KR100578281B1 - 일체형 이온 포커스 링을 가진 정전 지지 어셈블리 - Google Patents

일체형 이온 포커스 링을 가진 정전 지지 어셈블리 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판(8)을 지지하기 위한 정전 지지 시스템(10)에 관한 것이다 지지 시스템(10)은 기판(8)을 지지하기 위한 지지 표면(44) 및 상기 기판(8)의 지지 표면(44)으로부터 바깥쪽으로 연장되며 상기 지지 표면을 감싸는 외부 링 부분(46)을 가진 비금속 지지 바디(30)를 포함한다. 지지 시스템(10)은 또한 비금속 지지 바디(30)의 지지 표면(44)에 기판(8)을 정전기적으로 결합하기 위하여 비금속 지지 바디(30)에 배치된 적어도 하나의 전극(34, 36) 및 비금속 지지 바디(30)의 하부에 연결되어 비금속 지지 바디(30)와의 사이에서 열을 전달하는 베이스(32)를 더 포함한다.

Description

일체형 이온 포커스 링을 가진 정전 지지 어셈블리{ELECTROSTATIC SUPPORT ASSEMBLY HAVING AN INTEGRAL ION FOCUS RING}
본 발명은 공정 중에 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 유지하기 위한 지지 어셈블리에 관한 것이며, 특히 기판이 정전기적으로 지지부에 클램핑되는 지지 어셈블리에 관한 것이다.
정전 지지 어셈블리 또는 정전 척은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 에칭 등의 공정 중에 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 지지하기 위하여 이용된다. 지지부에 기판을 정전기적으로 클램핑하는 것은 몇 가지 장점을 제공한다. 기판은 지지부에 전압을 인가하고 웨이퍼에 이미지 전하(image charge)를 유도함으로써 지지부에 대하여 유지되는데, 다른 전위가 웨이퍼를 지지 표면으로 흡입한다. 주변 클램핑 링을 가진 시스템과 달리, 기판을 지지부에 정전기적으로 클램핑하는 것은 기판의 상부 전체 표면을 가공 중에 노출되도록 한다. 기계적 클램프에 의한 표면 오염 문제가 제거된다. 또한, 전체 기판은 정전기 흡인력에 의하여 지지부 표면에 완전히 클램핑되어, 기판과 지지부사이의 열전달을 향상시킨다. 가공 중에 기판 또는 웨이퍼를 일정 온도로 유지시키는 것은 화학 처리를 제어하고 공정을 균일하게 하고 그리고 기판 위에 이미 형성된 집적 회로에 대한 손상을 방지하는데 있어서 매우 중요하다.
정전 지지 어셈블리는 일반적으로 냉각된 지지 바디에 장착된 전극을 포함한다. 헬륨과 같은 불활성 가스는 기판과 지지 표면사이의 공간에 유입되어 기판의 냉각을 용이하도록 한다. 유전체 코팅이 일반적으로 전극 위에 덮여 있어 열 전달 가스의 역압(backing pressure)을 초과하는 클램핑 힘을 얻을 수 있도록 한다. 공정 중에, 기판은 유전체로 코팅된 전극 위에 배치되어 전극이 플라즈마 및 가공 가스로부터 분리되도록 한다. 분리된 유전체 이온 포커스 링은 일반적으로 전극을 감싸고 있으며, 이에 의하여 플라즈마로부터 정전 지지부의 측면을 분리시키고 정전기 전위 컨투어(contour)가 웨이퍼 전체 표면에 걸쳐 일정하게 유지되도록 하여 기판 중심 및 기판의 에지에 인접한 영역이 가공 가스가 균일하게 분배되도록 한다. 정전 지지부가 이온 포커스 링을 포함하지 않는다면, 정전기 컨투어 및 이온 플럭스는 웨이퍼의 에지에서 감소하여 웨이퍼의 에지에 가공 가스가 균일하게 분배되지 않게 된다. 유전체 이온 포커스 링은 정전기 전위 컨투어가 웨이퍼의 에지에서 균일하게 유지되도록 하고 웨이퍼 에지 위에 이온의 포커싱이 감소하도록 한다. 포커스 링의 상부 표면은 일반적으로 웨이퍼 상부 표면과 평행하거나 그 아래에 있다.
이온 포커스 링은 전극 및 기판 하부를 보호하지만, 분리된 유전체 링은 열적으로 제어되지 않는데, 이는 세라믹 링의 상이한 물질과 금속 전극 베이스간의 열 결합이 나쁘기 때문이다. 따라서, 분리된 이온 포커스 링은 기판과 정전 지지부사이의 균일한 열전달에 악영향을 준다. 이온 포커스 링의 이용은 또한 소정 사이즈의 정전 척에 대하여 전극의 전체 영역을 제한한다. 이온 포커스 링, 전극 베이스 및 부품의 어셈블리에 대한 허용공차가 정밀하게 제어되지 않으면, 이온 포커 스 링은 전극 베이스 상에 기판을 정확하게 배치하는 것을 방해한다.
