JPS6216514A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
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- JPS6216514A JPS6216514A JP60154209A JP15420985A JPS6216514A JP S6216514 A JPS6216514 A JP S6216514A JP 60154209 A JP60154209 A JP 60154209A JP 15420985 A JP15420985 A JP 15420985A JP S6216514 A JPS6216514 A JP S6216514A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光電変換素子の製法に関し、特にその高効率化
および高速製造に関する。
および高速製造に関する。
非晶質シリコン光電変換素子とくに非晶質／リコン太陽
電池の高効率化が検討されて低速製膜条件においてはあ
る程度の成果をあげつつあるが、太陽電池を商業的規模
で製造するために不可欠の高速製造においては、未だ効
率の向上の検討は緒についたばかりである。従来技術で
は特に光活性層の形成速度を２０Ａ／ｓ とするよう
な高速製造条件においては未だ高効率は達成されていな
い。
電池の高効率化が検討されて低速製膜条件においてはあ
る程度の成果をあげつつあるが、太陽電池を商業的規模
で製造するために不可欠の高速製造においては、未だ効
率の向上の検討は緒についたばかりである。従来技術で
は特に光活性層の形成速度を２０Ａ／ｓ とするよう
な高速製造条件においては未だ高効率は達成されていな
い。
本発明者は、先に高速でかつ高効率を達成するためにジ
シラン（ＳｉｚＨｅ）を原料とする非晶質シリコン太陽
電池の製造方法が有効な方法であることを開示した。即
ちジシランを原料とした場合、ある閾値を越えるエネル
ギーが供給される条件下。
シラン（ＳｉｚＨｅ）を原料とする非晶質シリコン太陽
電池の製造方法が有効な方法であることを開示した。即
ちジシランを原料とした場合、ある閾値を越えるエネル
ギーが供給される条件下。
具体的には薄膜の形成速度が放電電力よりも主としてジ
シラン流量に依存するところの放電電力が供給される条
件下でグロー放電分解されることが不可欠であることを
開示した（例えば特願昭５８−１７２５他）。ついで、
第１０）導電性薄膜はジシランをベースにして不純物を
添加する方法を開示した（例えば特願昭５８−３４４０
７他）。
シラン流量に依存するところの放電電力が供給される条
件下でグロー放電分解されることが不可欠であることを
開示した（例えば特願昭５８−１７２５他）。ついで、
第１０）導電性薄膜はジシランをベースにして不純物を
添加する方法を開示した（例えば特願昭５８−３４４０
７他）。
さらに第１０）導電性薄膜の製造方法について種々検討
し、広い光学的バンドギャップを有し、かつ良好な導電
性を有する非晶質シリコンカーバイド半導体薄膜を提案
した（特願昭５９−２４７５７７）。
し、広い光学的バンドギャップを有し、かつ良好な導電
性を有する非晶質シリコンカーバイド半導体薄膜を提案
した（特願昭５９−２４７５７７）。
本発明者らはこれをさらに改良して、低温、低放電電力
で良好な特性を有するｐ型非晶質シリコンカーバイド半
導体薄膜（以下ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜と略称する）を得る
ことができたので、この薄膜を用いてアモルファスシリ
コン太陽電池を形成する方法を開示する。
で良好な特性を有するｐ型非晶質シリコンカーバイド半
導体薄膜（以下ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜と略称する）を得る
ことができたので、この薄膜を用いてアモルファスシリ
コン太陽電池を形成する方法を開示する。
本発明は基体上に第１０）電極、第１０）導電性薄膜、
実質的に真性で光活性の薄膜、第２の導電性の薄膜、第
２の電極の順に形成する光電変換素子の製造方法であり
、第１又は第２の導電性薄膜の形成方法に特徴を有する
ものである。即ち、該薄膜を一般式Ｓｉ （ＣＨ３）ｎ
Ｈａ −ｎ （ｎ ＝ １〜４ ）で表わされるメチル
シラン、一般式Ｓ ｊｍＨｚｍ＋２（ｍ ＝１〜３）で
表わされるシラン及び不純物ガスをグロー放電分解して
