JPH04238893A - 基板ホルダ - Google Patents
基板ホルダInfo
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- JPH04238893A JPH04238893A JP1386991A JP1386991A JPH04238893A JP H04238893 A JPH04238893 A JP H04238893A JP 1386991 A JP1386991 A JP 1386991A JP 1386991 A JP1386991 A JP 1386991A JP H04238893 A JPH04238893 A JP H04238893A
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- equalizing plate
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Links
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Landscapes
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成装置等において
使用する基板ホルダに関し、特に基板加熱構造の改良に
関する。
使用する基板ホルダに関し、特に基板加熱構造の改良に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜半導体素子の製造にバイアス
スパッタ装置等が注目されているが、この場合、薄膜を
形成する基板は全面を均一に加熱しないと膜厚や膜質が
不均一になり、完成した素子の特性にバラつきを生じる
。
スパッタ装置等が注目されているが、この場合、薄膜を
形成する基板は全面を均一に加熱しないと膜厚や膜質が
不均一になり、完成した素子の特性にバラつきを生じる
。
【０００３】そこで従来、図９に示す如く座繰り部に基
板５を収納した板状サセプタ４´の裏面に均熱板２を接
して設け、該均熱板２を背後のヒ−タ１´により熱して
熱伝導によりサセプタ４´および基板５を加熱するもの
があるが、均熱板２とサセプタ４´の接触を全ての部分
で完全に均一にすることが困難なために、充分な均一加
熱は実現できなかった。なお、図において、サセプタ４
´と均熱板２はハウジング６内にＣリング６１で保持さ
れ、また、均熱板２にはブロッキングコンデンサ８１を
介して交流バイアス電源８２が、ロ−パスフィルタ８３
を介して直流電源８４がそれぞれ接続されている。
板５を収納した板状サセプタ４´の裏面に均熱板２を接
して設け、該均熱板２を背後のヒ−タ１´により熱して
熱伝導によりサセプタ４´および基板５を加熱するもの
があるが、均熱板２とサセプタ４´の接触を全ての部分
で完全に均一にすることが困難なために、充分な均一加
熱は実現できなかった。なお、図において、サセプタ４
´と均熱板２はハウジング６内にＣリング６１で保持さ
れ、また、均熱板２にはブロッキングコンデンサ８１を
介して交流バイアス電源８２が、ロ−パスフィルタ８３
を介して直流電源８４がそれぞれ接続されている。
【０００４】そこで充分な均一加熱を実現すべく、特開
平１−２３４３９１号公報には図１０に示す如く、均熱
板２の外周部に突起２２を設けてサセプタ（基板）４´
との間に一定間隙を形成し、均熱板２からの間接輻射熱
によりサセプタ４´を熱する板ホルダが示されている。
平１−２３４３９１号公報には図１０に示す如く、均熱
板２の外周部に突起２２を設けてサセプタ（基板）４´
との間に一定間隙を形成し、均熱板２からの間接輻射熱
によりサセプタ４´を熱する板ホルダが示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
基板ホルダによっても、発明者等の実験によるとサセプ
タの内周部に比して外周部での放熱が大きいことにより
温度勾配を生じ、やはり均一な温度分布が得られない。 本発明はかかる課題を解決するもので、基板の加熱を充
分に均一に行うことができる基板ホルダを提供すること
を目的とする。
基板ホルダによっても、発明者等の実験によるとサセプ
タの内周部に比して外周部での放熱が大きいことにより
温度勾配を生じ、やはり均一な温度分布が得られない。 本発明はかかる課題を解決するもので、基板の加熱を充
分に均一に行うことができる基板ホルダを提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の構成を説明する
と、ヒ−タ板１（図１）上に均熱板２を接して位置せし
め、均熱板２の外周面に接して設けたスペ−サリング３
を介してサセプタリン４を配設して、該サセプタリング
４内に基板５を保持せしめ、加熱された均熱板２からの
輻射熱により上記基板５を加熱するようになした基板ホ
ルダであって、上記均熱板２には上記基板５に対向する
板面の適宜位置に複数の開口２１ａ，２１ｃを形成して
、これら開口２１ａ，２１ｃを通してヒ−タ板１の輻射
熱が直接上記基板５に至るようになしたものである。
と、ヒ−タ板１（図１）上に均熱板２を接して位置せし
め、均熱板２の外周面に接して設けたスペ−サリング３
を介してサセプタリン４を配設して、該サセプタリング
４内に基板５を保持せしめ、加熱された均熱板２からの
輻射熱により上記基板５を加熱するようになした基板ホ
ルダであって、上記均熱板２には上記基板５に対向する
板面の適宜位置に複数の開口２１ａ，２１ｃを形成して
