JP2523131B2 - 新規な固体物質 - Google Patents
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、ほう素を含む珪素よりなる新規物質に関
し、特に透明性に優れ、高い電気伝導性の両特性を兼備
えた、新規な薄膜状の固体物質に関する。
し、特に透明性に優れ、高い電気伝導性の両特性を兼備
えた、新規な薄膜状の固体物質に関する。
［背景技術］ 珪素よりなる薄膜状の固体物質として、結晶、非結晶
のものが知られており一部実用に供されている。かかる
固体物質は、或る程度の光ならびに電気的特性を有する
ことは一般に知られているが、さらに高い電気伝導性を
備えた物質が熱望されている。
のものが知られており一部実用に供されている。かかる
固体物質は、或る程度の光ならびに電気的特性を有する
ことは一般に知られているが、さらに高い電気伝導性を
備えた物質が熱望されている。
しかして、従来技術においては、光学的禁制幅が、2.
0乃至2.3（電気ボルト）で、電気伝導率が、0.01〜10
（シーメンス／センチメータ）である、アモルファスシ
リコンカーバイド（ａ−SiC:H）が、エレクトロンサイ
クロトロン共鳴を用いて形成されたことが報告（19th I
EEE PVSC（New Orleans）May4〜８、1987、Y.Hattori e
t al）されているのみである。
0乃至2.3（電気ボルト）で、電気伝導率が、0.01〜10
（シーメンス／センチメータ）である、アモルファスシ
リコンカーバイド（ａ−SiC:H）が、エレクトロンサイ
クロトロン共鳴を用いて形成されたことが報告（19th I
EEE PVSC（New Orleans）May4〜８、1987、Y.Hattori e
t al）されているのみである。
これに対し、本発明者は、鋭意検討の結果、通常のグ
ロー放電分解により、しかもなんらカーボンなどを導入
することなしに、驚くべきことに、上記報告された値の
何と100倍を越えると云う信じがたい電気伝導率を有す
る画期的な新規固体物質を創製することが出来たので、
ここに該新技術を公開するとともに、その代償として、
独占排他権たる特許権の付与（特許法第１条）を請求す
るものである。
ロー放電分解により、しかもなんらカーボンなどを導入
することなしに、驚くべきことに、上記報告された値の
何と100倍を越えると云う信じがたい電気伝導率を有す
る画期的な新規固体物質を創製することが出来たので、
ここに該新技術を公開するとともに、その代償として、
独占排他権たる特許権の付与（特許法第１条）を請求す
るものである。
［発明の開示］ 本発明は、光学的禁制帯の値が、2.0乃至2.5（電子ボ
ルト）であり、その電気伝導率の値が、100乃至500（シ
ーメンス／センチメータ）である、ほう素を含む珪素よ
るなる新規の薄膜状の固体物質であり、より好ましく
は、透明性に優れ薄膜状の固体物質である。
ルト）であり、その電気伝導率の値が、100乃至500（シ
ーメンス／センチメータ）である、ほう素を含む珪素よ
るなる新規の薄膜状の固体物質であり、より好ましく
は、透明性に優れ薄膜状の固体物質である。
本発明はかかる特定の光学的禁制帯の値と電気伝導率
の値により、特徴ずけられるほう素を含む珪素よりなる
ものであり、薄膜状で好ましくは透明性の高い固体物質
である。該固体物質に含まれるほう素の原子数は、けい
素原子数に対して、0.0001％〜50％であり、より好まし
くは0.01％〜１％であり、もっと好ましくは0.1％前後
である。ほう素の含有量がこの値未満では、本発明の効
果を奏することが出来ず、またこの値を越える量のほう
素を含有せしめてもそれ以上の効果を奏することはでき
ないので、無駄である。
の値により、特徴ずけられるほう素を含む珪素よりなる
ものであり、薄膜状で好ましくは透明性の高い固体物質
である。該固体物質に含まれるほう素の原子数は、けい
素原子数に対して、0.0001％〜50％であり、より好まし
くは0.01％〜１％であり、もっと好ましくは0.1％前後
である。ほう素の含有量がこの値未満では、本発明の効
