JPS6222420A - 堆積膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えばシリコンおよびゲルマニウム簿の平温
体物質を含有する非結晶半導体と、ＳｉＮおよび５ｉ０
２などの絶縁体とを支持体上に多層に端層するのに好適
な堆積膜形成装置に関するものである。

［従来の技術」 結晶半導体多層膜（各層が十分薄く、量子サイズ効果が
出てくるようなものは、一般に、半導体超格子と呼ばれ
る。）を作製する装置としては超高真空を用いた分子ビ
ーム・エピタキシ法を用いたものが良く知られている。

一万、最近になって非結晶半導体の分野でも。

多層薄膜が作製されるようになってきたが、この分野で
は、現在までにグロー放電法を用いた作製法しか報告さ
れていない（例えば、Ｂ、　　Ａｂｅｌｅｓａｎｄ　Ｔ
、　Ｔｉｅｄｊｅ　、　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅ
ｗ　Ｌａｔｔｅｒｓ　。

Ｖｏｌ、５１　（１９８３）　　ｐ、ｐ−２００３〜２
００Ｂ）　。

［発明が解決しようとする問題点」 上述のようなグロー放電法を用いた装置においては、通
常ＲＦ放電を用いるので、放電開始時には電源とのマツ
チング不良により放電が不安定になりやすい、従って、
特にｆｉｌｏλ程度の薄膜を作製するときには、膜厚の
制御が極めて困難となる。

また、放電雰囲気中において薄膜を直接形成するように
なっており、しかも、放電雰囲気中には高いエネルギを
持ったイオン種が多数台まれるので、薄膜を多層形成す
る際Ｋ、このイオン種によってｇ収容層間の界面は荒さ
れてしまう。

このように、従来のグロー放電法では、高品質の非結晶
半導体多層５！ｊ膜を作製することは困難である。

Ｌ問題点を解決するための手段］ 本発明は、上述従ズ例の欠点を除去するべくなされたも
のであって１反応室と、反応室内に設こされた基板を加
熱する７Ｊ［Ｉ熱手段と、反応室内に原料ガスを導入す
るための原料ガス導入手段と、反応室内において加熱手
段によって加熱された基板上に堆積膜を形成するように
反応室内の原料ガスを分解する分解手段とを具える。

［実施例］ 第１図は本発明にかかる堆積膜形成時置の一実施例の構
成を示す。

第１図において、１は反応室、２は反応室ｌにゲートバ
ルブ３を介して連接した前室である。４は反応室１にゲ
ートバルブ５およびバリアプルオリフィス６を介して連
接したプラズマ室である。７はプラズマ室４内でプラズ
マ放電を発生させるためのＲＦもしくはマイクロ波の放
電用電源である。

８．３および１０はプラズマ室４９反応室１および前室
２から各々排気するための排気装置である。排気装置８
は排２管３０を介してプラズマ室４に接続され、排気装
Ｍ９は排気管３１を介して反応室１に接続され、排気装
Ｍ１０は排気管１２を介して前室２に接続されている。

特に、堆積膜形成時に要求される反応室１内の圧力およ
び反応ガスの流量に応じて排気圏力を調整できるように
、排気装置８はターボ分子ポンプあるいは拡散ポンプと
ロータリポンプとの組み合わせが好ましく、排気装Ｎ９
はメカニカルブー°スタボンブとロータリポンプとの組
み合わせが好ましい。

１３は排気管３０に設けられたゲートバルブ、　１７は
排気管３１に設けられたスロットルバルブ、１５はバル
ブ１７よりも下流側になるように排気管３１に設けられ
たストップバルブ、１１は連結管であって、ゲートバル
ブ１３と排気装置８との間および２つのバルブ１５．１
７間において、２つの排気管３０および３１を連通する
。！４はＭ結管１１に設けられたストップバルブ、１Ｂ
は排気管１２に設けられたストップバルブである。

３２は原料ガスの供給源であって、ここからの原料ガス
は供給管８８よび分岐管３３を介してプラズマ室４に供
給され、また供給管１８および分岐管３４を介して反応
室１に供給される。　２１は供給管１８の途中に取付け
たヒータであって、ガス供給源３２か牛 らの原料ガスを例えば予め設定した温度に加熱する。１
９および２０は分岐管３３および３４の途中に各々設け
たストップパルプである。

