JPS58126973A - 薄膜形成用ソ−ス供給装置 - Google Patents
薄膜形成用ソ−ス供給装置Info
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- JPS58126973A JPS58126973A JP762482A JP762482A JPS58126973A JP S58126973 A JPS58126973 A JP S58126973A JP 762482 A JP762482 A JP 762482A JP 762482 A JP762482 A JP 762482A JP S58126973 A JPS58126973 A JP S58126973A
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- Japan
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- gas
- temperature
- heating
- heated
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＯＶ Ｄ （Ｏｈ＠１ｌｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏ −ａｌｔＬｏｎ ）法による金属薄ＩＮ
あるいは金属化合物薄膜形成用のソース供給装置に関す
るものであって、特にソースｒ加熱置体で加熱してガス
化することにより、反応室へガス化されたソースを安定
して供給する装置に関するものである。
ｒ Ｄｅｐｏ −ａｌｔＬｏｎ ）法による金属薄ＩＮ
あるいは金属化合物薄膜形成用のソース供給装置に関す
るものであって、特にソースｒ加熱置体で加熱してガス
化することにより、反応室へガス化されたソースを安定
して供給する装置に関するものである。
一般に、千導体装ｗＬＶＣ使用する高融点金属（Ｔ１゜
ＭＯ，Ｔａ、Ｗなど）を用りてウェハ上に薄膜を形成す
る方法の１つとして、ＯＶＤ法か用いられている。−一
点金属博換のＯＶＤ法による形成は、促米から千勢体に
用いられて米たｓ ｉｏ倉躾の形成と異なり、反応ソー
スか呈温では一般に固体でるす、反応ソースとして反応
案へ供給するためＶＣにこの固体ソースｒ７１０熱して
発生するガスｒ利柑することが必登である。この際、発
生するガスのガス圧は固体ソースの温度と密接な関係に
あり、かつ、ガス圧は温健に極めて敏感である。
ＭＯ，Ｔａ、Ｗなど）を用りてウェハ上に薄膜を形成す
る方法の１つとして、ＯＶＤ法か用いられている。−一
点金属博換のＯＶＤ法による形成は、促米から千勢体に
用いられて米たｓ ｉｏ倉躾の形成と異なり、反応ソー
スか呈温では一般に固体でるす、反応ソースとして反応
案へ供給するためＶＣにこの固体ソースｒ７１０熱して
発生するガスｒ利柑することが必登である。この際、発
生するガスのガス圧は固体ソースの温度と密接な関係に
あり、かつ、ガス圧は温健に極めて敏感である。
−列として、Ｔ Ｉ Ｑ １４、’ｒａａｘ、、Ｍ Ｑ
（！ １．の温度と、蒸気圧の関係留水せば次の通り
である。
（！ １．の温度と、蒸気圧の関係留水せば次の通り
である。
飼えば、ＭＯ＠の形成は一般に、
２Ｍ ｏ Ｏ１５＋５Ｈ＊→２ＭＯ＋１０ＨＯ７のよう
な反応で、ＭＯかウェハ上に析出する。この際、ＭＯ膜
のデボレートは、ＭＱＱＩＳの供給１で決まる。したか
つて、ＭＯ＠のデボシー１−制伽するためＶＣは、ＭＱ
ＯＩ、の供給量ｋＩＩ′ＩＪ御する必賢かめる０このｍ
ｏ□ｘ、の供給は、固体ンースｒ７１１１ 険して、発
生するカス状のＭＯＣ１５として反応室に供給する方法
か採用されており、し九がって、ＭｏｏｌＢのガス圧を
制御することかｍ＊となる。
な反応で、ＭＯかウェハ上に析出する。この際、ＭＯ膜
のデボレートは、ＭＱＱＩＳの供給１で決まる。したか
つて、ＭＯ＠のデボシー１−制伽するためＶＣは、ＭＱ
ＯＩ、の供給量ｋＩＩ′ＩＪ御する必賢かめる０このｍ
ｏ□ｘ、の供給は、固体ンースｒ７１１１ 険して、発
生するカス状のＭＯＣ１５として反応室に供給する方法
か採用されており、し九がって、ＭｏｏｌＢのガス圧を
制御することかｍ＊となる。
このＭｏ（３１５のガス圧は温度と蒸気圧の関係かられ
かるように、温度依存性か大きく、ガス圧ｋｎ４度よく
制御する皮めには、固体ソース温匿會楕匿よく保つ必要
かめることがわかる。
かるように、温度依存性か大きく、ガス圧ｋｎ４度よく
制御する皮めには、固体ソース温匿會楕匿よく保つ必要
かめることがわかる。
そこで、従来、固体ソースからガス化され友ソース倉反
応室へ供給する方式としては、赤外ランプ加熱方式やヒ
ーター加熱方式か用いられている。
応室へ供給する方式としては、赤外ランプ加熱方式やヒ
ーター加熱方式か用いられている。
一般に、固体ソースを加熱し、ガス化して反応室へ反応
ソースｒ供給する場合、その供給量のコントロールは反
