピンが挿入される複数の中空領
域又はスロットを含んでいる。スロットは少なくとも複
数のピンの対応するものと同じ広さであり、基板支持が
熱サイクルの間に膨張されると共に収縮される方向に延
びている。両方のスロットは、装置が晒される処理温度
の範囲で、基板支持のＣＴＥと端部リングのＣＴＥの差
を補償するのに十分な長さ、延びている。好ましくは、
サセプタはアルミニウム製であり、端部リングはセラミ
ック製である。
【００１０】サセプタの性能は、複数のピンのそれぞれ
を断熱パッドで取囲むことにより、そして、各スロット
が復習のピンの対応するものの長さ以上の深さを有する
ことを保証することにより、断熱パッドの使用がピンと
端部リングの両方を基板支持から断熱するようになり、
さらに改善される。
【００１１】端部リングはシャドウリング及び又はパー
ジリングタイプのいずれかであってもよい。基板支持は
パージリング及び又はパージガス経路を含んでいてもよ
い。基板支持表面の回りで放射状に間隔を空け、基板支
持表面に関して放射状外側に延びている３つのスロット
と連動している３つのピンが現在、好まれている。
【００１２】本発明の端部リングは、その比較的低いＣ
ＴＥにより、及び端部リングと基板支持の間のピン及び
スロット結合により、変形に耐える。さらに、ピン及び
スロット結合は端部リングを洗浄のため迅速且つ容易に
取り除かせ、従って、チャンバーの休止時間を減少させ
る。
【００１３】本発明の他の目的、特徴及び利点は好適な
実施例の以下の詳細な説明、添付した特許請求の範囲及
び添付図面からもっとよく明らかになるであろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は発明のサセプタ１１ａの第
１の特徴の分解斜視図である。サセプタ１１ａは基板支
持１３を備え、パージリング１５のように端部リングを
有するピン及びスロット結合に適合する。特に、基板支
持１３は基板支持１３の最上面から上方に延びる３つの
ピン１９ａ〜ｃを備えている。パージリング１５の最下
面は３つのピン１５ａ〜ｃと連動するように配置された
３つの中空領域又はスロット１７を備えている。基板支
持１３は中央ウェーハ支持表面１３ａを備え、３つのピ
ン１９は基板支持表面１３ａの回りを放射状に均等に間
隔を空けられている。それぞれのスロット１７は少なく
とも対応するピン１９と同じ広さであり、熱サイクルの
間に基板支持が膨張及び収縮する方向で、基板支持表面
１３ａの中央から放射状外側に延びている。
【００１５】好ましくは、基板支持１３は従来のように
アルミニウムのような金属製である。パージリング１５
は基板支持材料のＣＴＥより小さいＣＴＥを有する材料
製である。好ましくは、パージリングはセラミック製で
ある。スロット１７はサセプタ１１ａが晒されている処
理温度の範囲に渡り、基板支持材料のＣＴＥとパージリ
ング材料のＣＴＥの差を補償するのに十分な長さ、延び
ている。好ましくは、各ピン１９は断熱材料製のパッド
２１により取囲まれており、図２に関連してさらに後述
するように、基板支持１３及びパージリング１５の間で
断熱を達成するようになっている。好ましくは、パッド
２１はよく研磨されたセラミック製であり、そのため、
粒子の発生を最小にしている間、パージリング１５をそ
れに沿って容易にスライドさせる。パージリング１５は
複数のウェーハのガイドピン２３をさらに含み、（この
引用によりその全体にここに組込まれた）１９９８年６
月２４日に出願された米国特許出願No.09/103,462に開
示されているように、正確なウェーハの配置を容易にす
る。
【００１６】図２は発明のサセプタ１１ａの第１の特徴
の適切な部分の側面図であり、そこに配置されたウェー
ハＷを有している。図２に示されているように、基板支
持１３、パージリング１５及びスロット１７はパッド２
１の使用により基板支持１３とパージリング１５の間に
直接の接触がないように構成されている。パージリング
１５を金属の基板支持１３から断熱することにより、パ
ージリング１５が通常のより高い温度の基板支持１３と
直接接触する場合には、パージリング１５はそうでない
場合に生じるより小さい熱応力を受ける。また図２に示
されているように、スロット１７はぴん９の長さ以上の
深さを有し、基板支持１３からピン１９を介してパージ
リング１５への熱伝導を減少させる。
【００１７】スロット１７は基板支持表面１３の中央部
に対して放射状外側に延び、好ましくは、それぞれのピ
ン１９よりそれぞれほんの僅かに広く、従って、スロッ
ト１７とピン１９の一対の間の隙間に要求される距離以
上の熱サイクルで引き起こされた膨張及び収縮の結果と
して、パージリング１５が横に動くのを防ぐようになっ
ている。この方法では、ピンはまた回転配列を供給す
る。
【００１８】基板支持１３はパージガス放出経路２５と
ディフューザリング１３ｂとを備え、ディフューザリン