果を奏することが出来ず、またこの値を越える量のほう
素を含有せしめてもそれ以上の効果を奏することはでき
ないので、無駄である。
本発明の固体物質の製造方法は、基本的には例えは、
シラン及び／又はジシランなどのけい化水素、ボラン、
ジボラン等のＰ型ドーパントを基本とし、所望により、
水素等の希釈ガスを加えてなる混合ガスを特定の条件で
放電分解して加熱された単結晶または非結晶からなる基
板上に、形成速度0.01Å/sec〜50Å/sec程度で、特定の
特性を有する、例えば10Å〜10,000Å好ましくは1,000
Å〜5,000Å程度の固体薄膜をまず形成し、その後該特
定の特性を有する薄膜を特定の条件で熱処理して得られ
るものである。
シラン及び／又はジシランなどのけい化水素、ボラン、
ジボラン等のＰ型ドーパントを基本とし、所望により、
水素等の希釈ガスを加えてなる混合ガスを特定の条件で
放電分解して加熱された単結晶または非結晶からなる基
板上に、形成速度0.01Å/sec〜50Å/sec程度で、特定の
特性を有する、例えば10Å〜10,000Å好ましくは1,000
Å〜5,000Å程度の固体薄膜をまず形成し、その後該特
定の特性を有する薄膜を特定の条件で熱処理して得られ
るものである。
なお、本発明の形成用の基板としては、単結晶または
非単結晶、いずれの材料をも用いることができ、製造時
の形成条件に耐える多数の各種材料が有効に用いること
ができる。
非単結晶、いずれの材料をも用いることができ、製造時
の形成条件に耐える多数の各種材料が有効に用いること
ができる。
また、本発明の製造方法である放電分解は、通常多用
される高周波グロー放電、直流グロー放電、マイクロ波
放電などを有効に利用することができる。
される高周波グロー放電、直流グロー放電、マイクロ波
放電などを有効に利用することができる。
［発明を実施するための好適な形態及び実施例］ 装置自体は、通常のプラズマCVD法でシリコンのアモ
ルファス薄膜もしくは微結晶薄膜を形成する装置をその
まま適用することが可能である。すなわち、高周波電力
導入手段および放電電極、基板導入取り出し手段、基板
保持手段、基板加熱手段、ガス導入手段、真空排気手
段、基板導入取り出し室を設備された薄膜形成装置を用
いて本発明を製造した。基板導入取り出し手段を用いて
膜付けのための基板であるところの洗浄済のガラスを基
板導入取り出し室から基板導入取り出し手段を用いて導
入し基板保持手段に設置した。真空排気手段で真空排気
しつつ基板加熱手段により該基板を300℃に加熱した。
ルファス薄膜もしくは微結晶薄膜を形成する装置をその
まま適用することが可能である。すなわち、高周波電力
導入手段および放電電極、基板導入取り出し手段、基板
保持手段、基板加熱手段、ガス導入手段、真空排気手
段、基板導入取り出し室を設備された薄膜形成装置を用
いて本発明を製造した。基板導入取り出し手段を用いて
膜付けのための基板であるところの洗浄済のガラスを基
板導入取り出し室から基板導入取り出し手段を用いて導
入し基板保持手段に設置した。真空排気手段で真空排気
しつつ基板加熱手段により該基板を300℃に加熱した。
さて、本発明においては、まず、第１段階として特定
の特性を有する薄膜を形成する。
の特性を有する薄膜を形成する。
すなわち、プラズマCVD法でかかる薄膜を形成するに
は、光電特性に優れた水素化アモルファス薄膜を（通常
の良質の水素化アモルファスシリコン膜）を作成する条
件（我々がすでに開示したごとく、例えばジシラン化合
物あたり充分高い電力（＝Supplied Energy）を供給し
て分解する）とは逆の低い電力印加条件に設定すること
によりなされる。つまり、赤外吸収モードでSiHの吸収
モードを主体として持つ、光電特性にすぐれた水素化ア
モルファス薄膜を作成する高供給電力の製造条件と異な
り、赤外吸収モードでのSiH2、SiH3、（SiH2）等の、従
来全く良質の水素化アモルファスシリコン膜を形成する
ためには、望ましくないとされていた上記SiH2等の高次
モードの水素結合を主体として有する膜を、低い電力を
