JPS59121915A - 気相成長装置 - Google Patents
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- JPS59121915A JPS59121915A JP22880282A JP22880282A JPS59121915A JP S59121915 A JPS59121915 A JP S59121915A JP 22880282 A JP22880282 A JP 22880282A JP 22880282 A JP22880282 A JP 22880282A JP S59121915 A JPS59121915 A JP S59121915A
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- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は気相成長装置に係シ、単結晶基体上に成長層を
形成する場合において熱応力転位の発生を低減すること
が可能な装置に関する。
形成する場合において熱応力転位の発生を低減すること
が可能な装置に関する。
石英製反応容器内に単結晶基体を収納し、高温に加熱し
ながら原料ガスを供給して基体上に単結晶層を更に積み
上げる所謂気相成長技術は、ＬＳＩ製造プロセス等の半
導体工業の分野において広く適用される重要なプロセス
である。第１図は従来の縦形気相成長装置の説明図であ
る。石英製反応容器１内のＳｉＣ被覆したグラファイト
製加熱台２上にシリコン単結晶基体３を載置し、軸４に
ょシ加熱台を回転しつつ高周波加熱コイル５で加熱台２
を誘導加熱し、シリコン単結晶基体３を約１２００ ｔ
ｌ’の高温に保持する。次いでシリコン原料（例えば５
ｉＣ１４等）を水素をキャリヤガスとして原料ガス供給
ノズル６から供給し、シリコン単結晶基体３上に単結晶
層を形成する。排ガスは排出ロアから容器外に排出する
。
ながら原料ガスを供給して基体上に単結晶層を更に積み
上げる所謂気相成長技術は、ＬＳＩ製造プロセス等の半
導体工業の分野において広く適用される重要なプロセス
である。第１図は従来の縦形気相成長装置の説明図であ
る。石英製反応容器１内のＳｉＣ被覆したグラファイト
製加熱台２上にシリコン単結晶基体３を載置し、軸４に
ょシ加熱台を回転しつつ高周波加熱コイル５で加熱台２
を誘導加熱し、シリコン単結晶基体３を約１２００ ｔ
ｌ’の高温に保持する。次いでシリコン原料（例えば５
ｉＣ１４等）を水素をキャリヤガスとして原料ガス供給
ノズル６から供給し、シリコン単結晶基体３上に単結晶
層を形成する。排ガスは排出ロアから容器外に排出する
。
か−る構成の気相成長装置においては以下のような問題
があった。即ち、基体３の加熱法はまず、加熱台２を加
熱し間接的に基体３を加熱する方法であること、基体３
表面が供給ガスによって冷やされることなどの理由から
、第２図のように基体表面と裏面において必然的に温度
差（Ｔｏ＞Ｔｔ）を生じ、このため基体３は表裏の熱膨
張の差によって湾曲してしまう。このような湾曲によっ
て基体面内の周辺部分と中央部分においては温度不拘（
Ｔｚ＜Ｔ＞）を生じ、その結果基体内部に熱応力転位（
スリップデスロケーション）が導入される。結晶中の転
位は半導体素子の電気的特性に悪影響を及ぼすことから
スリップの発生はＬＳＩの製品歩留を低くする。
があった。即ち、基体３の加熱法はまず、加熱台２を加
熱し間接的に基体３を加熱する方法であること、基体３
表面が供給ガスによって冷やされることなどの理由から
、第２図のように基体表面と裏面において必然的に温度
差（Ｔｏ＞Ｔｔ）を生じ、このため基体３は表裏の熱膨
張の差によって湾曲してしまう。このような湾曲によっ
て基体面内の周辺部分と中央部分においては温度不拘（
Ｔｚ＜Ｔ＞）を生じ、その結果基体内部に熱応力転位（
スリップデスロケーション）が導入される。結晶中の転
位は半導体素子の電気的特性に悪影響を及ぼすことから
スリップの発生はＬＳＩの製品歩留を低くする。
以上の問題は近年、ＬＳＩのプロセスコストの低減と歩
留シ向上を目的とする基体の大口径化（４〜６インチ径
）が進められる中で益々クローズアップしつつある。即
