JPS59161880A - 非晶質太陽電池の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は非晶質シリコン太陽電池の製法に関し、より詳
しくは光電交換効率の高い高効率化電池を高速で製造す
る方法に関する。

非晶質シリコン太陽電池の高効率化は各種の手段で試み
られており、光の入射側に光学禁制相中（以下光学禁制
相中をＥｏｐｔと記す）の大きい物質、いわゆる窓材料
を配置することもその一つである。しかして、かかる窓
材料として従来ａ−３ｉＣｘやａ−３ｉＮｙが検討され
ており、ａ−３ｉＣｘは一部実用に供せられている。し
かしながｇａ−３ｉＣｘは本来導電率が低いので、Ｘを
大きくしてＥｏｐｔを増大せしめると、短波長の光をと
り込む利得よりも、逆に導電率が低下することによる電
流損失の方が大きく、総合的な光電変換効率は逆に低下
する。またａ−ＳｉＣｘの原料として炭化水素を用いる
ため、グロー放電室内部に炭素が析出するという問題も
あった。

本発明者らは上記観点から鋭意検討した結果、ジシラン
を原料としてグロー放電分解により形成した非晶質シリ
コン（以下ａ−５ｉ：Ｈと記す）はＥｏｐｔが増大する
という知見を得（特願昭５７−１３４７０９号）、さら
に検討を進めた結果、１．８ｅＶを越えるＥＯｐｔを有
し、かつ１０−’　Ｓ　・ｃｍ　’を越える導電率を有
する第１もしくは第２の導電型を有するａ−３ｉ：Ｈの
形成方法および光活性層として好適なａ−Ｓｉ：Ｈをジ
シランを原料として高速に製造する方法をも見出した。

即ち、ａ−Ｓ　ｉ　：　）Ｉの原料としてジシランを用
いる場合には、グロー放電エネルギーを適切な範囲に選
択することにより、窓材料として好適な第１もしくは第
２の導電型のａ−３ｉ：Ｈ及び光活性層として好適な真
性ａ−３ｉ：Ｈを好適に形成することができることを見
出し本発明を完成した。

すなわち、本発明は、 第１の電極を有する基板上に（ａ）第１の導電型を有す
る非晶質シリコン層、（ｂ）真性非晶質シリコン層、（
Ｃ）上記第１の導電型とは逆の導電型を示す第２の導電
型を有するシリコン層及び第■の電極を順次形成し、か
つ上記第１の導電型もしくは第２の導電型を有する非晶
質シリコン層のいずれか一方を光の入射側に位置せしめ
る非晶質シリコン太陽電池の製法において■上記真性非
晶質シリコン層をジシラン又はジシランと希釈ガスとの
混合ガスに該ジシラン単位質量あたりｌｏＫＪ以上のグ
ロー放電エネルギーを印加して形成し、■かつ、上記第
１もしくは第２の導電型を有する非晶質シリコン層をジ
シラン、第１もしくは第２の導電型を付与する物質及び
希釈ガスとの混合ガスに該ジシラン単位質量あたりｌ０
ＫＪ以下のグロー放電エネルギーを印加して形成するこ
とを特徴とする非晶質シリコン太陽電池の製法。

を提供するものである。

以下本発明の詳細な説明する。

以下簡単のために第１の導電型をｐ型、第２の導電型を
ｎ型、真性をｉ型と記して説明するが、第１の導電型を
ｎ型、第２の導電型をｐ型とすることは何ら本発明の主
旨を変更するものではない。

本発明の非晶質太陽電池の製法においては、真性非晶質
シリコン層（ｉ層）をジシランまたはジシランと希釈ガ
スとの混合ガスをグロー放電分解して形成し、一方、第
１もしくは第２の導電型を有する非晶質シリコン層をジ
シラン、第１もしくは第２の導電型を付与する物質及び
希釈ガスとの混合ガスをグロー放電分解して形成する。