与えて意識的に作成する条件を設定することが重要なポ
イントなのである。
は、光電特性に優れた水素化アモルファス薄膜を（通常
の良質の水素化アモルファスシリコン膜）を作成する条
件（我々がすでに開示したごとく、例えばジシラン化合
物あたり充分高い電力（＝Supplied Energy）を供給し
て分解する）とは逆の低い電力印加条件に設定すること
によりなされる。つまり、赤外吸収モードでSiHの吸収
モードを主体として持つ、光電特性にすぐれた水素化ア
モルファス薄膜を作成する高供給電力の製造条件と異な
り、赤外吸収モードでのSiH2、SiH3、（SiH2）等の、従
来全く良質の水素化アモルファスシリコン膜を形成する
ためには、望ましくないとされていた上記SiH2等の高次
モードの水素結合を主体として有する膜を、低い電力を
与えて意識的に作成する条件を設定することが重要なポ
イントなのである。
または、Ｐ型の微結晶膜を作成する条件とも異なる低
い電力を印加して薄膜を形成してもよい。プラズマCVD
法で薄膜形成後、微結晶化すると伝導率の増加が認めら
れるが、このような微結晶を形成する印加電力よりも低
い電力を印加して薄膜を形成してもよいのである。
い電力を印加して薄膜を形成してもよい。プラズマCVD
法で薄膜形成後、微結晶化すると伝導率の増加が認めら
れるが、このような微結晶を形成する印加電力よりも低
い電力を印加して薄膜を形成してもよいのである。
かかる条件で得られる薄膜は、膜質が悪く、一見アモ
ルファス膜に似た外観を呈しているものの、それ自身と
しては物性的に全く無価値なものであるが、本発明にお
いては、敢えてかかる膜を先ず形成するのである。
ルファス膜に似た外観を呈しているものの、それ自身と
しては物性的に全く無価値なものであるが、本発明にお
いては、敢えてかかる膜を先ず形成するのである。
本装置を使用した本実施例の場合においては、ジシラ
ン0.2SCCM、ジボラン0.004SCCM、水素32SCCMを（ジシラ
ン／ジボラン／水素の流量比:1/0.02/160）の流量比で
導入し、真空排気手段に設備されている圧力調節機構で
薄膜形成装置内の圧力を0.1Torrに調節保持した。基板
の温度および薄膜形成装置内の圧力が一定となった時、
高周波電力導入手段により放電電極に2Wの高周波電力を
印加しグロー放電を開始した。本装置では、この2Wの電
力は、小さいプラズマが辛うじて持続しうる最小の電力
である。電極直径は10cmであった。また、本装置では、
電力を50W以上とすると、膜が微結晶化してしまい、以
後に比べる熱処理を加えてもそれ以上なんの変化も伴わ
ないのである。
ン0.2SCCM、ジボラン0.004SCCM、水素32SCCMを（ジシラ
ン／ジボラン／水素の流量比:1/0.02/160）の流量比で
導入し、真空排気手段に設備されている圧力調節機構で
薄膜形成装置内の圧力を0.1Torrに調節保持した。基板
の温度および薄膜形成装置内の圧力が一定となった時、
高周波電力導入手段により放電電極に2Wの高周波電力を
印加しグロー放電を開始した。本装置では、この2Wの電
力は、小さいプラズマが辛うじて持続しうる最小の電力
である。電極直径は10cmであった。また、本装置では、
電力を50W以上とすると、膜が微結晶化してしまい、以
後に比べる熱処理を加えてもそれ以上なんの変化も伴わ
ないのである。
斯くして、膜厚が約2000Åになった時に放電を停止す
る。平均の成膜速度は0.4Å/sであった。冷却後基板を
取り出して形成された膜を観察したところ、通常のアモ
ルファスシリコン膜のごとく赤茶色を帯びた透明であっ
たが、電気伝導率が10-9〜10-4（S/cm）と膜質がずっと
悪かった。
る。平均の成膜速度は0.4Å/sであった。冷却後基板を
取り出して形成された膜を観察したところ、通常のアモ
ルファスシリコン膜のごとく赤茶色を帯びた透明であっ
たが、電気伝導率が10-9〜10-4（S/cm）と膜質がずっと
悪かった。
本発明においては、上記のごとくして特定の条件で得
られた膜（これは微結晶膜でもないし、以下に述べるご
