JP2013049926A - ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 - Google Patents

ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2013049926A
JP2013049926A JP2012262401A JP2012262401A JP2013049926A JP 2013049926 A JP2013049926 A JP 2013049926A JP 2012262401 A JP2012262401 A JP 2012262401A JP 2012262401 A JP2012262401 A JP 2012262401A JP 2013049926 A JP2013049926 A JP 2013049926A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
gas
help
holder
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012262401A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013049926A5 (ja
Inventor
John Gregg
グレッグ,ジョン
Scott Battle
バトル,スコット
Jeffrey I Banton
バントン,ジェフリー,アイ.
Donn Naito
ナイト,ドン
Ravi K Laxman
ラックスマン,ラビ,ケイ.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Technology Materials Inc
Original Assignee
Advanced Technology Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Technology Materials Inc filed Critical Advanced Technology Materials Inc
Publication of JP2013049926A publication Critical patent/JP2013049926A/ja
Publication of JP2013049926A5 publication Critical patent/JP2013049926A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/20Mixing gases with liquids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S261/00Gas and liquid contact apparatus
    • Y10S261/65Vaporizers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】ガスと蒸発材料との接触を促進する方法及び装置を提供する。
【解決手段】蒸発器(110)から蒸発器(110)に結合された処理設備(120)に所望のガスを送出するシステム(100)を含む、ガスと蒸発材料との接触を強化する装置及び方法。蒸発器(110)が、材料を蒸発させ、蒸発器(110)に結合されたガス源(130)からガスを受けとり、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを処理設備(120)に送出するのを助ける。蒸発器(110)が、受けとられたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるために、蒸発すべき材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、蒸発すべき材料を支える。蒸発器(110)が、受けとられたガスと蒸発材料との接触を促進することにより、比較的より高い流量で、得られたガスを処理設備(120)に送出するのに使用されることがある。
【選択図】図1

Description

関連出願の相互参照
本特許出願は、「蒸発器送出アンプル(VAPORIZER DELIVERY AMPOULE)」と題された、米国特許出願第10/201,518号明細書(2002年7月23日出願)の一部継続出願である。米国特許出願第10/201,518号明細書は、参照により本明細書に組み込まれている。
技術分野
この特許出願に記述した1つ以上の実施形態は、蒸発器の分野に関するものである。
背景
蒸発器が、たとえば、工作物全体に薄膜を形成させる化学気相成長法(CVD)設備、又は工作物内に噴射するために工作物の方にイオンを加速させるイオン注入機などの、半導体処理設備の処理槽にキャリヤガス内の材料を送出するのに使用されることがある。
噴水機器と呼ばれる1つの蒸発器が、容器内の液体材料を加熱し、容器の底部近くの液体材料内に制御された速度でキャリヤガスを導入することにより、液体状態の材料から処理槽に蒸気を送出する。次いで、キャリヤガスは、容器の上部まで泡立つと、液体材料からの蒸気で飽和する。次いで、飽和したキャリヤガスは処理槽に運ばれる。
