JPH0429218B2 - - Google Patents
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- JPH0429218B2 JPH0429218B2 JP58117753A JP11775383A JPH0429218B2 JP H0429218 B2 JPH0429218 B2 JP H0429218B2 JP 58117753 A JP58117753 A JP 58117753A JP 11775383 A JP11775383 A JP 11775383A JP H0429218 B2 JPH0429218 B2 JP H0429218B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明はアモルフアスシリコンカーバイド（ａ
−SixC1-x）膜の製造方法に関し、特にスパツタ
リング時の基板温度を制御したａ−SixC1-x膜の
製造方法に関するものである。
−SixC1-x）膜の製造方法に関し、特にスパツタ
リング時の基板温度を制御したａ−SixC1-x膜の
製造方法に関するものである。
＜従来技術＞
従来の単結晶材料を用いた半導体素子に加え
て、近年アモルフアス（非晶質）の薄膜半導体材
料を利用した半導体素子の研究が活発に推し進め
られている。特にａ−SixC1-x膜は、例えば光が
照射された状態で顕著な光導電特性を示しかつ材
料入手も容易であるという理由から半導体材料と
しての注目を集めている。ａ−SixC1-x膜はプラ
ズマCVD法、グロー放電法、反応性スパツタリ
ング法、イオンプレーテイング法等種々の作製方
法が提案されているが、従来のａ−SixC1-x膜作
製方法に於いては、光導電特性や比抵抗等の電気
的諸特性を製造条件によつて充分に制御すること
ができず、半導体材料として実用化するには量産
性、再現性の点で問題があつた。
て、近年アモルフアス（非晶質）の薄膜半導体材
料を利用した半導体素子の研究が活発に推し進め
られている。特にａ−SixC1-x膜は、例えば光が
照射された状態で顕著な光導電特性を示しかつ材
料入手も容易であるという理由から半導体材料と
しての注目を集めている。ａ−SixC1-x膜はプラ
ズマCVD法、グロー放電法、反応性スパツタリ
ング法、イオンプレーテイング法等種々の作製方
法が提案されているが、従来のａ−SixC1-x膜作
製方法に於いては、光導電特性や比抵抗等の電気
的諸特性を製造条件によつて充分に制御すること
ができず、半導体材料として実用化するには量産
性、再現性の点で問題があつた。
＜発明の目的＞
本発明は上述の問題点に鑑み、反応性スパツタ
リング法による薄膜作製技術を導入するとともに
スパツタリング時の基板温度を制御することによ
り、半導体電子材料として有用な良質のａ−Six
C1-x膜を得ることのできるａ−SixC1-x膜の製造
方法を提供することを目的とする。
リング法による薄膜作製技術を導入するとともに
スパツタリング時の基板温度を制御することによ
り、半導体電子材料として有用な良質のａ−Six
C1-x膜を得ることのできるａ−SixC1-x膜の製造
方法を提供することを目的とする。
＜構成及び効果＞
アモルフアス膜の電気的諸特性は膜作製時の基
板温度に大きく依存する。これは、膜特性を決定
する２つの要因即ちSiとＣでアモルフアスを形成
する際のネツトワークの組み方及びアモルフアス
膜中に含有される水素量が、膜作製時の基板温度
の変化によつて大きく影響を受けるためであると
考えられる。従つて本発明は、ａ−SixC1-x膜を
反応性スパツタリング法で作製する際に原料ガス
及びターゲツトよりａ−SixC1-xを生成する基板
の温度を300℃〜450℃に保持し、これによつて電
気的諸特性を良好に制御するとともに良質のａ−
SixC1-x膜を作製するように構成されている。
板温度に大きく依存する。これは、膜特性を決定
する２つの要因即ちSiとＣでアモルフアスを形成
する際のネツトワークの組み方及びアモルフアス
膜中に含有される水素量が、膜作製時の基板温度
の変化によつて大きく影響を受けるためであると
考えられる。従つて本発明は、ａ−SixC1-x膜を
