JPH0212812A - アモルファスシリコンカーバイド膜の光劣抑制方法 - Google Patents
アモルファスシリコンカーバイド膜の光劣抑制方法Info
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- JPH0212812A JPH0212812A JP63160735A JP16073588A JPH0212812A JP H0212812 A JPH0212812 A JP H0212812A JP 63160735 A JP63160735 A JP 63160735A JP 16073588 A JP16073588 A JP 16073588A JP H0212812 A JPH0212812 A JP H0212812A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコンカーバイド膜の光劣化抑
制方法に係る。
制方法に係る。
アモルファスシリコンを用いた太陽電池は単結晶シリコ
ン太陽電池と比べて製造コストが安価であることから注
目され、開発が進められている。
ン太陽電池と比べて製造コストが安価であることから注
目され、開発が進められている。
その基本構造はｐｉｎ型又はｎｉｐ型であるが、ｐ型又
はｎ型の窓材料をアモルファスシリコンカーバイドで構
成することによって窓部での光吸収を低減し、太陽電池
の光電変換効率を改良する技術が提案されている（特開
昭５７−１２６１７５号公報）。
はｎ型の窓材料をアモルファスシリコンカーバイドで構
成することによって窓部での光吸収を低減し、太陽電池
の光電変換効率を改良する技術が提案されている（特開
昭５７−１２６１７５号公報）。
この提案に係るアモルファスシリコンカーバイドは、シ
ラン又はその誘導体、フッ化シラン又はその誘導体から
選ばれる少なくとも一種以上のガスと、ハイドロカーボ
ン、フッ化ハイドロカーボン、アルキルシラン又はフッ
化アルキルシラン又はその誘導体から選ばれる少なくと
も一種以上のガスとの混合物をグロー放電分解して得ら
れる。
ラン又はその誘導体、フッ化シラン又はその誘導体から
選ばれる少なくとも一種以上のガスと、ハイドロカーボ
ン、フッ化ハイドロカーボン、アルキルシラン又はフッ
化アルキルシラン又はその誘導体から選ばれる少なくと
も一種以上のガスとの混合物をグロー放電分解して得ら
れる。
アモルファスシリコン太陽電池の実用化にとって光劣化
の防止、抑制が最大の問題の一つであることは知られて
いる通りであるが、アモルファスシリコン太陽電池の窓
材料としてアモルファスシリコンカーバイド膜を用いる
場合にもこれは変らない。アモルファスシリコン膜につ
いて３００℃以下の温度で水素プラズマ処理を施す方法
が試みられているが、アモルファスシリコンカーバイド
膜について有効な光劣化防止方法は未だ報告されていな
い。
の防止、抑制が最大の問題の一つであることは知られて
いる通りであるが、アモルファスシリコン太陽電池の窓
材料としてアモルファスシリコンカーバイド膜を用いる
場合にもこれは変らない。アモルファスシリコン膜につ
いて３００℃以下の温度で水素プラズマ処理を施す方法
が試みられているが、アモルファスシリコンカーバイド
膜について有効な光劣化防止方法は未だ報告されていな
い。
そこで、本発明は、アモルファスシリコンカーバイド膜
の光劣化を抑制する方法を提供することを目的として為
されたものである。
の光劣化を抑制する方法を提供することを目的として為
されたものである。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究する過
程で、プラズマＣＶＤ法で得られるアモルファスシリコ
ンカーバイド（ａ−５ｉＣ： Ｈ） Ｍヲ特定の温度で
熱アニールして遊離水素を放出させると、アモルファス
シリコンカーバイド膜の光劣化を抑制できることを見い
出し、本発明を完成した。
程で、プラズマＣＶＤ法で得られるアモルファスシリコ
ンカーバイド（ａ−５ｉＣ： Ｈ） Ｍヲ特定の温度で
熱アニールして遊離水素を放出させると、アモルファス
シリコンカーバイド膜の光劣化を抑制できることを見い