材料をその昇華温度まで加熱し、キャリヤガスをその加熱された材料を流れるよう方向付けることにより、固体状態の材料からの蒸気が、処理槽に送出されることがある。
概要
少なくとも1つの開示されている装置が、容器と、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるのを助けるための構造とを有する。少なくとも1つの開示されている装置の構造が、材料が構造に置かれている時と同じ形態で材料が蒸発するよう支えるのを助けることがある。
少なくとも1つの開示されている装置が、容器と、原子層堆積法(ALD)処理設備に送出すためにガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるのを助けるための構造とを有する。
少なくとも1つの開示されている装置が、容器と、ガスと蒸発した液体材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する容器内の液体材料を支えるのを助けるための構造とを有する。
少なくとも1つの開示されている装置が、容器と、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるのを助けるための支持面を画定する1つ以上のホルダとを有する。少なくとも1つの開示されている装置用のホルダが、ホルダを通るガス流用の通路を画定するのを助けるよう、ホルダの支持面を通る開口部の周囲の少なくとも一部分に沿って1つ以上の側壁を有することがある。
少なくとも1つの開示されている装置が、容器と、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるのを助けるための支持面を画定する1つ以上のホルダとを有する。少なくとも1つの開示されている装置用のホルダが、1つ以上の壁と、ガスがホルダを通って流れることができるようにするための、1つ以上の壁内の1つ以上の通路とを有することがある。
少なくとも1つの開示されている装置が、容器と、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるのを助けるための支持面を画定する1つ以上のホルダとを有する。少なくとも1つの開示されている装置のホルダが、その少なくとも一部分がこの中をガスが流れる少なくとも一部分浸透性の材料の上にある、支持面を画定することがある。
少なくとも1つの開示されている方法が、容器内の材料が蒸発するのを助けるよう容器を加熱することと、ガスを容器内に導入することと、導入されたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを処理設備に送出することとを含む。少なくとも1つの開示されている方法のための容器は、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるのを助けるための構造を有することがある。少なくとも1つの開示されている方法のための構造は、材料が構造に置かれている時と同じ形態で材料が蒸発するよう支えるのを助けることがある。
少なくとも1つの開示されている方法が、容器内の材料が蒸発するのを助けるよう容器を加熱することと、ガスを容器内に導入することと、導入されたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを原子層堆積法処理設備に送出することと、送出されたガスを使用して原子層堆積法を実施することとを含む。少なくとも1つの開示されている方法のための容器は、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるのを助けるための構造を有することがある。
添付図面に1つ以上の実施形態を例として示しているが、これは、限定的なものではない。なお、同様の要素には同様の参照符合が付されている。
図面の簡単な説明
1つ以上の実施形態について、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける蒸発器を使用するシステムを示す図である。 1つ以上の実施形態について、図1のシステム内のガス送出を示す流れ図である。 一例の実施形態について、ガスとホルダによって支えられた材料からの蒸気との接触を促進するのを助けるための、ホルダを備えた蒸発器の容器を示す透視分解図である。 一例の実施形態について、ホルダを示す透視図である。 一例の実施形態について、別のホルダの上に位置決めされたホルダを示す横断面図である。 別の例の実施形態について、別のホルダの上に位置決めされたホルダを示す透視分解組立図である。 別の例の実施形態について、別のホルダの上に位置決めされたホルダを示す透視分解組立図である。 別の例の実施形態について、ホルダを示す透視図である。 1つ以上の実施形態について、図3の蒸発器の容器を使用するシステムを示す図である。
詳細な説明