기판 또는 웨이퍼 및 지지 어셈블리사이에 균일 열전달을 최대로 하는 정전 지지 어셈블리가 요구된다. 또한, 전극이 기판의 외부 에지로 연장되도록 전극의 가용 영역을 증가시킬 것이 요구된다. 또한, 지지부상에 기판을 정확하게 위치시키기에 용이하도록 하는 지지 어셈블리를 제공하는 것이 요구된다. 또한, 어셈블리 부품의 수를 최소화하는 것은 품질을 개선하고 비용을 절감시킨다.
본 발명의 주 목적은 가공 중에 웨이퍼와 같은 기판을 지지하기 위한 정전 지지 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 기판과 지지부사이에 균일한 열전달을 최적화하는 정전 지지 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 지지 표면과 기판의 하부를 플라즈마 및 처리 시약과 분리시키는 한편 전극으로 이용할 수 있는 영역을 최대화하는 정전 지지 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 지지부상에 기판을 정확하게 위치시키는 정전 지지 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 최소의 부품 수를 포함하고 경제적이고 효율적으로 제조되고 유지될 수 있는 정전 지지 시스템을 제공하는 것이다.
요약하면, 본 발명은 가공 중에 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 유지하기 위한 정전 지지 어셈블리를 제공하는 것이다. 지지 어셈블리는 일반적으로 선택된 기판을 지지하기에 충분한 크기의 지지 표면을 가진 세라믹 또는 비금속 지지 바디 및 지지 표면을 감싸는 일체형 이온 포커스 링을 포함한다. 일체형 이온 포커스 링은 비금속 지지 바디의 중심 부분 및 기판의 하부를 플라즈마, 처리 가스 및 RF 필드로부터 보호하는 배리어를 형성한다. 적어도 하나의 전극, 바람직하게는 두 개의 전극은 지지 표면에 기판을 정전기적으로 결합하기 위하여 세라믹 지지 바디 위에 위치한다.
베이스는 세라믹 지지 바디와 베이스사이에 열전달을 위하여 세라믹 지지 바디의 하부에 결합된다. 베이스는 일체형 이온 포커스 링과 지지 표면 하부로 연장되어 세라믹 지지 바디와 베이스 사이의 균일한 열전달을 최대화하며, 이에 의하여 기판과 세라믹 지지 바디 사이의 균일한 열전달이 향상된다.
본 발명의 일 실시예에서, 세라믹 지지 바디는 일체형 배리어 리지를 포함하며, 상기 배리어 리지는 지지 표면으로부터 상방향으로 돌출하며 지지 표면을 감싼다. 일체형 리지는 지지 표면에 기판을 정확하게 배치하도록 하며 추가로 기판 에지를 보호한다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명을 설명한다.
도 1은 가공 챔버에 설치된 것으로 도시되는 본 발명에 따라 구성된 정전 지지 어셈블리의 개략도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼를 지지하는 것을 도시하는 도 1의 정전 지지 어셈블리의 단면도이다.
도 3은 도 1의 정전 지지 어셈블리의 전극 패턴의 평면도이다.
도 4는 반도체 웨이퍼를 지지하는 것을 도시하는 도 1의 정전 지지 어셈블리의 부분적으로 절개된 단면도이다.
도 5는 도 1의 정전 지지 어셈블리의 평면도이다.
도 6은 반도체 웨이퍼를 지지하는 것을 도시하는 도 5의 라인 6-6을 따라 취한 지지 표면의 단면도이다.
동일한 구성요소는 동일한 도면 부호로 표시하였다. 이제 도 1을 참조하기 바란다.
도 1은 반도체 웨이퍼(8)와 같은 기판을 가공하는 처리 시스템(6)을 도시한다. 본 발명에 따라 구성된 정전 지지 시스템(10)는 가공 중에 반도체 웨이퍼(8)를 지지하기 위하여 이용된다. 본 발명의 정전 지지 시스템(10)은 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(HDP CVD)에 이용하기 적합하지만, 지지 시스템(10)은 또한 플라즈마 보강 화학 기상 증착, 화학 기상 증착, 스퍼터링, 에칭 등을 포함하는 여러 종류의 처리에 이용될 수 있다. 도시된 실시예에서, 지지 시스템(10)은 공동 계류중인 미국출원 제 08/500,493호에 기재된 형태의 HDP CVD 시스템에 설치되는데, 상기 출원 내용은 여기에 참고된다. 처리 시스템(6)은 반응 챔버(14)위에 배치된 플라즈마 소스(12), 반응 챔버(14)내에 배치된 가스 분배 장치(gas distribution apparatus)(16) 및 반응 챔버(14)로부터의 배출가스를 제거하는 진공 시스템(18)을 포함한다. 플라즈마 소스(12), 가스 분배 장치(16) 및 진공 시스템(18)은 공동 계류중인 출원 제 08/500,493호에 개시된 장치 또는 다른 디바이스에 의하여 제공될 수 있다.
