JPH04188879A - 光電変換素子およびその製法 - Google Patents
光電変換素子およびその製法Info
- Publication number
- JPH04188879A JPH04188879A JP2319097A JP31909790A JPH04188879A JP H04188879 A JPH04188879 A JP H04188879A JP 2319097 A JP2319097 A JP 2319097A JP 31909790 A JP31909790 A JP 31909790A JP H04188879 A JPH04188879 A JP H04188879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- hydrogen
- thin film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 31
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 229910007258 Si2H4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 4
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光電変換素子およびその製法に関する。さらに
詳しくは、光照射による電気的特性の低下が小さく、長
波長感度の高い光電変換素子およびその製法に関する。
詳しくは、光照射による電気的特性の低下が小さく、長
波長感度の高い光電変換素子およびその製法に関する。
本発明の光電変換素子は、太陽電池、光センサーなどに
好適に用いることができる。
好適に用いることができる。
［従来の技術および発明が解決しようとする課題］
従来より、太陽電池や光センサーなどの光電変換素子に
おいて、アモルファスシリコン薄膜が用いられているが
、かかるアモルファスシリコン薄膜では、欠陥密度を極
力低減させるために、膜中の水素量を５ａｔ％以上にし
ており、実際、通常のグロー放電や反応性スパッタを用
いて成膜したばあいは、５ａｔ％以上の膜しかうろこと
ができない。しかしながら、水素含有量を５ａｔ％以上
も含む薄膜は、素子使用時における光照射によって電気
的特性が低下してしまうという問題がある。
おいて、アモルファスシリコン薄膜が用いられているが
、かかるアモルファスシリコン薄膜では、欠陥密度を極
力低減させるために、膜中の水素量を５ａｔ％以上にし
ており、実際、通常のグロー放電や反応性スパッタを用
いて成膜したばあいは、５ａｔ％以上の膜しかうろこと
ができない。しかしながら、水素含有量を５ａｔ％以上
も含む薄膜は、素子使用時における光照射によって電気
的特性が低下してしまうという問題がある。
ところで成膜温度を４００℃以上の高温にすれば、水素
量が５８ｔ％以下の膜をうろことも可能であるが、この
ような高温下でえられた膜は欠陥密度が高く、素子とし
たばあいの性能（光電変換効率）は低いものになってし
まう。また、かかる高温下での成膜は透明導電膜の成分
元素の熱拡散を紹くため、素子形成上も好ましくない。
量が５８ｔ％以下の膜をうろことも可能であるが、この
ような高温下でえられた膜は欠陥密度が高く、素子とし
たばあいの性能（光電変換効率）は低いものになってし
まう。また、かかる高温下での成膜は透明導電膜の成分
元素の熱拡散を紹くため、素子形成上も好ましくない。
本発明者らは、叙上の事情に鑑み、成膜温度を高めるこ
となく膜中の水素量を低減させるべく鋭意研究を重ねた
結果、非晶質薄膜を形成したのちに高温での熱アニール
、とくに水素ランカル雰囲気下での熱アニールを行った
ばあいに、容易に膜中の水素量を低減せしめることを見
出し、本発明を完成するに至った。
となく膜中の水素量を低減させるべく鋭意研究を重ねた
結果、非晶質薄膜を形成したのちに高温での熱アニール
、とくに水素ランカル雰囲気下での熱アニールを行った
ばあいに、容易に膜中の水素量を低減せしめることを見
出し、本発明を完成するに至った。
［課題を解決するための手段］
本発明の光電変換素子は、シリコンを主成分とする非晶
質薄膜を含む光電変換素子てあって、前記非晶質薄膜に
含有される水素または／Ｓコロケン原子数の合計が前記
非晶質薄膜を構成する総原子数の０．１％以上２％以下
であることを特徴としている。また、本発明の光電変換
素子の製法は、シリコンを主成分とする非晶質薄膜を含
む光電変換素子の製法であって、ＳｉＨ４もしくは５ｉ
２Ｈｓを５０流量パーセント以上含む混合ガスのグロー
放電分解または水素を５０流量％以上含む反応性スパッ
タにより前記非晶質薄膜を基板上に堆積したのちに、該
基板を１５０℃以上の温度で水素ラジカル雰囲気下に保
持することを特徴としている。
質薄膜を含む光電変換素子てあって、前記非晶質薄膜に
含有される水素または／Ｓコロケン原子数の合計が前記
非晶質薄膜を構成する総原子数の０．１％以上２％以下