図1は、1つ以上の実施形態について、蒸発器110から蒸発器110に結合された処理設備120に所望のガスを送出するシステム100を示している。蒸発器110は、材料を蒸発させ、蒸発器110に結合されたガス源130からガスを受けとり、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを処理設備120に送出するのを助ける。蒸発器110は、受けとられたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう、蒸発すべき材料の露出表面積を増加させるのを助けるために、蒸発すべき材料を支える。
受けとられたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けることにより、1つ以上の実施形態の蒸発器110が、比較的より高い流量で、得られたガスを処理設備120に送出するのを助けるよう使用されることがある。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、図2の流れ図200に従って、所望のガスを処理設備120に送出するのに使用されることがある。
図2のブロック202について、蒸発すべき材料が、蒸発すべき材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、蒸発器110の容器内で支えられる。
蒸発器110が、任意の好適な1つ以上の状態で及び/又は任意の好適な1つ以上の形態で、任意の好適な材料を蒸発させるよう使用されることがある。1つ以上の実施形態の蒸発すべき材料は、少なくともある程度、たとえば、処理設備120によって実施されるプロセス又は操作に依存することがある。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、固体状態の任意の好適な材料を蒸発させるよう使用されることがある。1つ以上の実施形態の蒸発器110が、たとえば約20℃〜約300℃の範囲内の昇華温度及びたとえば約10−2トル〜約10トルの範囲内の蒸気圧によって特徴づけられる、任意の好適な固体材料を蒸発させるよう使用されることがある。蒸発器110が、たとえば、ホウ素(B)、亜リン酸(P)、銅(Cu)、ガリウム(Ga)、ヒ素(As)、ルテニウム(Ru)、インジウム(In)、アンチモン(Sb)、ランタン(La)、タンタル(Ta)、イリジウム(Ir)、デカボラン(B1014)、四塩化ハフニウム(HfCl)、四塩化ジルコニウム(ZrC14)、三塩化インジウム(InCl)、有機金属β-ジケトネート複合体、シクロペンタジエニルシクロヘプタトリエニルチタン(CpTiChT)、三塩化アルミニウム(A1Cl)、ヨウ化チタン(Ti)、シクロオクタテトラエンシクロペンタジエニルチタン((Cot)(Cp)Ti)、ビス(シクロペンタジエニル)チタンジアジド、タングステンカルボニル(W(CO))、ビス(シクロペンタジエニル)ルテニウム(II)(Ru(Cp))、及び/又は三塩化ルテニウム(RuCl)を有する、任意の好適な材料を蒸発させるよう使用されることがある。蒸発器110が、たとえば、粉末、凝集粒子、1つ以上の結晶体、及び/又は薄膜などの、任意の好適な形態の任意の好適な固体材料を蒸発させるよう使用されることがある。結晶体が、たとえば、板、レンガ、又は平円板形状などの、任意の好適な大きさ及び形状を有することがある。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、液体状態の任意の好適な材料を蒸発させるよう使用されることがある。蒸発器110が、たとえば、第3アミリミドトリス(ジメチルアミド)タンタル(タイマータ)、テトラキス(ジエチルアミド)チタン(TDEAT)、テトラキス(ジメチルアミド)チタン(TDMAT)、五リン酸ジメチルアミドタンタル(PDMAT)、タンタルペンタエトキシド(TAETO)、及びビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム(II)(Ru(EtCp))を有する、任意の好適な材料を蒸発させるよう使用されることがある。1つ以上の実施形態の蒸発器110が、材料を蒸発させる前に、固体状態の任意の好適な材料を液体状態まで加熱するのに使用されることがある。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、任意の好適な状態及び/又は形態の、2つ以上の互いに異なる物質を有する任意の好適な材料を蒸発させるよう使用されることがある。
蒸発器110が、材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、任意の好適な方法で任意の好適な容器内の蒸発すべき材料を支えるのを助けるために、任意の好適な構造を有することがある。構造は、任意の好適な方法で任意の好適な容器内に、画定される、位置決めされる、及び/又は結合されることがある。1つ以上の実施形態の構造は、構造が存在しない容器内にある、材料が有し得る最大露出表面積に対して材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、容器内の材料を支えるのを助けることがある。