처리 시스템(6)은 증착, 필름 에칭백, 반응기 자체 세척 및 동시 에칭과 증착 단계를 포함하는 여러 가지 처리 공정을 수행하기에 적합하다. 실시예에서, 처리 시스템(6)은 산소 및 실란(silane)과 아르곤의 혼합물이 가스 분배 장치(16)에 의하여 반응 챔버(14)로 주입되는 증착 공정에 이용될 수 있다. 실란, 산소 및 아르곤 분자는 반응 챔버(14)로부터 플라즈마 소스(12)의 챔버(도시안됨)로 이동되며 플라즈마 소스에 의하여 이온화된다. 플라즈마 소스(12)는 가스 주입 분기관(gas injection manifold)(도시안됨)을 포함하며, 상기 분기관은 아르곤 및 산소를 플라즈마 챔버로 직접 전달한다. 이온화된 가스 또는 플라즈마 및 분배 장치에 의하여 주입된 가스 물질중 액티브상태인 것은 하방향으로 웨이퍼 표면으로 이동하고 웨이퍼상의 박막 층을 증착시킨다. RF 바이어스가 지지 시스템(10)에 인가되어 지지 시스템(10)의 국부 영역에 플라즈마 부동 전위를 증가시키도록 한다. RF 바이어스를 지지 시스템(10)의 표면에 인가함으로써 유도되는 자기(self)-바이어스는 지지 어셈블리 영역의 플라즈마 덮개로의 그리고 지지 시스템(10)에 의하여 유지되는 웨이퍼(8)쪽으로의 이온 확산을 가속시킨다.
도 2-6에서, 본 발명의 지지 시스템(10)은 베이스(32)에 장착되는 세라믹 또는 비금속 지지 바디(30) 및 제 1 및 제 2전극(34, 36)을 포함한다. 전극(34, 36)은 공지된 RC 필터(도시안됨)를 통하여 전압원(38)에 전기적으로 연결된다. 전압원(38)은 DC 바이어스를 공급하며, 전극(34)의 극성은 전극(36)의 극성과 반대이다. 전극(34, 36)상에 인가된 DC 전위는 웨이퍼(8)의 후면에 이미지 전하를 발생시켜 웨이퍼를 세라믹 지지 바디에 확실히 클램핑시키도록 세라믹 지지 바디(30)에 웨이퍼를 정전기적으로 흡인시킨다. 전극의 극성은 예를 들어 지지 표면으로부터 웨이퍼를 방출하는데 방해가 되는 잔류 전하 또는 분극을 최소화하기 위하여 웨이퍼가 세라믹 지지 바디(30)로부터 제거되는 각각의 시간에 한 벌로 되어 있는 스위치(도시안됨)를 작동시킴으로써 반전될 수 있다. 도시된 실시예에서 지지 시스템(10)은 두 개의 전극을 포함하고 있지만, 본 발명의 다른 실시예로서 지지 어셈블리는 단일 전극 또는 두 개 이상의 전극을 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 실시예에서, 전극은 각각 엇갈려 배치된 일정간격으로 배치된 다수의 핑거(40, 42)를 포함한다. 그러나, 전극(34, 36)의 구조 및 구성은 본 발명의 범위 내에서 변형될 수 있다.
도시된 실시예에서, 전극(34, 36)은 일본의 토토 리미티드사에 의한 경화되지 않은 세라믹 시트 사이에 전극을 적층하고 불에 건조시키는 방법에 의해 세라믹 지지 바디(30)에 삽입된다. 선택적으로, 전극(34, 36)은 프랑스의 셈코 엔지니어링사에 의한 증착과 같은 적당한 다른 기술을 이용하여 세라믹 지지 바디(30)에 삽입될 수 있다.
단결정 세라믹 지지 바디(30)는 일반적으로 웨이퍼(8)를 지지하기에 충분한 사이즈의 지지 표면(44) 및 상기 지지 표면(44) 및 전극(34, 36)으로부터 바깥쪽으로 연장되며 이들을 감싸는 외부 링 부분(46)를 포함한다. 지지 표면(44)은 평탄하지 않고 도 5 및 6에 예로써 도시된 바와 같이 다수의 골로 감싸인 양각 영역(48)의 망으로 형성된다. 지지 시스템(10)의 작동 중에, 웨이퍼(8)는 양각 영역(48)의 표면에 대하여 클램핑된다. 도 5는 본 발명의 지지 시스템(10)에 대한 양각 영역의 분포를 도시하는데, 각각의 원(47)은 웨이퍼(8)에 의하여 접촉되는 양각 표면을 나타낸다. 실제 양각 영역(48)의 분포는 본 발명의 범위내에서 변경될 수 있다. 다수의 인입 홀(49)은 양각 영역 사이의 지지 표면에 형성되고 도관(52)을 통하여 헬륨 소스(50)에 연결된다. 지지 표면에 대하여 웨이퍼(8)를 이동시키기 위하여 이용된 리프팅 핀(도시안됨)은 공동계류중인 미국출원 08/500,480에 개시된 것처럼 3개의 인입 홀을 통하여 연장되는데, 상기 출원내용은 여기에 참고된다. 전극(34, 36)이 지지 표면(44)의 양각 영역(48)에 대하여 웨이퍼(8)를 클램핑할 때, 헬륨과 같은 냉각 가스는 인입 홀을 통하여 유입되고 양각 영역(48)을 감싸는 골을 통하여 분배되어, 공정 중에 웨이퍼를 냉각시키도록 웨이퍼의 하부와 지지 표면(44)사이의 공간을 충진시킨다. 도 5에 도시된 바와 같이 다수의 상대적으로 작은 양각 영역을 사용함으로써 웨이퍼 하부 전체에 냉각 가스가 빠르고 균일하게 분배되도록 한다.