であることを特徴としている。また、本発明の光電変換
素子の製法は、シリコンを主成分とする非晶質薄膜を含
む光電変換素子の製法であって、ＳｉＨ４もしくは５ｉ
２Ｈｓを５０流量パーセント以上含む混合ガスのグロー
放電分解または水素を５０流量％以上含む反応性スパッ
タにより前記非晶質薄膜を基板上に堆積したのちに、該
基板を１５０℃以上の温度で水素ラジカル雰囲気下に保
持することを特徴としている。
［実施例］
本発明の光電変換素子は、シリコンを主成分とし、これ
にゲルマニウム、炭素、ボロン、リン、スズ、水素、フ
ッ素などを補助的に含有する非晶質薄膜を含んでいる。
にゲルマニウム、炭素、ボロン、リン、スズ、水素、フ
ッ素などを補助的に含有する非晶質薄膜を含んでいる。
該薄膜はＳｉＨ＋または５ｉ２Ｈａを３０流量パ一セン
ト以上、好ましくは５０流量パーセント以上含む混合ガ
スのグロー放電分解、または水素を２０流量パ一セント
以上、好ましくは５０流量パーセント以上含む反応性ス
パッタなどにより成膜することができる。
ト以上、好ましくは５０流量パーセント以上含む混合ガ
スのグロー放電分解、または水素を２０流量パ一セント
以上、好ましくは５０流量パーセント以上含む反応性ス
パッタなどにより成膜することができる。
前記非晶質薄膜に含有される水素やフッ素などのハロゲ
ン系原子数の合計は、薄膜を構成する総原子数の０．１
％以上２％以下である。０．１％未満であると膜自体の
結晶化が起り、吸収係数が低下して太陽電池やセンサー
として好ましくなく、一方２％を超えると光劣化が無視
てきなくなるという問題がある。
ン系原子数の合計は、薄膜を構成する総原子数の０．１
％以上２％以下である。０．１％未満であると膜自体の
結晶化が起り、吸収係数が低下して太陽電池やセンサー
として好ましくなく、一方２％を超えると光劣化が無視
てきなくなるという問題がある。
素子を構成する非晶質薄膜に含まれる、ｇ＝２．００５
５の電子スピン共鳴から求められる不対電子密度は、５
ｘ １０” ／ ａｊ以下、さらには１×１０”／ｃ
−以下であるのが好ましく、かかる範囲にすることによ
り、素子内の活性層での担体再結合速度が小さくなり高
い変換効率かえられる。
５の電子スピン共鳴から求められる不対電子密度は、５
ｘ １０” ／ ａｊ以下、さらには１×１０”／ｃ
−以下であるのが好ましく、かかる範囲にすることによ
り、素子内の活性層での担体再結合速度が小さくなり高
い変換効率かえられる。
成膜された非晶質薄膜は １５０℃以上の温度、好まし
くは１５０〜３５０℃程度の温度で水素ラジカル雰囲気
下（０，１〜２．Ｏｔｏｒｒ）に保持されて熱アニール
される。かかる成膜後の熱アニール、とくに水素ラジカ
ル雰囲気下で熱アニールすることにより容易に膜中水素
量を２．Ｏａｔ％以下に低減させることかできる。
くは１５０〜３５０℃程度の温度で水素ラジカル雰囲気
下（０，１〜２．Ｏｔｏｒｒ）に保持されて熱アニール
される。かかる成膜後の熱アニール、とくに水素ラジカ
ル雰囲気下で熱アニールすることにより容易に膜中水素
量を２．Ｏａｔ％以下に低減させることかできる。
つぎに本発明の光電変換素子およびその製法を実施例に
基づき説明するか、本発明はもとよりかかる実施例にの
み限定されるものではない。
基づき説明するか、本発明はもとよりかかる実施例にの
み限定されるものではない。
実施例１〜２
容量結合式平行平板型グロー放電分解法により、コーニ
ング社＃ ７０５９基板上に、ＳｉＨ４流量５ＳＣＣＭ
、成膜時の圧力０．５ｔｏｒｒ、１３．５６ＭＨｚの高
周波パワー１０Ｗ、成膜温度１００℃で厚さ約ＩＪｓｌ
の非晶質シリコン膜を堆積した。ついで、水素プラズマ
雰囲気（１，０ｔｏｒｒ、 ３０Ｗ）下で熱アニール（
３００℃）を１０時間行うか（実施例１）、または約１
週間水素雰囲気下（１，０ｔｏｒｒ）て熱アニール（３
００℃）を行った（実施例２）。
ング社＃ ７０５９基板上に、ＳｉＨ４流量５ＳＣＣＭ
、成膜時の圧力０．５ｔｏｒｒ、１３．５６ＭＨｚの高
周波パワー１０Ｗ、成膜温度１００℃で厚さ約ＩＪｓｌ
の非晶質シリコン膜を堆積した。ついで、水素プラズマ
雰囲気（１，０ｔｏｒｒ、 ３０Ｗ）下で熱アニール（
３００℃）を１０時間行うか（実施例１）、または約１
週間水素雰囲気下（１，０ｔｏｒｒ）て熱アニール（３
００℃）を行った（実施例２）。
えられた薄膜について、膜中水素量と光劣化後の光導電
率を光劣化前の光導電率で規格化した値との関係を調べ
た。結果を図１に示す。図１において（ａは実施例１を
、山）は実施例２をあられしている。
率を光劣化前の光導電率で規格化した値との関係を調べ
た。結果を図１に示す。図１において（ａは実施例１を
、山）は実施例２をあられしている。
図１より明らかなように、膜中の水素量と光劣化の度合
には明確な相関関係が存在し、水素量を低減するにつれ
て光劣化が低減していることがわかる。
には明確な相関関係が存在し、水素量を低減するにつれ
て光劣化が低減していることがわかる。
また、水素量の低減に伴い膜の長波長感度も向上する。
これは膜の光学的禁制帯幅が低下することに起因してい
