JPS6216512A - 半導体薄膜の製法 - Google Patents
半導体薄膜の製法Info
- Publication number
- JPS6216512A JPS6216512A JP15420785A JP15420785A JPS6216512A JP S6216512 A JPS6216512 A JP S6216512A JP 15420785 A JP15420785 A JP 15420785A JP 15420785 A JP15420785 A JP 15420785A JP S6216512 A JPS6216512 A JP S6216512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- thin film
- substrate
- silicon compound
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体薄膜の製法に関し、特に光電特性に優れ
たシリコン系半導体薄膜の製法に関する。
たシリコン系半導体薄膜の製法に関する。
非晶質半導体薄膜は太陽電池、光センサ−、感光ドラム
、画像表示デバイス駆動回路等にその用途が開けており
、盛んに研究が進められている。
、画像表示デバイス駆動回路等にその用途が開けており
、盛んに研究が進められている。
該薄膜の形成方法としてはグロー放電分解、熱分解、光
分解等が目的に応じて適宜用−・られている。
分解等が目的に応じて適宜用−・られている。
該薄膜から各種の用途に適する半導体装置を形成するに
際して、薄膜が形成される基体は、その本来の機能を維
持するために、出来るかぎり低温のような温和な条件下
に保持されることが望まれている。しかしながら該薄膜
の品質を良好に維持しようとすれば、従来技術において
は基体は少（とも３００〜４００℃の高温に維持されね
ばならないという矛盾した要請があった。
際して、薄膜が形成される基体は、その本来の機能を維
持するために、出来るかぎり低温のような温和な条件下
に保持されることが望まれている。しかしながら該薄膜
の品質を良好に維持しようとすれば、従来技術において
は基体は少（とも３００〜４００℃の高温に維持されね
ばならないという矛盾した要請があった。
この問題を解決するために光分解法（光ＣＶＤ法）が提
案されているが、やはり１００〜３００℃の比較的高温
にまで基体を加熱せねばならなかった。
案されているが、やはり１００〜３００℃の比較的高温
にまで基体を加熱せねばならなかった。
現在性なわれている光ＣＶＤ法は周知の如く低圧し
水銀ランプの２５３．７ｎｍの光を水銀蒸気を用いる水
銀増感法が主流であり、また低圧水銀ランプの１８４．
９ ｎｍの光を用いる直接分解法やレーザーによる分解
法も研究されている。
銀増感法が主流であり、また低圧水銀ランプの１８４．
９ ｎｍの光を用いる直接分解法やレーザーによる分解
法も研究されている。
本発明はこれら従来の光分解法においてさらなる基体温
度の低温化をはかることである。
度の低温化をはかることである。
本発明の製法は原料ガスたるシリコン化合物の分解を実
質的に第１の光により行ない、基体上に薄膜を形成し、
且つ該薄膜の形成は該薄膜形成主面に第２の光を照射し
つつ行なうものである。本発明において有効に用いうる
第２の光は、光の照射のみでは薄膜が形成されないもの
である。いいいることを特徴とするものである。さらに
この第２の光は形成される薄膜や基体の両方あるいはい
ずれか一方において、必ず吸収されるものである。
質的に第１の光により行ない、基体上に薄膜を形成し、
且つ該薄膜の形成は該薄膜形成主面に第２の光を照射し
つつ行なうものである。本発明において有効に用いうる
第２の光は、光の照射のみでは薄膜が形成されないもの
である。いいいることを特徴とするものである。さらに
この第２の光は形成される薄膜や基体の両方あるいはい
ずれか一方において、必ず吸収されるものである。
膜の吸収係数は第２の光の波長により異るので、第２の
光の照射強度は用いる波長あるいは波長帯に応じて適宜
調節されることが好ましい。具体的予測を示すと第２の
光として１０．６μｍ及び２５０ｎｍの光を用いる場合
、堆積するシリコン１原子当り約１０３ケ以上及び数１
０ケ以上のフォトン数（光量子数）をそれぞれ供給する
ことにより基体温度の低温化をはかることができるもの
である。このことから薄膜の形成速度を増加する時には
、単位時間当りに必要なシリコン原子数を増加せねばな
らず当然のことながら第２の光の時間当り照射強度を増
加させる必要がある。
光の照射強度は用いる波長あるいは波長帯に応じて適宜
調節されることが好ましい。具体的予測を示すと第２の
光として１０．６μｍ及び２５０ｎｍの光を用いる場合
、堆積するシリコン１原子当り約１０３ケ以上及び数１
０ケ以上のフォトン数（光量子数）をそれぞれ供給する
ことにより基体温度の低温化をはかることができるもの
である。このことから薄膜の形成速度を増加する時には
、単位時間当りに必要なシリコン原子数を増加せねばな
らず当然のことながら第２の光の時間当り照射強度を増
加させる必要がある。
実施例に示すように第２の光の導入により基体温度が室
温においても、波長１０．６μｍの光を０．８Ｗ／ｃｒ
Ｉの照射によって、１０’ ｓ／ｃＩｒＬを越える光導
重度及び１０６を越える光感度（＝光導電度／暗導電度
）を有する高品質の水素化アモルファスシリコン膜（ａ
−８ｉ：Ｈ膜）が得られた。基体が加熱されている場合
には、照射強度を適宜減じることにより本発明の効果を