グはディフューザリング１３ｂの内側端部と基板支持１
３の外側端部により形成されたパージガス分配経路２７
を通り、その後、ディフューザリング１３ｂで形成され
た複数の小さいオリフィスを通ってパージリング１５の
下端部にパージガス放出経路２５からのパージガスを結
合する。
【００１９】作動では、ウェーハＷはウェーハ支持表面
１３ａに配置され、ウェーハＷの端部がパージスロット
２９の外側近傍に配置されるようになっている。この方
法では、パージガスがウェーハＷの端部に沿ってパージ
ガススロット２９を通って上方に流れる時、ウェーハ端
部の堆積は回避される。堆積を可能にするため、サセプ
タは、サセプタに埋め込まれた加熱コイル又はその下側
と接触した加熱コイルにより、３５０℃から４７５℃の
範囲の温度まで加熱される。しかし、チャンバーの保守
又は点検のため、サセプタは通常、周囲の温度に冷却さ
せる。
【００２０】この温度変化は基板支持及びパージリング
を含むチャンバーエレメントの膨張及び収縮を引き起こ
す。ＣＶＤ処理の間に起こる熱サイクル、及び結果とし
て起こる基板支持１３及びディフューザリング１３ｂの
膨張及び収縮に拘らず、パージリング（及びそれを支持
するピン）はピン及びスロット結合のため、温度が変化
すると放射状に動くことができるので、熱により引き起
こされた応力はパージリングにかからない。パージリン
グとウェーハの間の隙間の熱で引き起こされた膨張はほ
んの僅かである。その上さらに、パージリング１５は日
常の洗浄及び交換のためピン１９を容易に持上げられて
もよい。従って、休止時間は最小となる。
【００２１】図３は発明のサセプタの第２の特徴の適切
な部分の側面図である。図３の発明のサセプタ１１ｂ
は、図２の基板支持がディフューザリング１３ｂを備え
ていないことを除いて、図２のサセプタ１１ａに類似し
ている。代わりに、より狭く形成されたパージガススロ
ット２９のように、パージガス放出経路２５はパージリ
ング１５の内側端部と基板支持１３の外側端部により規
定されるパージガス分配経路２７にパージガスを送る。
図３の実施例はより少ない部品を必要とし、（図１の）
オリフィスＯをリストリクターの間隙Ｒと交換する。リ
ストリクターの間隙Ｒは基板支持１３の水平切欠き部及
びパージリング１５の対応する水平な突出部により形成
されている。リストリクターの間隙Ｒのサイズは基板支
持１３及びパージリング１５の水平な切欠き部又は突出
部に対するそれぞれ垂直な寸法及びパッド２１の厚さに
より決定される。そのため、連続して基板支持の回りに
放射状に延びるリストリクターの間隙Ｒが複数のオリフ
ィスＯより詰まりにくそうなので、図３の実施例は図１
の実施例のオリフィスＯにより受ける閉塞を減少させ
る。部品数を減少させることにより、図３の実施例はま
たその間の異なる膨張及び結果として生じる粒子の発生
の可能性を減少させる。図１及び２の実施例のように、
パージリング１５は断熱パッド２１に置かれ、ピン１９
により整列される。
【００２２】図４は発明のサセプタの第３の特徴の適切
な部分の側面図である。図４に示されているように、発
明のサセプタ１１ｃのパージリング１５はパージリング
１５の最下面から下方に延びる複数のピン(１つだけ図
示されている）を有している。ピン１９はパージリング
１５に押圧され、パッド２１は同一の方法でピン１９に
固定され、又は恐らくピン１９に絶対必要である。作動
では、ピン１９は基板支持１３に配置された対応するス
ロット１７内に挿入される。この例では、スロット１７
は基板支持１３のディフューザリング部分１３ｂに形成
されている。従って、図４はピン１９及びスロット１７
の位置が切換えられ、ピン及びスロット結合の利点を依
然として成し遂げることを示している。
【００２３】図５Ａ及び５Ｂは発明のサセプタ１１ｄの
第４の特徴の適切な部分の側面図である。図５Ａ及び５
Ｂのパージリング１５はその内側端部１５ａがウェーハ
Ｗの端部に張出すように構成されている。従って、パー
ジリング１５は、当技術で公知なように、パージリング
及びシャドウリングの両方として機能する（ウェーハの
端部を張出し又は光を遮る）。図５Ａ及び５Ｂのピン及
びスロット結合は、図２及び３に関連させて上述したよ
うに、パージ／シャドウリング１５の形状又は位置に影
響を与えることなしに基板支持１３を膨張及び収縮させ
る。図５Ａは処理位置のパージ／シャドウリング１５を
示し、図５Ｂはウェーハ搬送位置のパージ／シャドウリ
ング１５を示している。シャドウリングはウェーハの端
部に重なるので、ウェーハＷが基板支持１３に置かれ、
又はそこから引抜かれる間、それらは伝統的に（例え
ば、チャンバー壁から突出するハンガー又は唇状部によ
り）基板支持上方のウェーハ搬送位置で支持されてい
る。ウェーハが基板支持１３に置かれた後、基板支持１
３は上昇し、さらに後述するように、唇状部から基板支
持１３にシャドウリングを搬送する。