反応性スパツタリング法で作製する際に原料ガス
及びターゲツトよりａ−SixC1-xを生成する基板
の温度を300℃〜450℃に保持し、これによつて電
気的諸特性を良好に制御するとともに良質のａ−
SixC1-x膜を作製するように構成されている。
本発明により得られるａ−SixC1-x膜は比抵抗
が高くかつ光学的エネルギーギヤツプが大なる薄
膜として形成される。本発明はこのような半導体
材料として適するａ−SixC1-x膜を再現性良く大
量生産することが可能である。
が高くかつ光学的エネルギーギヤツプが大なる薄
膜として形成される。本発明はこのような半導体
材料として適するａ−SixC1-x膜を再現性良く大
量生産することが可能である。
＜実施例＞
以下、本発明の１実施例として水素で安定化さ
れた水素化アモルフアスシリコンカーバイド（ａ
−SixC1-x：Ｈ）膜の作製方法について説明する。
れた水素化アモルフアスシリコンカーバイド（ａ
−SixC1-x：Ｈ）膜の作製方法について説明する。
第１図はａ−SixC1-x：Ｈ膜を作製するための
スパツタリング装置である。反応室１内にはａ−
SixC1-x：Ｈ膜を作製するための基板２及びSi源
となるSiターゲツト３が対向配置されている。ま
た反応室１は真空系４及び混合ガス供給系５に連
結されている。混合ガス供給系５はＣ及びＨ源と
なるC3H8（又はCH4）ガスを供給する原料ガス源
６，Siターゲツト３を効率よくスパツタするため
のArガス供給源７及びH2ガス供給源８に連結さ
れており、混合器９を介してC3H8（又はCH4），
Ar及びH2の混合ガスが流量及び分圧を制御され
ながら混合ガス供給系５より反応室１内に搬送さ
れる。反応室１の周囲には磁場コイル１０が巻回
され、磁場コイル１０及び基板２とSiターゲツト
３間に高周波電源１１から13.56MHzの高周波電
力が印加されることにより、上記混合ガス雰囲気
下でのSiターゲツト３のスパツタリングが行なわ
れ、基板２上にａ−SixC1-x：Ｈ膜の成膜が行わ
れる。
スパツタリング装置である。反応室１内にはａ−
SixC1-x：Ｈ膜を作製するための基板２及びSi源
となるSiターゲツト３が対向配置されている。ま
た反応室１は真空系４及び混合ガス供給系５に連
結されている。混合ガス供給系５はＣ及びＨ源と
なるC3H8（又はCH4）ガスを供給する原料ガス源
６，Siターゲツト３を効率よくスパツタするため
のArガス供給源７及びH2ガス供給源８に連結さ
れており、混合器９を介してC3H8（又はCH4），
Ar及びH2の混合ガスが流量及び分圧を制御され
ながら混合ガス供給系５より反応室１内に搬送さ
れる。反応室１の周囲には磁場コイル１０が巻回
され、磁場コイル１０及び基板２とSiターゲツト
３間に高周波電源１１から13.56MHzの高周波電
力が印加されることにより、上記混合ガス雰囲気
下でのSiターゲツト３のスパツタリングが行なわ
れ、基板２上にａ−SixC1-x：Ｈ膜の成膜が行わ
れる。
上記工程で作製されるａ−SixC1-x：Ｈ膜中の
水素の含有量及び結合状態は膜の諸特性に影響
し、特に光導電性や比抵抗はアモルフアス膜の安
定化に寄与している水素量と密接な関係がある。
第２図はH2ガス添加の効果を示す赤外線吸収ス
ペクトルで、同図中曲線l1はArとC3H8の混合ガ
スでSiターゲツトをスパツタして作製した従来の
ａ−SixC1-x膜，曲線l2はArとC3H8混合ガスに更
にH2ガスを加えてスパツタリングして作製した
上記実施例によるａ−SixC1-x：Ｈ膜の夫々の赤
外線吸収スペクトルである。曲線l1，l2共に矢印
P1で示す様に800cm-1付近に大きな吸収ピークが
存在し、このピークはSiとＣとの結合（Si−Ｃ結
合と記す）に基くものであることから、どちらの
膜中にもSi−Ｃ結合が大量に存在することがわか
る。なおピークの位置が800cm-1から少しずれて
いるのは、640cm-1にSi−Ｈ結合の吸収ピークが
存在することに起因するものである。矢印P2で
示す840〜900cm-1付近にはSi−Ｈ結合，矢印P3で
示す1000cm-1付近にはＣ−Ｈ結合，更に矢印P4で