応速ｆｔ制御する上で極めて１費である。ところか、従
来用いられていた加熱方式（赤外ランプ加熱方式、ヒー
ター加熱方式）では次のような間Ｍ点かめる。
ソースｒ供給する場合、その供給量のコントロールは反
応速ｆｔ制御する上で極めて１費である。ところか、従
来用いられていた加熱方式（赤外ランプ加熱方式、ヒー
ター加熱方式）では次のような間Ｍ点かめる。
＋１１ 加熱か固体ソーヌｒ入ＩＬ′ｆｃ石英管など
の外部からなさｎる几め、固体ソースのかたまりの外部
と内部の謳鍵差か大きくなりやすく、固体ソースからの
Ａ発重かｆｌ［ｌし中子い。
の外部からなさｎる几め、固体ソースのかたまりの外部
と内部の謳鍵差か大きくなりやすく、固体ソースからの
Ａ発重かｆｌ［ｌし中子い。
（２） ＯＮ −ＯＦ Ｆ による湯度制御範囲が大
きく、固体ソースからの蒸発量の時間的変動か大きい。
きく、固体ソースからの蒸発量の時間的変動か大きい。
（３）外部からの力１］Ｍのため、固体ソースの温度上
昇か遅く、ソース供給量の制御が悪い。
昇か遅く、ソース供給量の制御が悪い。
不発明の目的は、前記従来技術の欠点倉隋し、ＣＶＤ法
による金属ｇ！あるいは金属化合吻薄膜形成のため１反
応ソースを安定して供給でき、加熱温度の制御性や安定
性を同上さゼることかできる薄膜形成用ソース供給装置
ｋ提供することにある。
による金属ｇ！あるいは金属化合吻薄膜形成のため１反
応ソースを安定して供給でき、加熱温度の制御性や安定
性を同上さゼることかできる薄膜形成用ソース供給装置
ｋ提供することにある。
この目的ｒ達成するため、本発明は、一体筒たは液体の
ソース？加熱ｔＡＥ体で加熱してガス化爆ぜて反応炉に
供給するよう構成し几ものである。
ソース？加熱ｔＡＥ体で加熱してガス化爆ぜて反応炉に
供給するよう構成し几ものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたかつて詳細に１
明する。
明する。
第１図は本発明による薄膜形成用ガス倶紺装崖の一央厖
例ｒ示す歎略祝明図でろる。
例ｒ示す歎略祝明図でろる。
本実ゐり０において、たとえばＭＱＱＩ、の卯き固体ソ
ースｌは固体ソース谷−２中に設けられた２孔Ｃ）あい
た固体ソース沫愕板ｊの上にのゼらハている。
ースｌは固体ソース谷−２中に設けられた２孔Ｃ）あい
た固体ソース沫愕板ｊの上にのゼらハている。
本実施−１ｆｉ、固体ソー７１を不活性ガス４で直接加
糖してカス化させるものであり、不活性ガス４は不活性
ガス供給管５の周囲に配電されたガス那熱甲ヒータ６に
より所望の温度に加熱される。
糖してカス化させるものであり、不活性ガス４は不活性
ガス供給管５の周囲に配電されたガス那熱甲ヒータ６に
より所望の温度に加熱される。
このｍｆの制御のため、不活性ガス４の１ｉｌｆ’に検
出する白度計７か不活性ガス供給管５ｖｃＢけられてい
る。温度計７で検出された不活性ガス４の潟髪が所望の
温度と異々ると′＠は、ガスの加熱用ヒータ６の制御部
にフィードバックされ、７９Ｆ望のガス温度になるよう
制御される。加船され次第活性ガスは、不活性ガス供給
管５から固体ソース容器３１Ｃ入り、固体ソース医持板
３の孔から固体ソー７１の隙間？通過する。それにより
固体ソース１はガス化し、不活性ガスとガス化した固体
ソースの重台ガス８か固体ソース容器２から混合カス供
都′ｔｉｔ９忙経て反応室１０へｇＣ，鞄される。
出する白度計７か不活性ガス供給管５ｖｃＢけられてい
る。温度計７で検出された不活性ガス４の潟髪が所望の
温度と異々ると′＠は、ガスの加熱用ヒータ６の制御部
にフィードバックされ、７９Ｆ望のガス温度になるよう
制御される。加船され次第活性ガスは、不活性ガス供給
管５から固体ソース容器３１Ｃ入り、固体ソース医持板
３の孔から固体ソー７１の隙間？通過する。それにより
固体ソース１はガス化し、不活性ガスとガス化した固体
ソースの重台ガス８か固体ソース容器２から混合カス供
都′ｔｉｔ９忙経て反応室１０へｇＣ，鞄される。
固体ソースとして’０Ｃ１ｓ’を用いた場合、一般的に
は不活性カスの副度は３８０〜４６０’に根皺か艮い。
は不活性カスの副度は３８０〜４６０’に根皺か艮い。
筐友、固体ソース各々のｎＩ造としては、纂２図に示す
ような構造のものでもよい。第２図の場合に比べ、固体
ソース１はソース保持筒１１の壁ｒ通して加熱されるた
めｇＡ度上昇かやや遅くなるが、不活性ガス１か固体ソ
ース１ｔ−下方から吹き上げることかないので、固体ソ
ース１が飛散することか少ないという利点がある。
ような構造のものでもよい。第２図の場合に比べ、固体
ソース１はソース保持筒１１の壁ｒ通して加熱されるた
めｇＡ度上昇かやや遅くなるが、不活性ガス１か固体ソ
ース１ｔ−下方から吹き上げることかないので、固体ソ
ース１が飛散することか少ないという利点がある。
さらに、第３図に示すり［Ｍｌのように、固体ソース容
器２ｒ貫通した加熱流体供給用蛇ｔ１２に設轄、この中