達成することができる。
温においても、波長１０．６μｍの光を０．８Ｗ／ｃｒ
Ｉの照射によって、１０’ ｓ／ｃＩｒＬを越える光導
重度及び１０６を越える光感度（＝光導電度／暗導電度
）を有する高品質の水素化アモルファスシリコン膜（ａ
−８ｉ：Ｈ膜）が得られた。基体が加熱されている場合
には、照射強度を適宜減じることにより本発明の効果を
達成することができる。
第２の光の波長は本発明において重要であるが、第２の
光としては必ずしも単色性の光を用いる必要はない。そ
れ故、レーザー光のように単色性にすぐれた光は勿論、
多色性の光、たとえば水銀ランプ、タングステンランプ
、ハロゲンライブ、希ガスランプ、水素放電管、重水素
放電管、水銀−希ガスランプ等も前述の条件を満たしさ
えすれば、有効に用いることができる。それぞれに利点
があり、たとえばレーザー光は単色性の他に、照射７オ
トン数を増加させる点において有用であり、一方他の光
は、大面積を一度に照射できる点においてすぐれている
。
光としては必ずしも単色性の光を用いる必要はない。そ
れ故、レーザー光のように単色性にすぐれた光は勿論、
多色性の光、たとえば水銀ランプ、タングステンランプ
、ハロゲンライブ、希ガスランプ、水素放電管、重水素
放電管、水銀−希ガスランプ等も前述の条件を満たしさ
えすれば、有効に用いることができる。それぞれに利点
があり、たとえばレーザー光は単色性の他に、照射７オ
トン数を増加させる点において有用であり、一方他の光
は、大面積を一度に照射できる点においてすぐれている
。
本発明において使用するシリコン化合物とは、モノシラ
ン（Ｓｉ）Ｉ、）、ジシラン（５ｉ２Ｈｅ ）、トリシ
ラン（Ｓｉ３Ｈｇ ）等のシリコン水素化物やモノフロ
ロシラン（ＳｉＨ３Ｆ ）、ジフロロシラン（５ｉＨ２
Ｆ２）、トリフロロシラン（ＳｉＨＦ３ ）、 ヘキ
サフロロジシラン（５ｉｔＦａ ）等の７ノ素化シラン
であり、特に好ましいシリコン化合物は低圧水銀ランプ
の波長１８４．９ ｎｍの第１の光で直接分解されるジ
シラ／である。さらにジボラン（Ｂ２Ｈ６）やフォスフ
イン（ＰＨ３）等の不純物ガスをシリコン化合物と混合
することにより、導電型の異る半導体薄膜を形成するこ
とや、半導体接合の形成も可能である。これらシリコン
化合物等は単独あるいは混合して用いられる他、水素や
ヘリウム等のガスで希釈して用いることもできる。
ン（Ｓｉ）Ｉ、）、ジシラン（５ｉ２Ｈｅ ）、トリシ
ラン（Ｓｉ３Ｈｇ ）等のシリコン水素化物やモノフロ
ロシラン（ＳｉＨ３Ｆ ）、ジフロロシラン（５ｉＨ２
Ｆ２）、トリフロロシラン（ＳｉＨＦ３ ）、 ヘキ
サフロロジシラン（５ｉｔＦａ ）等の７ノ素化シラン
であり、特に好ましいシリコン化合物は低圧水銀ランプ
の波長１８４．９ ｎｍの第１の光で直接分解されるジ
シラ／である。さらにジボラン（Ｂ２Ｈ６）やフォスフ
イン（ＰＨ３）等の不純物ガスをシリコン化合物と混合
することにより、導電型の異る半導体薄膜を形成するこ
とや、半導体接合の形成も可能である。これらシリコン
化合物等は単独あるいは混合して用いられる他、水素や
ヘリウム等のガスで希釈して用いることもできる。
本発明はシリコン化合物にとどまらずゲルマン（ＧｅＨ
４）や四弗化ゲルマン（ＧｅＦ４）等の他の原料ガスに
用いることも当業者にその置換は容易に推測されるもの
であり、均等物質（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｓ ）として
本発明の範囲に含まれる。
４）や四弗化ゲルマン（ＧｅＦ４）等の他の原料ガスに
用いることも当業者にその置換は容易に推測されるもの
であり、均等物質（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｓ ）として
本発明の範囲に含まれる。
本発明において使用する第１の光は、前述のシリコン化
合物に直接吸収されて、又は増感物質を介在させること
により、該化合物を分解することのできる光である。具
体的には、低圧水銀ランプの１８４．９ ｎｍの光や水
銀増感法においては２５３．７ｎｍの光に代表される。
合物に直接吸収されて、又は増感物質を介在させること
により、該化合物を分解することのできる光である。具
体的には、低圧水銀ランプの１８４．９ ｎｍの光や水
銀増感法においては２５３．７ｎｍの光に代表される。
また本発明において使用する基体としては、導電性や電
気絶縁性の材料が用いられる。具体的には、金属板、金
属箔、ガラス板、セラミックス板、高分子フィルム、半
導体材料は勿論、これらに導電体、半導体や絶縁体等の
薄膜があらかじめ形成されたものが有効に用いられる。
気絶縁性の材料が用いられる。具体的には、金属板、金
属箔、ガラス板、セラミックス板、高分子フィルム、半
導体材料は勿論、これらに導電体、半導体や絶縁体等の
薄膜があらかじめ形成されたものが有効に用いられる。
〔発明を実施するための好ましい形態〕つぎに本発明の
好ましい実施態様を記す。
好ましい実施態様を記す。
可能な反応室の外部又は／及び内部に第２の光照射手段
を設備する。反応室内に半導体薄膜を形成すべき基体を
配設し、減圧下、室温又は百００℃以下の低温度に加熱
保持する。ついでシリコン化合物及び必要に応じて不純
物ガス、希釈ガスや水銀蒸気等を流量を制御しつつ導入
し第１の光を照射し光分解を行なう。この第１の光に重
畳して、第２の光で薄膜形成主面を照射し、半導体薄膜
を形成する。
を設備する。反応室内に半導体薄膜を形成すべき基体を
配設し、減圧下、室温又は百００℃以下の低温度に加熱
保持する。ついでシリコン化合物及び必要に応じて不純