本発明においてグロー放電分解すべきジシランとは、一
般式Ｓ　ｉ　ｎ　Ｈ２ｎ　＋ｄであられされる化合物に
おいてｎ＝２の物質である。勿論、高純度であることは
好ましいことであるが、グロー放電中でジシランと同様
に挙動するトリシラン、テトラシラン等（該一般式にお
いてｎ＝３．４）が含まれていることは何らさしつかえ
ないことである。

ジシランは物理的な合成方法、たとえばモノシラン（該
一般式でｎ＝１）を無声放電すると一部ジシランに変化
するのでこれを分離して得る方法、又は、化学的な合成
方法で製造される。しかじながら、非晶質シリコン太陽
電池を大量に生産するためには、安定した品質で大量に
得られる化学的に合成された物質を原料として用いるこ
とが実用上便利である。

本発明において、ｐ型の導電性付与物質とはたとえばＢ
２Ｈ６（ジボラン）等■族元素化合物であり、またｎ型
の導電性付与物質とは、たとえば／ ＰＨ３（フォスフイン）やＡ８Ｈ３（アルシン〉等Ｖ族
元素化合物である。これら物質のジシランに対する使用
割合は、ジシラン１００容量部に対して０．１〜５容量
部である。

本発明においては＋、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈをｌ０ＫＪ／　
ｇ　　３１２　Ｈｓ以上のグロー放電エネルギーを印加
して形成し、一方、ｐ型もしくはｎ型ａ−３１：Ｈをｌ
０ＫＪ／ｇ−３１２Ｈｅ以下のグロー放電工°ネルギー
を印加して形成する。ｌ０ＫＪ／ｇ−３ｉｚＨ６以上の
比較的大きいエネルギー領域で分解することにより、光
活性層として好適な太きい光感度を有するｌ型ａ−３ｉ
：Ｈをｌｏ八へ　ｓ　ｅＣさらに好ましくは２０人／　
ｓ　ｅ　ｃを越える高速度の形成速度で得ることができ
る。この１型ａ−３ｉ：ＨのＥｏｐｔは１．７７〜１．
７８　ｅ　Ｖである。一方１０ＫＪ／ｇ−ｓ　１２Ｈａ
以下の小さいグロー放電エネルギーでｐ型もしくはｎ型
ａ−３ｉ：Ｈを形成することにより、これらのａ−３ｉ
：Ｈは１．８ｅＶを越えるＥｏｐｔを有し、該ｐ型もし
くはｎ型ａ−３ｉ：Ｈは窓材料として好適である。

以上のごとく光活性層として好適なａ−３ｉ：Ｈは１０
”’Ｋ　Ｊ　／　ｇ　−Ｓ　ｉ　２　Ｈａ以上のグロー
放電エネルギーで形成されるが、結晶イヒが生じる程大
きいエネルギーを与えることは好ましくない。結晶化が
生じる程のエネルギーを与えて形成されたａ−５ｉ：Ｈ
は光感度が低下して光活性層として用いるに好ましくな
いからである。結晶化の生じるエネルギーは成膜速度に
より変化するので具体的に例示することは困難であるが
、実験的に得られた値としては１０人／　ｓ　ｅ　ｃの
成膜速度の時３００ＫＪ／ｇ−３ｉ２Ｈ６までは、非晶
質状態で存在することを電子線回折により確認している
。

一方、上記の窓材料であるｐ型もしくはｎ型ａ−３ｉ：
Ｈはｌ０ＫＪ／ｇ−５１２Ｈ６以下のグロー放電エネル
ギーで形成されるが、グロー放電エネルギーの下限値に
ついては特に制限がない。要するに安定したグロー放電
状態を形成しうるものであればよい。この値はグロー放
電設備の状況及び使用する原料ガスの状況によっても変
化するが好ましい具体例としては、ジシラン単独やＨｅ
（ヘリウム）ｊｂＡｒ（アルゴン）等の希釈ガスで希釈
された原料ガスの場合には０．５ＫＪ／ｇ−３１ｚＨ６
以上であり、Ｈ２（水素）希釈の場合やや大きくて１．
５ＫＪ／ｇ　　５ｉｚＨｅ以上である。

