JP2566963B2 - 新規な薄膜物質 - Google Patents
新規な薄膜物質Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、りんを含む珪素よりなる新規物質に関し、
特に透明性に優れ、高い電気伝導性の両特性を兼備え
た、新規な薄膜状の固体物質に関する。
特に透明性に優れ、高い電気伝導性の両特性を兼備え
た、新規な薄膜状の固体物質に関する。
［背景技術］ 珪素よりなる薄膜状の固体物質として、結晶、非晶質
のものが知られており一部実用に供されてている。かか
る固体物質は、或る程度の光ならびに電気的特性を有す
ることは一般に知られているが、さらに高い電気伝導性
を備えた物質が熱望されている。
のものが知られており一部実用に供されてている。かか
る固体物質は、或る程度の光ならびに電気的特性を有す
ることは一般に知られているが、さらに高い電気伝導性
を備えた物質が熱望されている。
しかして、従来技術においては、、光学的禁制幅が、
2.0乃至2.3（電子ボルト）で、電気伝導率が、0.01〜10
（シーメンス／センチメータ）である、アモルファスシ
リコンカーバイド（a-SiC:H）が、エレクトロンサイク
ロトロン共鳴を用いて形成されたことが報告（19th IEE
E PVSC（New Orleans）May 4〜８、1987、Y.Hattori et
al）されているのみである。
2.0乃至2.3（電子ボルト）で、電気伝導率が、0.01〜10
（シーメンス／センチメータ）である、アモルファスシ
リコンカーバイド（a-SiC:H）が、エレクトロンサイク
ロトロン共鳴を用いて形成されたことが報告（19th IEE
E PVSC（New Orleans）May 4〜８、1987、Y.Hattori et
al）されているのみである。
これに対し、本発明者等は、鋭意検討の結果、通常の
グロー放電分解により、しかもなんらカーボンなど導入
することなしに、驚くべきことに、上記報告された値の
何と100倍を越えると云う信じがたい電気伝導率を有す
る画期的な新規固体物質を創製することが出来たので、
ここに該新技術を公開するとともに、その代償として、
独占排他権たる特許権の付与（特許法第１条）を請求す
るものである。
グロー放電分解により、しかもなんらカーボンなど導入
することなしに、驚くべきことに、上記報告された値の
何と100倍を越えると云う信じがたい電気伝導率を有す
る画期的な新規固体物質を創製することが出来たので、
ここに該新技術を公開するとともに、その代償として、
独占排他権たる特許権の付与（特許法第１条）を請求す
るものである。
［発明の開示］ 本発明は、光学的禁制帯の値が、2.0乃至2.8（電子ボ
ルト）であり、その電気伝導率の値が、100乃至1000
（シーメンス／センチメータ）である、りんを含む珪素
よりなる新規な薄膜状の固体物質であり、より好ましく
は、透明性に優れ薄膜状の固体物質である。
ルト）であり、その電気伝導率の値が、100乃至1000
（シーメンス／センチメータ）である、りんを含む珪素
よりなる新規な薄膜状の固体物質であり、より好ましく
は、透明性に優れ薄膜状の固体物質である。
本発明はかかる特定の光学的禁制帯の値と電気伝導率
の値により、特徴ずけられるりんを含む珪素よりなるも
のであり、薄膜状で好ましくは透明性の高い固体物質で
ある。該固体物質に含まれるりんの原子数は、けい素原
子数に対して、0.0001％〜50％であり、より好ましくは
0.01％〜１％であり、もっとも好ましくは0.1％前後で
ある。りんの含有量がこの値未満では、本発明の効果を
奏することが出来ず、またこの値を越える量のりんを含
有せしめてもそれ以上の効果を奏することはできないの
で、無駄である。
の値により、特徴ずけられるりんを含む珪素よりなるも
のであり、薄膜状で好ましくは透明性の高い固体物質で
ある。該固体物質に含まれるりんの原子数は、けい素原
子数に対して、0.0001％〜50％であり、より好ましくは
0.01％〜１％であり、もっとも好ましくは0.1％前後で
ある。りんの含有量がこの値未満では、本発明の効果を