物ガス、希釈ガスや水銀蒸気等を流量を制御しつつ導入
し第１の光を照射し光分解を行なう。この第１の光に重
畳して、第２の光で薄膜形成主面を照射し、半導体薄膜
を形成する。
本発明はたとえば第１図に示すような装置により実施で
きる。ここで、１は基体、９は第１の光の光源、２０は
第２の光の光源である。
きる。ここで、１は基体、９は第１の光の光源、２０は
第２の光の光源である。
本発明により得られる半導体薄膜は光電特性にすぐれて
いることは先に述べた通りである。本発明の最大の効果
はプロセスの低温化の達成を可能にしたことであり、半
導体接合界面、半導体絶縁体界面、牛導体導電体界面等
種々の界面により構成される半導体装置たとえば太陽電
池や薄膜トランジスタ、感光体ドラム、イメージセンサ
−等の特性を大きく向上させる。これはプロセスの低温
化のために界面のダメージが減少するためであろうと考
えられる。
いることは先に述べた通りである。本発明の最大の効果
はプロセスの低温化の達成を可能にしたことであり、半
導体接合界面、半導体絶縁体界面、牛導体導電体界面等
種々の界面により構成される半導体装置たとえば太陽電
池や薄膜トランジスタ、感光体ドラム、イメージセンサ
−等の特性を大きく向上させる。これはプロセスの低温
化のために界面のダメージが減少するためであろうと考
えられる。
さらに従来の方法においては、特に連続生産の場合、薄
膜の形成に先立ち、まず基体を加熱しなければならず、
そのタイムラグが犬である。この解決のために予熱装置
を設置することさえも提案されているが、本発明の方法
によれば、かかる基体予熱の必要は全くなく、次々と新
しい基体上に即座に薄膜を形成し始めることができるの
で生産性は飛躍的に向上し、その工業的意義はきわめて
大きい。
膜の形成に先立ち、まず基体を加熱しなければならず、
そのタイムラグが犬である。この解決のために予熱装置
を設置することさえも提案されているが、本発明の方法
によれば、かかる基体予熱の必要は全くなく、次々と新
しい基体上に即座に薄膜を形成し始めることができるの
で生産性は飛躍的に向上し、その工業的意義はきわめて
大きい。
第１図に示すように２種類の光を照射することのできる
光ＣＶＤ装置」においてシリコン化合物としてジシラン
を用いて薄膜を形成した。ガラス製の基体１を基体保持
具２に配設し、真空排気手段に接続された排気孔３を通
して、反応室内圧力が１Ｏ−７Ｔｏｒｒ台になるように
排気した。３０〜７０℃に加熱された水銀溜４を経由し
てシリコン化合物たるジシランガスを反応室５ヘガス導
入手段６から導入し、反応室内圧力を２．５Ｔｏｒｒ又
は５Ｔｏｒｒ に保持した。第２の光の光源２ｏから
波長１０．６μｍの光を照射手段７を介して光入射窓８
から導入し、基体１を照射するとともに、低圧水銀ラン
プ９を点灯し、第１の光を石英製の光入射窓１０を通し
て照射し、光分解による膜形成を開始した。必要膜厚に
なった時点で、水銀ランプを消し、ついで第２の光の照
射を停止した。得られた薄膜の厚みを計測し、水銀ラン
プの照射時間で除して、平均の膜形成速度を求めた。さ
らにこの薄膜の導電度及び光学的バンドギャップ（Ｅｇ
）を測定した。第２の光の照射強度を種々変更して得
られた結果を第１表に示した。
光ＣＶＤ装置」においてシリコン化合物としてジシラン
を用いて薄膜を形成した。ガラス製の基体１を基体保持
具２に配設し、真空排気手段に接続された排気孔３を通
して、反応室内圧力が１Ｏ−７Ｔｏｒｒ台になるように
排気した。３０〜７０℃に加熱された水銀溜４を経由し
てシリコン化合物たるジシランガスを反応室５ヘガス導
入手段６から導入し、反応室内圧力を２．５Ｔｏｒｒ又
は５Ｔｏｒｒ に保持した。第２の光の光源２ｏから
波長１０．６μｍの光を照射手段７を介して光入射窓８
から導入し、基体１を照射するとともに、低圧水銀ラン
プ９を点灯し、第１の光を石英製の光入射窓１０を通し
て照射し、光分解による膜形成を開始した。必要膜厚に
なった時点で、水銀ランプを消し、ついで第２の光の照
射を停止した。得られた薄膜の厚みを計測し、水銀ラン
プの照射時間で除して、平均の膜形成速度を求めた。さ
らにこの薄膜の導電度及び光学的バンドギャップ（Ｅｇ
）を測定した。第２の光の照射強度を種々変更して得
られた結果を第１表に示した。
第１表にはまた、比較のために第２の光を照射せずに作
成した薄膜の特性もあわせて示した。
成した薄膜の特性もあわせて示した。
実施例からあきらかであるが第２の光の照射は平均の膜
形成速度をやや減少させる傾向にあり、第２の光はシリ
コン化合物の分解には実質的に寄与していないことが実
証された。しかしながら膜特性においては顕−な向上効
果が観察された。本実施例の如く、顕著な効果は比較例
と比べるまでもなく明白である。たとえば実施例２にお
いては０．８Ｗ／ｃＩＩという弱い光照射にもかかわら
ず、光導重度及び暗導電車はそれぞれ２．３ ｘ １０
−３ｓ／ｃｍ及び３．ＯＸ １０−”ｓ ／ｃＩｒＬで
あり、この比で表わされるところの光感度は７．６Ｘ１
０’と極めて高い値を有する非晶質シリコン薄膜が基板
を特に加熱することな（得られることを示した。
形成速度をやや減少させる傾向にあり、第２の光はシリ
コン化合物の分解には実質的に寄与していないことが実
証された。しかしながら膜特性においては顕−な向上効
果が観察された。本実施例の如く、顕著な効果は比較例
と比べるまでもなく明白である。たとえば実施例２にお
いては０．８Ｗ／ｃＩＩという弱い光照射にもかかわら
ず、光導重度及び暗導電車はそれぞれ２．３ ｘ １０
−３ｓ／ｃｍ及び３．ＯＸ １０−”ｓ ／ｃＩｒＬで
