JPS59125611A - 基板の熱処理装置 - Google Patents
基板の熱処理装置Info
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- JPS59125611A JPS59125611A JP23010382A JP23010382A JPS59125611A JP S59125611 A JPS59125611 A JP S59125611A JP 23010382 A JP23010382 A JP 23010382A JP 23010382 A JP23010382 A JP 23010382A JP S59125611 A JPS59125611 A JP S59125611A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は基板の熱処理装置に係り、特に高周波誘導加熱
による基板の熱処理装置の改良に関するものである。
による基板の熱処理装置の改良に関するものである。
（ｂ） 技術の背景
高周波誘導加熱による基板の熱処理装置は汚れの混入、
装置的簡便さ、或は抵抗加熱による拡散炉のような熱容
量の大きい熱処理装置に比べ、昇降温か容易であるだめ
一般に広く用いられている。
装置的簡便さ、或は抵抗加熱による拡散炉のような熱容
量の大きい熱処理装置に比べ、昇降温か容易であるだめ
一般に広く用いられている。
（Ｃ）従来技術と問題点
従来の高周波誘導加熱による基板の熱処理装置について
第１図を用いて説明すると熱処理容器ｌ内の石英ホルダ
ー２上に熱処理容器Ｊの長さ方向にほぼ直角に配置され
た高純度カーボン板よりなる円板サセプタ３が所定間隙
に載置され、該円板サセプタ３の両側に接して基板手た
とえば半導体基板が装着されている。該円板サセプタ３
は第２図（ａ）に示すごとく円板ザセプタ３面上の所定
の３ケ所に設けられた保持爪３１によって前基板４を保
持するか、或は第２図中）に示すように円板サセプタ３
の下面部に設けられた保持爪３２．によって円板サセプ
タ３側面に接して基板４を保持する構造になっており、
前記保持爪の断面形状は第２図（Ｃ）に示すように掛は
今秋になっている。又熱処理容器１の外周には高周波加
熱コイル５（第１図）が設けられ、該熱処理容器ｌ内に
所定のガスたとえば窒素ガス、水素ガス、或は前記混合
ガスを導大して、１６周波加熱コイル５により前記円板
−リーセプタ３の発熱体を所定温度に加熱し該円板サセ
プタ３０両側に保持された基板４・が所定温度に加熱さ
れる。かかる基板４の熱処理装置において、該円板サセ
ブ′り３の配置については、円板す（Ｚ ７”夕３の直
径（（」）と円板サセプタの相互間隙（Ｓ）の比（ｄ、
／ｓ）を３或はそれ以下の関係によって基板４の熱処理
が行われていた。しかしながら前述した円板サセプタ３
の構造と前記円板サセプタ３の配置によって基板４たと
えば半導体基板を高温熱処理する場合には半導体基板４
の円板サセプタ３ ＶＣ対する密着度の不完全によって
半導体基板８の温度分布に高低差を生ずる問題があり、
又前記円板サセプタ８の配置の不適正さによって基板中
心部の輻射による熱放散が速く半導体基板４に第８図に
示す如く熱的歪が発生し圧縮或は引張り応力が加わって
特に結晶面（〜Ｌ １． ）をすべり面としたスリップ
が発生する（スリップライン）現象があり、このスリッ
プライン６の発生によってその部分を含む半導体残根４
上の半導体素子の電気的特性は劣化して不良品となり、
又不良にならなくても特性が変化し、ノイズなども増加
し、信頼性を著しく低下させる原因となっていた。
第１図を用いて説明すると熱処理容器ｌ内の石英ホルダ
ー２上に熱処理容器Ｊの長さ方向にほぼ直角に配置され
た高純度カーボン板よりなる円板サセプタ３が所定間隙
に載置され、該円板サセプタ３の両側に接して基板手た
とえば半導体基板が装着されている。該円板サセプタ３
は第２図（ａ）に示すごとく円板ザセプタ３面上の所定
の３ケ所に設けられた保持爪３１によって前基板４を保
持するか、或は第２図中）に示すように円板サセプタ３
の下面部に設けられた保持爪３２．によって円板サセプ
タ３側面に接して基板４を保持する構造になっており、
前記保持爪の断面形状は第２図（Ｃ）に示すように掛は
今秋になっている。又熱処理容器１の外周には高周波加
熱コイル５（第１図）が設けられ、該熱処理容器ｌ内に
所定のガスたとえば窒素ガス、水素ガス、或は前記混合
ガスを導大して、１６周波加熱コイル５により前記円板
−リーセプタ３の発熱体を所定温度に加熱し該円板サセ
プタ３０両側に保持された基板４・が所定温度に加熱さ
れる。かかる基板４の熱処理装置において、該円板サセ
ブ′り３の配置については、円板す（Ｚ ７”夕３の直
径（（」）と円板サセプタの相互間隙（Ｓ）の比（ｄ、
／ｓ）を３或はそれ以下の関係によって基板４の熱処理
が行われていた。しかしながら前述した円板サセプタ３
の構造と前記円板サセプタ３の配置によって基板４たと
えば半導体基板を高温熱処理する場合には半導体基板４
の円板サセプタ３ ＶＣ対する密着度の不完全によって
半導体基板８の温度分布に高低差を生ずる問題があり、
又前記円板サセプタ８の配置の不適正さによって基板中
心部の輻射による熱放散が速く半導体基板４に第８図に
示す如く熱的歪が発生し圧縮或は引張り応力が加わって
特に結晶面（〜Ｌ １． ）をすべり面としたスリップ
が発生する（スリップライン）現象があり、このスリッ
プライン６の発生によってその部分を含む半導体残根４
上の半導体素子の電気的特性は劣化して不良品となり、
又不良にならなくても特性が変化し、ノイズなども増加
し、信頼性を著しく低下させる原因となっていた。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的はかかる間四点に鑑みなされたもので、基