ち、基体径が大きくなると基体の湾曲による反Ｂｈはよ
シ大きくなる（第２図参照）ことから基体面内の半径方
向の温度分布ｄＴ／ｄｒも大きくなる。−一方、スリッ
プの発生する半径方向温度勾配ｄＴ／ｄｒの限界は第３
図に示すように、基体径が大きい程小さくなることから
、結局大口径基体はどスリップは発生し易い。
留シ向上を目的とする基体の大口径化（４〜６インチ径
）が進められる中で益々クローズアップしつつある。即
ち、基体径が大きくなると基体の湾曲による反Ｂｈはよ
シ大きくなる（第２図参照）ことから基体面内の半径方
向の温度分布ｄＴ／ｄｒも大きくなる。−一方、スリッ
プの発生する半径方向温度勾配ｄＴ／ｄｒの限界は第３
図に示すように、基体径が大きい程小さくなることから
、結局大口径基体はどスリップは発生し易い。
この問題を解決するための方法として第４図に示す気相
成長装置がある。この装置は加熱源５１として赤外ラン
プを用い表面側から直接基体３を加熱する方式を採って
いる。このようにすることによって、輻射熱は基体３表
面を直接加熱すると共に、その一部は基体（例えばシリ
コン）が赤外光を透過し易いことから載置台を兼ねた加
熱台２をも加熱し、基体表裏の温度差を小さくできる。
成長装置がある。この装置は加熱源５１として赤外ラン
プを用い表面側から直接基体３を加熱する方式を採って
いる。このようにすることによって、輻射熱は基体３表
面を直接加熱すると共に、その一部は基体（例えばシリ
コン）が赤外光を透過し易いことから載置台を兼ねた加
熱台２をも加熱し、基体表裏の温度差を小さくできる。
この結果、基体の湾曲を小さくできスリップ発生を減少
することができる。
することができる。
しかしながら、この方法によっても基体径が４インチ以
上の大口径基体ではスリップの発生が見られ、特に５イ
ンチ径の基体におけるスリップ発生の割合は５０チ以上
にも達した。この原因としては、熱応力には無関係で成
長過程で導入される結晶欠陥については成長温度が高い
程減少することから、基体加熱温度を高めに保持するこ
とにあると考えられる。即ち、第２図に示すようにスリ
ップが発生する基体面内の半径方向温度勾配の限界は基
体温度が高い程逆に小さくなるが、大口径基板において
は温度勾配を小さく保つことは非常に難しく、結局スリ
ップが発生し易くなってしまうと考えられる。
上の大口径基体ではスリップの発生が見られ、特に５イ
ンチ径の基体におけるスリップ発生の割合は５０チ以上
にも達した。この原因としては、熱応力には無関係で成
長過程で導入される結晶欠陥については成長温度が高い
程減少することから、基体加熱温度を高めに保持するこ
とにあると考えられる。即ち、第２図に示すようにスリ
ップが発生する基体面内の半径方向温度勾配の限界は基
体温度が高い程逆に小さくなるが、大口径基板において
は温度勾配を小さく保つことは非常に難しく、結局スリ
ップが発生し易くなってしまうと考えられる。
反応温度を低温にし且つ成長過程における結晶欠陥の導
入をも低減する試みとしては第５図に示す方式がある。
入をも低減する試みとしては第５図に示す方式がある。
即ち、基体３をグラファイト製の加熱台２に載置し、環
状の抵抗加熱炉５２によって通常反応温度以下（約ｔｏ
ｏｒ程度低い）に加熱する。次いで紫外ランプ８を点灯
し基体３表面を照射したのち原料ガスを導入口６よシ供
給し気相成長を行う。７は排気口である。気相成長は、
気相反応で分解した結晶構成原子が基体表面において熱
エネルギーを受けて再配列し、基板と同一の面方位を持
つ成長層を形成するわけであるが、第５図の方式では反
応温度を低くしたために不足する熱エネルギーを紫外光
等の電磁波を照射することによって補い、良質の結晶性
を維持するように配慮されている。
状の抵抗加熱炉５２によって通常反応温度以下（約ｔｏ
ｏｒ程度低い）に加熱する。次いで紫外ランプ８を点灯
し基体３表面を照射したのち原料ガスを導入口６よシ供
給し気相成長を行う。７は排気口である。気相成長は、
気相反応で分解した結晶構成原子が基体表面において熱
エネルギーを受けて再配列し、基板と同一の面方位を持
つ成長層を形成するわけであるが、第５図の方式では反
応温度を低くしたために不足する熱エネルギーを紫外光