出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明の要旨は、プラズマＣＶＤ法で得られ
るアモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ： Ｈ
）膜をｑＯＯ〜６００℃の温度で熱アニールして遊離水
素を放出させることを特徴とするアモルファスシリコン
カーバイド膜の光劣化抑制方法本発明のアモルファスシ
リコンカーバイド膜は、炭素及び水素を含有するアモル
ファスシリコン膜であるが、真空反応槽内に所定のガス
を導入して、所定の内圧とした後、プラズマ分解するこ
とによって、製造することができる。本発明においてプ
ラズマ分解法とは、プラズマ雰囲気下で基板上にシリコ
ン膜を形成する方法を言い、このようなプラズマ雰囲気
は周知の如く、高周波放電、低周波放電を初め、直流放
電等の各種放電法によって容易に実現することができる
。
るアモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ： Ｈ
）膜をｑＯＯ〜６００℃の温度で熱アニールして遊離水
素を放出させることを特徴とするアモルファスシリコン
カーバイド膜の光劣化抑制方法本発明のアモルファスシ
リコンカーバイド膜は、炭素及び水素を含有するアモル
ファスシリコン膜であるが、真空反応槽内に所定のガス
を導入して、所定の内圧とした後、プラズマ分解するこ
とによって、製造することができる。本発明においてプ
ラズマ分解法とは、プラズマ雰囲気下で基板上にシリコ
ン膜を形成する方法を言い、このようなプラズマ雰囲気
は周知の如く、高周波放電、低周波放電を初め、直流放
電等の各種放電法によって容易に実現することができる
。
プラズマ雰囲気下で少なくとも、水素及び炭素を不純物
として含有するシリコン膜を形成するためには、プラズ
マ中に少なくともシリコン原子、水素原子及び炭素原子
、又はそれらのイオン等を存在せしめることが必要であ
る。
として含有するシリコン膜を形成するためには、プラズ
マ中に少なくともシリコン原子、水素原子及び炭素原子
、又はそれらのイオン等を存在せしめることが必要であ
る。
周知の如く、プラズマ分解法により水素を不純物として
含有するシリコン膜を製造するためには、シラン又はそ
の誘導体の如く水素を含有するシリコン化合物を原料ガ
スとし、或いは水素（Ｈ２）や希ガスをキャリヤーガス
として放電し、プラズマ雰囲気を実現すればよく、更に
炭素を原料ガス中に添加することにより、炭素及び水素
を不純物として含有するシリコンカーバイド膜を製造す
ることができる。
含有するシリコン膜を製造するためには、シラン又はそ
の誘導体の如く水素を含有するシリコン化合物を原料ガ
スとし、或いは水素（Ｈ２）や希ガスをキャリヤーガス
として放電し、プラズマ雰囲気を実現すればよく、更に
炭素を原料ガス中に添加することにより、炭素及び水素
を不純物として含有するシリコンカーバイド膜を製造す
ることができる。
アモルファスシリコンカーバイド膜の物理的性質は、膜
が含有する不純物の種類とその量に大きく依存するが、
特に物理的性質の内、吸収係数及び基板又は透明電極へ
の付着性の改善については、炭素が不純物として含まれ
る量に大きく依存する。
が含有する不純物の種類とその量に大きく依存するが、
特に物理的性質の内、吸収係数及び基板又は透明電極へ
の付着性の改善については、炭素が不純物として含まれ
る量に大きく依存する。
即ち、本発明のアモルファスシリコンカーバイドに含ま
れる炭素の存在は、バンドギャップの大きい炭化珪素（
〜６． ＯｅＶ）の構造を部分的に存在せしめることに
なるので、ａ−３ｉ半導体のバンドギャップが広げられ
、これによって吸収係数を小さくすることが出来る。更
に、屈折率に関しても同様に、炭化珪素（屈折率２．４
８）の構造を部分的に持つことにより、ａ−３ｉの屈折
率を制御することが出来る。
れる炭素の存在は、バンドギャップの大きい炭化珪素（
〜６． ＯｅＶ）の構造を部分的に存在せしめることに
なるので、ａ−３ｉ半導体のバンドギャップが広げられ
、これによって吸収係数を小さくすることが出来る。更
に、屈折率に関しても同様に、炭化珪素（屈折率２．４