板上の温度分布をより均−Ｋ して、かつ結晶転位即ち
スリップラインの発生を防止しつる基板の熱処理装置の
提供にある。
板上の温度分布をより均−Ｋ して、かつ結晶転位即ち
スリップラインの発生を防止しつる基板の熱処理装置の
提供にある。
（ｅ） 発明の構成
その目的を達成するため本発明は熱処理容器内に複数の
円板サセプタを配置し、該円板サセプタに処理される基
板を密着させて誘導加熱する熱処理装置であって、該円
板ザセフリの直径（＋１）と円板サセプタの相互間隔（
Ｓ）との比（（１／Ｓ）を３５以上とし、かつ該円板サ
セプタ面上の所定全周に設けた基板保持溝の底面が外下
り傾斜面を有する形状としたことを特徴とする。
円板サセプタを配置し、該円板サセプタに処理される基
板を密着させて誘導加熱する熱処理装置であって、該円
板ザセフリの直径（＋１）と円板サセプタの相互間隔（
Ｓ）との比（（１／Ｓ）を３５以上とし、かつ該円板サ
セプタ面上の所定全周に設けた基板保持溝の底面が外下
り傾斜面を有する形状としたことを特徴とする。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して具体的に説
明する。第４図（ａ）、■）、 （ｅ＞は本発明の一実
施例の円板サセプタに基板を装着した場合の平面図、断
面図、及び一部拡大断面図で前回と同等の部分について
は同一符号を付している。第４図（ａ）において高純度
カーボン板よりなる円板サセプタ７面上の所定領域の全
周に、基板４の挿入可能な基板保持溝８を設は該基板保
持溝８内に第４図（至）に示すごとく基板４を円板サセ
フリ７の両側に挿入する。かかる場合第４図（Ｃ）に示
すように基板４が挿入される基板保持溝８は図示したご
とく外下り傾斜面を有する形状になっており、基板４の
自重で該保持溝８内に挾持されると同時に該基板ヰは円
板サセプタ７の側面９に密着する力が俳ｊき前述した従
来の掛は今秋（第２図（Ｃ））に比べてよシ完全に円板
サセプタの側面９に密着され、第１図で説明した基板の
熱処理装置における基板４・の加熱温度分布の不均一性
は改善される。
明する。第４図（ａ）、■）、 （ｅ＞は本発明の一実
施例の円板サセプタに基板を装着した場合の平面図、断
面図、及び一部拡大断面図で前回と同等の部分について
は同一符号を付している。第４図（ａ）において高純度
カーボン板よりなる円板サセプタ７面上の所定領域の全
周に、基板４の挿入可能な基板保持溝８を設は該基板保
持溝８内に第４図（至）に示すごとく基板４を円板サセ
フリ７の両側に挿入する。かかる場合第４図（Ｃ）に示
すように基板４が挿入される基板保持溝８は図示したご
とく外下り傾斜面を有する形状になっており、基板４の
自重で該保持溝８内に挾持されると同時に該基板ヰは円
板サセプタ７の側面９に密着する力が俳ｊき前述した従
来の掛は今秋（第２図（Ｃ））に比べてよシ完全に円板
サセプタの側面９に密着され、第１図で説明した基板の
熱処理装置における基板４・の加熱温度分布の不均一性
は改善される。
更にかかる構造のだとえは直径約ｌｊ’ｉｏ＋ｕφの円
板サセプタ７を使用して該円板サセプタ７の側面９に基
板４・を装着し、該円板サセフリ７の配置を該円板サセ
プタの直径（ＣＩ）と円板サセプタの相互間隔（Ｓ）と
の比（α／Ｓ）を種々かえて温度約１．１００℃２０分
間の熱処理を行った場合の本発明者等の実験結果を第５
図に示す。即ち第５図の縦軸はりＩ（板上に発生ずるス
リップライン 及び横軸に円板サセフリの直径（（１）
と円板サセプタの相互間隙（Ｓ）との比（ｄ／８ ）を
表示している。図から明らかなように（（３，／Ｓ ）
を３５以」二とした場合においては高温熱処理によって
もスリップラインのない良好な１人板が得られた。
板サセプタ７を使用して該円板サセプタ７の側面９に基
板４・を装着し、該円板サセフリ７の配置を該円板サセ
プタの直径（ＣＩ）と円板サセプタの相互間隔（Ｓ）と
の比（α／Ｓ）を種々かえて温度約１．１００℃２０分
間の熱処理を行った場合の本発明者等の実験結果を第５
図に示す。即ち第５図の縦軸はりＩ（板上に発生ずるス
リップライン 及び横軸に円板サセフリの直径（（１）
と円板サセプタの相互間隙（Ｓ）との比（ｄ／８ ）を
表示している。図から明らかなように（（３，／Ｓ ）
を３５以」二とした場合においては高温熱処理によって
もスリップラインのない良好な１人板が得られた。
即ち上記円板サセプタ７の適正配置によって基板中心部
の輻射による熱放散が従来の配置６”に比べて少なく基
板外周との温度バランスによって基板内の温度分布が改
善され、前記円板サセプタの構造と相まってスリップラ
インの発生がないいわゆるスリップフリーの基板の熱処
理装置が可能となる。
の輻射による熱放散が従来の配置６”に比べて少なく基
板外周との温度バランスによって基板内の温度分布が改
善され、前記円板サセプタの構造と相まってスリップラ
インの発生がないいわゆるスリップフリーの基板の熱処
理装置が可能となる。
＠）発明の詳細
な説明したごとく本発明によれば円板サセフ。
りの適正配置、及び密着性のよい円板サセプタ構造によ
シ、基板上の温度分布をより均一にして、かつスリップ
フリーの基板の熱処理装置が可能となり、品質向上にす
ぐれた効果がある。尚本実施例は基板の熱処理装置の一
例としてあけたものであり、基板を加熱して該基板上に
堆積層を気相成長さぜる気相成長法の装置にも適用する
ことは可能である。
シ、基板上の温度分布をより均一にして、かつスリップ
フリーの基板の熱処理装置が可能となり、品質向上にす
ぐれた効果がある。尚本実施例は基板の熱処理装置の一
例としてあけたものであり、基板を加熱して該基板上に
堆積層を気相成長さぜる気相成長法の装置にも適用する
ことは可能である。
第１図は従来の基板の熱処理装置の概略構成図、第２図
（ａ、）、 （１））、 （Ｃ）ｈ、従来のグー処理装