1つ以上の実施形態の構造は、材料が構造に置かれている時と同じ形態で蒸発するよう、任意の好適な材料を支えるのを助けることがある。このようにして、1つ以上の実施形態の蒸発すべき材料が、手動で又は自動的に構造に置かれ、このような材料のさらなる準備又は調整なしで蒸発することがある。一例として、任意の好適な液体材料が、構造に置かれ、まだ液体形態である間に蒸発することがある。別の例として、たとえば、粉末、凝集粒子、及び/又は1つ以上の結晶体などの、任意の好適な形態の任意の好適な固体材料が、構造に置かれ、まだ同じ形態である間に蒸発することがある。
1つ以上の実施形態の構造は、増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるのを助けるための1つ以上の材料支持面を、任意の好適な方法で画定することがある。1つ以上の実施形態の構造は、容器の内部領域の底面に加えて、容器の内部領域内の1つ以上の材料支持面を、任意の好適な方法で画定することがある。1つ以上の実施形態の構造は、容器の内部領域内で、容器の内部領域の底面の表面積より大きい総表面積を有する1つ以上の材料支持面を画定することがある。1つ以上の実施形態の構造は、容器内の異なるレベルで、複数の材料支持面を画定することがある。1つ以上の実施形態の構造は、容器内の異なるレベルにまたがる1つ以上の材料支持面を画定することがある。1つ以上の実施形態の構造は、任意の好適な形状又は輪郭の、1つ以上の材料支持面を画定することがある。1つ以上の実施形態の構造は、1つ以上のほぼ平面の材料支持面を画定することがある。1つ以上の実施形態の構造は、1つ以上の材料支持面を画定するための、一体型の本体を有することがある。1つ以上の実施形態の構造は、1つ以上の材料支持面を画定するための複数の本体を有することがある。
蒸発すべき材料が、たとえば、粉末、凝集粒子、及び/又は1つ以上の結晶体の形態の、液体状態又は固体状態である、1つ以上の実施形態について、構造は、任意の好適な方法で、1つ以上の材料支持面全体にこのような材料を支えるのを助け、かつ任意に含むのを助けることがある。蒸発すべき材料が薄膜の形態の固体状態である1つ以上の実施形態について、材料は、1つ以上の材料支持面全体に任意の好適な方法で形成されることがある。蒸発すべき材料が2つ以上の互いに異なる物質を有する1つ以上の実施形態について、1つ以上の実施形態の構造は、任意に、異なる材料支持面の上で、材料の異なる物質を支えるのを助けることがある。
1つ以上の実施形態の構造は、材料がこのような1つ以上の材料支持面全体に置かれている時と同じ形態で蒸発するよう、1つ以上の材料支持面全体に任意の好適な材料を支えるのを助けることがある。この方法で、1つ以上の実施形態の蒸発すべき材料が、1つ以上の材料支持面全体に手動で又は自動的に置かれ、このような材料のさらなる準備又は調整なしで蒸発することがある。一例として、任意の好適な液体材料が、1つ以上の材料支持面全体に置かれ、まだ液体形態である間に蒸発することがある。別の例として、たとえば、粉末、凝集粒子、及び/又は1つ以上の結晶体などの、任意の好適な形態の任意の好適な固体材料が、1つ以上の材料支持面全体に置かれ、まだ同じ形態である間に蒸発することがある。
1つ以上の実施形態の構造は、好適なガスが材料支持面を通って流れることができるようにしつつ、蒸発すべき材料を支えるのを助けるよう、任意の好適な少なくとも一部分浸透性の材料全体に材料支持面の少なくとも一部分を、任意の好適な方法で画定することがある。また、1つ以上の材料支持面を通る蒸発すべき材料の表面積を露出させることにより、蒸発器110が、蒸発すべき材料の露出表面積を増加させるのを助けることがある。
1つ以上の実施形態の構造は、容器内の、任意の好適な方法で向きを変え、湾曲し、及び/又は曲がりくねった1つ以上の流路を、任意の好適な方法で、画定することがある。次いで、このような構造が、材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、1つ以上の流路内の蒸発すべき材料を支えるのを助けることがある。構造は、任意の好適な大きさ及び形状の、1つ以上の流路を画定することがある。1つ以上の実施形態の構造は、流路を画定するための管を有することがある。1つ以上の実施形態の構造は、流路を画定するための、一連の結合された管を有することがある。1つ以上の実施形態の構造は、1つ以上の流路を画定する一体型の本体を有することがある。1つ以上の実施形態の構造は、1つ以上の流路を画定するよう結合された複数の本体を有することがある。
蒸発すべき材料が、たとえば、粉末、凝集粒子、及び/又は1つ以上の結晶体の形態の、液体状態又は固体状態である、1つ以上の実施形態について、材料が、1つ以上の流路の一部分を満たすよう注ぎ込まれることがある。蒸発すべき材料が薄膜の形態の固体状態である1つ以上の実施形態について、材料が、1つ以上の流路の1つ以上の内壁の少なくとも一部分に沿って、任意の好適な厚さに任意の好適な方法で形成されることがある。蒸発すべき材料が2つ以上の互いに異なる物質を有する1つ以上の実施形態について、1つ以上の実施形態の構造は、任意に、異なる流路内の材料の異なる物質を支えるのを助けることがある。