奏することが出来ず、またこの値を越える量のりんを含
有せしめてもそれ以上の効果を奏することはできないの
で、無駄である。
本発明の固体状物質の製造方法は、基本的には、例え
ば、モノシラン及び／又はジシランなどのけい化水素、
ホスフィン等のｎ型ドーパントを基本とし、所望によ
り、水素等の希釈ガスを加えてなる混合ガスを特定の条
件で放電分解して加熱された単結晶または非単結晶から
なる基板上に、形成速度0.01Å/sec〜300Å/sec程度
で、特定の特性を有する、例えば、10Å〜50μｍ好まし
くは1,000Å〜5,000Å程度の固体薄膜をまず形成し、そ
の後該特定の特性を有する薄膜を特定の条件で熱処理し
て得られるものである。
ば、モノシラン及び／又はジシランなどのけい化水素、
ホスフィン等のｎ型ドーパントを基本とし、所望によ
り、水素等の希釈ガスを加えてなる混合ガスを特定の条
件で放電分解して加熱された単結晶または非単結晶から
なる基板上に、形成速度0.01Å/sec〜300Å/sec程度
で、特定の特性を有する、例えば、10Å〜50μｍ好まし
くは1,000Å〜5,000Å程度の固体薄膜をまず形成し、そ
の後該特定の特性を有する薄膜を特定の条件で熱処理し
て得られるものである。
なお、本発明の形成用の基板としては、単結晶または
非単結晶、いずれの材料をも用いることができ、製造時
の形成条件に耐える多数の各種材料が有効に用いること
ができる。
非単結晶、いずれの材料をも用いることができ、製造時
の形成条件に耐える多数の各種材料が有効に用いること
ができる。
また、本発明の製造方法である放電分解は、通常多用
される高周波グロー放電、直流グロー放電、マイクロ波
放電などを有効に利用することができる。
される高周波グロー放電、直流グロー放電、マイクロ波
放電などを有効に利用することができる。
［発明を実施するための好適な形態及び実施例］ 装置自体は、通常のプラズマCVD法でシリコンのアモ
ルファス薄膜もしくは微結晶薄膜を形成する装置をその
まま適用することが可能である。すなわち、高周波電力
導入手段および放電電極、基板導入取り出し手段、基板
保持手段、基板加熱手段、ガス導入手段、真空排気手
段、基板導入取り出し室を設備された薄膜形成装置を用
いて本発明を製造した。基板導入取り出し手段を用いて
膜付けのための基板であるところの洗浄済のガラスを基
板導入取り出し室から基板導入取り出し手段を用いて導
入し基板保持手段に設置した。真空排気手段で真空排気
しつつ基板加熱手段により該基板を250℃に加熱した。
ルファス薄膜もしくは微結晶薄膜を形成する装置をその
まま適用することが可能である。すなわち、高周波電力
導入手段および放電電極、基板導入取り出し手段、基板
保持手段、基板加熱手段、ガス導入手段、真空排気手
段、基板導入取り出し室を設備された薄膜形成装置を用
いて本発明を製造した。基板導入取り出し手段を用いて
膜付けのための基板であるところの洗浄済のガラスを基
板導入取り出し室から基板導入取り出し手段を用いて導
入し基板保持手段に設置した。真空排気手段で真空排気
しつつ基板加熱手段により該基板を250℃に加熱した。
さて、本発明においては、まず、第１段階として特定
の特性を有する薄膜を形成する。
の特性を有する薄膜を形成する。
すなわち、プラズマCVD法でかかる薄膜を形成するに
は、光電特性にすぐれた水素化アモルファス薄膜を（通
常の良質の水素化アモルファスシリコン膜）を作成する
条件（我々がすでに開示した如く、例えばジシランを分
解する場合には、該ジシランあたり充分高い電力（＝Su
pplied Energy）を供給して分解する）とは逆の低い電
力印加条件に設定することによりなされる。つまり、赤
外吸収モードでSiHの吸収モードを主体として持つ、光
電特性にすぐれた水素化アモルファス薄膜を作成する高
供給電力の製造条件と異なり、赤外吸収モードでのSi
H2、SiH3、(SiH2)n等の、従来全く良質の水素化アモル
ファスシリコン膜を形成するためには、望ましくないと
されていた上記SiH2等の高次モードの水素結合を主体と