置に用いられる円板ザセプクに基板を装置（シた場合の
平面図及び一部拡大断面図、第３図は従来装置により熱
タル環された半導体基板の表面図、第４・図（ａ）、
＋ｂ）、 （（’りは本発明の一実施例の円板ザセプタ
に基板を装着した場合の平面図、断面図、及び一部拡大
１（を面図、第す図は本実施例の実験結果をプロットし
／こ図表である。図においてｌは熱処理容器、２は石英
ホルダー、３．７は円板ザセプタ、４は基板、５μ龜 高周波加熱コイル、６はヌリソプライン、８は基板保持
溝を示す。 第）図 第２図 〔Ｑ） 第 ３［ス１ シＳ ４ド１
（ａ、）、 （１））、 （Ｃ）ｈ、従来のグー処理装
置に用いられる円板ザセプクに基板を装置（シた場合の
平面図及び一部拡大断面図、第３図は従来装置により熱
タル環された半導体基板の表面図、第４・図（ａ）、
＋ｂ）、 （（’りは本発明の一実施例の円板ザセプタ
に基板を装着した場合の平面図、断面図、及び一部拡大
１（を面図、第す図は本実施例の実験結果をプロットし
／こ図表である。図においてｌは熱処理容器、２は石英
ホルダー、３．７は円板ザセプタ、４は基板、５μ龜 高周波加熱コイル、６はヌリソプライン、８は基板保持
溝を示す。 第）図 第２図 〔Ｑ） 第 ３［ス１ シＳ ４ド１
Claims (1)
- 熱処理容器内に複数の円板ザセブタを配置し、該円板サ
セプタに処理される基板を密着させて誘導加熱する熱処
理装置であって、該円板サセプタの直径（ｄ）と円板サ
セプタの相互間隔（Ｓ）との比（ｄ／Ｓ）を３５以上と
し、かつ該円板サセプタ面上の所定全周に設けた基板保
持面の底面が外下り傾斜面を有する形状としたことを特
徴とする基板の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23010382A JPS59125611A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 基板の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23010382A JPS59125611A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 基板の熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125611A true JPS59125611A (ja) | 1984-07-20 |
| JPH023298B2 JPH023298B2 (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=16902598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23010382A Granted JPS59125611A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 基板の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125611A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424383A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Tokai Konetsu Kogyo Kk | Graphite heat emitting body |
| US6127288A (en) * | 1996-03-25 | 2000-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of thermally processing semiconductor wafer |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP23010382A patent/JPS59125611A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6424383A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Tokai Konetsu Kogyo Kk | Graphite heat emitting body |
| JPH0454356B2 (ja) * | 1987-07-20 | 1992-08-31 | Tokai Konetsu Kogyo Kk | |
| US6127288A (en) * | 1996-03-25 | 2000-10-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of thermally processing semiconductor wafer |
| US6184498B1 (en) | 1996-03-25 | 2001-02-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for thermally processing semiconductor wafer |
| US6235543B1 (en) | 1996-03-25 | 2001-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of evaluating a semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023298B2 (ja) | 1990-01-23 |
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