도시된 실시예에서, 외부 링 부분(46)는 외부 링 부분(46)의 상부 표면(54)이 웨이퍼(8)의 노출된 표면과 거의 동일한 높이 또는 이보다 약간 높게되도록 지지 표면(44)의 평면으로부터 상방향으로 돌출한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서, 지지 표면(44) 위의 상부 표면(54)의 높이는 0 내지 0.050인치 범위이다. 경사진 내부 표면(55)은 상부 표면(54) 및 지지 표면(44)를 연결시키며, 내부 표면(55)의 형상은 지지 표면상에 웨이퍼(8)의 배치를 용이하게 하지만, 내부 표면(55)은 또한 다른 형상을 가질 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(8)의 에지는 내부 표면(55)에 인접하게 배치된다.
외부 링 부분의 상부 표면 및 상기 지지 표면은 비금속 지지 바디(또는 세라믹 지지 바디)의 제 1 주표면을 형성하며, 비금속 지지 바디(또는 세라믹 지지 바디)는 제 1 주표면으로부터 이격되는 제 2 주표면 및 제 1 주표면과 제 2 주표면을 연결시키는 주변 에지를 가지며, 베이스는 상기 비금속 지지 바디의 상기 제 2 주표면과 접촉하는 제 1 주표면을 갖는다.
전술한 바와 같이, 외부 링 부분(46)은 플라즈마와 RF 필드라인을 웨이퍼의 외부 에지로부터 멀리 향하도록 하여 웨이퍼의 중심 및 외부 영역이 동일 필드를 가지도록 하고, 이에 의하여 웨이퍼 표면상에 증착되는 박막의 균일성을 향상시킨다. 도시된 실시예의 양각 외부 링 부분은 또한 웨이퍼를 지지 표면으로 안내함으로써 세라믹 지지 바디 상에 웨이퍼(8)가 용이하게 배치되게 하고 지지 표면과 웨이퍼의 하부가 플라즈마로부터 분리되도록 한다.
본 발명에 따른 세라믹 지지 바디(30)의 일체형 지지 표면(44) 및 외부 링 부분(46)은 전극과 베이스 주위에 별도의 유전체 이온 포커스 링을 사용하지 않고도 증착 균일성을 향상시킨다. 이온 포커스 링의 제거에 의하여, 분리형 이온 포커스 링의 사용과 관계된 문제, 예를 들어 사이즈 문제, 부품 미스매칭 문제 및 웨이퍼 배치 방해 문제 등이 해결된다. 웨이퍼 주변 에지의 웨이퍼 영역은, 냉각 가스가 웨이퍼 에지에 보다 가까이 인접하게 전달되기 때문에, 더 균일하게 냉각되어, 웨이퍼 에지에서의 온도 변화를 감소시킨다. 또한, 전극(34, 36)은 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(8)의 에지 이상으로 확대될 수 있다. 전극(34, 36)의 표면 영역의 연장은 전체 웨이퍼에 균일한 클램핑 힘을 제공하며 웨이퍼 표면에 RF를 균일하게 전달하도록 한다. 웨이퍼 에지에서의 개선된 클램핑 RF 전달의 결합에 의하여 일반 정전 지지부에서 발생되는 에지 효과가 감소되고, 이에 의하여 고품질의 박막을 위한 웨이퍼의 가용 표면 영역이 향상된다. 실시예에서, 전체 전극 직경은 별도 이온 포커스 링을 필요로 하는 지지부와 비교했을 때 0.24 내지 0.4인치 증가될 수 있다. 도면에 도시된 전극 대신, 지지 시스템(10)은 지지 표면(44)위에 배치된 웨이퍼(8)의 에지 앞에 또는 그 위치에서 종결되는 전극을 포함할 수 있다.
실시예에서, 세라믹 지지 바디(30)는 일차적으로 알루미늄 산화물(Al2O3)로 형성되지만, 알루미늄 질화물(AlN)과 같은 다른 적당한 비금속 세라믹 또는 유리 물질로 형성될 수도 있다. 본 실시예의 세라믹 지지 바디는 적층 및 열 건조에 의하여 제조될 수 있지만, 다른 적당한 제조 기술에 의하여 형성될 수도 있다.
가공 중에 일정한 온도로 웨이퍼(8)를 유지하는 것은 화학 처리를 제어하고 공정을 균일하게 하고 그리고 기판 위에 이미 형성된 집적 회로에 대한 손상을 방지하는데 있어서 매우 중요하다. 전극(34, 36)이 활성화될 때, 웨이퍼(8)는 헬륨 또는 그 외의 냉각 가스가 웨이퍼에서 세라믹 지지 바디(30)로 열을 균일하게 전달하도록 세라믹 지지 바디(30)의 표면(44)에 대하여 클램핑된다. 웨이퍼가 공정 중에 일정 온도로 유지되도록 하기 위하여, 본 발명의 지지 시스템(10)의 베이스(32)는 세라믹 지지 바디(30)와 베이스(32)사이에 열을 균일하게 전달하도록 구성된다.