８）の構造を部分的に持つことにより、ａ−３ｉの屈折
率を制御することが出来る。
又、Ｃは４配位のＳｉのネットワーク中に入ることがで
きるために、アモルファスシリコン膜の構造的なストレ
スを緩和し、その結果として基板や透明電極との付着性
を改善することが出来る。
きるために、アモルファスシリコン膜の構造的なストレ
スを緩和し、その結果として基板や透明電極との付着性
を改善することが出来る。
アモルファスシリコンカーバイド中に更にｐ型又はｎ型
ドーパントを導入することにより、吸収係数及び基板又
は透明電極に対する付着性が改善されたｐ型又はｎ型ア
モルファスシリコンカーバイド膜を製造することが出来
る。
ドーパントを導入することにより、吸収係数及び基板又
は透明電極に対する付着性が改善されたｐ型又はｎ型ア
モルファスシリコンカーバイド膜を製造することが出来
る。
吸収係数及び基板、又は透明電極に対する付着性が改善
された本発明のアモルファスシリコンカーバイドの特徴
は、薄膜中に含有される炭素が０．１原子％以上くこの
場合の原子％は他の不純物の有無にかかわらず１００ｘ
Ｃ／ （Ｓｉ 十Ｃ）を意味する）であることであるが
、以下の製膜条件によって製造することができる。即ち
、 製膜条件は、 電力密度 ガス流量 基板温度 放電時圧力 ０、０１〜Ｉ Ｗ／ｃｒ１ １〜１００Ｓ１００ ５ＣＣ〜４００℃ ０、０５〜２ Ｔｏｒｒ Ｃ／Ｓｉ ０．００１ 〜３ であり、製膜速度等を考慮すれば、 電力密度 ０．０１〜０．５ Ｗ／ｃａｔガス流量
５〜５０３ＣＣＭ 基板温度 ２００〜３５０℃ 放電時圧力 ０．０５〜Ｉ ＴｏｒｒＣ／Ｓｉ
０．０１〜２ であることが好ましい。
された本発明のアモルファスシリコンカーバイドの特徴
は、薄膜中に含有される炭素が０．１原子％以上くこの
場合の原子％は他の不純物の有無にかかわらず１００ｘ
Ｃ／ （Ｓｉ 十Ｃ）を意味する）であることであるが
、以下の製膜条件によって製造することができる。即ち
、 製膜条件は、 電力密度 ガス流量 基板温度 放電時圧力 ０、０１〜Ｉ Ｗ／ｃｒ１ １〜１００Ｓ１００ ５ＣＣ〜４００℃ ０、０５〜２ Ｔｏｒｒ Ｃ／Ｓｉ ０．００１ 〜３ であり、製膜速度等を考慮すれば、 電力密度 ０．０１〜０．５ Ｗ／ｃａｔガス流量
５〜５０３ＣＣＭ 基板温度 ２００〜３５０℃ 放電時圧力 ０．０５〜Ｉ ＴｏｒｒＣ／Ｓｉ
０．０１〜２ であることが好ましい。
ｎ型ドーパントガスは、元素周期律表第■族の元素又は
その化合物であり、水素化物、特に水素化硼素（８２Ｈ
６） が好ましい。ｎ型ドーパントガスは、元素周期律
表第■族の元素又はその化合物であり、水素化物、とく
にホスフィン（ＰＩ’＋３）又はアルシン（ＡＳＨ３）
が好ましい。
その化合物であり、水素化物、特に水素化硼素（８２Ｈ
６） が好ましい。ｎ型ドーパントガスは、元素周期律
表第■族の元素又はその化合物であり、水素化物、とく
にホスフィン（ＰＩ’＋３）又はアルシン（ＡＳＨ３）
が好ましい。
本発明において、基板としては、例えばガラス多結晶シ
リコン、アルミニウム、銀、ステンレス等を挙げること
ができる。
リコン、アルミニウム、銀、ステンレス等を挙げること
ができる。
ガラス等の透明基板を使用して太陽電池を製造する場合
には基板上へ透明電極、ｐ型又はｎ型シリコン膜、ｉ型
アモルファスシリコン膜、ｎ型又はｐ型シリコン膜、更
に金属電極を形成する。ステンレス等の基板を使用する
場合には、基板上へｐ型又はｎ型シリコン膜、ｉ型ａ−
３ｉ膜、ｎ型又はｐ型シリコン膜更に透明電極を形成し
、保護膜で被覆して太陽電池を得る。本発明のアモルフ
ァスシリコンカーバイド膜は上記の如き太陽電池の窓層
のシリコン膜、特にｐ型層、又はｉ型層に好ましく適用
されるものである。
には基板上へ透明電極、ｐ型又はｎ型シリコン膜、ｉ型
アモルファスシリコン膜、ｎ型又はｐ型シリコン膜、更
に金属電極を形成する。ステンレス等の基板を使用する
場合には、基板上へｐ型又はｎ型シリコン膜、ｉ型ａ−
３ｉ膜、ｎ型又はｐ型シリコン膜更に透明電極を形成し
、保護膜で被覆して太陽電池を得る。本発明のアモルフ
ァスシリコンカーバイド膜は上記の如き太陽電池の窓層
のシリコン膜、特にｐ型層、又はｉ型層に好ましく適用