形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法であ
る。
実質的に真性で光活性の薄膜、第２の導電性の薄膜、第
２の電極の順に形成する光電変換素子の製造方法であり
、第１又は第２の導電性薄膜の形成方法に特徴を有する
ものである。即ち、該薄膜を一般式Ｓｉ （ＣＨ３）ｎ
Ｈａ −ｎ （ｎ ＝ １〜４ ）で表わされるメチル
シラン、一般式Ｓ ｊｍＨｚｍ＋２（ｍ ＝１〜３）で
表わされるシラン及び不純物ガスをグロー放電分解して
形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法であ
る。
一般式５ｉ（ＣＨ３）ｎＨ４−ｏ（ｎ＝１〜４）テ表わ
されるメチルシランにはｎ＝１．２．３及び４に対応し
てそれぞれモノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメ
チルシラン及びテトラメチルシランがある。
されるメチルシランにはｎ＝１．２．３及び４に対応し
てそれぞれモノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメ
チルシラン及びテトラメチルシランがある。
また一般式Ｓ ｉｍＨ２ｍ−）−２（ｍ ＝ １〜３
） テ表わされるシランにはｍ＝１．２及び３に対応し
てそれぞれモノシラン、ジシラン及びトリシランがある
。
） テ表わされるシランにはｍ＝１．２及び３に対応し
てそれぞれモノシラン、ジシラン及びトリシランがある
。
不純物ガスとしては半導体薄膜の導電型を変更するもの
であり、たとえばｐ型の導電性を付与するものには、ジ
ボラン（ＢｚＨｅ）、ｎ型の・導電性を付与する本のに
はフォスフイン（ＰＨ３）り’ある。コレらＢ、Ｈ，や
ＰＨ３は水素やヘリウムで希釈して用いる。
であり、たとえばｐ型の導電性を付与するものには、ジ
ボラン（ＢｚＨｅ）、ｎ型の・導電性を付与する本のに
はフォスフイン（ＰＨ３）り’ある。コレらＢ、Ｈ，や
ＰＨ３は水素やヘリウムで希釈して用いる。
本発明におけるさらなる特徴は、第１又は第２の導電性
薄膜を低温、低放電電力で形成するところにある。この
ために好ましくは、メチルシランにおいてはモノメチル
シラン、ジメチルシラン。
薄膜を低温、低放電電力で形成するところにある。この
ために好ましくは、メチルシランにおいてはモノメチル
シラン、ジメチルシラン。
トリメチルシラン、シランにおいてはジシラン。
不純物ガスにおいては水素又はヘリウムで希釈されたジ
ボランが用いられる。さらに好ましくはジメチルシラン
、ジシラン及び水素又はヘリウムで希釈されたジボラン
を低い放電電力でグロー放電し、２５０℃以下に保持さ
れた基体上に第１０）導電性薄膜としてｐ−ａｓｉｃ：
Ｈ膜を形成することである。
ボランが用いられる。さらに好ましくはジメチルシラン
、ジシラン及び水素又はヘリウムで希釈されたジボラン
を低い放電電力でグロー放電し、２５０℃以下に保持さ
れた基体上に第１０）導電性薄膜としてｐ−ａｓｉｃ：
Ｈ膜を形成することである。
本発明において光電変換素子の光電変換効率を向上し、
さらに光電変換素子の製造時間を短縮して生産性を高め
るために、好ましくは、前述のｐ−ａｓｉｃ ：Ｈ膜
の形成後、実質的に真性で光活性の薄膜（以下１−ａｓ
ｉ：Ｈ膜と略称する）をジシランのグロー放電分解によ
り形成することである。
さらに光電変換素子の製造時間を短縮して生産性を高め
るために、好ましくは、前述のｐ−ａｓｉｃ ：Ｈ膜
の形成後、実質的に真性で光活性の薄膜（以下１−ａｓ
ｉ：Ｈ膜と略称する）をジシランのグロー放電分解によ
り形成することである。
特に好ましくは該１−ａｓｉ：Ｈ膜の形成速度が放電電
力よりも主としてジシラン流量に依存するところの放電
電力を供給しつつ行う製造方法である。
力よりも主としてジシラン流量に依存するところの放電
電力を供給しつつ行う製造方法である。
本発明のｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜は１０ ａｔ％以下の炭素
を膜中に含有する。またグロー放電から得られる薄膜に
は水素がとりこまれて、シリコン原子の不対電子と結合
していることが当業者には知られているが本発明ではこ
の７リコン原子と水素との結合様式はＩＲ，スペクトル
から５ｉＨｚ又は（８ｉＨ２）ｎが大部分を占めている
ことが確認されている。
を膜中に含有する。またグロー放電から得られる薄膜に
は水素がとりこまれて、シリコン原子の不対電子と結合