等の電磁波を照射することによって補い、良質の結晶性
を維持するように配慮されている。
しかしながら、この方式を大口径基体に適用する場合、
次のような欠点を生じることが分かった。
次のような欠点を生じることが分かった。
即ち、大口径基体を水平に載置しその外周から環状炉で
加熱する方法は、基体の中央附近の温度が低くなシ易く
全体の均一化が非常に困難で、成長温度を低くしたにも
かかわらず半径方向温度勾配が非常に大きくスリップの
発生は依然減少しないことが明らかになった。一方、こ
の方式は基体を一枚ずつ処理する枚葉式でおることから
スループントを高めコスＦｆ低減するには自動化が必要
である。しかしながら、環状炉は一般に炉構造が大型化
する上、温度分布の均一化を図るためには炉体長手方向
中心で基体を加熱する必要がある。このことは、特に基
体挿入、取出し方法を自動化する場合、炉構造が非常に
複雑になってしまう。
加熱する方法は、基体の中央附近の温度が低くなシ易く
全体の均一化が非常に困難で、成長温度を低くしたにも
かかわらず半径方向温度勾配が非常に大きくスリップの
発生は依然減少しないことが明らかになった。一方、こ
の方式は基体を一枚ずつ処理する枚葉式でおることから
スループントを高めコスＦｆ低減するには自動化が必要
である。しかしながら、環状炉は一般に炉構造が大型化
する上、温度分布の均一化を図るためには炉体長手方向
中心で基体を加熱する必要がある。このことは、特に基
体挿入、取出し方法を自動化する場合、炉構造が非常に
複雑になってしまう。
本発明の目的は、従来の気相成長装置の欠点を解消し、
５インチ径以上の大口径基体に対しても熱応力転位の発
生のない気相成長を可能とする気相成長装置を提供する
にある。
５インチ径以上の大口径基体に対しても熱応力転位の発
生のない気相成長を可能とする気相成長装置を提供する
にある。
本発明気相成長装置の特徴とするところは気相成長にお
いて、赤外ランプ等輻射加熱方式の加熱手段を基体上面
側にほぼ円錐形状に配置する点にある。更に他の特徴は
円錐状加熱手段頂部に開口磁波を照射するにある。
いて、赤外ランプ等輻射加熱方式の加熱手段を基体上面
側にほぼ円錐形状に配置する点にある。更に他の特徴は
円錐状加熱手段頂部に開口磁波を照射するにある。
また、他の特徴左するところは前記特徴を備えた装置に
おいて反応容器内への基体の収納及び取シ出しは反応容
器自体を稼動することなく可能とし、一枚ずつ半連続的
に処理する構造にある。
おいて反応容器内への基体の収納及び取シ出しは反応容
器自体を稼動することなく可能とし、一枚ずつ半連続的
に処理する構造にある。
以下本発明をシリコンの気相成長を例に採って説明する
。
。
第６図及び第７図は本発明気相成長装置の代表的な実施
例を示すもので、従来装置と相違するところは、加熱手
段に工夫を加えた点と毎葉処理が可能となっている点に
ある。５３は反応容器１の上面側に上面と所定の傾斜角
度を持って上面を包囲し上端面に開口８１ができるよう
に配置され、全体として多角錐台或いは円錐台形状をな
す加熱装置で、例えば赤外ランプの並設から成っている
。
例を示すもので、従来装置と相違するところは、加熱手
段に工夫を加えた点と毎葉処理が可能となっている点に
ある。５３は反応容器１の上面側に上面と所定の傾斜角
度を持って上面を包囲し上端面に開口８１ができるよう
に配置され、全体として多角錐台或いは円錐台形状をな
す加熱装置で、例えば赤外ランプの並設から成っている
。
加熱装置５３０反応反応容器自体の傾斜角度は、加熱台
２上に載置した基体３が均等に加熱されるように選定さ
れている。加熱装置５３の上端面の開口８１に紫外２ノ
ブ８を配置しである。
２上に載置した基体３が均等に加熱されるように選定さ
れている。加熱装置５３の上端面の開口８１に紫外２ノ
ブ８を配置しである。
１３及び２３は気相成長後の基体１４を収納する基体収
納容器及び気相成長前の基体２４を収納する基体収納容
器で、これらはそれぞれ基体を移送するに十分な断面積
の通路を有する連結部材ｌＯ及び２０を介して反応容器
１に連結されている。この連結部材１０及び２０は図の
ように反応容器ｌ及び基体収納容器１３及び２３に突設