베이스(32)는 세라믹 지지 바디(30)의 하부(60)와 접촉하는 상부 표면(58)을 가져서 세라믹 지지 바디와 베이스 사이에 열전달이 용이하도록 한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스의 상부 표면(58)은 세라믹 지지 바디의 하부(60)와 동일한 형상 및 크기를 가져서 두 부품 사이의 균일한 열전달이 전체 세라믹 지지 바디에서 이루어지도록 한다. 실시예에서, 베이스(32)는 세라믹 지지 바디 및 금속과 매칭될 수 있는 솔더 또는 땜납을 이용하여 세라믹 지지 바디에 솔더링 또는 납땜될 수 있다. 다른 적당한 장착 방법은 베이스(32)와 세라믹 지지 바디(30)를 서로 기계적으로 클램핑하는 것인데, 이때 이 둘 사이에 순응성 열전도 물질(예를 들어 불활성 가스, 그리스, 에폭시 또는 인듐과 같은 소프트 금속)이 있든 없든 상관없다. 순응성 열전도 바디의 이용은 열전달을 향상시킨다. 베이스(32)는 알루미늄으로 형성될 수 있지만, 스테인레스 강과 같은 다른 적당한 물질이 사용될 수도 있다. 세라믹 지지 바디로부터 열을 균일하게 추출하는 것은 세라믹 지지 바디의 불연속 영역에 과도한 열이 축적되는 것을 방지하거나 감소시키는데, 상기와 같은 열 포켓은 웨이퍼(8)로부터 열을 균일하게 제거하는 것을 방해하여 전체 웨이퍼(8)가 원하는 일정 온도를 유지할 수 없도록 한다. 따라서, 본 발명의 베이스(32)는 가공 중에 웨이퍼(8)와 세라믹 지지 바디(30)사이에서 균일한 열전달을 유지하도록 하기 위하여 이용될 수 있다.
본 발명의 지지 시스템(10)에 따르면, 냉각 시스템(62)은 베이스로부터의 열을 제거하기 위하여 베이스(32)에 연결된다. 베이스(32)에는 적어도 하나의 채널 또는 통로(64)가 형성된다. 통로(64)는 도관(68, 70)을 통하여 냉매 소스(66)에 결합된다. 냉매 소스(66)는 물, 에틸렌 그리콜, 프로필렌 그리콜 또는 다른 적당한 유체와 같은 냉각 유체를 도관(68), 통로(64) 및 도관(70)을 포함한 루프를 통하여 펌핑한다. 냉매 소스(66)로 복귀되는 유체는 공지된 바와 같이 냉각되고 그 후에 베이스(32)를 통하여 다시 펌핑된다. 도시된 실시예의 냉각 시스템(62) 대신에, 다른 적당한 온도 제어 수단이 베이스(32)를 냉각시키기 위하여 이용될 수 있다.
본원 발명에 의하여, ① 분리형 이온 포커스 링의 사용에 의하여 발생되는 문제점, 즉 기판과 정전 지지부 사이의 균일한 열전달에 악영향이 미치며, 또한 이온 포커스 링, 전극 베이스 및 부품의 어셈블리에 대한 허용공차가 정밀하게 제어되지 않으면 이온 포커스 링은 전극 베이스 상에 기판을 정확하게 배치하는 것을 방해할 수 있다는 문제점이 자연스럽게 해결될 수 있으며, ② 웨이퍼 주변 에지의 웨이퍼 영역이 보다 균일하게 냉각되어, 웨이퍼 에지에서의 온도 변화가 감소되며, ③ 전극이 웨이퍼의 에지 이상으로 확대될 수 있게 됨으로써, 전체 웨이퍼에 균일한 클램핑 힘을 제공하며 웨이퍼 표면에 RF 필드를 균일하게 전달되도록 하며 웨이퍼 에지에서의 개선된 클램핑 RF 전달의 결합에 의하여 일반 정전 지지부에서 발생되는 에지 효과가 감소되고, 이에 의하여 고품질의 박막을 위한 웨이퍼의 가용 표면 영역이 향상된다는 효과가 성취된다.
본 발명의 특정 실시예에 대한 상기 개시는 설명을 목적으로 하는 것이다. 이것은 본 발명을 한정하고자 하는 것이 아니며, 다른 많은 변형 및 변경이 가능하다. 본 발명의 이론 및 실제 이용을 가장 잘 설명하고 이에 의하여 당업자가 본 발명 및 여러 가지 변형을 가진 여러 가지 실시예를 가장 잘 이용하도록 하기 위하여 실시예가 선택되고 기술되었다. 본 발명의 권리범위는 첨부된 청구범위 및 이들의 등가물에 의하여 한정된다.