、これら開口２１ａ，２１ｃを通してヒ−タ板１の輻射
熱が直接上記基板５に至るようになしたものである。
【０００７】かかる構成において、基板５の加熱は、均
熱板２の板面に面する部分では主に灼熱板２からの輻射
熱によりなされ、均熱板２の開口２１ａ，２１ｃに面す
る部分では主にヒ−タ板１からの直接的な輻射熱により
なされる。しかして、基板５の、より放熱の大きい部分
に均熱板２の開口２１ａ，２１ｃが位置するようになせ
ば、この部分はヒ−タ板１により直接的に加熱されて放
熱の小さい他の部分との温度差は小さくなり、かくして
均一な加熱が可能となる。
熱板２の板面に面する部分では主に灼熱板２からの輻射
熱によりなされ、均熱板２の開口２１ａ，２１ｃに面す
る部分では主にヒ−タ板１からの直接的な輻射熱により
なされる。しかして、基板５の、より放熱の大きい部分
に均熱板２の開口２１ａ，２１ｃが位置するようになせ
ば、この部分はヒ−タ板１により直接的に加熱されて放
熱の小さい他の部分との温度差は小さくなり、かくして
均一な加熱が可能となる。
【０００８】
【実施例】図１にはバイアススパッタ装置に使用する基
板ホルダの一例を示す。真空室内に設けられたハウジン
グ６は所定間隔をおいて対称形に対向するコ字断面の側
壁を有し、かかるハウジング６内に円形のヒ−タ板１と
その上面に密接積層して均熱板２が設けてある。均熱板
２の外周上面にはＵ字断面のリング状スペ−サ３が設け
てあり、これらヒ−タ板１、均熱板２、およびスペ−サ
３はボルト６１によりハウジング６に固定してある。
板ホルダの一例を示す。真空室内に設けられたハウジン
グ６は所定間隔をおいて対称形に対向するコ字断面の側
壁を有し、かかるハウジング６内に円形のヒ−タ板１と
その上面に密接積層して均熱板２が設けてある。均熱板
２の外周上面にはＵ字断面のリング状スペ−サ３が設け
てあり、これらヒ−タ板１、均熱板２、およびスペ−サ
３はボルト６１によりハウジング６に固定してある。
【０００９】上記スペ−サ３とハウジング６側壁の上端
屈曲部との間にスペ−サ３と同径のサセプタリング４が
スライド装着してあり、該サセプタリング４の内周段部
には断熱リング４１を介して円形基板５をその外縁下面
で支持せしめてある。上記ハウジング６は基板５の上方
で開放する箱状のリフレクタ板７で覆ってあり、該リフ
レクタ板７はヒ−タ板１の下面に突設されたアルミナ製
絶縁スペ−サ１１にボルト１２にて固定され、ア−スさ
れている。
屈曲部との間にスペ−サ３と同径のサセプタリング４が
スライド装着してあり、該サセプタリング４の内周段部
には断熱リング４１を介して円形基板５をその外縁下面
で支持せしめてある。上記ハウジング６は基板５の上方
で開放する箱状のリフレクタ板７で覆ってあり、該リフ
レクタ板７はヒ−タ板１の下面に突設されたアルミナ製
絶縁スペ−サ１１にボルト１２にて固定され、ア−スさ
れている。
【００１０】上記均熱板２には基板５の下面と対向する
板面に多数の円形開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃ（図２）
が形成してあり、これら開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃは
図２に示す如く三重の同心状に配列され、中心より外方
へ順次径が大きくなっている。かかる均熱板２にはブロ
ッキングコンデンサ８１を介してバイアス用交流電源８
２が接続されるとともにロ−パスフィルタ８３を介して
直流電源８４が接続されている。また、上記ヒ−タ板１
にはヒ−タ電源８５が接続されている。
板面に多数の円形開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃ（図２）
が形成してあり、これら開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃは
図２に示す如く三重の同心状に配列され、中心より外方
へ順次径が大きくなっている。かかる均熱板２にはブロ
ッキングコンデンサ８１を介してバイアス用交流電源８
２が接続されるとともにロ−パスフィルタ８３を介して
直流電源８４が接続されている。また、上記ヒ−タ板１
にはヒ−タ電源８５が接続されている。
【００１１】ここで、サセプタリング４、ハウジング６
、スペ−サ３は高温での安定性、真空中における放出ガ
ス特性および熱膨張率等を考慮してモリブデンを使用す
る。均熱板２およびリフレクタ板７は反射率が大きいこ
とと加工性に優れた点を加味してタンタルを使用する。 また、ヒ−タ１は真空中における放出ガス特性が優れて
おり、昇温特性の良い、パイロリティックグラファイト
をパイロリティックボロンナイトライドでオ−バコ−ト
したものを使用する。
、スペ−サ３は高温での安定性、真空中における放出ガ
ス特性および熱膨張率等を考慮してモリブデンを使用す
る。均熱板２およびリフレクタ板７は反射率が大きいこ
とと加工性に優れた点を加味してタンタルを使用する。 また、ヒ−タ１は真空中における放出ガス特性が優れて
おり、昇温特性の良い、パイロリティックグラファイト
をパイロリティックボロンナイトライドでオ−バコ−ト
したものを使用する。
【００１２】上記構造の基板ホルダにおいて、ヒ−タ１
の熱は均熱板２に伝熱してこれを加熱し該均熱板２から
の熱輻射により基板５を間接的に加熱するとともに、均
熱板２に形成した開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃを経て直
接輻射により基板５を加熱する。上記基板５の外周部は