なお、それぞれのａ−３ｉ：Ｈ層の厚みはｐ型やｎ型に
おいては５０〜５００人、ｌ型においては３０００〜７
５００人である。

以上総括するに、本発明における好ましいグロー放′電
エネルギーの範囲はＩ型ａ−３ｉ：Ｈの形成にふいては
１０〜３００　ＫＪ／ｇ−３１２Ｈａでありｐもしくは
ｎ型ａ−３ｉ：Ｈの形成においては０．５〜ｌ０ＫＪ／
ｇ　　Ｓｉ２Ｈ６好ましくは１．５〜５ＫＪ／ｇ−５１
２Ｈａである。

本発明におけるジシラン単位質量当りのグロー放電エネ
ルギーはつぎの式で算出される。

たとえばヘリウム（Ｈｅ）で１Ｑｖｏ１％に希釈された
ジシラン（３ｉ２Ｈｅ）からなる原料ガス５００ｃｃ／
分に１００Ｗのグロー放電電力を印加する場合の該エネ
ルギーはつぎのように計算する。

原料力°スの平均分子量＝　（６２，２１８４Ｘｏ、１
　＋４．００２６Ｘ０．９　）　＝９．８２４　　（ｇ
　ｒ）Ｓｉ□Ｈ６の重量分率は ６２．２１８４　Ｘ　Ｏ，１／９．８２４　＝　０．６
３３であるから、これらを上記（Ｉ）式に代入して、ジ
シラン単位質量当りのエネルギーは いま１０３ＪをＫＪと表わせば該エネルギーは約１７．
３　Ｋ　Ｊ　／　ｇ　−Ｓ　ｉ　２　　Ｈｅと表わずこ
とができる。

本発明においてはａ−３ｉ：Ｈを形成する時に、原料ガ
ス流量を多くすることが好ましい。前記のエネルギー算
出式（Ｉ）において、該流量は分母にあり、流量を大き
くすればそれだけ印加できるグロー放電電力を大きくで
きるとともに、電力のバラツキの許容範囲も大きくなり
放電管理が容易になるからである。そして流量が多くな
った分だけａ−３ｉ：Ｈの形成速度も大きくなる。こう
した利点の他にｐ又はｎ型ａ−３ｉ：Ｈの導電率のバラ
ツキが少なくなるとともにｌ型ａ−５ｉ：Ｈの光感度を
大きくするという好ましい結果も得られる。しかして、
好ましい流量の範囲はグロー放電設備の形状、容量、材
質等により変化するのでその範囲を特定することは困難
であるが１型ａ　−３ｉ：Ｈの形成時には１０人／　ｓ
　ｅ　ｃ好ましくは２０人ンｓｅｃを越える形成速度を
維持する原料ガス流量で行なわれる。なお、好ましい具
体的示例を後記実施例に開示した。

さらに本発明においては、ａ−５ｉ：Ｈ形成時の圧力を
高くして１〜１ＱＴｏｒｒで行なうことが光電変換効率
をさらに改善するため好ましい。圧力を高めることによ
り該効率が向上する詳細な理由は不明であるが、圧力上
昇により、プラズマの平均自由行程が小さくなるために
、プラズマが直接基板や電極やａ−Ｓｉ：Ｈなどを損傷
するように働かないのではなかろうかと推察される。

