JPS60263428A - 気相成長装置用サセプタ - Google Patents
気相成長装置用サセプタInfo
- Publication number
- JPS60263428A JPS60263428A JP12049184A JP12049184A JPS60263428A JP S60263428 A JPS60263428 A JP S60263428A JP 12049184 A JP12049184 A JP 12049184A JP 12049184 A JP12049184 A JP 12049184A JP S60263428 A JPS60263428 A JP S60263428A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- main body
- ring
- outer periphery
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は気相成長装置用サセプタに関する。
半導体装置の製造に使用するエピタキ７ヤル装置やＣＶ
Ｄ装置等の気相成長装置は、試料基板の大口径化および
１回の処理枚数の増加に伴い試料基板を載置するサセプ
タ面積は大形化が指向されている。このサセプタはその
全体を高周波誘導加熱方式或いは特定波長の光によるラ
ンプ加熱方式等をもって発熱させることにより、その上
面に載置されている試料基板を加熱して気相成長させて
いる。しかして半導体装置の高品質化のためには気相成
長薄膜の膜厚や膜特性等の均一制御が不可欠であり、そ
のためＫはサセプタ表面温度の均一分布が強くめられて
いる。しかしながらサセプタ表面温度は加熱エネルギー
や輻射エネルギーと、これに対するガス流によって持ち
去られる伝導および対流エネルギー等の局所的なアンバ
ランスがあり、さらにサセプタ面積の大形化指向は表面
温度の均一化を困難にしていた。
Ｄ装置等の気相成長装置は、試料基板の大口径化および
１回の処理枚数の増加に伴い試料基板を載置するサセプ
タ面積は大形化が指向されている。このサセプタはその
全体を高周波誘導加熱方式或いは特定波長の光によるラ
ンプ加熱方式等をもって発熱させることにより、その上
面に載置されている試料基板を加熱して気相成長させて
いる。しかして半導体装置の高品質化のためには気相成
長薄膜の膜厚や膜特性等の均一制御が不可欠であり、そ
のためＫはサセプタ表面温度の均一分布が強くめられて
いる。しかしながらサセプタ表面温度は加熱エネルギー
や輻射エネルギーと、これに対するガス流によって持ち
去られる伝導および対流エネルギー等の局所的なアンバ
ランスがあり、さらにサセプタ面積の大形化指向は表面
温度の均一化を困難にしていた。
従来の一般的なサセプタの一例を第１図および第２図に
より述べる。サセプタ１１はその上面に複数の試料基板
１２を載置するためザグリ加工がしてあり、その表面１
ｓｉｃ被覆されたカーボン板からなっている。なお１３
は回転軸（図示せず）全挿入する穴である。このような
サセプタ１１の周辺部は発熱体の単位体積当りの表面積
が中央部に比較すると大きいため、輻射によるエネルギ
ー損失の割合は大きくその分だけ表面温度が低下する。
より述べる。サセプタ１１はその上面に複数の試料基板
１２を載置するためザグリ加工がしてあり、その表面１
ｓｉｃ被覆されたカーボン板からなっている。なお１３
は回転軸（図示せず）全挿入する穴である。このような
サセプタ１１の周辺部は発熱体の単位体積当りの表面積
が中央部に比較すると大きいため、輻射によるエネルギ
ー損失の割合は大きくその分だけ表面温度が低下する。
これに対処するためサセプタ周辺部のみ加熱エネルギー
を増加させる方法によりサセプタ表面全体での温度バラ
ツキ全抑制していたが、サセプタ面積の大形化に伴いこ
の方法では良好な結果が得られなかった。
を増加させる方法によりサセプタ表面全体での温度バラ
ツキ全抑制していたが、サセプタ面積の大形化に伴いこ
の方法では良好な結果が得られなかった。
第５図はこの従来例におけるサセプタ中心からの距離に
対する温度線図であって、サセプタ１１外周端面から約
２５１ｍの範囲は温度が低く均一でないため試料基板１
２を載置することはできない。
対する温度線図であって、サセプタ１１外周端面から約
２５１ｍの範囲は温度が低く均一でないため試料基板１
２を載置することはできない。
勢 このようにサセプタｌ １に試料基板１２を載置す
ることが不可能な面積が多いことは省エネルギーおよび
省スペースの点から好ましくなかった。この問題を解決
するため、第３図および第４図に示すように、サセプタ
２１の外周寄りに溝２２を設け、この溝２２の断熱効果
や誘導加熱による発熱の度合全変化させて溝２２の内側
部分の温度の均一性を高めるようにしたものが提案され
ている（実願昭５９−３５７１９号）が、この溝２２内
に付着した反応生成物がサセプタ２１の温度の昇降に伴
ってはく離し、ウェハの汚染原因となる。
ることが不可能な面積が多いことは省エネルギーおよび
省スペースの点から好ましくなかった。この問題を解決
するため、第３図および第４図に示すように、サセプタ
２１の外周寄りに溝２２を設け、この溝２２の断熱効果
や誘導加熱による発熱の度合全変化させて溝２２の内側
部分の温度の均一性を高めるようにしたものが提案され
ている（実願昭５９−３５７１９号）が、この溝２２内
に付着した反応生成物がサセプタ２１の温度の昇降に伴
ってはく離し、ウェハの汚染原因となる。
本発明はこのような観点からなされたものでその目的は