サセプタリング４を経てハウジング６への放熱が大きい
ため中心部に比して温度が低下しがちであるが、既述の
如く均熱板２の開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃの径は外周
部のものを中心部より大きくしてあるから、基板５の外
周部は中心部より多くの直接輻射によるヒ−タ熱を受け
、これにより温度低下が抑制されて中心部とほぼ均一の
温度となる。
の熱は均熱板２に伝熱してこれを加熱し該均熱板２から
の熱輻射により基板５を間接的に加熱するとともに、均
熱板２に形成した開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃを経て直
接輻射により基板５を加熱する。上記基板５の外周部は
サセプタリング４を経てハウジング６への放熱が大きい
ため中心部に比して温度が低下しがちであるが、既述の
如く均熱板２の開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃの径は外周
部のものを中心部より大きくしてあるから、基板５の外
周部は中心部より多くの直接輻射によるヒ−タ熱を受け
、これにより温度低下が抑制されて中心部とほぼ均一の
温度となる。
【００１３】一例として、φ６インチのＳｉウエハを基
板５として使用し、均熱板２をφ１９０の円板とする。 そして、開口形成部の面積を、基板中心から外側へφ５
５，φ１０５で仕切って内側から１ゾ−ン、２ゾ−ン、
３ゾ−ンとして、それぞれ約４７０ｍｍ２ ，１３３０
ｍｍ２ ，４２００ｍｍ２ とする。この条件でＳｉウ
エハを５００℃に加熱し、放射温度計で基板表面温度を
１０ケ所測定したところ、従来の基板ホルダでは温度バ
ラツキが±５℃あったのに対し、本発明では±２℃に抑
えられた。
板５として使用し、均熱板２をφ１９０の円板とする。 そして、開口形成部の面積を、基板中心から外側へφ５
５，φ１０５で仕切って内側から１ゾ−ン、２ゾ−ン、
３ゾ−ンとして、それぞれ約４７０ｍｍ２ ，１３３０
ｍｍ２ ，４２００ｍｍ２ とする。この条件でＳｉウ
エハを５００℃に加熱し、放射温度計で基板表面温度を
１０ケ所測定したところ、従来の基板ホルダでは温度バ
ラツキが±５℃あったのに対し、本発明では±２℃に抑
えられた。
【００１４】このように温度分布が均一になった基板上
にバイアススパッタによりアルミニウムを８０００Å成
膜したところ、膜厚の均一性は従来±６％であったのが
±４％以下となった。また、抵抗率と反射率は従来がそ
れぞれ４μΩｃｍ、７５％であったのに対し、本発明で
は３μΩ３ｃｍ、８０％と膜質の向上が認められる。
にバイアススパッタによりアルミニウムを８０００Å成
膜したところ、膜厚の均一性は従来±６％であったのが
±４％以下となった。また、抵抗率と反射率は従来がそ
れぞれ４μΩｃｍ、７５％であったのに対し、本発明で
は３μΩ３ｃｍ、８０％と膜質の向上が認められる。
【００１５】図３ないし図７には均熱板２および開口２
１ａ，２１ｂ，２１ｃの他の形状を示す。図３において
は、開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃは半円弧状の長穴で交
互に形成され、外方に位置するものの穴幅を大きくして
ある。図４では開口２１は板面に周方向等間隔で放射状
に形成され、各開口２１は外方へ次第に幅が広がる扇形
としてある。均熱板２は四角形としても良く（図５，図
６），この場合開口２１ａ，２１ｂは円形のものを四角
の同心状に配し（図５），あるいは長穴を各辺に沿って
同心状に配する（図６）ことができる。さらに、均熱板
２は六角形としても良い（図７）。以上の構造によって
も前記実施例と同様の効果がある。
１ａ，２１ｂ，２１ｃの他の形状を示す。図３において
は、開口２１ａ，２１ｂ，２１ｃは半円弧状の長穴で交
互に形成され、外方に位置するものの穴幅を大きくして
ある。図４では開口２１は板面に周方向等間隔で放射状
に形成され、各開口２１は外方へ次第に幅が広がる扇形
としてある。均熱板２は四角形としても良く（図５，図
６），この場合開口２１ａ，２１ｂは円形のものを四角
の同心状に配し（図５），あるいは長穴を各辺に沿って
同心状に配する（図６）ことができる。さらに、均熱板
２は六角形としても良い（図７）。以上の構造によって
も前記実施例と同様の効果がある。
【００１６】なお、開口の大きさは必ずしも外周部のも
のを大きくする必要はなく、基板の放熱分布に従って基
板各部の放熱を補完するようにその大きさ、形状、配置
等を適宜変更する。ヒータ１と均熱板２は全面で接する
必要はなく、図８に示す如く、両者を外周部で接するよ
うになして、主にヒータ１からの輻射熱により均熱板２
を加熱するようにしても良い。
のを大きくする必要はなく、基板の放熱分布に従って基
板各部の放熱を補完するようにその大きさ、形状、配置
等を適宜変更する。ヒータ１と均熱板２は全面で接する
必要はなく、図８に示す如く、両者を外周部で接するよ
うになして、主にヒータ１からの輻射熱により均熱板２
を加熱するようにしても良い。
【００１７】
【発明の効果】以上の如く、本発明の基板ホルダは、均
熱板の適当位置に開口を形成して、放熱の多い基板部分
にヒ−タの輻射熱を直接到達せしめるようになして、基
板の均一な加熱を実現し、良質の薄膜半導体素子の製造
を可能としたものである。
熱板の適当位置に開口を形成して、放熱の多い基板部分
にヒ−タの輻射熱を直接到達せしめるようになして、基
板の均一な加熱を実現し、良質の薄膜半導体素子の製造