していることが当業者には知られているが本発明ではこ
の７リコン原子と水素との結合様式はＩＲ，スペクトル
から５ｉＨｚ又は（８ｉＨ２）ｎが大部分を占めている
ことが確認されている。
さらに本発明において該膜中に含まれる結合水素量は２
０ ａｔ％を越える多量なものである。
０ ａｔ％を越える多量なものである。
従来技術においては１本発明の如（ＳｉＨ２又は（Ｓｉ
Ｈｚ）。および多量の水素が含有される非晶質シリコン
膜は電気的特性に劣るものとして実用に供されなかった
ものである。然るに本発明者は前述の如く原料の組成を
選択することにより極めて特異な効果を見出したもので
ある。すなわち、その性質はたとえば、炭素含有量が高
々３ａｔ％であるのに光学的バンドギャップは２．２ｅ
ｖを越える広いものであることから明らかでありさらに
光導電度は１０ Ｓ／ＣｒｒＬにも達するものもあり、
暗導電車の１０倍以上の光導電度を示すものもあるので
ある。本発明においては光学的バンドギャップは膜中の
炭素含有量を１〜１０ａｔ％の間で、水素含有量を１５
〜６０％の間で変更することによりｉ、ｓ ｅＶ〜２，
５ｅＶの間で変更することができる。
Ｈｚ）。および多量の水素が含有される非晶質シリコン
膜は電気的特性に劣るものとして実用に供されなかった
ものである。然るに本発明者は前述の如く原料の組成を
選択することにより極めて特異な効果を見出したもので
ある。すなわち、その性質はたとえば、炭素含有量が高
々３ａｔ％であるのに光学的バンドギャップは２．２ｅ
ｖを越える広いものであることから明らかでありさらに
光導電度は１０ Ｓ／ＣｒｒＬにも達するものもあり、
暗導電車の１０倍以上の光導電度を示すものもあるので
ある。本発明においては光学的バンドギャップは膜中の
炭素含有量を１〜１０ａｔ％の間で、水素含有量を１５
〜６０％の間で変更することによりｉ、ｓ ｅＶ〜２，
５ｅＶの間で変更することができる。
この場合、水素含有量の変更は基体の温度を変更するこ
とにより行うことが出来る。多量の水素を効率よ（とり
入れるために基体の温度は２５０℃以下に保持される。
とにより行うことが出来る。多量の水素を効率よ（とり
入れるために基体の温度は２５０℃以下に保持される。
好ましい効果を与える基体の温度は８０℃以上、２００
℃以下であり、特に好ましい基体の温度は１００６Ｃ以
上、１６０℃以下である。
℃以下であり、特に好ましい基体の温度は１００６Ｃ以
上、１６０℃以下である。
〔発明を実施するための好ましい形態〕グロー放電可能
な反応室内に光電変換素子を形成すべき第１０）電極を
有する基体を配設し、減圧下２５０°Ｃ以下の温度に加
熱保持する。ついでジメチルシラン、ジシラン及び水素
又はヘリウムで希釈されたジボランを導入し、圧力０．
０５〜２Ｔｏｒｒにおいて放電電力１〜１０Ｗで本発明
の薄膜（ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜）を得る。ジシランに対す
るジメチルシランの添加割合は容素比で１／１０〜２で
あれば充分である。ジボランの添加景は適宜決定せられ
る。必要膜厚形成後１−ａｓｉ：Ｈ膜、第１０）導電性
と逆導電性の第２の導電性膜を順次積層し、ついで第２
の電極を堆積して光電変換素子を得る。
な反応室内に光電変換素子を形成すべき第１０）電極を
有する基体を配設し、減圧下２５０°Ｃ以下の温度に加
熱保持する。ついでジメチルシラン、ジシラン及び水素
又はヘリウムで希釈されたジボランを導入し、圧力０．
０５〜２Ｔｏｒｒにおいて放電電力１〜１０Ｗで本発明
の薄膜（ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜）を得る。ジシランに対す
るジメチルシランの添加割合は容素比で１／１０〜２で
あれば充分である。ジボランの添加景は適宜決定せられ
る。必要膜厚形成後１−ａｓｉ：Ｈ膜、第１０）導電性
と逆導電性の第２の導電性膜を順次積層し、ついで第２
の電極を堆積して光電変換素子を得る。
以下ガラス基板を基体として用いる例についてさらに具
体的に説明する。透明電極が形成されたガラス基板をグ
ロー放電室に接続された基板送入室に送入する。減圧下
２５０’Ｃ以下の温度に加熱した後、ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ
膜の形成室に移送する。
体的に説明する。透明電極が形成されたガラス基板をグ
ロー放電室に接続された基板送入室に送入する。減圧下