Claims (29)

  1. 기판을 지지하는 지지 표면 및 상기 지지 표면으로부터 바깥쪽으로 연장되며 배치된 상기 기판을 둘러싸는 외부 링 부분을 가지는 비금속 지지 바디 - 상기 외부 링 부분은 플라즈마 및 RF 필드 라인을 상기 기판의 에지로부터 이격되도록 지향시켜 처리 동안 상기 기판 표면이 실질적으로 균일한 필드에 노출되도록 구성되는 일체형 이온 포커스 링을 형성함 - ;
    상기 비금속 지지 바디의 상기 지지 표면에 상기 기판을 정전기적으로 결합시키기 위하여 상기 비금속 지지 바디에 배치된 적어도 하나의 전극; 및
    상기 비금속 지지 바디와의 열전달을 위해 상기 비금속 지지 바디의 하부에 연결된 베이스를 포함하며,
    상기 베이스는 상기 비금속 지지 바디의 상기 지지 표면 및 상기 외부 링 부분 하부로 연장되며 상기 비금속 지지 바디를 균일하게 냉각시키도록 상기 비금속 지지 바디 보다 큰 열전도성을 가진 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 외부 링 부분의 상부 표면 및 상기 지지 표면은 상기 비금속 지지 바디의 제 1 주표면을 형성하며, 상기 비금속 지지 바디는 상기 제 1 주표면과 이격되는 제 2 주표면 및 상기 제 1 주표면과 제 2 주표면을 연결시키는 주변 에지를 가지며, 상기 베이스는 상기 비금속 지지 바디의 상기 제 2 주표면과 접촉하는 제 1 주표면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 베이스는 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 외부 링 부분은 상기 지지 표면이 상기 비금속 지지 바디의 리세스(recess)된 중심 부분을 형성하도록 상기 지지 표면으로부터 위로 돌출하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 외부 링 부분은 상부 표면 및 상기 외부 링 부분의 상기 상부 표면과 상기 지지 표면을 연결하는 경사진(bevel) 내부 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 비금속 지지 바디는 세라믹 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 비금속 지지 바디의 상기 지지 표면에 기판을 정전기적으로 결합시키기 위하여 상기 비금속 지지 바디에 배치된 제 2전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 전극은 상기 지지 표면 상에 지지되는 기판 사이즈 보다 큰 사이즈를 갖는 상기 비금속 지지 바디 영역에 걸쳐 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 베이스로부터의 열을 제거하기 위한 열 제거 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 열 제거 시스템은 냉각 유체가 흐르도록 상기 베이스에 형성된 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 열 제거 시스템은 상기 통로를 통하여 냉각 유체를 순환시키기 위하여 상기 통로에 연결된 냉각 유체 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 지지 표면은 기판을 지지하기 위한 다수의 핑거로 형성되며, 상기 핑거는 상기 지지 표면 및 상기 기판의 하부 사이에 불활성 냉각 가스를 분배하기 위하여 상기 핑거들 사이에 망(network)을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  13. 제 1항에 따른 기판 지지 장치 및 상기 전극에 의하여 상기 지지 표면에 정전기적으로 흡입된 반도체 웨이퍼의 결합체.
  14. 플라즈마 공정 중에 기판을 지지하는 어셈블리에 있어서, 상기 어셈블리는
    베이스 부재;
    상기 베이스 부재와 중첩되며, 기판을 지지하는 기판 지지 영역 및 상기 지지 표면으로부터 바깥쪽으로 연장되고 상기 지지 표면을 둘러싸는 외부 링 부분을 포함하는 지지 바디 - 상기 외부 링 부분은 플라즈마와 RF 필드라인을 상기 기판의 주변 에지로부터 이격되도록 지향시켜 처리 동안 상기 기판의 노출 표면이 실질적으로 균일한 필드에 노출되도록 하기 위한 것이며, 상기 지지 영역은 기판을 지지하기 위한 다수의 상방향으로 돌출한 일정한 간격의 핑거들 및 상기 기판의 하부에 인접하여 불활성 가스를 분배하도록 상기 핑거들 사이에 제공된 분배 망을 포함하며, 상기 지지 바디는 상기 지지 바디 및 상기 베이스 사이에 열을 전달하기 위하여 상기 베이스에 연결됨 - ; 및
    상기 지지 표면과 기판을 정전기적으로 결합시키도록 상기 지지 바디와 상기 베이스 중 하나에 배치되는 바이어싱 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 베이스는 상기 지지 바디의 주변 에지로 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  16. 제 14항에 있어서, 상기 베이스로부터의 열을 제거하기 위하여 상기 베이스에 연결된 냉각 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  17. 제 14항에 있어서, 상기 외부 링 부분은, 상기 지지 영역 및 기판의 하부를 분리(isolating)시키도록 상기 지지 영역 상에 배치되는 기판의 주변 에지 주위로 연장되는 배리어 리지(ridge)를 형성하기 위하여 상기 지지 영역으로부터 상방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 외부 링 부분은 상부 표면 및 상기 외부 링 부분의 상기 상부 표면과 상기 지지 영역을 연결시키는 경사진 내부 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  19. 제 14항에 있어서, 상기 지지 바디는 비금속 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  20. 제 14항에 있어서, 상기 바이어싱 디바이스는 상기 지지 바디에 장착되는 제 1 및 제 2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 전극들은 상기 지지 영역 상에 지지되는 기판의 사이즈보다 큰 사이즈를 갖는 상기 지지 바디의 영역에 걸쳐 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 어셈블리.