【００２４】パージ及び又はシャドウリングで使用され
るかどうかの伝統的な基板支持は最初、ウェーハ搬送位
置に降下される。その後、ウェーハハンドラーは基板支
持１３の上方の位置にウェーハを運び、基板支持１３は
上昇し、そのリフトピン（図示せず）はウェーハをウェ
ーハハンドラーから上昇させる。その後、ウェーハハン
ドラーは引っ込められ、シャドウリングが使用される場
合には、基板支持１３はさらに上昇し、シャドウリング
を持上げ、処理チャンバー（図示せず）の壁によりその
支持から基板支持１３（図５Ｂ）の上方で支持される。
【００２５】図６は発明のサセプタの第５の特徴の適切
な部分の側面図である。発明サセプタ１１ｅは洗浄のた
めパージガス分配経路２５へのアクセスを容易にするよ
うに構成されている。特に、ピン１９（又は代わりの実
施例ではスロット１７）が配置される基板支持１３の表
面はパージガス分配経路２５の出口の下方にある。従っ
て、パージ及び又はシャドウリング１５が基板支持１３
から取り除かれる時、ガス分配経路の出口が露出され
る。洗浄をさらに容易にするため、パージガス分配経路
２５は、図６に示されているように、上方（好ましく
は、０°と３０°の間）に向けられてもよい。
【００２６】上述から明らかなように、１９９８年６月
２４日に出願され、共同で譲渡された米国特許出願No.0
9/103,462（ここにその全体を組込んでいる）のような
チャンバーは、図１から５の発明のサセプタを使用する
時、伝統的な堆積チャンバー（ＣＶＤ、ＰＶＤ等）と比
べて、優れた端部堆積の防止及び増加したスループット
を供給する。
【００２７】前述は本発明の好適な実施例のみを開示し
ており、本発明の範囲内にある上述した装置及び方法の
変更は当業者であれば容易に明らかとなるであろう。例
えば、発明のサセプタは、ピンが基板支持又はリングに
配置されているかどうかに拘らず、端部リング（パージ
及び又はシャドウ）のタイプの間にピン及びスロット結
合を備えている。それぞれの図は断熱パッドの使用を示
しているが、これらのパッドは任意である。さらに、伝
統的には公知なように、加熱エレメントはサセプタに含
まれていると認識されるであろう。また、伝統的に知ら
れているように、好ましくは、本発明の各種実施例のそ
れぞれのガス放出経路２５は、（それぞれの図面に示さ
れているように）ガス放出経路２５の開口部下方に多少
延びているパージガス分配経路２７に開いており、パー
ジガスのパージスロット２９への分配でさえ保証するバ
ッファ経路を作るようになっている。
【００２８】ピン及びスロットの用語は示された直線の
ピン及びスロット（例えば、矩形のキー等）以外の形状
を含むように広く解釈されるべきである。さらに、パー
ジ又はパージ／シャドウリングは、ピン及びスロット結
合以外の機構により、基板支持に都合よく取外し可能に
結合可能である。取り外し可能に結合されたパージリン
グはパージガス放出経路の露出出口及び上方に向いたパ
ージガス放出経路のためになるであろう。同様に、取り
外し可能に結合されたパージリングを有するかどうかの
サセプタは基板支持とパージリングの間にリストリクタ
ーの間隙を有するパージガス分配経路の定義のためにな
ることができる。従って、本発明のこれらの特徴はピン
及びスロット結合又は取外し可能な結合されたパージリ
ングにそれぞれ限定されるべきではない。
【００２９】従って、本発明はその好適な実施例と関連
して説明されているが、以下の特許請求の範囲により定
義されているように、他の実施例が本発明の精神及び範
囲内にあると理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明のサセプタの第１の特徴の分解斜視図であ
る。
【図２】発明のサセプタの第１の特徴の適切な部分の側
面図である。
【図３】発明のサセプタの第２の特徴の適切な部分の側
面図である。
【図４】発明のサセプタの第３の特徴の適切な部分の側
面図である。
【図５Ａ】発明のサセプタの適切な部分の第４の特徴の
側面図である。
【図５Ｂ】発明のサセプタの適切な部分の第４の特徴の
側面図である。
【図６】発明のサセプタの第５の特徴の適切な部分の側
面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス エイ マーダー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94089 サニーヴェイル ヴィエーナ ド ライヴ 1225−449 (72)発明者 サルヴァドール ウモトイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94509 アンティオック ワイルドフラワ ー ドライヴ 2801 (72)発明者 ソン ンゴク トリン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ アルカルデ ロ ード 22882 (72)発明者 ローレンス シー レイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95035ルピタス カントリー クラブ ド ライヴ 1594 (72)発明者 アンツォン アンドリュー チャン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サン ホセ ランドルスウッド コート 5847 (72)発明者 シャオション ジョン ユーアン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ レインボウ ド ライヴ 7374−３