を可能としたものである。
【図１】基板ホルダの全体断面図である。
【図２】均熱板の平面図である。
【図３】本発明の他の実施例における均熱板の平面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の他の実施例における均熱板の平面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の他の実施例における均熱板の平面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の他の実施例における均熱板の平面図で
ある。
ある。
【図７】本発明の他の実施例における均熱板の平面図で
ある。
ある。
【図８】本発明の他の実施例における基板ホルダの全体
断面図である。
断面図である。
【図９】従来例における基板ホルダの概略断面図である
。
。
【図１０】従来例における基板ホルダの概略断面図であ
る。
る。
１ ヒ−タ板
１１ アルミナ製絶縁スペーサ
１２ ボルト
２ 均熱板
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ 開口
３ スペ−サリング
４ サセプタリング
４１ 断熱リング
５ 基板
６ ハウジング
６１ ボルト
７ リフレクタ板
８１ ブロッキングコンデンサ
８２ バイアス用交流電源
８３ ローパスフィルタ
８４ 直流電源
８５ ヒータ電源
Claims (1)
- 【請求項１】 ヒ−タ板上に均熱板を接して位置せし
め、均熱板の外周面に接して設けたスペ−サリングを介
してサセプタリングを配設して、該サセプタリング内に
基板を保持せしめ、加熱された均熱板からの輻射熱によ
り上記基板を加熱するようになした基板ホルダであって
、上記均熱板には上記基板に対向する板面の適宜位置に
複数の開口を形成して、これら開口を通してヒ−タ板の
輻射熱が直接上記基板に至るようになしたことを特徴と
する基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1386991A JPH04238893A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1386991A JPH04238893A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 基板ホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04238893A true JPH04238893A (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=11845248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1386991A Withdrawn JPH04238893A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04238893A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329206A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Sharp Corp | 拡散板およびその利用 |
| EP2037485A1 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Fabrication apparatus and fabrication method of semiconductor device produced by heating a substrate |
| KR101041875B1 (ko) * | 2008-11-27 | 2011-06-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP1386991A patent/JPH04238893A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329206A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Sharp Corp | 拡散板およびその利用 |
| EP2037485A1 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Fabrication apparatus and fabrication method of semiconductor device produced by heating a substrate |
| US8153454B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Fabrication apparatus and fabrication method of semiconductor device produced by heating substrate |
| KR101041875B1 (ko) * | 2008-11-27 | 2011-06-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
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