２２は反応室１に導入された反応ガスを光分解するため
の光源であり、反応室１に具えられた窓からその中に光
を入射する。光ｌＩ２２としては、具体的には、例えば
、低圧水銀灯、Ｘｅランプ。

Ｘｅ−Ｈｇランプ、エキシマレーザ、アルゴンレーザ、
　Ｎｄ−ＹＡＧレーザおよびＣ０２レーザなどがある。

３５はプラズマを発生させるための反応ガスの供給源で
あって、ここからの反応ガスは供給管２４を介してプラ
ズマ室４に供給される。供給管２４の途中にはスト−７
プバルブ２５が取付けられている。２３は油圧などによ
って駆動される基板搬送機構であって、前室２と反応室
ｌとの間において基板を搬送する。

３５．３８および３７は真空計であって、プラズマ室４
、反応室１および前室２内の真空度を各々計測する。

３８は反応室ｌ内の原料濃度を測定するための質量分析
計、１００は反応室１に供給される原料ガスの温度を測
定する温度計である。１０１は６Ｎ膜を堆積する支持体
の温度を測定する温度計であって、具体的には、反応室
１内に配置された支持体ホルダ（図示せず）に取付けた
熱電対から構成される（これは１例えば、支持体ホルダ
の温度を測定することによってこれに支持した支持体の
温度を推定することもできる）　、　１０２は支持体上
に堆積された薄膜の厚さを８ＩＩ足するための膜厚計で
あって、具体的には、例えばエリプソメータ等からなる
。

第２図は原料ガスを反応室１に供給するためのガス供給
源を示す。

第２図において、４０はパージ用ガス（Ｎ２）。

４１−４８は原料ガス（例えば、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６
゜Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３＊　ＣＨａ　　＊　ＣＦａおよびＮ
Ｈ３など）［である、各ガス源４１〜４８からのガスは
容管７１〜７８を介し、さらに当該各管７１〜７８に設
けた各三方５′Ｆ８１〜８Ｂ、　ｙｔ量制御および流量
計側可１把な各マスフローコントローラ５１〜５日およ
び各三方弁６１〜６８を介して木管７９に供給され、こ
の本管７Ｂにおいて適宜混合され、供給管１８に供給さ
れる。

一方、パージ用ガス源４０からのガスは、管７０および
三方弁８１〜８８を介して管７１〜７８に供給され、６
管７１〜７８および木管７９を適宜パージする。６弁６
１〜８８．８１〜８８．９１〜９８および各マスフロー
コントローラ５１〜５８は後述するシステム制御コント
ローラによって制御されている。

第３図はシステム制御コントローラによる制御の種類と
制御のための入力情報を示す概念図である０図示される
ように、原料ガスの反応室内濃度、原料ガスの流量、各
室内の真空度、塩ｍ膜の膜厚、支持体（基板）温度、ガ
ス温度などの入力情報（′Ｉｓ定領）に基づいてシステ
ム制御コントローラによってバルブ開閉シーケンス制御
、ガス圧制御、ガス流量制御、光源／プラズマ制御、温
度制御（基板／ガス〕を行う。

ｉ４図はシステム制御コントローラの一構成例を示す、
第７図、第８図、第９図に示すようなシステム全体の動
作の手順は予め外部記憶装置としてのフロッピーディス
クドライバ１０３に記憶されており、これがＣＰＵ　１
０４内の内部メモリーに読みこまれる。１０５はＣＰＵ
　１０４からの指令により各バルブを駆動するドライバ
、１０８はマスフローコントローラインターフェイス、
１１１〜１１８４ｆインターフエイス１０Ｂを介してＣ
ＰＵ　１０４からの指令を受けて各マスフローコントロ
ーラを制御する制御ユニットである。なお、各マスフロ
ーコントローラ５１〜５８内の流量検出手段からの、各
管７１〜７Ｂ内を流れるガスの流量の測定値は、各ユニ
ット１１１−１１８およびインターフェイス１０６を介
してＣＰＩＪ　１０４に入力される。