あり、この比で表わされるところの光感度は７．６Ｘ１
０’と極めて高い値を有する非晶質シリコン薄膜が基板
を特に加熱することな（得られることを示した。
第１図は本発明の実施のための装置の例を示す模模式図
である。図において １・・・・基体、９・・・・第１の光の光源、２０・・
・・第２の光の光源
である。図において １・・・・基体、９・・・・第１の光の光源、２０・・
・・第２の光の光源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シリコン化合物の分解を実質的に第１の光により行
ない、基体上に薄膜を形成し、且つ該薄膜の形成は該薄
膜形成主面に第２の光を照射しつつ行なわれることを特
徴とする半導体薄膜の製法。 ２、第２の光の照射のみでは薄膜が形成されないところ
の第２の光を用いる特許請求の範囲第１項記載の半導体
薄膜の製法。 ３、形成される薄膜及び／又は基体により吸収される第
２の光を用いる特許請求の範囲第１項記載の半導体薄膜
の製法。 ４、薄膜の形成速度に応じて第２の光の照射強度を変更
する特許請求の範囲第１項記載の半導体薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154207A JPH0740552B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 半導体薄膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154207A JPH0740552B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 半導体薄膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216512A true JPS6216512A (ja) | 1987-01-24 |
| JPH0740552B2 JPH0740552B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=15579181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60154207A Expired - Lifetime JPH0740552B2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 半導体薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740552B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6222420A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JP2008290479A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Kasei Kogyo Kk | 建設機械のウェザーストリップの構造 |
| JP2009535858A (ja) * | 2006-05-01 | 2009-10-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｕｖ支援熱処理 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120681A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-11 | Fujitsu Ltd | Gas phase growth device |
| JPS58158914A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
| JPS5932122A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
| JPS59121915A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
| JPS6027121A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| JPS60121716A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-06-29 | Toshiba Corp | 光ｃｖｄ法及び装置 |
| JPS60195941A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS60198831A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Nec Corp | 薄膜形成装置 |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP60154207A patent/JPH0740552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120681A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-11 | Fujitsu Ltd | Gas phase growth device |
| JPS58158914A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