示す2000〜2100cm-1付近にはSi−Ｈ結合の存在を
示す吸収ピークが現われている。これら水素に関
連したSi−Ｈ及びＣ−Ｈ結合に基いて生じる吸収
ピークは、曲線l1では浅いがH2ガスを添加してス
パツタリングした曲線l2のａ−SixC1-x：Ｈ膜で
は、深いピークが明瞭に現われており、水素が結
合中に含まれていることがわかる。上記吸収ピー
クの深さは安定化に寄与している水素量に関係
し、従つて作製されたａ−SixC1-x：Ｈ膜として
の電気的諸特性とも相関関係を有し、水素量及び
結合状態を制御することによつて膜の諸特性，特
に電気的特性を制御することができる。水素量及
び結合状態の制御は混合ガス中の水素ガスの割
合，流量，分圧等を選定することによつて行なわ
れる。
水素の含有量及び結合状態は膜の諸特性に影響
し、特に光導電性や比抵抗はアモルフアス膜の安
定化に寄与している水素量と密接な関係がある。
第２図はH2ガス添加の効果を示す赤外線吸収ス
ペクトルで、同図中曲線l1はArとC3H8の混合ガ
スでSiターゲツトをスパツタして作製した従来の
ａ−SixC1-x膜，曲線l2はArとC3H8混合ガスに更
にH2ガスを加えてスパツタリングして作製した
上記実施例によるａ−SixC1-x：Ｈ膜の夫々の赤
外線吸収スペクトルである。曲線l1，l2共に矢印
P1で示す様に800cm-1付近に大きな吸収ピークが
存在し、このピークはSiとＣとの結合（Si−Ｃ結
合と記す）に基くものであることから、どちらの
膜中にもSi−Ｃ結合が大量に存在することがわか
る。なおピークの位置が800cm-1から少しずれて
いるのは、640cm-1にSi−Ｈ結合の吸収ピークが
存在することに起因するものである。矢印P2で
示す840〜900cm-1付近にはSi−Ｈ結合，矢印P3で
示す1000cm-1付近にはＣ−Ｈ結合，更に矢印P4で
示す2000〜2100cm-1付近にはSi−Ｈ結合の存在を
示す吸収ピークが現われている。これら水素に関
連したSi−Ｈ及びＣ−Ｈ結合に基いて生じる吸収
ピークは、曲線l1では浅いがH2ガスを添加してス
パツタリングした曲線l2のａ−SixC1-x：Ｈ膜で
は、深いピークが明瞭に現われており、水素が結
合中に含まれていることがわかる。上記吸収ピー
クの深さは安定化に寄与している水素量に関係
し、従つて作製されたａ−SixC1-x：Ｈ膜として
の電気的諸特性とも相関関係を有し、水素量及び
結合状態を制御することによつて膜の諸特性，特
に電気的特性を制御することができる。水素量及
び結合状態の制御は混合ガス中の水素ガスの割
合，流量，分圧等を選定することによつて行なわ
れる。
ここで、Siをターゲツトとし、ArとC3H8の混
合ガスにH2ガスを添加したことによる効果を説
明するため、H2ガスを添加してスパツタリング
したアモルフアスシリコンカーバイド（ａ−Six
C1-x：Ｈ）膜の膜特性について、H2ガスを添加
しないで作製したアモルフアスシリコンカーバイ
ド膜と比較しながら説明する。
合ガスにH2ガスを添加したことによる効果を説
明するため、H2ガスを添加してスパツタリング
したアモルフアスシリコンカーバイド（ａ−Six
C1-x：Ｈ）膜の膜特性について、H2ガスを添加
しないで作製したアモルフアスシリコンカーバイ
ド膜と比較しながら説明する。
最初に膜組成について示す。ArガスとC3H8ガ
スからなる雰囲気ガスの全圧を一定とし、Arガ
スとC3H8ガスの分圧比を変化させて膜作製を行
ない、SiとＣの組成（ｘ値）をオージエ電子分光
分析により測定した。スパツタリング雰囲気ガス
中にH2ガスを導入せず、膜中のSi及びＣの未結
合手の終端をC3H8ガスの分解によつて生じた水
素のみで行つた場合（PH2＝Ｏ Torr）と、雰囲
気ガス中に積極的にH2ガス（PH2＝３×
10-3Torr）を導入した場合の結果を第５図に示
す。ArガスとC3H8ガスの分圧比が同じであつて
も、H2ガスを導入した場合はH2ガス添加のない
場合に比べ、Si組成の少ない膜が得られることが
わかる。これはH2ガス添加により全圧が上昇す
るため、Arの平均自由行程が短くなり、Arによ
るSiのスパツタ率が低下することあるいはスパツ
タされて出てきたSiが水素と反応してSiH4等の