に、加熱されたガス、または加熱され友液体よりなる加
熱流体１３に通すことらより固体ソース容器２内の固体
ソースｌ【加熱し、該固体ソー７１をガス化して反応炉
１０の中に供給してもよい。なお、加熱流体１３として
用いられるカスは不活性ガスでなくてもよく、液体は油
や水等を含む。
器２ｒ貫通した加熱流体供給用蛇ｔ１２に設轄、この中
に、加熱されたガス、または加熱され友液体よりなる加
熱流体１３に通すことらより固体ソース容器２内の固体
ソースｌ【加熱し、該固体ソー７１をガス化して反応炉
１０の中に供給してもよい。なお、加熱流体１３として
用いられるカスは不活性ガスでなくてもよく、液体は油
や水等を含む。
前記し友実施例では、固体ソースについて本発明ｒ説明
して米たが、蒸発しにくい液体ソース（友とえば、Ｔｉ
（３１，などのように、重量でｒｔ液体であるか、加熱
しな込と十分な蒸発重か得られないようなソース）の加
熱方式としても、本発明に＊ｅＪＫ適用することかでき
る。
して米たが、蒸発しにくい液体ソース（友とえば、Ｔｉ
（３１，などのように、重量でｒｔ液体であるか、加熱
しな込と十分な蒸発重か得られないようなソース）の加
熱方式としても、本発明に＊ｅＪＫ適用することかでき
る。
以上説明したように、本発明によれば、ソースの加熱温
度の安定性とｉ１度上昇温度の高速化が連成でき、固体
ｔたは接体のソースからガス化され几反応ソースｒ反応
塞へ安定して供給することができる。
度の安定性とｉ１度上昇温度の高速化が連成でき、固体
ｔたは接体のソースからガス化され几反応ソースｒ反応
塞へ安定して供給することができる。
第１図は本発明による薄膜形成相ソース供給装置の一実
施的の概略説明図、第２図は本発明の第２実ｍガの蟹略
説明図、第３図は本発明の第３実施的の概略説明図であ
る。 １・・・固体ソース、２・・・固体ソース容器、３・・
・孔付きの固体ソース保持板、番・・・不活性ガス、５
・・・不活性ガス供給管、６・・・ガス加熱用ヒータ、
７・・・１１５１針、８・・・混合ガス、９・・・混合
ガス供給管、１０・・・反応墓、１１・・・ソース保持
筒、１２・・・加熱大体供給用蛇管、１３・・・加熱流
体。
施的の概略説明図、第２図は本発明の第２実ｍガの蟹略
説明図、第３図は本発明の第３実施的の概略説明図であ
る。 １・・・固体ソース、２・・・固体ソース容器、３・・
・孔付きの固体ソース保持板、番・・・不活性ガス、５
・・・不活性ガス供給管、６・・・ガス加熱用ヒータ、
７・・・１１５１針、８・・・混合ガス、９・・・混合
ガス供給管、１０・・・反応墓、１１・・・ソース保持
筒、１２・・・加熱大体供給用蛇管、１３・・・加熱流
体。
Claims (1)
- ＯＶＤ法による金属薄膜あるいは金属化合物薄膜の形成
装置において、ソースを加１ｍ！Ｉｆｉ体で加熱してガ
ス化させて反応室に供給するととｔ−特徴とする薄膜形
成用ソース供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP762482A JPS58126973A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜形成用ソ−ス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP762482A JPS58126973A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜形成用ソ−ス供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58126973A true JPS58126973A (ja) | 1983-07-28 |
Family
ID=11670972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP762482A Pending JPS58126973A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 薄膜形成用ソ−ス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58126973A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0152668A2 (en) * | 1984-02-17 | 1985-08-28 | Stauffer Chemical Company | High vacuum deposition processes employing a continuous pnictide delivery system |
| EP0152669A2 (en) * | 1984-02-17 | 1985-08-28 | Stauffer Chemical Company | Continuous pnictide source and delivery system for film deposition, particularly by chemical vapour deposition |