本発明においては、ａ−３ｉ：Ｈを形成するときの温度
は４５０℃以下に維持され、好ましくは１００〜４００
℃である。一般に温度の低い領域でＥＯｐｔは増加する
が導電率が低下する。１００℃よりも低い温度ではａ−
３ｉ：Ｈの膜形成が効果的に進行せず、膜の剥離が生じ
たり、黄色のアモルファスシリコンの粉末が発生したり
して本発明の目的を達し得ない。一方、４００℃を越え
る温度ではａ−３ｉ：Ｈを形成するには問題はないが、
さらに温度が上昇すると電気的性質が劣化するし、また
このような温度においては基板や電極の耐熱性の問題が
クローズアップされる。即ち基板や電極が熱のために欠
陥を生じるようになれば、太陽電池の効率もまた低下す
るので４００℃を越える温度でａ−５ｉ’：Ｈを形成す
ることは避ける方がよい。

本発明においては、希釈ガスを用いてａ−３ｉ：Ｈを形
成することが好ましい。希釈ガスとしてしめることがで
きる。多分、微量不純物の影響を少なくし、プラズマに
よる膜の損傷を緩和する役割を有しているのではなかろ
うかと考えられる。

希釈の割合については、特に限定されるものではないが
５〜２０ＶＯＩ％の範囲にあることが製造上便利であり
、前記の効果が大いに発揮される。

つぎに本発明の実施のａＳを光入射側にｐ型ａ−５ｉ：
Ｈを用いる場合について説明する。グロー放電の可能な
反応室中に透明な第１の電極を有する゛力゛ラス基板を
投首し、減圧下１００〜４００℃の温度に加熱保持する
。ついでｐ型の導電性付与物質、ジシラン及び希釈ガス
を原料として導入し、ジシラン単位質ｍ当り５ＫＪ以下
のグロー放電エネルギーを印加して、圧力１〜１０Ｔｏ
ｒｒでグロー放電を行ない、第■の電極上にｐ型ａ−５
ｉ：Ｈ層を形成する。つぎにジシラン及び希釈ガスを原
料ガスとして圧力１〜１ＱＴｏｒｒ、温度２００〜４０
０℃において１０〜３００ＫＪ／ｇ−５ｉｚ　Ｈｅのグ
ロー放電エネルギーを印加してｉ型ａ−３ｉ：Ｈ層をｐ
型ａ−３ｉ：Ｈ層上に形成する。つぎにｎ型の導電性付
与物質、ジシラン、希釈ガスを原料としてｎ型ａ−５ｉ
：Ｈ層をｌ型ａ−３ｉ：Ｈ層上に形成する。最後にｎ型
ａ−３ｉ：Ｈ層上に第■の電極を形成して本発明の非晶
質シリコン太陽電池を得る。

なお、光入射側にｎ型ａ−５ｉ：Ｈを用いる場合には、
第１の電極上にｐ型ａ−３ｉ：Ｈ層を形成したあとでＩ
Ｑ〜３００Ｋ　Ｊ　／　ｇ　　Ｓ　ｉ　２　Ｈｅ　Ｏ：
）ｘネルギーを印加してｉ型ａ−８ｉ：Ｈ層を形成する
。ついでこの１層上にｌ０ＫＪ／ｇ　　５ｉｚＨ６以下
、好ましくは５ＫＪ／ｇ　　Ｓ　１２Ｈａ以下のグロー
放電エネルギーを印加してｎ型ａ−３ｉ：Ｈ層を形成し
、最後に透明な第■の電極を形成し、本発明の太陽電池
を得る。

また、基板上にｎ型、ｉ型、ｐ型ａ−８ｉ：）ｉ層の順
に形成して太陽電池を得ることも本発明の技術的範囲に
ある。

なお、本発明においては、ｉ型ａ−３ｉ：Ｈ層を形成す
るときに、本発明者らの先願発明（特願昭５７−１２２
９３８　）を利用することができる。即ちｉ型ａ−３ｉ
：）ｉ層形成時、原料ガスに３ｖｐｐｍ以下の極微量の
Ｂ２Ｈ６を混合してグロー放電を行なう方法であり、太
陽電池の効率をさらに向上させることができる。かかる
場合にはｐ型ａ−３ＩｚＨ層、ｉ型ａ−３ｉ：Ｈ層、Ｊ
ａ−５ｉ　：Ｈ層のそれぞれを、連結された別個のグロ
ー放電室において別々に形成することが極微量のボロン
含量を制御するために好ましい。