ガスとなつて逃げていくことによると思われる。
スからなる雰囲気ガスの全圧を一定とし、Arガ
スとC3H8ガスの分圧比を変化させて膜作製を行
ない、SiとＣの組成（ｘ値）をオージエ電子分光
分析により測定した。スパツタリング雰囲気ガス
中にH2ガスを導入せず、膜中のSi及びＣの未結
合手の終端をC3H8ガスの分解によつて生じた水
素のみで行つた場合（PH2＝Ｏ Torr）と、雰囲
気ガス中に積極的にH2ガス（PH2＝３×
10-3Torr）を導入した場合の結果を第５図に示
す。ArガスとC3H8ガスの分圧比が同じであつて
も、H2ガスを導入した場合はH2ガス添加のない
場合に比べ、Si組成の少ない膜が得られることが
わかる。これはH2ガス添加により全圧が上昇す
るため、Arの平均自由行程が短くなり、Arによ
るSiのスパツタ率が低下することあるいはスパツ
タされて出てきたSiが水素と反応してSiH4等の
ガスとなつて逃げていくことによると思われる。
次に光学的エネルギーギヤツプ（Eg ppt）と
Ｂ値について示す。非晶質半導体では吸収端付近
のバンド間吸収は次のTaueの式に従うことが知
られている。
Ｂ値について示す。非晶質半導体では吸収端付近
のバンド間吸収は次のTaueの式に従うことが知
られている。
（αhω）1/2＝Ｂ（hω−Eg ppt）
α：吸収係数
hω：光子エネルギー
Ｂ：定数
分光光度計で、ガラス上に形成した試料の可視
域の光吸収スペクトルを測定し、横軸にhω，縦
軸に（αhω）1/2をとつてプロツトするとグラフの
直線部分の延長線と横軸との交点から Eg ppt'直線部分の傾きからＢ値が定まる。
域の光吸収スペクトルを測定し、横軸にhω，縦
軸に（αhω）1/2をとつてプロツトするとグラフの
直線部分の延長線と横軸との交点から Eg ppt'直線部分の傾きからＢ値が定まる。
SiとＣの組成比に対するEgpptの変化を第６図に
示す。H2ガスの添加によりEg pptは増大する。
H2ガス添加によりSi及びＣの未結合手が効果的
に終端化され、Eg pptも増大したと考えられる。
示す。H2ガスの添加によりEg pptは増大する。
H2ガス添加によりSi及びＣの未結合手が効果的
に終端化され、Eg pptも増大したと考えられる。
組成比（ｘ値）に対するＢ値の変化は第７図の
如くとなる。Ｂ値は局在化したバンドテイルの幅
を間接的に表現するものであり、Ｂ値が大きい程
バンドテイルの幅が狭く、言い換えればテイル付
近の局在準位の少ない良質の非晶質膜であること
を意味している。
如くとなる。Ｂ値は局在化したバンドテイルの幅
を間接的に表現するものであり、Ｂ値が大きい程
バンドテイルの幅が狭く、言い換えればテイル付
近の局在準位の少ない良質の非晶質膜であること
を意味している。
H2ガスを添加した試料の方がｘ＝0.2付近以外
ではＢ値が大きくなつている。これはネツトワー
ク形成時に多量に存在する水素が有効に作用し
て、残留未結合手の減少と共に原子の結合角のゆ
らぎ等に起因する不規則性が減少し、局在準位の
少ない膜が形成されているためであると思われ
る。
ではＢ値が大きくなつている。これはネツトワー
ク形成時に多量に存在する水素が有効に作用し
て、残留未結合手の減少と共に原子の結合角のゆ
らぎ等に起因する不規則性が減少し、局在準位の
少ない膜が形成されているためであると思われ
る。
次に膜組成に対する比抵抗の変化を、H2ガス
添加のある場合とない場合について調べた結果を
第８図に示す。H2ガス添加のない場合にｘ値の
増加につれて比抵抗が減少しているのに対し、
H2ガスを添加した膜では逆に増加している。H2
ガス添加のない場合、未結合手の終端には、
C3H8ガスからの分解水素のみが使われる。ｘ値
の増加につれて分解水素量が少くなるので、終端
化されない未結合手が膜中に残り、比抵抗は小さ
くなつているものと考えられる。一方、H2ガス
添加の有る場合、ｘ値の全領域にわたつて充分な
水素が存在し、又、SiよりＣの方が未結合手をつ
くり易いこと等によりｘ値と共に比抵抗が増加し
ていると思われる。
添加のある場合とない場合について調べた結果を
第８図に示す。H2ガス添加のない場合にｘ値の