されるものである。
本発明は、このアモルファスシリコンカーバイド生成過
程で取り込まれた水素のうち、遊離水素として膜中に存
在する水素を特定温度の熱アニールによって除去するも
のである。
程で取り込まれた水素のうち、遊離水素として膜中に存
在する水素を特定温度の熱アニールによって除去するも
のである。
熱アニールの条件としては４００〜６００℃、好ましく
は４３０〜４８０℃の温度で、１０−”Ｔｏｒｒ以下の
真空中で膜の表面酸化を防止しながら水素放出を行なう
。昇温は、１０〜ｂ 四極子マススペクトルを用い水素放出量をモニターしな
がら行なう。上記温度に到達後は、加熱を中止し、１〜
ｂ で降温する。
は４３０〜４８０℃の温度で、１０−”Ｔｏｒｒ以下の
真空中で膜の表面酸化を防止しながら水素放出を行なう
。昇温は、１０〜ｂ 四極子マススペクトルを用い水素放出量をモニターしな
がら行なう。上記温度に到達後は、加熱を中止し、１〜
ｂ で降温する。
実施例１
基板として結晶シリコン又はコーニング７０５９（商品
名）を用い、シランとＣ２）１２／Ｈ２、ＣＨ４。
名）を用い、シランとＣ２）１２／Ｈ２、ＣＨ４。
Ｃ２＋１２、又はＣＨ１／Ｈ２との混合ガスをグロー放
電分解して光学バンドギャップＢｇｏ’ｐｔ＝１．９５
ｅＶのアモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：
Ｈ） Ｍヲ製膜した４種類の試料を作製した。
電分解して光学バンドギャップＢｇｏ’ｐｔ＝１．９５
ｅＶのアモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：
Ｈ） Ｍヲ製膜した４種類の試料を作製した。
このときの製膜条件は次のとおりであった。
電力密度 ０． Ｉ Ｗ／ｃＩＩ！ガス流量
３０３ＣＣＭ 基板温度 ３００℃ 放電時圧力 ０．５Ｔｏｒｒ Ｃ／ Ｓ ｉ １ これらのうち結晶シリコンを基板とした膜を１０−’ｔ
ｏｒｒ以下の真空下２０℃／分の昇温湿度で加熱して水
素放出の温度特性を調べた。水素放出量は四極子マスス
ペクトルで測定した。その結果を第１図に示すが、いず
れも低温側（ＬＴ）と高温側（ＨＴ）に２つのピークを
有する。５ｉＨ４−ＣＨ４／Ｈ２系ａ−ＳｉＣ： Ｈ膜
では低温側ピークが減少しているか又はブロードになっ
ているように見える。そこで、昇温速度を５℃／分に下
げたがピーク形状は殆んど変化しなかったので、低温側
ピークはもともと減少していたものと考えられる。
３０３ＣＣＭ 基板温度 ３００℃ 放電時圧力 ０．５Ｔｏｒｒ Ｃ／ Ｓ ｉ １ これらのうち結晶シリコンを基板とした膜を１０−’ｔ
ｏｒｒ以下の真空下２０℃／分の昇温湿度で加熱して水
素放出の温度特性を調べた。水素放出量は四極子マスス
ペクトルで測定した。その結果を第１図に示すが、いず
れも低温側（ＬＴ）と高温側（ＨＴ）に２つのピークを
有する。５ｉＨ４−ＣＨ４／Ｈ２系ａ−ＳｉＣ： Ｈ膜
では低温側ピークが減少しているか又はブロードになっ
ているように見える。そこで、昇温速度を５℃／分に下
げたがピーク形状は殆んど変化しなかったので、低温側
ピークはもともと減少していたものと考えられる。
ピークの帰属についてはＢａｙｅｒ らが低温側は膜中
の遊離（非結合）水素に由来し、高温側ピークは結合水
素に由来すると報告している。そこで、これを確認する
ため、水素放出前の膜のＩＲスペクトルと、低温側ピー
クで昇温を止めた膜のＩＲスペクトルを調べてみた。第
２図に５ｉＨ４−ＣＨｓ系のａ−ＳｉＣ： Ｈ膜（結晶
シリコン基板上）についての結果を示す。水素放出前に
基づく吸収が減少して後でスペクトル変化は殆んどなく
、唯一＋５ｔｌ（２＋−；いるだ長である。従って、低
温側ピーク温度での放出水 は、ＩＲスペクトルで検出
されない遊離水素と鎮状の−ｆｓｌＨ２ｈの水素である
と考えられる。
の遊離（非結合）水素に由来し、高温側ピークは結合水
素に由来すると報告している。そこで、これを確認する
ため、水素放出前の膜のＩＲスペクトルと、低温側ピー
クで昇温を止めた膜のＩＲスペクトルを調べてみた。第
２図に５ｉＨ４−ＣＨｓ系のａ−ＳｉＣ： Ｈ膜（結晶
シリコン基板上）についての結果を示す。水素放出前に