２５０’Ｃ以下の温度に加熱した後、ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ
膜の形成室に移送する。
ジメチルシラン、ジシランに水素又はヘリウム希釈のジ
ボランを導入し、０．０５〜２’ｌ’ｏｒｒの圧力にお
いて、放電電力１〜１０Ｗでグロー放電分解し、ｐ−ａ
ｓｉｃ：Ｈ膜を形成する。つぎニ１−ａｓｉ：Ｈ膜の形
成室に該基体を移送し、ジシラン、又は水素やヘリウム
で希釈したジシランのグロー放電−分解により１−ａｓ
ｉ：Ｈ膜を形成する。１−ａｓｉ：Ｈ膜形成は形成速度
がグロー放電電力によらず、主としてジシラン流量によ
って支配される放電電力の領域で行なわれる。形成温度
、圧力はそれぞれ１００〜４００°Ｃ，０，０５〜２Ｔ
ｏｒｒである。具体的な放電電力は反応装置により適宜
法められねばならないが、ジシランあたりに加えられる
エネルギーの目安としては、ジシランに対しては３０〜
４０ ＫＪ／ｇ Ｓ ｒ ２Ｈ６以上、ヘリウムや水
素で希釈された１０チジシランに対しては１０〜２０Ｋ
Ｊ ７ｇ−８ｉ ２Ｈ６以上の値が好ましいものである
。
ボランを導入し、０．０５〜２’ｌ’ｏｒｒの圧力にお
いて、放電電力１〜１０Ｗでグロー放電分解し、ｐ−ａ
ｓｉｃ：Ｈ膜を形成する。つぎニ１−ａｓｉ：Ｈ膜の形
成室に該基体を移送し、ジシラン、又は水素やヘリウム
で希釈したジシランのグロー放電−分解により１−ａｓ
ｉ：Ｈ膜を形成する。１−ａｓｉ：Ｈ膜形成は形成速度
がグロー放電電力によらず、主としてジシラン流量によ
って支配される放電電力の領域で行なわれる。形成温度
、圧力はそれぞれ１００〜４００°Ｃ，０，０５〜２Ｔ
ｏｒｒである。具体的な放電電力は反応装置により適宜
法められねばならないが、ジシランあたりに加えられる
エネルギーの目安としては、ジシランに対しては３０〜
４０ ＫＪ／ｇ Ｓ ｒ ２Ｈ６以上、ヘリウムや水
素で希釈された１０チジシランに対しては１０〜２０Ｋ
Ｊ ７ｇ−８ｉ ２Ｈ６以上の値が好ましいものである
。
１−ａＳｉ：Ｈ膜形成時に約１ ｖｏｌ ｐｐｍ以下の
如く、極微量のジボランを加えて行うこともできる。必
要厚みの１−ａｓｉ：Ｈ膜積層終了後、ｎ型半導体膜形
成室へ該基体を移送する。ｎ型半導体膜の形成はシラン
に水素又はヘリウムで希釈したフォスフインを加えて該
形成室に導入し、５Ｔｏｒｒ以下の圧力に調節し、グロ
ー放電分解される。基体の温度は１００〜４００℃であ
る。必要厚みのｎ型半導体の形成後、第２の電極を形成
して本発明の光電変換素子を得る。
如く、極微量のジボランを加えて行うこともできる。必
要厚みの１−ａｓｉ：Ｈ膜積層終了後、ｎ型半導体膜形
成室へ該基体を移送する。ｎ型半導体膜の形成はシラン
に水素又はヘリウムで希釈したフォスフインを加えて該
形成室に導入し、５Ｔｏｒｒ以下の圧力に調節し、グロ
ー放電分解される。基体の温度は１００〜４００℃であ
る。必要厚みのｎ型半導体の形成後、第２の電極を形成
して本発明の光電変換素子を得る。
上記の態様においてｐ型半導体やｎ型半導体は微結晶シ
リコン半導体を形成してもよい。
リコン半導体を形成してもよい。
上記の態様の他にも（ｉ）基板側からｎ型半導体。
１−ａｓｉ：Ｈ膜ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜、透明電極と積層
する方法、 （ｉｉ）電極を分割して、複数の太陽電
池を形成しこれらを直列接続する集積型太陽電池の製造
方法も本発明において用いることができる。
する方法、 （ｉｉ）電極を分割して、複数の太陽電
池を形成しこれらを直列接続する集積型太陽電池の製造
方法も本発明において用いることができる。
本発明の方法においてｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜、１−ａｓｉ
５ｏ ＯＡ、 ２０００〜８０００Ａ、 ５０〜５００
Ａで本発明の方法に用いる基板や電極の材質については
特に制限されず、従来用いられている物質が有効に用い
られる。たとえば基板としては、絶縁性又は導電性、透
明又は不透明のいずれの材料でもよい。
５ｏ ＯＡ、 ２０００〜８０００Ａ、 ５０〜５００
Ａで本発明の方法に用いる基板や電極の材質については
特に制限されず、従来用いられている物質が有効に用い
られる。たとえば基板としては、絶縁性又は導電性、透
明又は不透明のいずれの材料でもよい。
具体的にはガラス、アルミナ、シリコン、ステンレスス
チール、アルミニウム、モリブデン、耐熱性高分子等の
材料で形成されるフィルムあるいは板状のものを使用で