増加につれて比抵抗が減少しているのに対し、
H2ガスを添加した膜では逆に増加している。H2
ガス添加のない場合、未結合手の終端には、
C3H8ガスからの分解水素のみが使われる。ｘ値
の増加につれて分解水素量が少くなるので、終端
化されない未結合手が膜中に残り、比抵抗は小さ
くなつているものと考えられる。一方、H2ガス
添加の有る場合、ｘ値の全領域にわたつて充分な
水素が存在し、又、SiよりＣの方が未結合手をつ
くり易いこと等によりｘ値と共に比抵抗が増加し
ていると思われる。
なお、ｘ＝0.2付近でH2ガスを添加した膜の方
が過剰水素による効果と思われる。
が過剰水素による効果と思われる。
次にスパツタリング時の基板２の温度と得られ
るａ−SixC1-x：Ｈ膜の電気的特性との関係につ
いて説明する。rfパワー，磁場の強さ，各ガス分
圧，背圧，その他の製造条件を一定とし、基板２
の温度のみを変化させてａ−SixC1-x：Ｈ膜を作
製してその比抵抗及び光学的エネルギーギヤツプ
をそれぞれ電圧−電流特性の測定及び可視光透過
スペクトルの測定により求めた。
るａ−SixC1-x：Ｈ膜の電気的特性との関係につ
いて説明する。rfパワー，磁場の強さ，各ガス分
圧，背圧，その他の製造条件を一定とし、基板２
の温度のみを変化させてａ−SixC1-x：Ｈ膜を作
製してその比抵抗及び光学的エネルギーギヤツプ
をそれぞれ電圧−電流特性の測定及び可視光透過
スペクトルの測定により求めた。
第３図に比抵抗の基板温度依存性を示す。図よ
り明らかな如く、基板温度が約370℃で比抵抗値
は極大となり、300℃乃至450℃の範囲で比抵抗は
高い値を呈する。従つて、基板温度を300℃乃至
450℃、望ましくは350℃乃至400℃の範囲に選定
してスパツタすることにより実用に適する高い比
抵抗値のａ−SixC1-x：Ｈ膜を得ることができる。
り明らかな如く、基板温度が約370℃で比抵抗値
は極大となり、300℃乃至450℃の範囲で比抵抗は
高い値を呈する。従つて、基板温度を300℃乃至
450℃、望ましくは350℃乃至400℃の範囲に選定
してスパツタすることにより実用に適する高い比
抵抗値のａ−SixC1-x：Ｈ膜を得ることができる。
第４図はａ−SixC1-x：Ｈ膜の光学的エネルギ
ーギヤツプと基板温度との関係を示す。基板温度
が約360℃で光学的エネルギーギヤツプは約
2.73eVと最大値を呈し、上記同様に300℃乃至
450℃の範囲で光学的エネルギーギヤツプは高い
値を示している。これは、赤外線吸収測定に於い
てSiとＣの結合による赤外吸収強度がこの温度範
囲で最大になることから同温度範囲でSiとＣとの
ネツトワーク化が最も進行するためであると考え
られる。
ーギヤツプと基板温度との関係を示す。基板温度
が約360℃で光学的エネルギーギヤツプは約
2.73eVと最大値を呈し、上記同様に300℃乃至
450℃の範囲で光学的エネルギーギヤツプは高い
値を示している。これは、赤外線吸収測定に於い
てSiとＣの結合による赤外吸収強度がこの温度範
囲で最大になることから同温度範囲でSiとＣとの
ネツトワーク化が最も進行するためであると考え
られる。
以上より、スパツタリング過程で基板温度を
300℃乃至450℃の範囲に保持し、反応性スパツタ
リング法で原料ガス及びSiターゲツト３から基板
上に良質のａ−SixC1-x：Ｈ膜を作製することが
できる。また得られる膜の電気的特性は均一でか
つ実用に適するものとなる。尚、原料ガスに含有
される水素ガスの量を適宜選定してａ−Six
C1-x：Ｈ膜中の水素量を制御することにより希望
する電気的特性のａ−SixC1-x：Ｈ膜が得られる
ことになる。
300℃乃至450℃の範囲に保持し、反応性スパツタ
リング法で原料ガス及びSiターゲツト３から基板
上に良質のａ−SixC1-x：Ｈ膜を作製することが
できる。また得られる膜の電気的特性は均一でか
つ実用に適するものとなる。尚、原料ガスに含有
される水素ガスの量を適宜選定してａ−Six
C1-x：Ｈ膜中の水素量を制御することにより希望
する電気的特性のａ−SixC1-x：Ｈ膜が得られる
ことになる。
第１図はａ−SixC1-x：Ｈ膜を作製するための
スパツタリング装置の構成図である。第２図は作