しておき、それを連結して構成するか、反応容器１及び
基体収納容器と別個に形成してもよい。連結部材１０及
び２０には、通路をしゃ断する２個のシャッタ１１．１
２及び２１．２２を具備している。
納容器及び気相成長前の基体２４を収納する基体収納容
器で、これらはそれぞれ基体を移送するに十分な断面積
の通路を有する連結部材ｌＯ及び２０を介して反応容器
１に連結されている。この連結部材１０及び２０は図の
ように反応容器ｌ及び基体収納容器１３及び２３に突設
しておき、それを連結して構成するか、反応容器１及び
基体収納容器と別個に形成してもよい。連結部材１０及
び２０には、通路をしゃ断する２個のシャッタ１１．１
２及び２１．２２を具備している。
１８及び２８は連結部材１０及び２０のシャッタに挾ま
れた通路部分１７及び２７に形成した排気口、１５及び
２５は基体収納容器１３及び２３に設けたガス供給口、
１６及び２６は基体１４及び２４を保持して移送するロ
ーダアームである。
れた通路部分１７及び２７に形成した排気口、１５及び
２５は基体収納容器１３及び２３に設けたガス供給口、
１６及び２６は基体１４及び２４を保持して移送するロ
ーダアームである。
か＼る構成の気相成長装置の気相成長時の操作について
以下説明する。
以下説明する。
大口径（６〜フインチ径）のシリコン基体３は石英製反
応容器１内の加熱台２上に置かれ、気相成長層の膜厚均
一性を得るためと温度分布の均一化のため回転軸４によ
って回転（約１ｓｔｐｍ）されている。容器１内の窒素
置換の後、ガス供給ノズル６から反応のキャリヤガスと
なる水素を約８０１／ｍｉｘの流量で２分間流し容器１
内を水素に置換する。次いで水素流量を約２０ ｔ／ｍ
ｉｎに減らし基体３上部で容器１外部に円錐状に配置さ
れた加熱装置５３の赤外ランプを点灯する。シリコン基
体３は表面から赤外線エネルギを受け、また赤外線の一
部は加熱台２にも吸収されることからシリコン基体は急
速昇温し、約１〜２分後に従来の成長温度（１２００Ｃ
）に比べて低い所定の反応温度（１０００Ｃ）に保持さ
れる。この場合、加熱方法が基体表面側のみからの輻射
法であり基体の反応を最少限にできること、最高加熱温
度が従来に比べて低いことからスリップの発生は見られ
ない。
応容器１内の加熱台２上に置かれ、気相成長層の膜厚均
一性を得るためと温度分布の均一化のため回転軸４によ
って回転（約１ｓｔｐｍ）されている。容器１内の窒素
置換の後、ガス供給ノズル６から反応のキャリヤガスと
なる水素を約８０１／ｍｉｘの流量で２分間流し容器１
内を水素に置換する。次いで水素流量を約２０ ｔ／ｍ
ｉｎに減らし基体３上部で容器１外部に円錐状に配置さ
れた加熱装置５３の赤外ランプを点灯する。シリコン基
体３は表面から赤外線エネルギを受け、また赤外線の一
部は加熱台２にも吸収されることからシリコン基体は急
速昇温し、約１〜２分後に従来の成長温度（１２００Ｃ
）に比べて低い所定の反応温度（１０００Ｃ）に保持さ
れる。この場合、加熱方法が基体表面側のみからの輻射
法であり基体の反応を最少限にできること、最高加熱温
度が従来に比べて低いことからスリップの発生は見られ
ない。
基体が所定温度に達するとそのまま１分間保持して水素
処理し、表面に付着する自然酸化膜、有機物等を除去す
る。この時、紫外う／プ８を点灯し、加熱装置５３頂部
の開口部分８１を通し基体３表面に紫外光（波長約４０
００ｍ以下）を照射する。
処理し、表面に付着する自然酸化膜、有機物等を除去す
る。この時、紫外う／プ８を点灯し、加熱装置５３頂部
の開口部分８１を通し基体３表面に紫外光（波長約４０
００ｍ以下）を照射する。
この結果、紫外エネルギによって基体表面が活性化され
、表面清浄化は促進される。１分間の清浄化処理の後、
紫外光を照射したまま約１ｍｏｚ％のシリコン原料（例
えば５ｉＣ２４）を供給し気相成長を開始する。気相成
長中の紫外光の照射は低温化による成長過程で導入され
る結晶欠陥の低減、低温化による成長速度低下の抑制等
の効果がある。
、表面清浄化は促進される。１分間の清浄化処理の後、
紫外光を照射したまま約１ｍｏｚ％のシリコン原料（例
えば５ｉＣ２４）を供給し気相成長を開始する。気相成
長中の紫外光の照射は低温化による成長過程で導入され