基づく吸収が減少して後でスペクトル変化は殆んどなく
、唯一＋５ｔｌ（２＋−；いるだ長である。従って、低
温側ピーク温度での放出水 は、ＩＲスペクトルで検出
されない遊離水素と鎮状の−ｆｓｌＨ２ｈの水素である
と考えられる。
次に、低温側ピーク温度で水素放出した膜の光膜特性を
水素放出前のものと比較する試験を行なった。
水素放出前のものと比較する試験を行なった。
膜としてはコーニング７０５９上に形成した５ｉＨ４−
ＣＨｉ系ａ−ＳｉＣ： Ｈ膜を用い、１Ｏ−１ｌｔｏｒ
ｒ以下の真空中で熱電対で基板表面温度をモニターしな
がら２０℃／分の一定昇温速度で昇温し、目標温度（４
５０℃）到達後直ちにヒーターを切って、１０℃／分で
降温した。
ＣＨｉ系ａ−ＳｉＣ： Ｈ膜を用い、１Ｏ−１ｌｔｏｒ
ｒ以下の真空中で熱電対で基板表面温度をモニターしな
がら２０℃／分の一定昇温速度で昇温し、目標温度（４
５０℃）到達後直ちにヒーターを切って、１０℃／分で
降温した。
光電特性として、暗導電率は暗室中での導電率を電流計
（ＫＥＰＨＬＹ社製）で測定した。光導電率はＡＭ １
（１００ｍＷ／ｃＩＩｔ）の照明下の導電率ヲ上記３
１ 流計で測定した。光劣化率はＡＭＩの照明を５時間
照射後の光導電率の変化によって求めた。結果を表１に
示す。
（ＫＥＰＨＬＹ社製）で測定した。光導電率はＡＭ １
（１００ｍＷ／ｃＩＩｔ）の照明下の導電率ヲ上記３
１ 流計で測定した。光劣化率はＡＭＩの照明を５時間
照射後の光導電率の変化によって求めた。結果を表１に
示す。
以下余白
表
表１に見られるように、低温側ピーク温度での水素放出
によって暗導電率、光導電率ともに増加し、特に光劣化
率は６０．７％から１５．４％へと大幅に減少した。ま
た、屈折率が３．１１から３．２２へと増大し、膜が緻
密化していることを示している。
によって暗導電率、光導電率ともに増加し、特に光劣化
率は６０．７％から１５．４％へと大幅に減少した。ま
た、屈折率が３．１１から３．２２へと増大し、膜が緻
密化していることを示している。
実施例２
コーニング７０５９上に形成した５ＩＨ４−ＣＨ４／
Ｈ２系ａ−ＳｉＣ： Ｈ膜で実施例１と同一の条件で水
素放出を行なった。膜特性を調べたところ表２のとおり
であった。５ｉＨ４−ＣＨ４／Ｈｚ系においても低温側
ピーク温度で水素放出した膜は水素放出前と比較しＢｇ
ｏｐＬの減少と暗導電率の増加及び光劣化の大幅な抑制
が観測された。
Ｈ２系ａ−ＳｉＣ： Ｈ膜で実施例１と同一の条件で水
素放出を行なった。膜特性を調べたところ表２のとおり
であった。５ｉＨ４−ＣＨ４／Ｈｚ系においても低温側
ピーク温度で水素放出した膜は水素放出前と比較しＢｇ
ｏｐＬの減少と暗導電率の増加及び光劣化の大幅な抑制
が観測された。
表２
〔発明の効果〕
本発明によれば、アモルファスシリコンカーバイドの光
劣化が抑制され、この材料を用いたアモルファスシリコ
ン太陽電池の信頼性を高める上で効果がある。
劣化が抑制され、この材料を用いたアモルファスシリコ
ン太陽電池の信頼性を高める上で効果がある。
第１図はアモルファスシリコンカーバイドの水素放出温
度特性を示すグラフ図、第２図はアモルファスシリコン
カーバイドの低温水素放出前後のＩＲスペクトル図であ
る。
度特性を示すグラフ図、第２図はアモルファスシリコン
カーバイドの低温水素放出前後のＩＲスペクトル図であ
る。
Claims (1)
- １、プラズマＣＶＤ法で得られるアモルファスシリコン
カーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）膜を４００〜６００℃の
温度で熱アニールして遊離水素を放出させることを特徴
とするアモルファスシリコンカーバイド膜の光劣化抑制