1つ以上の実施形態の構造は、材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、蒸発すべき材料を支えるのを助けるために、任意の好適な材料の網目を任意の好適な方法で画定することがある。一例として、このような構造が、任意の好適な密度のスチールウールを有することがある。蒸発すべき材料が、たとえば、粉末、凝集粒子、及び/又は1つ以上の結晶体の形態の固体状態である、1つ以上の実施形態について、材料が網目構造内に注ぎ込まれることがある。
1つ以上の実施形態の構造は、材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、蒸発すべき材料を支えるのを助けるために、1つ以上の多孔体を有することがある。このような1つ以上の多孔体が、任意の好適な大きさ及び形状を有し、たとえば、任意の好適な密度の多孔性のステンレス鋼などの、任意の好適な材料を使用して形成されることがある。1つ以上の実施形態のこのような1つ以上の多孔体が、任意の好適な方法で蒸発すべき材料で充満される、及び/又は1つ以上の多孔体の1つ以上の表面全体に蒸発すべき材料を支えるのを助けることがある。一の実施形態の多孔体が、ガスが多孔体の第1の端部に流れ込み、多孔体を通って、多孔体の第2の端部から出る時に、多孔体内の材料が蒸発する前に多孔体を出るのを防止するのを助けるために、多孔体の第1の端部の方に、ここに、又はこの近くに、より大きい大きさの孔と、多孔体の対向する第2の端部の方に、ここに、又はこの近くに、より小さい大きさの孔とを有することがある。複数の多孔体を有する1つ以上の実施形態について、このような多孔体が、任意の好適な方法で容器内に画定される、位置決めされる、及び/又は結合されることがある。1つ以上の実施形態の複数の多孔体が、容器内のスタック内に画定される、位置決めされる、及び/又は結合されることがある。このようなスタック内の多孔体は、スタック内の下にある又は上にある多孔体から間隔が置かれる場合もあれば、置かれない場合もある。
1つ以上の実施形態の構造は、好適なガスが袋内に流れ込む及び/又は袋内の材料からの蒸気が袋から流れ出ることができるようにしつつ、袋内の蒸発すべき材料を支えるのを助けるよう、たとえば好適な膜材料などの、任意の好適な少なくとも一部分浸透性の材料から形成された袋の少なくとも一部分を有する蒸発すべき材料の1つ以上の袋を支えるのを助けるために、任意の好適な方法で画定されることがある。1つ以上の実施形態の構造は、蒸発すべき材料の露出表面積を増加させるのを助けるために、任意の好適な方法で、1つ以上の袋の表面積を露出させるよう、1つ以上のこのような袋を支えることがある。一例として、構造は、袋の対向する両側で蒸発すべき材料の表面積を露出させるために、袋の両側を露出させるよう袋を支えるのを助けることがある。1つ以上の実施形態について、蒸発すべき材料の1つ以上の袋が、任意の好適な方法で構造内に及び/又は構造上に置かれることがある。蒸発すべき材料が2つ以上の互いに異なる物質を有する1つ以上の実施形態について、1つ以上の実施形態の構造は、任意に、異なる袋内の材料の異なる物質を支えるのを助けることがある。
図2のブロック204について、容器内の材料が、材料を蒸発させるよう加熱される。材料は、材料をガス又は蒸気状態に変形させるのを助けるよう、任意の好適な加熱設備を使用して任意の好適な方法で任意の好適な温度まで加熱されることがある。1つ以上の実施形態の容器は、容器内の材料の蒸発速度を増加させるのを助けるよう、容器内の加熱表面積を増加させるのを助けるための、任意の好適な構造を画定する及び/又は有することがある。1つ以上の実施形態の容器は、このような構造が存在しない、容器が有し得る最大加熱表面積に対して、容器内の加熱表面積を増加させるのを助けるための、任意の好適な構造を画定する及び/又は有することがある。1つ以上の実施形態について、材料の露出表面積を増加させるのを助けるために、蒸発すべき材料を支えるのを助けるための構造は、熱を伝えるのを助けるよう、したがって容器内の加熱表面積を増加させるのを助けるよう画定されることがある。
ブロック206について、ガスが、蒸発器110の容器内に導入されて、蒸発材料に接触する。蒸発器110が、任意の好適な方法で容器内に任意の好適なガスを受けとるために、任意の好適な方法で任意の好適なガス源130に結合されることがある。蒸発器110は、増大した露出表面積を有する容器内の材料を支えるので、蒸発材料が容器内のガスと相互作用するより大きい界面区域を設けるのを助け、したがって、導入されたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、任意の好適な蒸発材料を処理設備120に送出するのを助けるために、任意の好適なキャリヤガスを受けとることがある。次いで、キャリヤガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けることにより、蒸発器110が、キャリヤガスと蒸発材料との飽和を促進するのを助けることがある。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、任意の好適な得られたガスを処理設備120に送出するために、任意の好適な蒸発材料に反応性のある任意の好適なガスを受けとることがある。次いで、導入されたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けることにより、蒸発器110が、導入されたガスと蒸発材料との化学反応を促進するのを助けることがある。