１０？は光源制御インターフェイスであって、これを介
してのＣＰＵ１０４からの指令に基づいて光源２２が制
御される。１０８はプラズマ制御インターフェイスであ
って、これを介してのＣＰＵ　１０４からの指令に基づ
いて電源７が制御される。１０９は支持体ホルダに設け
た抵抗ヒータまたはＩＲ光源からなる温度制御装置であ
って、ＣＰＵ　１０４からの指令に基づいて支持体（基
板）の温度を制御する。

ヒータ２１も同様にＣＰＵ１０４によって制御される。

各要素の接続は例えばＩＥＥＥ　４８８バスによって行
われる。

以上のような構成において、まず光分解法を用いた単層
膜の堆積について第７図を参照して説明する。

まず、ステップＳｌにおいて１反応室ｌ内およびプラズ
マ室４内を真空にする。これは、次のようにして行う、
ストップバルブ１９．２０．２５および１５゜ゲートバ
ルブ３を閉じ、ストップバルブ１４．スロットルバルブ
１７．ゲートバルブ６および１３．バリアプルオリフィ
ス５を開き、排気装Ｍ８によって、反応室ｌ内およびプ
ラズマ室４内を１０＝Ｔｏｒｒ程度の真空度にする。な
お、このとき１反応室１内をヒータによってベーキング
してもよい。

次にステップＳ２において支持体としての基板を反応室
１内にセットする。すなわち、まず、前室２上部の蓋を
開けて、大気圧下の前室２内において、基板搬送機構２
３上に基板を載置し、ついで前室２上部の着を閉じ、ス
トップバルブ１Ｂを開けて排気装置１０によって前室２
内をｔｏ−７〜１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度にする。

ついでゲートバルブ３を開けて、基板搬送機構２３によ
って基板を前室２から反応室１内に搬送し、同室ｌ内の
基板ホルダ上にＭ、置し、再び基板搬送機構２３を前室
２内に戻し、ゲートバルブ３を閉じる。

次にステップＳ３において反応室ｌ内の基板を所定温度
に加熱する。なお、基板温度は通常１００〜５００℃、
好ましくは２００〜４０Ｇ　”Ｏに設定する（温度計１
０１の測定値を参照して温度制御する）。

次にステップＳ４において１反応室ｌ内に原料ガスを供
給する。すなわち、ス）−／ブバルブ２０を開けて、必
要とする少なくとも一種類の原料ガスをガス供給源３２
から反応室ｌ内に供給する。この際、ガス種の選択およ
びガス流量はガス供給源３２における該当するバルブの
制御ならびに該当するマスフローコントローラの制御お
よび流量検出値を参照することによって行うことがでさ
、また、ガス温度は必要に応じて温度計１００の測定値
を参照して、ヒータ２１を制御することによって行うこ
とができる。

次にステップＳ５において１反応室１内に供給される原
料ガスの流量（または圧力）が定常状態に達したかを判
断し、達した時点でステップＳＯにすすんで、光源２２
を動作させ、所定強度の光を反応室ｌ内に照射して、反
応室１内の反応ガスを光分解する。このとき、反応室１
は排気装置８または９によって排気されているので１反
応室１内の圧力は、原料ガスの供給量と排気量との差に
保たれる。

次にステップＳ７において、光照射が所定時間性われた
か否かを判断し、所定時間終了したときに、ステップＳ
８にすすんで光照射を止め、ついでステップＳ８におい
て反応室ｌ内への原料ガス供給を停止する。この一連の
動作を図示すると第５図のようになる。光照射によって
分解され、基板上に堆積する薄膜の膜厚はガスの種類、
ガス流量、ガス圧力、基板温度、光源の種類、光強度お
よび光照射時間に依存し、経験的に知られる量であるの
で、それらのパラメータを予めシステム制御コントロー
ラのＣＰｕ内のメモリに入力しておくことによって、所
望の膜厚の薄膜を作成することができる。特にｇ脱塩８
１量が光照射時間にほぼ比例するので、他の条件を変え
ずに光照射時間を変えることによって、数１０λ程度の
薄い膜でも制御性良く基板上に堆積させることができる
。