| EP0153526A2 (en) * | 1984-02-17 | 1985-09-04 | Stauffer Chemical Company | Vacuum deposition processes employing a continuous pnictide delivery system, particularly sputtering |
| JPS6222420A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
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| KR100767296B1 (ko) | 2006-01-16 | 2007-10-17 | 주식회사 테라세미콘 | 화학기상증착장치의 소스파우더 공급장치 |
| KR100773567B1 (ko) | 2006-07-06 | 2007-11-07 | 세메스 주식회사 | 증착물질 공급 장치 |
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| US10385452B2 (en) | 2012-05-31 | 2019-08-20 | Entegris, Inc. | Source reagent-based delivery of fluid with high material flux for batch deposition |
| US10895010B2 (en) | 2006-08-31 | 2021-01-19 | Entegris, Inc. | Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP762482A patent/JPS58126973A/ja active Pending
Cited By (21)
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| US9469898B2 (en) | 2002-07-23 | 2016-10-18 | Entegris, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US9004462B2 (en) | 2002-07-23 | 2015-04-14 | Entegris, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US7300038B2 (en) | 2002-07-23 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US6921062B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
| US7487956B2 (en) | 2002-07-23 | 2009-02-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US7556244B2 (en) | 2002-07-23 | 2009-07-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US7437060B2 (en) | 2003-07-23 | 2008-10-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material |
| JP2008501507A (ja) * | 2004-06-01 | 2008-01-24 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
| JP2013049926A (ja) * | 2004-06-01 | 2013-03-14 | Advanced Technology Materials Inc | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
| WO2005118119A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| KR100767296B1 (ko) | 2006-01-16 | 2007-10-17 | 주식회사 테라세미콘 | 화학기상증착장치의 소스파우더 공급장치 |
| KR100773567B1 (ko) | 2006-07-06 | 2007-11-07 | 세메스 주식회사 | 증착물질 공급 장치 |
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