して有する膜を、低い電力を与えて意識的に作成する条
件を設定することが重要なポイントなのである。
は、光電特性にすぐれた水素化アモルファス薄膜を（通
常の良質の水素化アモルファスシリコン膜）を作成する
条件（我々がすでに開示した如く、例えばジシランを分
解する場合には、該ジシランあたり充分高い電力（＝Su
pplied Energy）を供給して分解する）とは逆の低い電
力印加条件に設定することによりなされる。つまり、赤
外吸収モードでSiHの吸収モードを主体として持つ、光
電特性にすぐれた水素化アモルファス薄膜を作成する高
供給電力の製造条件と異なり、赤外吸収モードでのSi
H2、SiH3、(SiH2)n等の、従来全く良質の水素化アモル
ファスシリコン膜を形成するためには、望ましくないと
されていた上記SiH2等の高次モードの水素結合を主体と
して有する膜を、低い電力を与えて意識的に作成する条
件を設定することが重要なポイントなのである。
または、ｎ型の微結晶膜を形成する条件とも異なる低
い電力を印加して薄膜を形成してもよい。プラズマCVD
法で薄膜形成後、微結晶化すると伝導率の増加が認めら
れるが、このような微結晶を形成する印加電力よりも低
い電力を印加して薄膜を形成してもよいのである。
い電力を印加して薄膜を形成してもよい。プラズマCVD
法で薄膜形成後、微結晶化すると伝導率の増加が認めら
れるが、このような微結晶を形成する印加電力よりも低
い電力を印加して薄膜を形成してもよいのである。
かかる条件で得られる膜は、膜質が悪く、一見アモル
ファス膜に似た外観を呈しているものの、それ自身とし
ては物性的に全く無価値なものであるが、本発明におい
ては、敢えてかかる膜を先ず形成するのである。
ファス膜に似た外観を呈しているものの、それ自身とし
ては物性的に全く無価値なものであるが、本発明におい
ては、敢えてかかる膜を先ず形成するのである。
本装置を使用した本実施例の場合においては、モノシ
ラン2SCCM、ホスフィン0.02SCCM、水素32SCCMを（モノ
シラン／ホスフィン／水素の流量比:1/0.01/100）の流
量比で導入し、真空排気手段に設備されている圧力調節
機構で薄膜形成装置内の圧力を0.1Torrに調節保持し
た。基板の温度および薄膜形成装置内の圧力が一定とな
った時、高周波電力導入手段により放電電極に5Wの高周
波電力を印加しグロー放電を開始した。本装置では、こ
の5Wの電力は、小さいプラズマが辛うじて持続しうる最
小の電力である。電極直径は10cmであった。また、本装
置では、電力を50W以上とすると、膜が微結晶化してし
まい、以後に述べる熱処理を加えてもそれ以上のなんの
変化も伴わないのである。
ラン2SCCM、ホスフィン0.02SCCM、水素32SCCMを（モノ
シラン／ホスフィン／水素の流量比:1/0.01/100）の流
量比で導入し、真空排気手段に設備されている圧力調節
機構で薄膜形成装置内の圧力を0.1Torrに調節保持し
た。基板の温度および薄膜形成装置内の圧力が一定とな
った時、高周波電力導入手段により放電電極に5Wの高周
波電力を印加しグロー放電を開始した。本装置では、こ
の5Wの電力は、小さいプラズマが辛うじて持続しうる最
小の電力である。電極直径は10cmであった。また、本装
置では、電力を50W以上とすると、膜が微結晶化してし
まい、以後に述べる熱処理を加えてもそれ以上のなんの
変化も伴わないのである。
斯くして、膜厚が約4900Åになった時に放電を停止す
る。平均の成膜速度は1.8Å/sであった。冷却後基板を
取り出して形成された膜を観察したところ、通常のアモ
ルファスシリコン膜のごとく赤茶色を帯びた透明であっ
たが、電気伝導率が10-9〜10-4（S/cm）と膜質がずっと
悪かった。
る。平均の成膜速度は1.8Å/sであった。冷却後基板を
取り出して形成された膜を観察したところ、通常のアモ
ルファスシリコン膜のごとく赤茶色を帯びた透明であっ
たが、電気伝導率が10-9〜10-4（S/cm）と膜質がずっと
悪かった。
本発明においては、上記のごとくして特定の条件で得
られた膜（これは微結晶膜でもないし、以下に述べるご