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１熱膨張係数を有する第１材料を含み、
    そこから上方に延びる複数のピンを有する基板支持と、 第１熱膨張係数とは異なる第２熱膨張係数を有する第２
    材料を含み、そこに形成された複数の中空領域を有する
    端部リングと、 を備え、前記それぞれの中空領域は、前記複数のピンの
    対応するものと少なくとも同じ広さであり、熱サイクル
    の間に基板支持が膨張及び収縮する方向に延びており、 前記複数のピンが前記複数の中空領域内に挿入され、前
    記複数の中空領域のそれぞれは、装置が晒される処理温
    度の範囲に渡り、前記第１熱膨張係数と前記第２熱膨張
    係数との差により生じた前記基板支持と前記端部リング
    の異なる膨張を補償するのに十分な長さ、延びているこ
    とを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】前記複数のピンのそれぞれを取囲むと共に
    前記基板支持と前記端部リングを分離する断熱材料を有
    するパッドをさらに備え、前記中空領域のそれぞれは前
    記複数のピンの対応するものの長さ以上の深さを有し、
    断熱パッドの使用で、前記端部リングが前記基板支持か
    ら断熱されるようになっている請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】前記基板支持は前記複数のピンが延びるデ
    ィフューザーリングをさらに備え、前記端部リングはパ
    ージリングを備えている請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】前記第１材料は金属を備え、前記第２金属
    はセラミックを備えている請求項１に記載の装置。
  5. 【請求項５】前記基板支持は基板支持表面を有し、前記
    複数のピンは前記基板支持表面の回りで均等に間隔を空
    けられており、前記複数の中空領域のそれぞれは前記基
    板支持表面に対して外側放射状に延びている請求項１に
    記載の装置。
  6. 【請求項６】前記基板支持はパージガス経路を備え、前
    記端部リングはパージリングを備えている請求項１に記
    載の装置。
  7. 【請求項７】前記端部リングはシャドウリングを備えて
    いる請求項１に記載の装置。
  8. 【請求項８】第１熱膨張係数を有する第１材料を含み、
    そこから延びる複数のピンを有する端部リングと、 第１熱膨張係数とは異なる第２熱膨張係数を有する第２
    材料を含み、そこに形成された複数の中空領域を有する
    基板支持と、 を備え、前記それぞれの中空領域は前記複数のピンの対
    応するものと少なくとも同じ広さであり、熱サイクルの
    間に前記基板支持が膨張すると共に収縮する方向に延
    び、 前記複数のピンは前記複数の中空領域内に挿入され、前
    記複数の中空領域のそれぞれは、前記装置が晒される処
    理温度の範囲に渡り、前記第１熱膨張係数と前記第２熱
    膨張係数の差を補償するのに十分な長さ、延びているこ
    とを特徴とする装置。
  9. 【請求項９】前記複数のピンのそれぞれを取囲むと共に
    前記基板支持と前記端部リングを分離する断熱材料を有
    するパッドを備え、前記中空領域のそれぞれは前記複数
    のピンの対応するものの長さ以上の深さを有し、断熱パ
    ッドの使用で、前記端部リングは前記基板支持から断熱
    されるようになっている請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】前記基板支持は前記複数の中空領域が形
    成されるデ゛ィフューザーリングをさらに備え、前記端
    部リングはパージリングを備えている請求項８に記載の
    装置。
  11. 【請求項１１】前記第１材料はセラミックを備え、前記
    第２材料は金属を備えている請求項８に記載の装置。
  12. 【請求項１２】前記基板支持は基板支持表面を有し、前