る。たとえば、実施例１でえられた膜（ａ）の光学的バ
ンドギャップは１．５５ｅＶであり、１層膜厚５２０ｎ
ｍのｐｆｎシングルセルの７０ＯｎＩＩｌのｆ度１；１
４５％（収集効率）であり、光学的バンドギ・ツブが通
常の１．７８ｅＶである膜（３０％）よりも収集効率か
高い。その結果、短絡電流の増加かみられ、光電変換効
率の向上か期待される。
る。たとえば、実施例１でえられた膜（ａ）の光学的バ
ンドギャップは１．５５ｅＶであり、１層膜厚５２０ｎ
ｍのｐｆｎシングルセルの７０ＯｎＩＩｌのｆ度１；１
４５％（収集効率）であり、光学的バンドギ・ツブが通
常の１．７８ｅＶである膜（３０％）よりも収集効率か
高い。その結果、短絡電流の増加かみられ、光電変換効
率の向上か期待される。
比較例１〜３
熱アニール時間を１週間から７５分（比較例１）、２０
分（比較例２）または１０分（比較例３）とした以外は
実施例２と同様にして製膜および熱アニールを行った。
分（比較例２）または１０分（比較例３）とした以外は
実施例２と同様にして製膜および熱アニールを行った。
えられた膜について実施例１と同様にして光劣化の様子
を調べたところ、実施例に比べかなり光劣化が起こるこ
とかわかった。なお、図１において（Ｃ）、（小および
（ｅ）はそれぞれ比較例１．２および３をあられしてい
る。
を調べたところ、実施例に比べかなり光劣化が起こるこ
とかわかった。なお、図１において（Ｃ）、（小および
（ｅ）はそれぞれ比較例１．２および３をあられしてい
る。
［発明の効果］
以上説明したとおり、本発明の光電変換素子およびその
製法によれば、成膜後に水素ラジカル雰囲気下て熱アニ
ールを行って、膜中の水素またはハロゲン系原子の数を
総原子数の２％以下に低減せしめているので、光照射に
よる特性劣化が少なく、かつ長波長感度の高い素子を容
易にうろことができる。
製法によれば、成膜後に水素ラジカル雰囲気下て熱アニ
ールを行って、膜中の水素またはハロゲン系原子の数を
総原子数の２％以下に低減せしめているので、光照射に
よる特性劣化が少なく、かつ長波長感度の高い素子を容
易にうろことができる。
図１は実施例１〜２または比較例１〜３にかかわる非晶
質薄膜の膜中水素量と光劣化との関係をあられす図であ
る。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 ・頷丼 ツ １ 膜中水素量（ａｔ％）
質薄膜の膜中水素量と光劣化との関係をあられす図であ
る。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 ・頷丼 ツ １ 膜中水素量（ａｔ％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコンを主成分とする非晶質薄膜を含む光電変換
素子であって、前記非晶質薄膜に含有される水素または
ハロゲン系原子数の合計が前記非晶質薄膜を構成する総
原子数の０．１％以上２％以下であることを特徴とする
光電変換素子。 ２ 前記非晶質薄膜に含まれる、ｇ＝２．００５５の電
子スピン共鳴から求められる不対電子密度が５×１０＾
１＾７／ｃｍ＾３以下である請求項１記載の光電変換素
子。 ３ 前記非晶質薄膜に含まれる、ｇ＝２．００５５の電
子スピン共鳴から求められる不対電子密度が１×１０＾
１＾７／ｃｍ＾３以下である請求項１記載の光電変換素
子。 ４ シリコンを主成分とする非晶質薄膜を含む光電変換
素子の製法であって、ＳｉＨ＿４もしくはＳｉ＿２Ｈ＿
６を５０流量パーセント以上含む混合ガスのグロー放電
分解または水素を５０流量％以上含む反応性スパッタに
より前記非晶質薄膜を基板上に堆積したのちに、該基板
を１５０℃以上の温度で水素ラジカル雰囲気下に保持す
ることを特徴とする光電変換素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319097A JPH04188879A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 光電変換素子およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319097A JPH04188879A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 光電変換素子およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188879A true JPH04188879A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18106444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2319097A Pending JPH04188879A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 