  22. 제 14항에 따른 어셈블리 및 상기 바이어싱 디바이스에 의하여 상기 지지 영역에 정전기적으로 흡입된 반도체 웨이퍼의 결합체.
  23. 공정 중에 기판을 유지하는 지지 시스템에 있어서,
    기판을 지지하기 위한 지지 표면과 상기 지지 표면으로부터 바깥쪽으로 연장되며 플라즈마 및 RF 필드 라인을 상기 기판의 에지로부터 이격되도록 지향시켜 처리 동안 상기 기판 표면이 실질적으로 균일한 필드에 노출되도록 구성되는 외부 링 부분으로 형성되는 제 1 주표면, 상기 제 1주 표면으로부터 이격되는 제 2 주표면 및 상기 제 1 및 제 2 주표면을 연결하는 주변 에지를 가지는 세라믹 지지 바디;
    상기 지지 표면에 기판을 정전기적으로 클램핑시키기 위하여 상기 세라믹 지지 바디에 배치된 제 1 및 제 2 전극;
    상기 세라믹 지지 바디에 장착되는 금속 베이스 부재 - 상기 베이스 부재는 상기 세라믹 지지 바디를 균일하게 냉각시키도록 상기 세라믹 지지 바디와 상기 베이스 사이에 열을 전달하기 위하여 상기 세라믹 지지 바디의 상기 제 2 주표면을 가로질러 상기 주변 에지로 연장됨 - ; 및
    상기 베이스 부재로부터의 열을 제거하는 냉각 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지 시스템.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 외부 링 부분은 상기 지지 표면과 상기 기판의 하부를 분리시키도록 상기 지지 표면 상에 배치된 기판의 주변 에지 주위로 연장되는 배리어 리지를 형성하도록 상기 지지 표면으로부터 상방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 지지 시스템.
  25. 제 24항에 있어서, 상기 외부 링 부분은 상부 표면 및 상기 외부 링 부분의 상기 상부 표면과 상기 지지 표면을 연결하는 경사진 내부 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 지지 시스템.
  26. 제 23항에 있어서, 상기 냉각 시스템은 상기 베이스 부재를 통하여 냉각 유체가 흐르도록 상기 베이스 부재에 형성된 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지 시스템.
  27. 제 23항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극은 상기 지지 표면 상에 배치된 기판에 의하여 덮이는 상기 지지 표면 영역의 바깥쪽으로 연장되는 것을 특징으로 하는 지지 시스템.
  28. 제 23항에 있어서, 상기 지지 표면은 기판을 지지하기 위한 다수의 양각 영역(raised area)으로 형성되며, 상기 양각 영역은 상기 지지 표면과 상기 기판의 하부 사이에 불활성 냉각 가스를 분배하는 망을 형성하는 다수의 골(valley)에 의하여 분리되는 것을 특징으로 하는 지지 시스템.
  29. 제 23항에 따른 지지 시스템과 상기 제 1 및 제 2 전극에 의하여 상기 지지 표면에 정전기적으로 흡입되는 반도체 웨이퍼의 결합체.
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW358059B (en) * 1996-11-07 1999-05-11 King Jim Co Ltd Adhesive tape processing device
US6475336B1 (en) 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
JP2002134484A (ja) * 2000-10-19 2002-05-10 Asm Japan Kk 半導体基板保持装置
KR100688229B1 (ko) * 2001-01-19 2007-02-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 건식식각 장치
JP2005033221A (ja) * 2001-02-08 2005-02-03 Tokyo Electron Ltd 基板載置台および処理装置
KR100375984B1 (ko) * 2001-03-06 2003-03-15 삼성전자주식회사 플레이트 어셈블리 및 이를 갖는 가공 장치
US6483690B1 (en) 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
JP4094262B2 (ja) * 2001-09-13 2008-06-04 住友大阪セメント株式会社 吸着固定装置及びその製造方法
JP3865695B2 (ja) * 2002-07-16 2007-01-10 沖電気工業株式会社 エッチング装置の電極部劣化防止機構、エッチング装置、エッチング装置の電極部劣化防止方法及びエッチング方法
US20040027781A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Hiroji Hanawa Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling
US7806126B1 (en) * 2002-09-30 2010-10-05 Lam Research Corporation Substrate proximity drying using in-situ local heating of substrate and substrate carrier point of contact, and methods, apparatus, and systems for implementing the same
US20040066601A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrode configuration for retaining cooling gas on electrostatic wafer clamp
JP4323232B2 (ja) * 2002-12-04 2009-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 静電吸着方法、静電吸着装置及び貼り合せ装置
KR20040070008A (ko) * 2003-01-29 2004-08-06 쿄세라 코포레이션 정전척
KR100739890B1 (ko) * 2003-05-02 2007-07-13 동경 엘렉트론 주식회사 처리가스도입기구 및 플라즈마 처리장치
US7075771B2 (en) * 2003-05-21 2006-07-11 Tokyo Electron Limited Apparatus and methods for compensating plasma sheath non-uniformities at the substrate in a plasma processing system
KR100545169B1 (ko) * 2003-09-03 2006-01-24 동부아남반도체 주식회사 반도체 제조 설비의 정전척 및 이를 이용한 웨이퍼 척킹방법
CN100470756C (zh) * 2004-06-28 2009-03-18 京瓷株式会社 静电卡盘
US20070029193A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Tokyo Electron Limited Segmented biased peripheral electrode in plasma processing method and apparatus
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP2007073972A (ja) * 2006-09-08 2007-03-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用セラミックスヒーター
US7749398B2 (en) * 2006-09-29 2010-07-06 Tokyo Electron Limited Selective-redeposition sources for calibrating a plasma process
US7776748B2 (en) * 2006-09-29 2010-08-17 Tokyo Electron Limited Selective-redeposition structures for calibrating a plasma process
JP5201527B2 (ja) 2008-03-28 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、及びその製造方法
DE102008026974A1 (de) * 2008-06-03 2009-12-10 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten aus polymeren Para-Xylylene oder substituiertem Para-Xylylene
US9543181B2 (en) * 2008-07-30 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Replaceable electrostatic chuck sidewall shield