る結晶欠陥の低減、低温化による成長速度低下の抑制等
の効果がある。
シリコン原料は水素中に混入し複数本のノズル６を通し
て容器１内に供給される。各ノズル６の流量は成長層の
厚みや抵抗率の均一性が最も良くなる流量比に配分され
る。成長層の抵抗率を制御するため水素中には微量（約
１１Ｆ）の不純ガス（例えばＰＨｓ等）も混入される。
て容器１内に供給される。各ノズル６の流量は成長層の
厚みや抵抗率の均一性が最も良くなる流量比に配分され
る。成長層の抵抗率を制御するため水素中には微量（約
１１Ｆ）の不純ガス（例えばＰＨｓ等）も混入される。
所定の厚さの成長層を形成した後（例えば前述条件では
１０μｍの場合約１０分間成長）、原料ガスを止め水素
流量を約５ｏｔ７＝に増やし残存する原料ガスをパージ
し、次いで紫外ランプ８、赤外ランプ５３を消灯する。
１０μｍの場合約１０分間成長）、原料ガスを止め水素
流量を約５ｏｔ７＝に増やし残存する原料ガスをパージ
し、次いで紫外ランプ８、赤外ランプ５３を消灯する。
２分間の冷却の後水素を止め窒素を８０ｔ／−で１分間
供給し容器ｌ内をパージした後流量を１（１／７ｍに下
げる。加熱台２を軸４の降下によシ破線位置２１まで下
げると共に取り出し口１０のシャッタ１１を開口する。
供給し容器ｌ内をパージした後流量を１（１／７ｍに下
げる。加熱台２を軸４の降下によシ破線位置２１まで下
げると共に取り出し口１０のシャッタ１１を開口する。
気相成長を終えた基体２を収納するカセットのボックス
１３とアイソレータ１７を仕切るシャッタ１２を開口し
、ローダアーム１６を加熱台３上まで挿入する。ローダ
先端の真空チャックにより基体３をチャックしカセット
１４まで引き出し取シ出しを終える。
１３とアイソレータ１７を仕切るシャッタ１２を開口し
、ローダアーム１６を加熱台３上まで挿入する。ローダ
先端の真空チャックにより基体３をチャックしカセット
１４まで引き出し取シ出しを終える。
次いで、取り出し側の２箇所のシャッタ１１゜１２を閉
じ入口側シャッタ２１．２２を開口する。
じ入口側シャッタ２１．２２を開口する。
基体取り出しの場合と同様に新たな基体を収納するカセ
ット２３からロータ２６によシ次の基体を取シ出し加熱
台３上にチャージした後入口側シャッタ２２．２１を閉
じる。回転軸４を上昇し加熱台２を所定加熱位置にセッ
トする。基体カセット１４．２４の収納ボックス１３．
２３中は常時窒素パージされていることから基体数シ出
し、セント時の空気の混入は防がれ、次の反応前の窒素
）く−ジ時間は短縮される。また、カセット収納ボック
ス１３．２３側に窒素供給口１５．２５が、アイン゛レ
ータ１７，２７側に排気口１８．２８が設けてあシ、更
にアイソレータとカセット収納ボックスのシャッター１
２．２２には小孔が開口され窒素はカセット収納ボック
スからアイソレータ側に向って流出する。゛このためカ
セット中の基体汚染は未然に防ぐことができ、更には成
長中においてシャッター１１．２１を通して反応ガスや
副生成物の一部が漏洩した場合においてもカセット中ま
で汚染することはない。
ット２３からロータ２６によシ次の基体を取シ出し加熱
台３上にチャージした後入口側シャッタ２２．２１を閉
じる。回転軸４を上昇し加熱台２を所定加熱位置にセッ
トする。基体カセット１４．２４の収納ボックス１３．
２３中は常時窒素パージされていることから基体数シ出
し、セント時の空気の混入は防がれ、次の反応前の窒素
）く−ジ時間は短縮される。また、カセット収納ボック
ス１３．２３側に窒素供給口１５．２５が、アイン゛レ
ータ１７，２７側に排気口１８．２８が設けてあシ、更
にアイソレータとカセット収納ボックスのシャッター１
２．２２には小孔が開口され窒素はカセット収納ボック
スからアイソレータ側に向って流出する。゛このためカ
セット中の基体汚染は未然に防ぐことができ、更には成
長中においてシャッター１１．２１を通して反応ガスや
副生成物の一部が漏洩した場合においてもカセット中ま
で汚染することはない。
以上のようにして一枚の基体の気相成長を終えると引き
続き、パージ窒素の流量をｓ ｏ ｔ７＝に増やし再び
次の気相成長の手順を開始するわけである。
続き、パージ窒素の流量をｓ ｏ ｔ７＝に増やし再び