蒸発器110によって受けとられるガスは、少なくともある程度、たとえば、蒸発すべき材料に及び/又は処理設備120によって実施されるプロセス又は操作に依存することがある。蒸発器110がキャリヤガスを受けとる1つ以上の実施形態について、蒸発器110が、たとえば、水素(H)、ヘリウム(He)、窒素(N)、酸素(O)、アルゴン(Ar)、一酸化炭素(CO)、及び/又は二酸化炭素(CO)を有するキャリヤガスを受けとることがある。蒸発器110が蒸発材料に反応性のあるガスを受けとる1つ以上の実施形態について、蒸発器110が、たとえば、一酸化炭素(CO)、ニトロシル、及び/又は酸化窒素(NO)を有するガスを受けとることがある。1つ以上の実施形態の蒸発器110が、蒸発材料に反応性のあるガスと、たとえば窒素(N)又はヘリウム(He)などの任意の好適な不活性ガスとの混合物を受けとることがある。
図2のブロック208について、蒸発器110が、任意に、導入されたガスと蒸発する材料との接触時間を増加させるのを助けるために、蒸発する材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付けることがある。次いで、1つ以上の実施形態の蒸発器110が、材料の蒸発速度のばらつき及び/又は容器内の蒸発材料の濃度のばらつきにもかかわらず、導入されたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けることがある。蒸発器110が、任意の好適な方法で、蒸発する材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付けるのを助けるために、任意の好適な構造を有することがある。
蒸発すべき材料が1つ以上の材料支持面全体に支えられる1つ以上の実施形態について、蒸発器110が、蒸発する材料全体にガス流を方向付けるのを助けるために、1つ以上の材料支持面を通る1つ以上の通路を画定するための構造を有することがある。このような1つ以上の通路が、蒸発する材料全体に循環させる又は渦を起こすようガス流を方向付けるのを助けるために、たとえば、蒸発する材料のすぐ上に及び/又は任意の好適な構造の方にガス流を方向付けるのを助けるよう画定されることがある。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、蒸発する材料のすぐ上にガス流を方向付けるのを助けるために、及び/又は蒸発する材料全体に循環させる又は渦を起こすようガス流を方向付けるのを助けるために、任意の好適なバッフル又はディフューザ構造を有することがある。
1つ以上の実施形態について、蒸発すべき材料を支えるのを助けるための構造はまた、蒸発する材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付けるのを助けるよう役立つことがある。蒸発器110が少なくとも一部分浸透性の材料全体に蒸発すべき材料を支えるのを助けるための構造を有する1つ以上の実施形態について、ガス流が、蒸発する材料を通って流れるよう、少なくとも一部分浸透性の材料を通って方向付けられることがある。蒸発器110が、容器内に、向きを変え、湾曲し、及び/又は曲がりくねった1つ以上の流路内の蒸発すべき材料を支えるのを助けるための構造を有する、1つ以上の実施形態について、ガス流が、蒸発する材料全体に流れるよう、画定された1つ以上の流路を通って方向付けられることがある。蒸発器110が蒸発すべき材料を支えるのを助けるための網目を画定する構造を有する1つ以上の実施形態について、ガス流が、蒸発する材料全体に流れるよう、網目を通って方向付けられることがある。蒸発器110が蒸発すべき材料を支えるのを助けるための1つ以上の多孔体を有する構造を有する1つ以上の実施形態について、ガス流が、1つ以上の多孔体内の蒸発する材料全体に流れるよう、及び/又は1つ以上の多孔体の1つ以上の表面全体に蒸発する材料を通って流れるよう、1つ以上の多孔体を通って方向付けられることがある。
図2のブロック210について、導入されたガスと蒸発材料との接触から生じたガスが、処理設備120に送出される。蒸発器110が、得られたガスを処理設備120に送出するために、任意の好適な方法で任意の好適な処理設備120に結合されることがある。蒸発器110が導入されたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるので、1つ以上の実施形態のガスが、得られたガスを比較的より高い流量で処理設備120に送出するのを助けるために、比較的より高い流量で蒸発器110の容器内に導入されることがある。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、送出されたガスを受けたことに反応して、任意の好適な処理設備120により実施すべき任意の好適な半導体プロセスにおいて使用するための任意の好適なガスを送出するのに使用されることがある。1つ以上の実施形態の蒸発器110が、たとえば、原子層堆積(ALD)法、プラズマ促進原子層堆積(PEALD)法、有機金属気相成長(MOCVD)法、又はプラズマ促進化学気相成長(PECVD)法などの、任意の好適な化学気相成長(CVD)法において使用するための任意の好適なガスを送出するのに使用されることがある。