きる。電極材料としては、光入射側にはもちろん透明あ
るいは透光性の材料を用いなければならないが、これ以
外の制限はない。
チール、アルミニウム、モリブデン、耐熱性高分子等の
材料で形成されるフィルムあるいは板状のものを使用で
きる。電極材料としては、光入射側にはもちろん透明あ
るいは透光性の材料を用いなければならないが、これ以
外の制限はない。
たとえばアルミニウム、モリブデン、ニクロム。
ＩＴｏ、酸化錫、ステンレス等の薄膜又は薄板が用いら
れる。
れる。
実施例
基板送入室、ｎ型半導体形成室、１型半導体形成室、ｎ
型半導体形成室を有するプラズマＣＶＤ装置で光電変換
素子を形成した。ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜の作製はガラス基
板上に約１０００〜１ｏｏｏｏｉ 厚の透明導電膜を形
成した基体上に、ジメチルシラン。
型半導体形成室を有するプラズマＣＶＤ装置で光電変換
素子を形成した。ｐ−ａｓｉｃ：Ｈ膜の作製はガラス基
板上に約１０００〜１ｏｏｏｏｉ 厚の透明導電膜を形
成した基体上に、ジメチルシラン。
ジノラン及び水素希釈ジボランを各７ ｊｓｃｃバ。
５ｓｃｃＭ及び１１００５ＣＣの流量で供給しつつ、基
体温度１５０℃、圧力０．５６Ｔｏｒｒ において放
電電力ＩＷで行われた。膜厚約１８ＯＡ形成後１−ａｓ
ｉ：Ｈ膜形成室へ移送した。ジシランを導入し圧力０．
１１Ｔｏｒｒ、温度３００’Ｃ，供給エネルギー４３Ｋ
Ｊ／ｇ −８ｉ ２Ｈａ テ１−ａｓ ｉ ：Ｈ膜を６
５０ＯＡ形成した。ついでｎ型半導体形成室へ移送した
。モノシ。
体温度１５０℃、圧力０．５６Ｔｏｒｒ において放
電電力ＩＷで行われた。膜厚約１８ＯＡ形成後１−ａｓ
ｉ：Ｈ膜形成室へ移送した。ジシランを導入し圧力０．
１１Ｔｏｒｒ、温度３００’Ｃ，供給エネルギー４３Ｋ
Ｊ／ｇ −８ｉ ２Ｈａ テ１−ａｓ ｉ ：Ｈ膜を６
５０ＯＡ形成した。ついでｎ型半導体形成室へ移送した
。モノシ。
ラン、水素希釈フォスフイン及び水素をそれぞれ２．５
５ＣＣＭ、 ３０ＳＣＣＭ及び７０ ｓ ＣＣＭ導入し
、圧力０．４８Ｔｏｒｒ、 温度１５０°Ｃ１放電電力
２００Ｗで微結晶ｎ型半導体膜を約３０ＯＡ形成した。
５ＣＣＭ、 ３０ＳＣＣＭ及び７０ ｓ ＣＣＭ導入し
、圧力０．４８Ｔｏｒｒ、 温度１５０°Ｃ１放電電力
２００Ｗで微結晶ｎ型半導体膜を約３０ＯＡ形成した。
ついでアルミニウムを蒸着して第２の電極として光電変
換素子を得た。この素子特性をＡＭ １ 、 １００ｍ
Ｗ肩の光照射下において調べたところ約３ Ａ／ ｓの
高速成膜において、約１１％と非常に高い光電変換効率
を得た。
換素子を得た。この素子特性をＡＭ １ 、 １００ｍ
Ｗ肩の光照射下において調べたところ約３ Ａ／ ｓの
高速成膜において、約１１％と非常に高い光電変換効率
を得た。
実施例に示すように、ジシランを用いて極めて高い変換
効率を有する非晶質太陽電池を高速製造できる本発明は
工業的にもすぐれた実用性を有するものである。
効率を有する非晶質太陽電池を高速製造できる本発明は
工業的にもすぐれた実用性を有するものである。
Claims (11)
- （１）基体上に、第１の電極、第１の導電性薄膜、実質
的に真性で光活性の薄膜、第２の導電性の薄膜、第２の
電極の順に形成する光電変換素子の製造方法において、
第１の導電性薄膜を一般式Ｓｉ（ＣＨ＿３）＿ｎＨ＿４
＿−＿ｎ（ｎ＝１〜４）で表わされるメチルシラン、一
般式Ｓｉ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿２（ｍ＝１〜３）で表わ
されるシラン及び不純物ガスをグロー放電分解して形成
することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - （２）メチルシランがｎ＝２であるジメチルシランであ
る特許請求の範囲第１項記載の光電変換素子の製造方法
。 - （３）シランがｍ＝２であらわされるジシランである特
許請求の範囲第１項記載の光電変換素子の製造方法。 - （４）不純物ガスが水素又はヘリウムで希釈されたジボ
ランもしくはフォスフィンである特許請求の範囲第１項
記載の光電変換素子の製造方法。 - （５）グロー放電分解して得られる第１の導電性薄膜は
２５０℃以下の温度に保持された基体上に形成される特
許請求の範囲第１項記載の光電変換素子の製造方法。 - （６）基体上に第１の電極、第１の導電性薄膜、実質的
に真性で光活性の薄膜、第２の導電性の薄膜、第２の電