本発明においては、基板の材質や第１又は第■の電“極
材料については特に制限がなく、従来用いられている物
質が有効に用いられる。たとえば基板としては、絶縁性
又は導電性、透明又は不透明いずれの性質を有するもの
でもよい。具体的には１　　　　　　　ガラス、アルミ
ナ、シリコン、ステンレススチール、アルミニウム、モ
リブデン、耐熱性高分子等の物質で形成されるフィルム
あるいは板状の材料を基板として有効に用いることがで
きる。また第１もしくは第■の電極材料としては、光入
射側には勿論、透明あるいは透光性の材料を用いなけれ
ばならないが、これ以外の制限はない。アルミニウム、
モリブデン、ニクロム、ＩＴＯ１酸化錫、ステンレスス
チール等の薄膜又は薄板が電極材料として有効である。

以上のように本発明は炭素や窒素を用いることなしに、
窓材料を形成した高効率の新規な太陽電池の製法であり
、かつその製法においては、２０人／　ｓ　ｅ　ｃを越
える高速のａ−３ｉ：Ｈの形成速度を含む優れた技術を
提供するものである。

以下実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１〜１３　（ｐ、　　ｎ、　　ｉ型の各シリコン
薄膜の作成） ｎ型もしくはｎ型の導電性を有する膜のＥｏｐｔ及びｉ
型ａ−３ｉ：Ｈ膜形成速度と流量及びグロー放電エネ′
ルギーの関係を示すために非晶質シリコン太陽電池を形
成するに先立って、ｐ、ｎ、ｉ型の各シリコン薄膜を作
成した。

基板加熱手段、真空排気手段、ガス導入手段及び基板を
設置することのできる平行平板電極を有するグロー放電
室をもつ容量結合型高周波プラズマＣＶＤ　（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）装置
の該基板設置部へ、コーニング社製７０５９ガラス基板
を設置した。

油拡散ポンプにより１０〜７Ｔｏｒｒ以下に真空排気し
ながら、該基板設置部の温度（薄膜の形成温度）が第１
表に示す値になるように加熱した。Ｈｅで希釈したジシ
ラン（希釈比５ｉ２Ｈｅ／Ｈｅ＝１／９）、Ｈ２希釈の
Ｂ２Ｈ６（希釈比Ｂ２Ｈ６／Ｈ２＝　ｔ　／９９）及び
Ｈ２希釈のＰＨ３（希釈比Ｐ　Ｈ３／　Ｈ２＝　１　／
　９９）を第１表に示す流量で適宜選択して導入してグ
ロー放電によりシリコン薄膜を形成した。第１表におけ
るジシラン、Ｂ２Ｈ６及びＰ　Ｈ３の流量は前記の希釈
ガスを含んだ全流量を示すものである。膜厚測定は表面
荒さ一トで行なった。１ｌａ−３ｉ：Ｈ膜の形成速度は
、該膜厚をほぼ５０００人になるように形成するまでに
要した時間で該膜厚を除した商であられした。ｎ型及び
ｎ型ａ−３ｉ：Ｈ膜の電気伝導度は室温で測定した。Ｅ
ｏｐｔは分光光度計でシリコン薄膜の光吸収係数αを測
定した後、入射光のエネルギー（ｈν）に対して（αｈ
ν）にを点綴し、その直線部分を外挿しｈν軸との切片
の値として求めた。