次にステップＳ１０において薄膜堆積後の基板をとり出
す、すなわち１反応室１内を再び１Ｏ−７Ｔｏｒｒ〜１
Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真空度にし、その後ゲートバルブ
３を開けて基板搬送機構２３により基板を前室２に戻し
、ゲートバルブ３を閉じ、この後、前室２を大気圧にも
どして、堆積膜のついた基板をとり出す。

次に第８図を参照して基板上に非結晶半導体多層膜を堆
積する手順について述べる。ここでは、例として水素化
アモルファスシリコンと水素化アモルファス窒化シリコ
ンとを交互に基板に積層する場合を考える０ｇＬ子サイ
ズ効果を実現させるために、それぞれの層の厚さを２０
人にするものとし、各５０層ずつ計１００層ｍｅするも
のとし、基板はシリコンウェハーを用いるものとする。

第８図に示すように、基板を反応室１内の所定の位置に
鐙き、）Ｈ１熱する過程（ステップＳ２１〜５２３）は
上述と同様である。

次にステップＳ２４において、反応室ｌ内に原料ガスを
供給する。使用する原料ガスはジシ５　ン（Ｓｉ２Ｈ６
）　＋水素（Ｈ２）およびアンモニア（ＮＨ３）の２種
類である。ガス温度は１００〜°２００℃とする。なお
、原料ガスの制御を第６図に従って説明する。まず、５
ｉ２ｈ　、およびＮＨ３をそれぞれのラインの最下流の
三方弁の開閉によってベントライン３０からガス供給管
１８偶に流れるようにして、これらを混合させてゆく、
このとき、ガスの混合比はそれぞれのラインのマスフロ
ーコントローラによって［ｆｔを制御することによって
可変とすることができる。ここでは、例えばＳ　ｉｚ　
Ｈ６を０．５！ＪＧＣＮ　、　　Ｈ２をＩＯＳＣＣＭ、
　ＮＨ３を５０ＳＣＣＭ流すものとする。

次にステップ５２５において、反応室１内に供給される
原料ガスの流量が定常状態に達したかを判断し、達した
時点でステップ３２Ｂにすすんで光源１例えば低圧水銀
灯の光を反応室ｌ内に１１時間だけ照射し、ステップ５
２７において基板上に２０λの水素化アモスファス窒化
シリコンが堆積し　　□たかを膜厚計の測定値に基づい
て判断する。２０人堆積したならば、ステップＳ２８に
すすみ、ＮＨ３のラインの最下流の三方弁をベントライ
ン９０の方に変更して原料ガスの中にＮ１（３が流れこ
まないようにする０次にステップＳ２９において、原料
ガス流量が定常状態に達したかを判断し、達していれば
、ステップ３３０にすすんで、光源光をｔ２時間照射し
、ステップＳ３１にすすんで、基板上に２０人の水素化
アモルファスシリコンが堆積したかを判断する（上記の
ｔ＋　、ｔ２の値は、予め単層膜を作製しておき、その
光照射時間と堆積した膜厚とから比例計算によって求め
ることができる）、２０人に達したならば、ステップＳ
３２にすすみ、薄膜積層数が１００かを判断する。１０
０であればステップＳ３３にすすみ、１００でなければ
ステップＳ２４に戻り、２０人の水素化アモスファス窒
化シリコンを堆積゛させ、さらにその１に２０人の水素
化アモスファスシリコンを堆積させる。

そして、ステップＳ３２において薄膜積層数が１００に
達したならば、ステップ３３３にすすんで反応室１内へ
の原料ガスの供給を停止する０次にステップＳ３４にす
すんで、前述と同様にして、薄膜堆積後の基板をとり出
す（第６図参照）。

以上のように、基板上に所望の非結晶半導体多層膜を目
動的に作製することができる。

本発明の特長の一つは、流量コントロール、ガス温合、
温度ｍ節および上記の一連の操作をすべてシステム制御
コントローラによって自動的に行う点にあり、多層膜の
各層の厚さも正確に制御できることである。

ここでは１例として水素化アモスファスシリコンおよび
水素化アモスファス窒化シリコンを用いた多層膜の作製
をあげたが、さらに多種類のガスを用いる場合あるいは
３種類以上の異なる堆積膜を８Ｎ層する場合の手続きも
上記同様である。