| JPS5932122A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
| JPS59121915A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
| JPS6027121A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| JPS60121716A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-06-29 | Toshiba Corp | 光ｃｖｄ法及び装置 |
| JPS60195941A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS60198831A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Nec Corp | 薄膜形成装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6222420A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JP2009535858A (ja) * | 2006-05-01 | 2009-10-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｕｖ支援熱処理 |
| JP2008290479A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Kasei Kogyo Kk | 建設機械のウェザーストリップの構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0740552B2 (ja) | 1995-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5214002A (en) | Process for depositing a thermal CVD film of Si or Ge using a hydrogen post-treatment step and an optional hydrogen pre-treatment step | |
| JPH06105691B2 (ja) | 炭素添加非晶質シリコン薄膜の製造方法 | |
| US5178905A (en) | Process for the formation of a functional deposited film by hydrogen radical-assisted cvd method utilizing hydrogen gas plasma in sheet-like state | |
| JPS6216512A (ja) | 半導体薄膜の製法 | |
| US5112647A (en) | Apparatus for the preparation of a functional deposited film by means of photochemical vapor deposition process | |
| JPH05144741A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| JP3084395B2 (ja) | 半導体薄膜の堆積方法 | |
| JPS6216511A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0587171B2 (ja) | ||
| JPH0639702B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JP2566963B2 (ja) | 新規な薄膜物質 | |
| JPH0670970B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPS62115710A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6223105A (ja) | 半導体薄膜の製膜方法 | |
| JP2536836B2 (ja) | 半導体薄膜 | |
| JPH0750682B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JPS6216580A (ja) | 光電変換素子の製法 | |
| JPH05275354A (ja) | シリコン薄膜の製造法 | |
| JPS61170573A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH03229871A (ja) | 絶縁膜の製造方法及びこの絶縁膜を使用する半導体装置の製造方法 | |
| JPH0645258A (ja) | 非晶質半導体薄膜の製造装置 | |
| JPH0639701B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH08504539A (ja) | 半導体層及び絶縁層製造法 | |
| JPH09251958A (ja) | 結晶性シリコン膜及びその製造方法 | |
| JPS6216510A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 |