一度に1つの単一層の基体全体に薄膜を溶着するよう時間的に間隔を置いて送出されたガスの多くの破裂を使用する原子層堆積法(ALD)を実施するために、蒸発器110がガスを処理設備120に送出する、1つ以上の実施形態について、1つ以上の実施形態の蒸発器110が、処理設備120がこのような破裂の間に蒸発器110からガスを引き込んでいない間に、処理設備120に送出すべきガスを発生させ続けることがある。蒸発器110が、受けとられたガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう、蒸発すべき材料の露出表面積を増加させるのを助けるために、蒸発すべき材料を支えるので、1つ以上の実施形態の蒸発器110が、ガスを発生させ、処理設備120によって引き込まれる時に送出されるガスの十分な流量を提供するために、ガスを少し又は最小限関与する処理設備120に送出することがある。
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、任意の好適なイオン注入法において使用するための任意の好適なガスを送出するのに使用されることがある。
ブロック202、204、206、208、及び/又は210の操作が、任意の好適な順序で実施され、任意の好適な操作と他の任意の好適な操作の時間が重なって実施される場合もあれば、実施されない場合もある。一例として、ガスがブロック206で容器内に導入される時に、容器内の材料が、ブロック204で加熱されることがある。
処理設備120に関連して記述してきたが、蒸発器110が、任意の好適な目的で任意の好適なガスを任意の好適な設備に送出するのに使用されることがある。
この詳細な記述で使用している、たとえば、上部、底部、上に、及び下になどの、方向に関する用語は、蒸発器110又は蒸発器110の任意の構成要素が如何に空間内に配向されるかに関係なく、1つの座標系における蒸発器110について記述するために便宜上使用しているものである。
増大した表面積を有する材料を支えるための構造の例
1つ以上の実施形態の蒸発器110が、材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう材料を支えるのを助けるための1つ以上の支持面を画定する、1つ以上のホルダを備えた容器を備えることがある。図3は、一実施形態の例について、各支持面311、321、331、341、351、及び361を画定する、複数のホルダ310、320、330、340、350、及び360を備えた容器300を示している。
容器は、1つ以上のホルダが、任意の好適な方法で画定される、位置決めされる、及び/又は結合される、任意の好適な1つ以上の内部領域を任意の好適な方法で画定することがある。容器は、任意の好適な大きさ及び形状の、1つ以上の内部領域を画定することがある。一の実施形態の容器は、任意の好適な大きさ及び形状の内部領域を画定するのを助けるために、1つ以上の側壁、底部壁、及び/又は上部壁を有することがある。1つ以上の実施形態の容器は、蒸発すべき材料が内部領域内の1つ以上のホルダ全体に、上に、及び/又は内に置かれる、及び/又は1つ以上のホルダが内部領域内に挿入される、任意の好適な1つ以上の開口部を、任意の好適な方法で画定することがある。容器は、1つ以上の内部領域に対する任意の好適な場所に、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の開口部を画定することがある。
一の実施形態の容器は、底部壁にほぼ対向する容器の上部に又はこの近くに、任意の好適な大きさ及び形状の開口部を有する、任意の好適な大きさ及び形状の内部領域を画定するのを助けるための、底部壁と1つ以上の側壁とを有することがある。図3の実施形態の例に示されているように、容器300が、容器300の上部に又はこの近くにほぼ円形の開口部を有する、容器300内のほぼ円筒形の内部領域を画定するのを助けるための、表面を有する底部壁301と側壁302とを有することがある。1つ以上の実施形態のほぼ円筒形の内部領域の内径は、たとえば約3インチ〜約6インチの範囲内であり、一の実施形態のそれは、たとえば約3.75インチであり得る。一の実施形態の容器は、底部壁にほぼ対向する容器の上部に又はこの近くにほぼ矩形の開口部を有する、容器内のほぼ平行六面体の形状の内部領域を画定するのを助けるための、底部壁と4つの側壁とを有することがある。
一の実施形態の容器は、容器の側部に任意の好適な大きさ及び形状の開口部を有する、任意の好適な大きさ及び形状の内部領域を画定するのを助けるための、上部壁と1つ以上の側壁と底部壁とを有することがある。一の実施形態の容器は、容器の第4の側部にほぼ矩形の開口部を有する、容器内のほぼ平行六面体の形状の内部領域を画定するのを助けるための、上部壁と3つの側壁と底部壁とを有することがある。