結果を第１表に示した。

ｉ型ａ−３ｉ：Ｈ膜の形成速度はｌ０ＫＪ／ｇ−３１２
Ｈ６以上のグロー放電エネルギー領域で形成する場合に
は、グロー放電エネルギーによる影響が少なく、実質的
にジシランの流量によってのみ決定されることを本発明
らが実験的に見出している。すなわち、上記実施例１．
２．３．４．５．１３を点綴して第１図を得たが、本図
は１０ＫＪ／、ｇ−３ｉｚＨ６のエネルギーを印加して
グロー放電する時の形成速度は印加エネルギーによらず
流量にのみ依存して、変化することを示している。１０
ｖｏ１％にＨｅで希釈されジシランを用いる場合には、
用人／　ｓ　ｅ　ｃを越えるジシラン流量は第１図から
、ｌｌ０ＣＣ／分以上（ジシラン純分にして１１ｃｃ／
分以上）であることが推定される。

実施例１４〜１６（非晶質シリコン太陽電池の形成、及
び特性評価） 前記実施例により得られる１型、ｐ型、ｎ型非晶質シリ
コン形成条件を適宜組み合わせて太陽電池を形成し、そ
の特性を測定した。

まず、ｐ型非晶質シリコンを光入射側に配置する場合に
ついて説明する。

実施例１〜１３で用いたフラズマＣＶＤ装置を用いてｐ
ｉｎ型非晶質シリコン太陽電池を形成し、その特性を測
定した。即ち透明電極を有するガラス基板を該ＣＶＤ装
置中に設置した。油拡散ポンプにより１０’Ｔｏｒｒ以
下に真空排気しながら、該形成温度が２５０℃になるよ
うに加熱した。ドーピング比（Ｂ２　Ｈｅ／Ｓ　１２Ｈ
ａの容量比）２％として前述の実施例で用いたジシラン
５０ｃｃ／分、Ｈ２でＱ、１ｖｏ１％に希釈したＢ２Ｈ
６１０ＣＣ／分を導入し、圧力２Ｔ’ｏｒｒで３０秒間
グロー放電を行ないｐ型部晶質シリコン薄膜を第２表に
示すグロー放電エネルギーを与えて約１００人厚形成し
た。たとえばグロー放電電力が２．５Ｗの時は、該放電
エネルギーは約１．７ＫＪ／ｇ　　Ｓ　ｉｚ　Ｈ６と計
算される。つぎに形成温度を２８０℃に上昇した浸酸ジ
シラン５００ＣＣ／分を加え、圧力５Ｔｏｒｒで餉２表
に示すグロー放電エネルギーを印加して、ｌ型非晶質シ
リコン薄膜を２分間約４２００人の厚みに形成した。つ
いで該ジシラン及びＨ２で０．１ｖｏ１％に希釈したＰ
Ｈ３をそれぞれ５０ｃｃ／分、ｌ０ＣＣ／分を導入し、
グロー放電によりｎ型非晶質シリコン薄膜を４０秒約１
００人厚形成した。

つぎに真空蒸着によりアルミニウム薄膜を形成し背面電
極とした。比較のためにｐ型部晶質シリコン薄膜を形成
するときのエネルギーが異る他は上記の例と同一の形成
条件で太陽電池を作成したく比較例１〜２）。ソーラー
シュミレータ−でＡＭｌの光を基板側から照射したとき
に得られた特性を第２表に示した。本発明の例では比較
のための例に比べ、開放端電圧（Ｖｏｃ）で０．１２Ｖ
大きくなり０．８５〜０．８９　Ｖに達した。また短絡
電流（Ｊｓｃ）は２０〜５０％増加して、１２．６　ｍ
　Ａ　／　ｃｕｔに達した。そして光電変換効率は６％
を越えるすぐれた値を示した。特に本実施例の如（ｐｉ
ｎ型非晶質シリコン薄膜の全形成時間が３分１０秒と公
知の技術の１／１０以下の時間であるにもかかわらず、
上記の変換効率を達成できたことは、本発明の効果が著
しくすぐれていることを表わすものである。