とく通常10-4（S/cm）以上の伝導率を有するｎ型ドープ
のアモルファス膜でもない、ある特定の状態の膜と考え
られる）第２段階として光、熱、電流エネルギーを加え
て加熱処理するか、もしくはレーザ光などの光照射を行
うのである。
られた膜（これは微結晶膜でもないし、以下に述べるご
とく通常10-4（S/cm）以上の伝導率を有するｎ型ドープ
のアモルファス膜でもない、ある特定の状態の膜と考え
られる）第２段階として光、熱、電流エネルギーを加え
て加熱処理するか、もしくはレーザ光などの光照射を行
うのである。
ここでは、該薄膜が形成された基板を、真空加熱炉に
挿入し、真空度を10-6Torr以下に排気したあと、20度／
分の速度で800℃まで加熱した。その加熱の途中、少な
くとも600℃付近で、もともとアモルファスシリコン膜
状の赤茶色は、シリコンウエハーの如き鏡面状の黒色に
変化し透明性がなくなり、700℃以上で該黒色が消失
し、急激に透明になった。
挿入し、真空度を10-6Torr以下に排気したあと、20度／
分の速度で800℃まで加熱した。その加熱の途中、少な
くとも600℃付近で、もともとアモルファスシリコン膜
状の赤茶色は、シリコンウエハーの如き鏡面状の黒色に
変化し透明性がなくなり、700℃以上で該黒色が消失
し、急激に透明になった。
しかして、良好な膜質を有する通常のアモルファスシ
リコン膜であれば、これを同様に加熱処理した場合、60
0℃までは同様の変化を示し、シリコンウエハーの如き
黒色となるが、さらに700℃以上に加熱しても、もはや
該黒色が消失することはなく、黒色で不透明のままであ
った。また、本発明において、第１段階で得られた膜と
良好な膜質を有する通常のアモルファスシリコン膜につ
いて、加熱による水素の放出スペクトルを調べたが、通
常のアモルファスシリコン膜が600℃から水素の放出が
開始するのに対し、本発明の第１段階で形成した膜はす
でに400℃と云う低温で水素の放出が開始されているこ
とが明らかになった。このことは、SiH結合モードを主
体とする水素化アモルファスシリコンよりも水素がずっ
と弱い結合状態となって膜中に含有されていることを示
している。すなわち、SiH2等の高次モードを主体として
含有していることを意味する。
リコン膜であれば、これを同様に加熱処理した場合、60
0℃までは同様の変化を示し、シリコンウエハーの如き
黒色となるが、さらに700℃以上に加熱しても、もはや
該黒色が消失することはなく、黒色で不透明のままであ
った。また、本発明において、第１段階で得られた膜と
良好な膜質を有する通常のアモルファスシリコン膜につ
いて、加熱による水素の放出スペクトルを調べたが、通
常のアモルファスシリコン膜が600℃から水素の放出が
開始するのに対し、本発明の第１段階で形成した膜はす
でに400℃と云う低温で水素の放出が開始されているこ
とが明らかになった。このことは、SiH結合モードを主
体とする水素化アモルファスシリコンよりも水素がずっ
と弱い結合状態となって膜中に含有されていることを示
している。すなわち、SiH2等の高次モードを主体として
含有していることを意味する。
そして、800℃で５分保持したのち、加熱炉の電源を
きり、自然に冷却したのち取り出し、本発明の薄膜状固
体物質を得た。得られた薄膜は極めて透明であり、該薄
膜を文字が印刷された紙の表面に置いて透明性を確認し
たところ、該薄膜を通して、下の印刷文字をはっきり読
み取ることが可能であった。なお、この薄膜は、4900Å
の厚みにおいて、見掛け上、やや薄い黄色を呈してい
た。
きり、自然に冷却したのち取り出し、本発明の薄膜状固
体物質を得た。得られた薄膜は極めて透明であり、該薄
膜を文字が印刷された紙の表面に置いて透明性を確認し
たところ、該薄膜を通して、下の印刷文字をはっきり読
み取ることが可能であった。なお、この薄膜は、4900Å
の厚みにおいて、見掛け上、やや薄い黄色を呈してい
た。
同様にして、真空加熱炉で加熱処理する代わりに、レ
ーザによる処理も試みた。
ーザによる処理も試みた。
すなわち、アルゴンイオンレーザの光をスポット径1.