次に、第９図を参照して、光分解ではなく、プラズマ室
４内で発生させたラジカル種を用いて、反応室ｌ内の原
料ガスを分解し、基板上に、非結晶半導体薄膜を堆積さ
せる手順について述べる。

基板を反応室１内に定置し、−堆積させる膜に応じて適
当な混合比を持った原料ガスを反応室１内に供給し、反
応室ｌ内に供給されるガスが定常状態に達したかを判断
する工程（ステップ３４１〜Ｓ４５〕は前述と同様であ
る。

ステップＳ４５において反応室１内に供給される原料ガ
スが定常状態に達したならば、ステップ５４Ｂにすすん
でプラズマ室４内で発生したラジカル種をゲートバルブ
５およびバリアプルオリフィス６を通して反応室１内に
拡散させる。なお、プラズマ室４内においてプラズマを
発生させるには、プラズマ室４に、例えばＡｒ、Ｈ２）
ＣＦ４などの反応ガスを、ガス供給管２４を通して送り
こみ、プラズマ室４内にＲＦまたはマイクロ波の電源７
からパワーを供給し、プラズマ室４内で放電させる。

これによってプラズマ室４内で発生した長寿命のラジカ
ル種をゲートバルブ５およびバリアプルオリフィスＢを
通して反応室ｌに拡散させることができる。この際、イ
オン種はプラズマ室４内の放電極に吸引され、したがっ
て、中性のラジカル種のみをとり出すことができる。そ
して、反応室ｌ内にガス供給管１８から供給された原料
ガスはラジカル種の持つエネルギで分解され、基板上に
堆積される。イオン種でなく、ラジカル種によろて原料
ガスを分解するので、堆積膜の表面を荒らすことがない
、ラジカル種の流れはゲートバルブ５およびバリアプル
オリフィス６を用いて調節する。

次にステップＳ４７において基板上に所定厚の堆積膜が
形成されたかを判断する。所定厚に堆積膜が形成された
ときは、ステップ３４８において反応室１内への原料ガ
スおよびラジカル種の供給を停止し、ステップＳ４９に
すすんで、前記同様に基板をとり出す。

なお、前述の光源光とプラズマ室４内の放電とを併用す
ることもできる。

前記実施例中、光分解によって基板上に堆積膜を作成す
る際に、！！Ｘ料ガスを直接１反応室１に供給するので
なく、ストー／プバルブ１９．プラズマ室４、ゲートバ
ルブ５．バリアプルオリフィス６を通して供給すること
により、当該原料ガスの流れを層流にして均一なものに
することもできる。

また、反応室ｌの光入射窓上にも膜が堆積して、光の透
過率を下げるようなことがあっても、そのような場合に
は、プラズマ室４内でエツチング性の反応ガスを放電さ
せることにより、放電生成物をゲートバルブ５およびバ
リアプルオリフィスを通して反応室１に流入させて、窓
の内面をエツチングすることも可能であるし、また、反
応室１内に直接、エツチング性のガスを導入し、光源２
２を用いた光エツチング反応を起こさせて窓の内面をエ
ツチングすることも可能である。