ｊｇ２表 実施例１７（ｎ型非晶質シリコンを光入射側に配置する
場合） 実施例１〜１６で用いたプラズマＣＶＤ装置を用いてｐ
ｉｎ型非晶質シリコン太陽電池を形成しその特性を測定
した。即ちステンレススチール製基板を該ＣＶＤ装置中
に設置した。油拡散ポンプにより１０＝Ｔｏｒｒ以下に
真空排気しながら、形成温度が２８０℃になるように基
板を加熱した。ドーピシグ比（Ｂ２　Ｈ６／Ｓ　ｉｚ　
Ｈｅの容量比）２％としてＨ２でＱ、１ｖｏ１％に希釈
したＢ　２　Ｈ６及び前述の実施例で用いたジシランを
それぞれ１０ｃＣ／分及び５０ＣＣ／分導入し、グロー
放電によりｐ型非晶質シリコンを３０秒間約１００人厚
形成した。

つぎに該ジシラン５００ｃｃ／分を加え、圧力５Ｔｏｒ
ｒでグロー放電エネルギー約２６ＫＪ／ｇ−３ｉ２Ｈｅ
を加えてｌ型非晶質シリコン薄膜を２分間約４２００人
の厚みに形成した。ついで該ジシラン及び前述の実施例
で用いたＰＨ３をそれぞれ５０ＣＣＺ分、１０ｃｃ／分
導入した。圧力ＩＴｏ　ｒ　ｒでクロー放電エネルギー
５Ｗを加えてグロー放電しｎ型非晶質シリコン薄膜を４
０秒間、約１００Ａ厚形成した。この時のグロー放電エ
ネルギーは約８ＫＪ／ｇ−３ｉｚＨｅであった。つぎに
電子ビーム蒸着によりＩＴＯを蒸着し透明電極とした。

本実施例においてはステンレススチール基板そのものが
第■の電極となり、ＩＴＯが透明な第■の電極となるも
のである。当然のことながら光は第■の電極側から照射
される。ソーラーシュミレーターによりＡＭｌの光を照
射した時の特性は開放端電圧（Ｖ　ｏ　ｃ）　０．８９
Ｖ、短絡電流（Ｊ　ｓ　ｃ）　１１．３ｍＡ／ｃｏ（、
Ｆ、　　Ｆｏ、６２であり光電変換効率６．２％であっ
た。非晶質シリコン膜の形成時間は３分１０秒と非常に
短いにもかかわらず、前記の如く６％を越える光電変換
効率を得たことは、本願発明のすぐれた効果を示すもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図はジシラン流量とシリコン層の形成速度との関係
を表わすグラフである。図において横軸■は流量（ｃｃ
／分）縦軸Ｒは形成速度（人／５ｃｅ）を示す。 特許出願人 三井東圧化学株式会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）第■の電極を有する基板上に（ａ）第１の導電型
   を有する非晶質シリコン層、ら）真性非晶質シリコン層
   、（Ｃ）上記第１の導電型とは逆の導電型を示す第２の
   導電型を有するシリコン層及び第■の電極を順次形成し
   、かつ上記第１の導電型もしくは第２の導電型を有する
   非晶質シリコン層のいずれか一方を光の入射側に位置せ
   しめる非晶質シリコン太陽電池の製法において■上記真
   性非晶質シリ゛コン層をジシラン又はジシランと希釈ガ
   スとの混合ガスに該ジシラン単位質量あたりｌｏＫＪ以
   上のグロー放電エネルギーを印加して形成し、■かつ、
   上記第１もしくは第２の導電型を有する非晶質シリコン
   層をジシラン、第１もしくは第２の導電型を付与する物
   質及び希釈ガスとの混合ガスに該ジシラン単位質量あた
   りｌ０ＫＪ以下のグロー放電エネルギーを印加して形成
   することを特徴とする非晶質シリコン太陽電池の製法。
2. （２）光の入射側に位置せしめる第１もしくは第２の導
   電型を有する非晶質シリコン層を、混合ガスにジシラン
   単位質量あたり５ＫＪ以下のグロー放電エネルギーを印
   加して形成する特許請求の範囲第１項記載の非晶質シリ
   コン太陽電池の製法。