2mm、電力4wで照射したところ、薄膜の照射部分は同様
に赤茶色→黒色→透明と数秒間で上記と同様の傾向を示
して変化することが確認された。
2mm、電力4wで照射したところ、薄膜の照射部分は同様
に赤茶色→黒色→透明と数秒間で上記と同様の傾向を示
して変化することが確認された。
斯くして得られた固体物質について、光学的禁制帯幅
を測定した。その方法として、可視域の分光光度計を用
いて、その光吸収係数を求め、この吸収係数値から、光
の波長と吸収係数値の積の平方根の値と波長の関係を求
めたのが、第１図である。この図から、点線で示す直線
関係の外挿線と波長の軸との交点の値から光学的禁制帯
幅の値が求められる。その結果、本発明の薄膜は、光学
的禁制帯幅が、2.1（電子ボルト）であることが確認さ
れた。
を測定した。その方法として、可視域の分光光度計を用
いて、その光吸収係数を求め、この吸収係数値から、光
の波長と吸収係数値の積の平方根の値と波長の関係を求
めたのが、第１図である。この図から、点線で示す直線
関係の外挿線と波長の軸との交点の値から光学的禁制帯
幅の値が求められる。その結果、本発明の薄膜は、光学
的禁制帯幅が、2.1（電子ボルト）であることが確認さ
れた。
また、以下の如くして、電気伝導率を測定した。すな
わち、第２図に示すように、薄膜固体物質の上に、真空
蒸着法でアルミニウム金属を、ギャップ間隔200ミクロ
ン、ギャップ幅３ミリメーターとコプラナー状に形成
し、電極とし、この電極に直流電圧印加しその電流を測
定する計測器をつなぎ、直流の電気抵抗を測定しもとめ
た。第３図に、印加電圧に対する電流の測定結果を示
す。印加電圧0.1V、6.35mAの電流値がえられた。この測
定結果から、コプラナー電極の形状、膜厚の値を、計算
式＝（電流／電圧）×（ギャップ間隔／ギャップ幅）／
（膜厚）に代入して電気伝導率を求めた。その結果、本
発明の薄膜は、104（シーメンス／センチメータ）の、
高い伝導率であることが確認された。
わち、第２図に示すように、薄膜固体物質の上に、真空
蒸着法でアルミニウム金属を、ギャップ間隔200ミクロ
ン、ギャップ幅３ミリメーターとコプラナー状に形成
し、電極とし、この電極に直流電圧印加しその電流を測
定する計測器をつなぎ、直流の電気抵抗を測定しもとめ
た。第３図に、印加電圧に対する電流の測定結果を示
す。印加電圧0.1V、6.35mAの電流値がえられた。この測
定結果から、コプラナー電極の形状、膜厚の値を、計算
式＝（電流／電圧）×（ギャップ間隔／ギャップ幅）／
（膜厚）に代入して電気伝導率を求めた。その結果、本
発明の薄膜は、104（シーメンス／センチメータ）の、
高い伝導率であることが確認された。
得られた膜中のりん含有量を、二次イオン質量分析器
（SIMSと略する）で測定したところ、５×1019原子数／
cm3であり、これはけい素原子数に対して0.1％程度に対
応する。
（SIMSと略する）で測定したところ、５×1019原子数／
cm3であり、これはけい素原子数に対して0.1％程度に対
応する。
上記の製造方法と同様な方法で、モノシランとホスフ
ィンの流量比を変えて更に３つの薄膜を作製した。この
薄膜について、上記と同じ方法で測定したところ、一つ
は、光学的禁制帯は、2.5（電子ボルト）で、電気伝導
率は、100（シーメンス／センチメータ）、又他の一つ
は、2.6（電子ボルト）で、630（シーメンス／センチメ
ータ）、さらに、他の一つは、2.8（電子ボルト）で、1
000（シーメンス／センチメータ）であった。以上、作
成した本発明の薄膜を、サンプル番号順に、表１に示
す。
ィンの流量比を変えて更に３つの薄膜を作製した。この
薄膜について、上記と同じ方法で測定したところ、一つ
は、光学的禁制帯は、2.5（電子ボルト）で、電気伝導
率は、100（シーメンス／センチメータ）、又他の一つ
は、2.6（電子ボルト）で、630（シーメンス／センチメ
ータ）、さらに、他の一つは、2.8（電子ボルト）で、1
000（シーメンス／センチメータ）であった。以上、作