、サセプタの表面形状をより単純な形に保ったまま、サ
セプタ表面温度をサセプタ周辺部も中央部もより均一に
できるようにした気相成長装置用サセプタを提供するこ
とにある。
、サセプタの表面形状をより単純な形に保ったまま、サ
セプタ表面温度をサセプタ周辺部も中央部もより均一に
できるようにした気相成長装置用サセプタを提供するこ
とにある。
本発明の気相成長装置用サセプタは、サセプタを２以上
の部材の組合せによりウェハを載置するザグリ部を除い
て実質的に凹凸のない板状に形成すると共に、サセプタ
の外周寄りに熱の不良導帯部を設けたことを特徴として
いる。
の部材の組合せによりウェハを載置するザグリ部を除い
て実質的に凹凸のない板状に形成すると共に、サセプタ
の外周寄りに熱の不良導帯部を設けたことを特徴として
いる。
以下本発明の一実施例を示す第６図ないし第７図につい
て説明する。サセプタ３０の本体３１の外周上面側には
段部３２が形成され、この段部３２にリング３３が係合
されている。このリング３３の材料としては本体３１と
同じく高周波により加熱される発熱体であるカーボンで
もよく、または加熱されないが熱容量が比較的大きいと
共に熱伝導が低く、かつ耐熱性、耐食性に富む石英やＳ
ｉ、Ｃ等でもよい。両者の係合は、密にせず、熱伝導を
押えるように、若干すき間が生じる程度にすることが好
ましい。
て説明する。サセプタ３０の本体３１の外周上面側には
段部３２が形成され、この段部３２にリング３３が係合
されている。このリング３３の材料としては本体３１と
同じく高周波により加熱される発熱体であるカーボンで
もよく、または加熱されないが熱容量が比較的大きいと
共に熱伝導が低く、かつ耐熱性、耐食性に富む石英やＳ
ｉ、Ｃ等でもよい。両者の係合は、密にせず、熱伝導を
押えるように、若干すき間が生じる程度にすることが好
ましい。
このように、本体３１の外周部にこれとは別に形成しｉ
ＩＪソング３を保合すると、本体３１からリング３３
への熱伝導が低下するため、第８図に示すように、リン
グ３３の温度は、第１図に示した、単体のサセプタ１１
の外周部の温度より低下するが、本体３１自身の外周部
の温度低下は防止され、総合的に見て、温度が均一な範
囲を拡大することができる。
ＩＪソング３を保合すると、本体３１からリング３３
への熱伝導が低下するため、第８図に示すように、リン
グ３３の温度は、第１図に示した、単体のサセプタ１１
の外周部の温度より低下するが、本体３１自身の外周部
の温度低下は防止され、総合的に見て、温度が均一な範
囲を拡大することができる。
第９図は、本体３１からリング３３への熱伝導をより小
さく押えるため５両者の間に積極的にすき間３４．３５
’ｉ形成したものである。
さく押えるため５両者の間に積極的にすき間３４．３５
’ｉ形成したものである。
第１０図は、本発明の他の実施例を示すもので。
サセプタ３６０本体３７の裏面側の内、外周寄りに溝３
８．３９を設け、この溝３８．３９内にリング４０．４
１’ｚ係合し、板４２でカバーしたものである。また、
第１１図は、第１０図に示した本体３７の溝３８．３９
”ｆ空間とし、板４２でおおったものであシ、溝３８．
３９の断熱作用により本体３７の外周部の温度低下が内
部に及ぶことを押えるようにしたものである。
８．３９を設け、この溝３８．３９内にリング４０．４
１’ｚ係合し、板４２でカバーしたものである。また、
第１１図は、第１０図に示した本体３７の溝３８．３９
”ｆ空間とし、板４２でおおったものであシ、溝３８．
３９の断熱作用により本体３７の外周部の温度低下が内
部に及ぶことを押えるようにしたものである。
以上述べたように本発明によれば、サセプタの外形は従
来と同様の単純な板状であり、溝などがないため、反応
生成物が付着しても、エツチング工程によって容易に除
去することができ、このため、反応生成物が堆積しては
く離することによるウェハの汚染を防止でき、さらにサ
セプタの外周部の温度が低下しても外周寄りに設けた熱
の不良導帯部により熱伝達が押えられるので温度の均一
部分の範囲を拡大することができ、サセプタの有効面積
を拡大できると共に、より高品質の気相成長が可能にな
る。
来と同様の単純な板状であり、溝などがないため、反応
生成物が付着しても、エツチング工程によって容易に除
去することができ、このため、反応生成物が堆積しては
く離することによるウェハの汚染を防止でき、さらにサ
セプタの外周部の温度が低下しても外周寄りに設けた熱
の不良導帯部により熱伝達が押えられるので温度の均一
部分の範囲を拡大することができ、サセプタの有効面積
を拡大できると共に、より高品質の気相成長が可能にな
る。
第１図および第３図は従来装置の一例を示す平面図、第
２図および第４図は第１図の２−２線と第３図の４−４
線による断面をそれぞれ示す図、第５図は第１．２図に
示した従来装置のサセプタ中心からの距離に対する温度
線図、第６図は本発明の一実施例全示す平面図、第７図
は第６図の６−６線による断面図、第８図は第６．７図
に示した本発明のサセプタの中心からの距離に対する温
度線図、第９図は第７図に示したサセプタのより好しい
例を示す部分拡大図、第１０図および第１１図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。 １２・・・試料基板、 ３０．３６・・・サセプタ、３
１．３７・・・サセプタ本体、３２・・・段部、３３、
４Ｑ、 ４１・・・リング、３４．３５・・・すき間、
３８、３９・・・溝％ ４２・・・板。 出願人 東芝機械株式会社 ７− 片１０図 ４２ ４０ ３８ ４１ Ｊ９ 第１１図 ４２ ３８ ３９