製されたａ−SixC1-x：Ｈ膜の赤外線吸収スペク
トル図である。第３図はａ−SixC1-x：Ｈスパツ
タ膜の比抵抗の基板温度依存性を示す特性図であ
る。第４図はａ−SixC1-x：Ｈスパツタ膜の光学
的エネルギーギヤツプの基板温度依存性を示す特
性図である。第５図、第６図、第７図及び第８図
は、それぞれH2ガス添加の効果を説明するアモ
ルフアスシリコンカーバイド膜の膜特性図であ
る。 １……反応室、２……基板、３……Siターゲツ
ト、５……ガス供給系、６……原料ガス源、７…
…Arガス供給源、８……H2ガス供給源。
スパツタリング装置の構成図である。第２図は作
製されたａ−SixC1-x：Ｈ膜の赤外線吸収スペク
トル図である。第３図はａ−SixC1-x：Ｈスパツ
タ膜の比抵抗の基板温度依存性を示す特性図であ
る。第４図はａ−SixC1-x：Ｈスパツタ膜の光学
的エネルギーギヤツプの基板温度依存性を示す特
性図である。第５図、第６図、第７図及び第８図
は、それぞれH2ガス添加の効果を説明するアモ
ルフアスシリコンカーバイド膜の膜特性図であ
る。 １……反応室、２……基板、３……Siターゲツ
ト、５……ガス供給系、６……原料ガス源、７…
…Arガス供給源、８……H2ガス供給源。
Claims (1)
- １ 300℃乃至450℃の温度範囲に保たれた基板上
に、ArとC3H8（又はCH4）の混合ガスに更に水
素ガスを加えた混合ガス中でSiターゲツトをスパ
ツタリングすることにより、電気的諸特性の良好
なアモルフアスシリコンカーバイド膜を作成する
ことを特徴とするアモルフアスシリコンカーバイ
ド膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11775383A JPS607718A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11775383A JPS607718A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607718A JPS607718A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH0429218B2 true JPH0429218B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=14719463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11775383A Granted JPS607718A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607718A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627848A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐摩耗膜およびその製造方法 |
| JPS61243166A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 硬質膜およびその製造方法 |
| CN102251220A (zh) * | 2010-05-19 | 2011-11-23 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 混合气体供给系统、溅镀装置及溅镀方法 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP11775383A patent/JPS607718A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| J.APPL.PHYS=1979 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS607718A (ja) | 1985-01-16 |
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