とく通常10-4（S/cm）以上の伝導率を有するＰ型ドープ
のアモルファス膜でもない、ある特定の状態の膜と考え
られる）を第２段階として光、熱、電流エネルギーを加
えて加熱処理するか、もしくはレーザ光などの光照射を
行うのである。
られた膜（これは微結晶膜でもないし、以下に述べるご
とく通常10-4（S/cm）以上の伝導率を有するＰ型ドープ
のアモルファス膜でもない、ある特定の状態の膜と考え
られる）を第２段階として光、熱、電流エネルギーを加
えて加熱処理するか、もしくはレーザ光などの光照射を
行うのである。
ここでは、該薄膜が形成された基板を、真空加熱炉に
挿入し、真空度を10-6Torr以下に排気したあと、20度／
分の速度で800℃まで加熱した。その加熱の途中、少な
くとも600℃付近で、もともとアモルファスシリコン膜
状の赤茶色は、シリコンウエハーの如き鏡面状の黒色に
変化し透明性がなくなり、700℃以上で該黒色が消失
し、急激に透明になった。
挿入し、真空度を10-6Torr以下に排気したあと、20度／
分の速度で800℃まで加熱した。その加熱の途中、少な
くとも600℃付近で、もともとアモルファスシリコン膜
状の赤茶色は、シリコンウエハーの如き鏡面状の黒色に
変化し透明性がなくなり、700℃以上で該黒色が消失
し、急激に透明になった。
しかして、良好な膜質を有する通常のアモルファスシ
リコン膜であれば、これを同様に加熱処理した場合、60
0℃までは同様の変化を示し、シリコンウエハーの如き
黒色となるが、さらに700℃以上に加熱しても、もはや
該黒色が消失することはなく、黒色で不透明のままであ
った。また、本発明において、第１段階で得られた膜と
良好な膜質を有する通常のアモルファスシリコン膜につ
いて、加熱による水素の放出スペクトルを調べたが、通
常のアモルファツシリコン膜が600℃から水素の放出が
開始するのに対し、本発明の第１段階で形成した膜はす
でに400℃と云う低温で水素の放出が開始されているこ
とが明らかになった。このことは、SiH係合モードを主
体とする水素化アモルファスシリコンよりも水素がずっ
と弱い結合状態となって膜中に含有されていることを示
している。すなわち、SiH2等の高次モードを主体として
含有していることを意味する。
リコン膜であれば、これを同様に加熱処理した場合、60
0℃までは同様の変化を示し、シリコンウエハーの如き
黒色となるが、さらに700℃以上に加熱しても、もはや
該黒色が消失することはなく、黒色で不透明のままであ
った。また、本発明において、第１段階で得られた膜と
良好な膜質を有する通常のアモルファスシリコン膜につ
いて、加熱による水素の放出スペクトルを調べたが、通
常のアモルファツシリコン膜が600℃から水素の放出が
開始するのに対し、本発明の第１段階で形成した膜はす
でに400℃と云う低温で水素の放出が開始されているこ
とが明らかになった。このことは、SiH係合モードを主
体とする水素化アモルファスシリコンよりも水素がずっ
と弱い結合状態となって膜中に含有されていることを示
している。すなわち、SiH2等の高次モードを主体として
含有していることを意味する。
そして、800℃で５分保持したのち、加熱炉の電源を
きり、自然に冷却したのち取り出し、本発明の薄膜状固
体物質を得た。得られと薄膜は極めて透明であり、該薄
膜を文字が印刷された紙の表面に置いて透明性を確認し
たところ、該薄膜を通して、下の印刷文字をはっきりと
読み取ることが可能であった。なお、この薄膜は、2000
Åの厚みにおいて、見掛け上、やや薄い黄色を呈してい
た。
きり、自然に冷却したのち取り出し、本発明の薄膜状固
体物質を得た。得られと薄膜は極めて透明であり、該薄
膜を文字が印刷された紙の表面に置いて透明性を確認し
たところ、該薄膜を通して、下の印刷文字をはっきりと
読み取ることが可能であった。なお、この薄膜は、2000
Åの厚みにおいて、見掛け上、やや薄い黄色を呈してい
た。
同様にして、真空加熱炉で加熱処理する代わりに、レ
ーザによる処理も試みた。
ーザによる処理も試みた。
すなわち、アルゴンイオンレーザの光をスポット径1.