２図および第４図は第１図の２−２線と第３図の４−４
線による断面をそれぞれ示す図、第５図は第１．２図に
示した従来装置のサセプタ中心からの距離に対する温度
線図、第６図は本発明の一実施例全示す平面図、第７図
は第６図の６−６線による断面図、第８図は第６．７図
に示した本発明のサセプタの中心からの距離に対する温
度線図、第９図は第７図に示したサセプタのより好しい
例を示す部分拡大図、第１０図および第１１図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。 １２・・・試料基板、 ３０．３６・・・サセプタ、３
１．３７・・・サセプタ本体、３２・・・段部、３３、
４Ｑ、 ４１・・・リング、３４．３５・・・すき間、
３８、３９・・・溝％ ４２・・・板。 出願人 東芝機械株式会社 ７− 片１０図 ４２ ４０ ３８ ４１ Ｊ９ 第１１図 ４２ ３８ ３９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 サセプタを２以上の部材の組合せによりウェハを
載置するザグリ部を除いて実質的に凹凸のない板状に形
成すると共に、該サセプタの外周寄りに熱の不良導帯部
を設ｉたこと全特徴とする気相成長装置用サセプタ。 ２ サセプタ本体の外周にリングを係合させたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置用サ
セプタ。 ３ サセプタ本体とリングとの間に比較的太きなすき間
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
気相成長装置用サセプタ。 ４ サセプタの裏面外周寄りに溝を設け、該裏面を板で
カバーしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の気相成長装置用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12049184A JPS60263428A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 気相成長装置用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12049184A JPS60263428A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 気相成長装置用サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263428A true JPS60263428A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14787501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12049184A Pending JPS60263428A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 気相成長装置用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263428A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622614A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線加熱装置 |
| US5800622A (en) * | 1995-07-21 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vapor-phase growth apparatus and compound semiconductor device fabricated thereby |
| US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
| WO2005017988A1 (ja) * | 2003-08-15 | 2005-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP12049184A patent/JPS60263428A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622614A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線加熱装置 |
| US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
| US5800622A (en) * | 1995-07-21 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vapor-phase growth apparatus and compound semiconductor device fabricated thereby |
| WO2005017988A1 (ja) * | 2003-08-15 | 2005-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
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