US10297550B2 (en) 2010-02-05 2019-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3D IC architecture with interposer and interconnect structure for bonding dies
JP5697571B2 (ja) 2011-10-06 2015-04-08 株式会社東芝 テンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法
CN103715050B (zh) * 2012-09-28 2017-01-11 细美事有限公司 基板支承组件及基板处理装置
US10832931B2 (en) * 2014-05-30 2020-11-10 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with embossed top plate and cooling channels
JP6562546B2 (ja) * 2015-07-14 2019-08-21 昭和電工株式会社 ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置
JP6532806B2 (ja) * 2015-11-13 2019-06-19 日本特殊陶業株式会社 基板支持装置
US11532497B2 (en) * 2016-06-07 2022-12-20 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling
US10832936B2 (en) * 2016-07-27 2020-11-10 Lam Research Corporation Substrate support with increasing areal density and corresponding method of fabricating
US10777442B2 (en) * 2016-11-18 2020-09-15 Applied Materials, Inc. Hybrid substrate carrier
US11702748B2 (en) * 2017-03-03 2023-07-18 Lam Research Corporation Wafer level uniformity control in remote plasma film deposition
US11670488B2 (en) * 2020-01-10 2023-06-06 COMET Technologies USA, Inc. Fast arc detecting match network
US20220130704A1 (en) * 2020-10-23 2022-04-28 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck to limit dc discharge

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5207437A (en) * 1991-10-29 1993-05-04 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic wafer chuck
US5530616A (en) * 1993-11-29 1996-06-25 Toto Ltd. Electrostastic chuck

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3634740A (en) * 1970-04-20 1972-01-11 Addressograph Multigraph Electrostatic holddown
US3916270A (en) * 1974-05-02 1975-10-28 Tektronix Inc Electrostatic holddown apparatus
US4184188A (en) * 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
US4313783A (en) * 1980-05-19 1982-02-02 Branson International Plasma Corporation Computer controlled system for processing semiconductor wafers
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device
US4709655A (en) * 1985-12-03 1987-12-01 Varian Associates, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
JPH0730468B2 (ja) * 1988-06-09 1995-04-05 日電アネルバ株式会社 ドライエッチング装置
US5452177A (en) * 1990-06-08 1995-09-19 Varian Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp
JPH06103683B2 (ja) * 1990-08-07 1994-12-14 株式会社東芝 静電吸着方法
US5099571A (en) * 1990-09-07 1992-03-31 International Business Machines Corporation Method for fabricating a split-ring electrostatic chuck
US5325261A (en) * 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US5539609A (en) * 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
US5376213A (en) * 1992-07-28 1994-12-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
TW262566B (ko) * 1993-07-02 1995-11-11 Tokyo Electron Co Ltd
EP0635870A1 (en) * 1993-07-20 1995-01-25 Applied Materials, Inc. An electrostatic chuck having a grooved surface
US5529657A (en) * 1993-10-04 1996-06-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5467249A (en) * 1993-12-20 1995-11-14 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck with reference electrode
US5452510A (en) * 1993-12-20 1995-09-26 International Business Machines Corporation Method of making an electrostatic chuck with oxide insulator
US5783492A (en) * 1994-03-04 1998-07-21 Tokyo Electron Limited Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus
US5716534A (en) * 1994-12-05 1998-02-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma etching method
JP3778299B2 (ja) * 1995-02-07 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
US5639334A (en) * 1995-03-07 1997-06-17 International Business Machines Corporation Uniform gas flow arrangements
US5673922A (en) * 1995-03-13 1997-10-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for centering substrates on support members
US5740009A (en) * 1996-11-29 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for improving wafer and chuck edge protection

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5207437A (en) * 1991-10-29 1993-05-04 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic wafer chuck
US5530616A (en) * 1993-11-29 1996-06-25 Toto Ltd. Electrostastic chuck

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