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160735A JPH0212812A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | アモルファスシリコンカーバイド膜の光劣抑制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160735A JPH0212812A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | アモルファスシリコンカーバイド膜の光劣抑制方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212812A true JPH0212812A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15721324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160735A Pending JPH0212812A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | アモルファスシリコンカーバイド膜の光劣抑制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212812A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6174374B1 (en) | 1991-05-28 | 2001-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for annealing a semiconductor |
| US6576534B1 (en) | 1991-09-21 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor |
| EP1134794A4 (en) * | 1998-07-22 | 2006-08-09 | Kaneka Corp | THIN SEMICONDUCTOR FILM AND THIN FILM ARRANGEMENT |
| JP2012216593A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63160735A patent/JPH0212812A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6174374B1 (en) | 1991-05-28 | 2001-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for annealing a semiconductor |
| US6494162B1 (en) | 1991-05-28 | 2002-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for annealing a semiconductor |
| US6770143B2 (en) | 1991-05-28 | 2004-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for annealing a semiconductor |
| US6576534B1 (en) | 1991-09-21 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor |
| US6924212B2 (en) | 1991-09-21 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor |
| US7368367B2 (en) | 1991-09-21 | 2008-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor |
| EP1134794A4 (en) * | 1998-07-22 | 2006-08-09 | Kaneka Corp | THIN SEMICONDUCTOR FILM AND THIN FILM ARRANGEMENT |
| JP2012216593A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
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