2mm、電力4Wで照射したところ、薄膜の照射部分は同様
に赤茶色→黒色→透明と数秒間で上記と同様の傾向を示
して変化することが確認された。
2mm、電力4Wで照射したところ、薄膜の照射部分は同様
に赤茶色→黒色→透明と数秒間で上記と同様の傾向を示
して変化することが確認された。
斯くして得られた固体物質について、光学的禁制帯幅
を測定した。その方法として、可視域の分光光度計を用
いて、その光吸収係数を求め、この吸収係数値から、光
の波長と吸収係数値の積の平方根の値と波長の関係を求
めたのが、第１図である。この付から、点線で示す直線
関係の外挿線と波長の軸との交点の値から光学的禁制幅
の値が求められる。その結果、本発明の薄膜は、光学的
禁制帯幅が、2.2（電子ボルト）であることが確認され
た。
を測定した。その方法として、可視域の分光光度計を用
いて、その光吸収係数を求め、この吸収係数値から、光
の波長と吸収係数値の積の平方根の値と波長の関係を求
めたのが、第１図である。この付から、点線で示す直線
関係の外挿線と波長の軸との交点の値から光学的禁制幅
の値が求められる。その結果、本発明の薄膜は、光学的
禁制帯幅が、2.2（電子ボルト）であることが確認され
た。
また、以下の如くして、電気伝導率を測定した。すな
わち、第２図に示すように、薄膜固体物質の上に、真空
蒸着法でアルミニウム金属を、ギャップ間隔200ミクロ
ン、ギャップ幅３ミリメーターとコプラナー状に形成
し、電極とし、この電極な直流電圧印加しその電流を測
定する計測器をつなぎ、直流の電気抵抗を測定しもとめ
た。第３図に、印加電圧に対する電流の測定結果を示
す。印加電圧0.1V、6.35mÅの電流値がえられた。この
測定結果から、コプラナー電極の形状、膜厚の値を、計
算式＝（電流／電圧）×（ギャップ間隔／ギャップ幅）
／（膜厚）に代入して電気伝導率を求めた。その結果、
本発明の薄膜は、200（シーメンス／センチメータ）
の、高い伝導率であることが確認された。
わち、第２図に示すように、薄膜固体物質の上に、真空
蒸着法でアルミニウム金属を、ギャップ間隔200ミクロ
ン、ギャップ幅３ミリメーターとコプラナー状に形成
し、電極とし、この電極な直流電圧印加しその電流を測
定する計測器をつなぎ、直流の電気抵抗を測定しもとめ
た。第３図に、印加電圧に対する電流の測定結果を示
す。印加電圧0.1V、6.35mÅの電流値がえられた。この
測定結果から、コプラナー電極の形状、膜厚の値を、計
算式＝（電流／電圧）×（ギャップ間隔／ギャップ幅）
／（膜厚）に代入して電気伝導率を求めた。その結果、
本発明の薄膜は、200（シーメンス／センチメータ）
の、高い伝導率であることが確認された。
得られた膜中のほう素含有量を、二次イオン物質分析
器（SIMSと略する）で測定したところ、５×1019原子数
/cm3であり、これはけい素原子数に対して0.1％程度に
対応する。また、紫外線光電子分光法（UPSと略する）
で測定したところ、真空に対する仕事関数は5.6〜5.3eV
であった。これは単結晶シリコン膜の4.98eVよりもさら
に大きい値であり、また通常の方法で作成した微結晶膜
のそれは、4.3eV程度であるから、これよりもさらに大
なる値であることがわかった。
器（SIMSと略する）で測定したところ、５×1019原子数
/cm3であり、これはけい素原子数に対して0.1％程度に
対応する。また、紫外線光電子分光法（UPSと略する）
で測定したところ、真空に対する仕事関数は5.6〜5.3eV
であった。これは単結晶シリコン膜の4.98eVよりもさら
に大きい値であり、また通常の方法で作成した微結晶膜
のそれは、4.3eV程度であるから、これよりもさらに大
なる値であることがわかった。
上記の製造方法と同様な方法で、ジシランとジボラン
の流量比を変えて更に２つの薄膜を作製した。この薄膜
について、上記と同じ方法で測定したところ、一方は、
光学的禁制帯は、2.5（電子ボルト）で、電気伝導率
は、100（シーメンス／センチメータ）、他方は2.0（電
子ボルト）で、500（シーメンス／センチメータ）であ
った。
の流量比を変えて更に２つの薄膜を作製した。この薄膜
について、上記と同じ方法で測定したところ、一方は、
光学的禁制帯は、2.5（電子ボルト）で、電気伝導率
は、100（シーメンス／センチメータ）、他方は2.0（電
子ボルト）で、500（シーメンス／センチメータ）であ
った。
以上、作成した本発明を、サンプル番号順に、表１に
示す。
示す。
以上、示したように、本発明の薄膜は、ほう素を含む
珪素よりなり、薄膜状の固体物質であって、光学的禁制
帯幅が、2.0〜2.5（電子ボルト）であり、しかも電気伝
導率が、100〜500（シーメンス／センチメータ）と極め
て大きく、さらに透明性があると云う優れた特性を有す
る、これまで知られていない新規な固体物質である。
珪素よりなり、薄膜状の固体物質であって、光学的禁制