光電変換素子およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076405A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2013536991A (ja) * | 2010-09-03 | 2013-09-26 | テル・ソーラー・アクチェンゲゼルシャフト | ａ−Ｓｉ単接合および多接合薄膜シリコン太陽電池のための向上したａ−Ｓｉ：Ｈ吸収体層 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP2319097A patent/JPH04188879A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076405A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2013536991A (ja) * | 2010-09-03 | 2013-09-26 | テル・ソーラー・アクチェンゲゼルシャフト | ａ−Ｓｉ単接合および多接合薄膜シリコン太陽電池のための向上したａ−Ｓｉ：Ｈ吸収体層 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1303194C (en) | Photovoltaic element with a semiconductor layer comprising non-single crystal material containing at least zn, se and h in an amount of 1 to40 atomic % | |
| JPS6150378A (ja) | 非晶質太陽電池の製法 | |
| JPH05504235A (ja) | アモルフアス・ゲルマニウムをベースとする光劣化安定性半導体材料とその製造方法 | |
| Al‐Dallal et al. | High band‐gap hydrogenated amorphous silicon‐selenium alloys | |
| JPH04188879A (ja) | 光電変換素子およびその製法 | |
| US5278015A (en) | Amorphous silicon film, its production and photo semiconductor device utilizing such a film | |
| JPH0329373A (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| US5152833A (en) | Amorphous silicon film, its production and photo semiconductor device utilizing such a film | |
| JPH0212812A (ja) | アモルファスシリコンカーバイド膜の光劣抑制方法 | |
| JPH07169985A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5935016A (ja) | 含水素シリコン層の製造方法 | |
| JP2543498B2 (ja) | 半導体薄膜 | |
| JP2659400B2 (ja) | 炭素含有シリコン薄膜の形成法 | |
| JP3040247B2 (ja) | シリコン薄膜の製造法 | |
| JPH04192373A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH04373122A (ja) | 薄膜半導体の製造法 | |
| Kaur et al. | Development of n-type, Passivating Nanocrystalline Silicon Oxide (nc-SiOx: H) Films via PECVD | |
| JP3487580B2 (ja) | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 | |
| JPS61278132A (ja) | 水素化アモルフアスＳｉＧｅ膜の形成方法 | |
| US5258207A (en) | Amorphous silicon film, its production and photo semiconductor device utilizing such a film | |
| JP3126176B2 (ja) | 半導体薄膜 | |
| JP2744269B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS59161880A (ja) | 非晶質太陽電池の製法 | |
| Wiesmann | Method of producing hydrogenated amorphous silicon film | |
| JP2000232073A (ja) | 多結晶シリコン膜 |