また、前記実施例中、水素化アモルファスシリコンと水
素アモルファス窒化シリコンの多層薄膜を作製する際に
、ｉ６図に示したように反応ガスの一部、すなわちここ
では５ｉ２ＨｂとＨ２とを連続的に流し、ＮＨ３だけを
Ｎｒ＆ｉ的に流した場合について説明したが、すべての
反応ガスを断続的に流し、混合ガスの流れを制御するこ
とができるのは言うまでもない、さらに本発明では、非
結晶半導体、　絶縁体および金属からなる多層膜を作製
することもでき、本発明は、堆積する膜の種類を問わな
い。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、支持体上に非結
晶半導体多層薄膜を作成するに際して、原料ガスをグロ
ー放電中で分解するのでなく、光分解することまたはグ
ロー放電からとり出したラジカル種を用いて分解するこ
とによって、多層膜の各層間の界面を荒らすことなく高
品質の膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる堆積膜形成装置の一実施例の構
成を示す図、 第２図は原料ガスの供給源の構成を示す図、第３図はシ
ステム制御コントローラによる制御の種類と制御のため
の入力情報とを示す概念図＼ 第４図はシステム制御コントローラの一構成例を示す図
、 第５図および第６図は原料ガスの供給と光照射との関係
を示す図、 第７図、第８図および第９図は本発明による膜堆積手順
の例を示す図である。 ！・・・反応室。 ２・・・前室、 ３．５．１３・・・ゲートバルブ、 ４・・・プラズマ室、 ６・・・バリアプルオリフィス、 ７・・・ＲＦ定電源たはマイクロ波電源、８．９．１０
・・・排気装置。 １１．１２・・・排気管、 １４．１５．１８・・・ストップバルブ、　　　　　　
　　　　　　　　　　′１７・・・スロットルバルブ、 １８．２４・・・反応ガス供給管、 １９．２０・・・ストップバルブ、 ３２．３５・・・ガス供給源、 ２１・・・ヒータ、 ２２・・・光源、 ２３・・・基板搬送機構、 ３２．３５・・・ガス供給源、 ３Ｂ、３７．３８・・・真空計、 ３９・・・質量分析計、 １００．１０１・・・温度計、 １０２・・・膜厚計。 第３図 第５図　−０間 第６図　　−昨明

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）反応室と、 該反応室内に設置された基板を加熱する加熱手段と、 該反応室内に原料ガスを導入するための原料ガス導入手
   段と、 前記反応室内において前記加熱手段によって加熱された
   前記基板上に堆積膜を形成するように当該反応室内の原
   料ガスを分解する分解手段とを具えたことを特徴とする
   堆積膜形成装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の堆積膜形成装置におい
   て、 前記ガス導入手段は、２種類以上のガスを交互にかつ断
   続的に前記反応室に導入する手段を有することを特徴と
   する堆積膜形成装置。 ３）特許請求の範囲第１項記載の堆積膜形成装置におい
   て、 前記分解手段は、少なくとも１種類の光を前記反応室内
   に照射して原料ガスを分解する 光源を有することを特徴とする堆積膜形成装置。 ４）特許請求の範囲第１項記載の堆積膜形成装置におい
   て、 前記反応室は、基板を導入するための前室を連接し、該
   前室との間に基板を搬送する搬送機構を有することを特
   徴とする堆積膜形成装置。 ５）特許請求の範囲第１項記載の堆積膜形成装置におい
   て、 前記分解手段は、前記反応室に連通したプラズマ室を有
   し、該プラズマ室内で発生したラジカル種を前記反応室
   内に導いて原料ガスを分解することを特徴とする堆積膜
   形成装置。 ６）特許請求の範囲第１項記載の堆積膜形成装置におい
   て、 前記原料ガス導入手段および前記分解手段は、システム
   制御コントローラによって予め設定されたタイミングに
   従って制御されることを特徴とする堆積膜形成装置。 ７）特許請求の範囲第６項記載の堆積膜形成装置におい
   て、 前記反応室は当該反応室内のガスの質量を分析する質量
   分析手段を接続し、前記コントローラは前記質量分析手
   段の分析値に基づいて前記原料ガス導入手段および前記
   分解手段を制御することを特徴とする堆積膜形成装置。 ８）特許請求の範囲第６項記載の堆積膜形成装置におい
   て、 前記反応室は当該反応室内の真空度を測定する真空度測
   定手段を接続し、前記コントローラは前記真空度測定手
   段の測定値に基づいて前記原料ガス導入手段および前記
   分解手段を制御することを特徴とする堆積膜形成装置。 ９）特許請求の範囲第８項記載の堆積膜形成装置におい
   て、 前記反応室は当該反応室内において基板に堆積した膜の
   厚さを測定する膜厚測定手段を有し、前記コントローラ
   は前記膜厚測定手段の測定値に基づいて前記原料ガス導
   入手段および前記分解手段を制御することを特徴とする
   堆積膜形成装置。 １０）特許請求の範囲第１項〜第９項のいずれかに記載
   の堆積膜形成装置において、 前記原料ガス導入手段は前記反応室内に導入する原料ガ
   スを加熱する加熱手段を有することを特徴とする堆積膜
   形成装置。