極の順に形成する光電変換素子の製造方法において（ａ
）第１の導電性薄膜を一般式Ｓｉ（ＣＨ＿３）＿ｎＨ＿
４＿−＿ｎ（ｎ＝１〜４）で表わされるメチルシラン、
一般式Ｓｉ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿２（ｍ＝１〜３）で表
わされるシラン及び不純物ガスのグロー放電分解により
、かつ（ｂ）実質的に真性で光活性の薄膜をジシランの
グロー放電分解によりそれぞれ形成することを特徴とす
る光電変換素子の製造方法。 - （７）メチルシランがｎ＝２であるジメチルシランであ
る特許請求の範囲第６項記載の光電変換素子の製造方法
。 - （８）シランがｍ＝２であらわされるジシランである特
許請求の範囲第６項記載の光電変換素子の製造方法。 - （９）不純物ガスが水素又はヘリウムで希釈されたジボ
ランもしくはフォスフィンである特許請求の範囲第６項
記載の光電変換素子の製造方法。 - （１０）グロー放電分解して得られる第１の導電性薄膜
は２５０℃以下の温度に保持された基体上に形成される
特許請求の範囲第６項記載の光電変換素子の製造方法。 - （１１）実質的に真性で光活性の薄膜の形成は、該薄膜
の形成速度が放電電力よりも主としてジシラン流量に依
存するところの放電電力を供給しつつ行われることを特
徴とする特許請求の範囲第６項記載の光電変換素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154209A JPS6216514A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60154209A JPS6216514A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216514A true JPS6216514A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15579228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60154209A Pending JPS6216514A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6216514A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220580A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造の方法 |
| JPS63220579A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS63241970A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085575A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS60154521A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭化珪素被膜作製方法 |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP60154209A patent/JPS6216514A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085575A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS60154521A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭化珪素被膜作製方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220580A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造の方法 |
| JPS63220579A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS63241970A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
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