成した本発明の薄膜を、サンプル番号順に、表１に示
す。
以上、示したように、本発明の薄膜は、りんを含む珪
素よりなり、薄膜状の固体物質であって、光学的禁制帯
幅が、2.0〜2.8（電子ボルト）であり、しかも電気伝導
率が、100〜1000（シーメンス／センチメータ）と極め
て大きく、さらに透明性があると云う優れた特性を有す
る、これまで知られていない新規な固体物質である。
素よりなり、薄膜状の固体物質であって、光学的禁制帯
幅が、2.0〜2.8（電子ボルト）であり、しかも電気伝導
率が、100〜1000（シーメンス／センチメータ）と極め
て大きく、さらに透明性があると云う優れた特性を有す
る、これまで知られていない新規な固体物質である。
本発明の透明性に優れた、薄膜状の固体物質は、透明
導電膜や、太陽電池や光センサーなどの窓材料やコーテ
ング材料として極めて高い産業上の利用可能性を有する
のである。
導電膜や、太陽電池や光センサーなどの窓材料やコーテ
ング材料として極めて高い産業上の利用可能性を有する
のである。
第１図は、本発明の薄膜の光学的禁制帯幅の測定結果を
示すグラフである。横軸は、電子ボルト単位で表わした
波長の値を示し、縦軸は、波長と本発明の光の吸収係数
の値の積の平方根の値を示す。 第２図は、本発明の電気伝導率の測定方法を示す、ブロ
ック図である。図において、１……本発明の薄膜状固体
物質、２……硝子基板、３……電極としてのアルミニュ
ウム金属薄膜、４……直流電圧印加し電流を測定する計
測器、５……計測器と電極をつなぐ電線を示す。 第３図は、本発明の薄膜の印加直流電圧に対する、計測
された電流の特性を示すグラフである。
示すグラフである。横軸は、電子ボルト単位で表わした
波長の値を示し、縦軸は、波長と本発明の光の吸収係数
の値の積の平方根の値を示す。 第２図は、本発明の電気伝導率の測定方法を示す、ブロ
ック図である。図において、１……本発明の薄膜状固体
物質、２……硝子基板、３……電極としてのアルミニュ
ウム金属薄膜、４……直流電圧印加し電流を測定する計
測器、５……計測器と電極をつなぐ電線を示す。 第３図は、本発明の薄膜の印加直流電圧に対する、計測
された電流の特性を示すグラフである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0248 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｖ 31/04 31/08 Ｆ
Claims (2)
- 【請求項１】光学的禁制帯の値が、2.0乃至2.8（電子ボ
ルト）であり、その電気伝導率の値が、100乃至1000
（シーメンス／センチメータ）である、りんを含む珪素
よりなる新規な薄膜状の固体物質。 - 【請求項２】透明性に優れた特許請求の範囲第１項記載
の薄膜状の固体物質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62148921A JP2566963B2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 新規な薄膜物質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62148921A JP2566963B2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 新規な薄膜物質 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63315510A JPS63315510A (ja) | 1988-12-23 |
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| JPS63315510A (ja) | 1988-12-23 |
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