    記複数のピンは前記基板支持表面の回りで均等に間隔を
    空けられ、前記複数の中空領域のそれぞれは前記基板支
    持表面に対して放射状外側に延びている請求項８に記載
    の装置。
  13. 【請求項１３】前記基板支持はパージガス経路を備え、
    前記端部リングはパージリングを備えている請求項８に
    記載の装置。
  14. 【請求項１４】前記端部リングはシャドウリングを備え
    ている請求項８に記載の装置。
  15. 【請求項１５】処理中に基板の端部堆積を防止するため
    の装置を製造する方法であって、 第１熱膨張係数を有する基板支持を供給し、 第２熱膨張係数を有する端部リングを供給し、 ピン及びスロットの構成を介して前記端部リングを前記
    基板支持に取外し可能に結合し、 前記スロットは処理中に前記基板支持が膨張すると共に
    収縮する方向に延びることを特徴とする方法。
  16. 【請求項１６】前記複数のピンのそれぞれを非熱伝導材
    料で取囲み、 前記複数のピンの対応するものの長さ以上の深さを有す
    るスロットを形成し、前記パージリング及び前記基板支
    持が前記スロット内で接触しないようにすることによ
    り、 前記端部リングを前記基板支持から断熱することをさら
    に含む請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】基板支持を供給することはピン及びスロ
    ット結合に適合するディフューザーリングを有する基板
    支持を供給することを含み、そして、 端部リングを供給することはパージリングを供給するこ
    とを含む請求項１５に記載の方法。
  18. 【請求項１８】基板支持を供給することは金属の基板支
    持を供給することを含み、端部リングを供給することは
    セラミックの端部リングを供給することを含む請求項１
    ３に記載の方法。
  19. 【請求項１９】前記基板支持と前記端部リングを結合す
    ることは、前記基板支持の基板支持表面の回りで均等に
    間隔を空けられた複数のピンを供給すること、及び前記
    基板支持の基板支持表面の回りで均等に間隔を空けられ
    た複数のスロットを供給することを含み、それぞれのス
    ロットは前記基板支持表面に対して外側放射状に延びて
    いる請求項１５に記載の方法。
  20. 【請求項２０】基板支持を供給することはパージガス経
    路を有する基板支持を供給することを含み、そして、端
    部リングを供給することはパージリングを供給すること
    を含んでいる請求項１５に記載の方法。
  21. 【請求項２１】パージガス放出経路を有する基板支持
    と、 前記基板支持に結合されたパージリングと、前記基板支
    持と前記パージリングの間に形成され、前記パージガス
    放出経路から前記パージガス分配経路を通って前記基板
    支持により支持された基板の端部に流れるパージガスの
    量を制限するように適合されたリストリクター（restri
    ctor）の間隙を有するパージガス分配経路と、を備えて
    いることを特徴とする装置。
  22. 【請求項２２】前記基板支持は水平な切欠き部を有し、
    前記パージリングは対応する水平な突出部を有し、前記
    リストリクターの間隙を形成する請求項２１に記載の装
    置。
  23. 【請求項２３】前記パージリング及び前記基板支持は少
    なくともピン及びスロットを介して結合されている請求
    項２２に記載の装置。
  24. 【請求項２４】前記パージリング及び前記基板支持は取
    外し可能に結合されている請求項２２に記載の装置。
  25. 【請求項２５】前記ピンを取囲む断熱パッドをさらに備
    えている請求項２３に記載の装置。
  26. 【請求項２６】パージリングと、 出口を含むパージガス放出経路を有すると共に前記パー
    ジリングに取り外し可能に結合するために構成された表
    面を有する基板支持と、を備えていることを特徴とする
    装置。
  27. 【請求項２７】取り外し可能な結合のために構成された
    前記表面は前記パージガス放出経路の出口の下方にある
    請求項２６に記載の装置。
  28. 【請求項２８】取り外し可能な結合のために構成された
    前記表面はピン及びスロット結合のために構成されてい
    る請求項２７に記載の装置。
  29. 【請求項２９】前記パージガス放出経路は前記出口の方
    向で上方に向かっている請求項２７に記載の装置。
  30. 【請求項３０】前記パージガス放出経路は前記出口の方
    向で上方に向かっている請求項２８に記載の装置。
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