次の気相成長の手順を開始するわけである。
本実施例においてはシリコン単結晶基体上にシリコン単
結晶層を形成する、所謂シリコンホモ気相成長を例とし
て説明したが、ヘテロ気相成長への適用も浩然可能でお
る。また、単結晶基体上に多結晶性気相成長層を形成す
る場合においても、基体単結晶への熱応力転位導入が懸
念されるほど高温の反応温度を必要とする場合には本発
明は非常に有効である。更に、基体収納容器を２個設け
た場合を示したが、これは１個でもよい。
結晶層を形成する、所謂シリコンホモ気相成長を例とし
て説明したが、ヘテロ気相成長への適用も浩然可能でお
る。また、単結晶基体上に多結晶性気相成長層を形成す
る場合においても、基体単結晶への熱応力転位導入が懸
念されるほど高温の反応温度を必要とする場合には本発
明は非常に有効である。更に、基体収納容器を２個設け
た場合を示したが、これは１個でもよい。
以上説明した本発明によって６インチ径のシリコン基体
上に約１５μｍのｎ型、抵抗率１Ωｍの気相成長層の形
成を、基体温度１０００Ｃで２０回繰シ返し実験したと
ころ、熱応力転位の発生した基体は見られなかった。ま
た、本発明の装置における基体昇温から降温までの加熱
時間を除く１基体描りの処理時間は従来方式に比べ約４
０チ短縮可能であることも同時に確認された。
上に約１５μｍのｎ型、抵抗率１Ωｍの気相成長層の形
成を、基体温度１０００Ｃで２０回繰シ返し実験したと
ころ、熱応力転位の発生した基体は見られなかった。ま
た、本発明の装置における基体昇温から降温までの加熱
時間を除く１基体描りの処理時間は従来方式に比べ約４
０チ短縮可能であることも同時に確認された。
第１図は従来の気相成長装置の概略図、第２図及び第３
図は第１図の装置の欠点を説明するための図、第４図及
び第５図は従来の気相成長装置の他の例を示す概略図、
第６図は本発明気相成長装置の概略断面図、第７図は第
６図の装置の斜視図である。 １・・・反応容器、８・・・紫外ランプ、１３．２３・
・・基第 １ 区 第 ２ 図 第 Ｓ 日
図は第１図の装置の欠点を説明するための図、第４図及
び第５図は従来の気相成長装置の他の例を示す概略図、
第６図は本発明気相成長装置の概略断面図、第７図は第
６図の装置の斜視図である。 １・・・反応容器、８・・・紫外ランプ、１３．２３・
・・基第 １ 区 第 ２ 図 第 Ｓ 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部で気相反応を行なわしめ、水平に保持された基
体上に気相成長層を形成する縦形反応容器と、 反応容器外にあってその上面側に位置し、基体面に対し
所定の傾斜角を有して上面側を包囲し、全体として上部
に開口を持つ錐台状に配置された加熱装置と、 加熱装置の開口付近に下向きに配置された紫外ランプと
、 を具備することを特徴とする気相成長装置。 ２、内部で気相反応を行なわしめ、水平に保持された基
体上に気相成長層を形成する縦形反応容器と、 反応容器外にあって、その上面側に位置し、基体面に対
し所定の傾斜角を有して上面側を包囲し、全体として上
部に開口を持つ錐台状に配置された加熱装置と、 加熱装置の開口付近に下向きに配置された紫外ランプと
、 多数個の基体を収納する少なくとも１個の基体収納容器
と、 反応容器と基体収納容器とを連結し、内部に基体を移送
するに十分な断面積の通路を有し、通路の途中に通路を
遮断する２個のシャッタを備える連結部材と、 反応容器と基体収納容器との間を連結部材の通路を介し
て基体を保持して移送する手段と、を具備することを特
徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22880282A JPS59121915A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22880282A JPS59121915A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121915A true JPS59121915A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16882078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22880282A Pending JPS59121915A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121915A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216512A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜の製法 |
| JPS62226630A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 光化学気相成長装置 |
| JPS63213672A (ja) * | 1987-01-15 | 1988-09-06 | バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 急速加熱ｃｖｄ装置 |
| EP0717126A2 (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-19 | Chul-Ju Hwang | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| KR100399928B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 단결정 실리콘 증착을 위한 장치 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP22880282A patent/JPS59121915A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216512A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜の製法 |
| JPS62226630A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 光化学気相成長装置 |
| JPS63213672A (ja) * | 1987-01-15 | 1988-09-06 | バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 急速加熱ｃｖｄ装置 |
| EP0717126A2 (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-19 | Chul-Ju Hwang | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| EP0717126A3 (en) * | 1994-12-16 | 1996-12-18 | Hwang Chul Ju | Low pressure chemical vapor deposition apparatus |
| US5928427A (en) * | 1994-12-16 | 1999-07-27 | Hwang; Chul-Ju | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| US6009831A (en) * | 1994-12-16 | 2000-01-04 | Hwang; Chul-Ju | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| US6190460B1 (en) | 1994-12-16 | 2001-02-20 | Chul-Ju Hwang | Apparatus for low pressure chemical vapor depostion |
| KR100399928B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 단결정 실리콘 증착을 위한 장치 |
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