帯幅が、2.0〜2.5（電子ボルト）であり、しかも電気伝
導率が、100〜500（シーメンス／センチメータ）と極め
て大きく、さらに透明性があると云う優れた特性を有す
る、これまで知られていない新規な固体物質である。
本発明の透明性に優れた、薄膜状の固体物質は、透明
導電膜や、太陽電池や光セッサーなどの窓材料やコーテ
ング材料として極めて高い産業上の利用可能性を有する
ものである。
導電膜や、太陽電池や光セッサーなどの窓材料やコーテ
ング材料として極めて高い産業上の利用可能性を有する
ものである。
第１図は、本発明の薄膜の光学的禁制帯幅の測定結果を
示すグラフである。横軸は、電子ボルト単位で表わした
波長の値を示し、縦軸は、波長と本発明の光の吸収係数
の値の積の平方根の値を示す。 第２図は、本発明の電気伝導率の測定方法を示す、ブロ
ック付である。図において、１……本発明の薄膜状固体
物質、２……硝子基板、３……電極としてのアルミニュ
ウム金属薄膜、４……直流電圧印加し電流を測定する計
測器、５……計測器と電極をつなぐ電線を示す。 第３図は、本発明の薄膜の印加直流電圧に対する、計測
された電流の特性を示すグラフである。
示すグラフである。横軸は、電子ボルト単位で表わした
波長の値を示し、縦軸は、波長と本発明の光の吸収係数
の値の積の平方根の値を示す。 第２図は、本発明の電気伝導率の測定方法を示す、ブロ
ック付である。図において、１……本発明の薄膜状固体
物質、２……硝子基板、３……電極としてのアルミニュ
ウム金属薄膜、４……直流電圧印加し電流を測定する計
測器、５……計測器と電極をつなぐ電線を示す。 第３図は、本発明の薄膜の印加直流電圧に対する、計測
された電流の特性を示すグラフである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 16/56 Ｃ２３Ｃ 16/56 Ｈ０１Ｂ 1/04 Ｈ０１Ｂ 1/04 5/14 5/14 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/20 Ｈ０１Ｌ 21/20 21/205 21/205 31/04 31/04 Ｖ 31/08 31/08 Ｚ
Claims (2)
- 【請求項１】光学的禁制帯の範囲が、2.0乃至2.5（電子
ボルト）であり、その電気伝導率の値が、100乃至500
（シーメンス／センチメータ）である、ほう素を含む珪
素よりなる新規な薄膜状の固体物質。 - 【請求項２】透明性に優れた特許請求の範囲第１項記載
の薄膜状の固形物質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP62146868A JP2523131B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 新規な固体物質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146868A JP2523131B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 新規な固体物質 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310712A JPS63310712A (ja) | 1988-12-19 |
| JP2523131B2 true JP2523131B2 (ja) | 1996-08-07 |
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ID=15417384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP62146868A Expired - Fee Related JP2523131B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 新規な固体物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2523131B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN1196208C (zh) * | 1997-10-24 | 2005-04-06 | 株式会社新王磁材 | 硅基导电材料及其制造方法 |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP62146868A patent/JP2523131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63310712A (ja) | 1988-12-19 |
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