1つ以上の実施形態の容器は、このような1つ以上の内部領域内の材料を加熱するのを助けるために、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の内部領域を画定することがある。容器内の材料が容器の1つ以上の側壁を通って加熱される1つ以上の実施形態について、1つ以上の実施形態の容器は、側壁に近接して容器内の材料を支えるのを助けるために、細長い内部領域を画定することがある。
容器は、任意の好適な材料を使用して、任意の好適な方法で形成されることがある。一の実施形態の容器は、加熱するのを助けるよう、したがって容器内の材料が蒸発するのを助けるよう、熱を伝えるのを助ける任意の好適な材料を使用して形成されることがある。容器のための好適な材料の例には、無制限に、ステンレス鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、銀、銀合金、鉛、ニッケルクラッド、グラファイト、セラミック材料、ハステロイ、インコネル、モネル、及び/又は1つ以上の高分子が含まれる。1つ以上の実施形態の容器は、材料、層状材料、及び/又は内張り材料の複合体を使用して形成されることがある。容器300が一体型の本体を有して図3の実施形態の例に示されているが、別の実施形態の容器は、別個の部品から形成されることがある。1つ以上の実施形態の容器は、処理設備に送出するための材料を蒸発させるために使用される、好適な従来のアンプルであり得る。
任意の好適な数の1つ以上のホルダが、材料の露出表面積を増加させるのを助けるために、任意の好適な方法で任意の好適な容器内に画定される、位置決めされる、及び/又は結合されることがある。任意の好適な数の1つ以上のホルダが、1つ以上の実施形態のために、内部領域内にホルダが存在しない容器の内部領域の底面にある、同じ総量の材料が有し得る最大露出表面積に対して増大した露出表面積を有する、容器の内部領域内の材料を支えるのを助けるのに使用されることがある。一の実施形態について、蒸発すべき材料が、任意に、内部領域内の1つ以上のホルダによって支えられることに加えて、容器の内部領域の底面上でも支えられることがある。任意の好適な数の2つ以上のホルダが、1つ以上の実施形態のために、材料を支えるのを助けるためのこのようなホルダによって画定された表面の総表面積が内部領域の底面の表面積より大きくなるよう、容器の内部領域内の材料を支えるのを助けるのに使用されることがある。
一の実施形態の1つ以上のホルダが、容器内の異なるレベルで、蒸発すべき材料を支えるのを助けるために、画定される、位置決めされる、及び/又は結合されることがある。一の実施形態の1つ以上のホルダが、容器の内部領域内の底面全体に1つ以上の支持面を画定するために、画定される、位置決めされる、及び/又は結合されることがある。一の実施形態の複数のホルダが、容器内の異なるレベルで複数の支持面を画定するために、画定される、位置決めされる、及び/又は結合されることがある。
図3の実施形態の例に示されているように、ホルダ310は、底面301全体に支持面311を画定するために底面301全体に位置決めされ、ホルダ320は、支持面311全体に支持面321を画定するためにホルダ310全体に位置決めされ、ホルダ330は、支持面321全体に支持面331を画定するためにホルダ320全体に位置決めされ、ホルダ340は、支持面331全体に支持面341を画定するためにホルダ330全体に位置決めされ、ホルダ350は、支持面341全体に支持面351を画定するためにホルダ340全体に位置決めされ、ホルダ360は、支持面351全体に支持面361を画定するためにホルダ350全体に位置決めされることがある。図3の実施形態の例には、6つのホルダ310、320、330、340、350、及び360を使用して示されているが、たとえば3、4、又は5などの、任意の好適な数の1つ以上のホルダが、1つ以上の他の実施形態のために使用されることがある。
任意の好適な1つ以上の状態及び/又は形態の、任意の好適な量の任意の好適な材料が、任意の好適な方法で、1つ以上のホルダ全体に、上に、及び/又は内に置かれる又は形成されることがある。材料は、たとえば固体及び/又は液体を有することがある。蒸発すべき材料が固体を有する場合、このような材料は、たとえば、粉末、凝集粒子、1つ以上の結晶体、及び/又は薄膜などの、任意の好適な形態であり得る。一の実施形態の蒸発すべき材料が、任意の好適な方法で、1つ以上のホルダ全体に、上に、及び/又は内に、手動で置かれる又は形成されることがある。一の実施形態の蒸発すべき材料が、任意の好適な設備を使用して任意の好適な方法で、1つ以上のホルダ全体に、上に、及び/又は内に、自動的に置かれる又は形成されることがある。
一の実施形態の蒸発すべき材料が、好適なガスが袋内に流れ込む及び/又は袋内の材料からの蒸気が袋から流れ出ることができるようにしつつ、袋内の蒸発すべき材料を支えるのを助けるために、たとえば好適な膜材料などの、任意の好適な少なくとも一部分浸透性の材料から形成された袋の少なくとも一部分を有する1つ以上の袋内に含まれている間、1つ以上のホルダ全体に、上に、及び/又は内に置かれることがある。一の実施形態の蒸発すべき材料が、加熱される時に少なくとも一部分壊変する任意の好適な材料から形成された袋の少なくとも一部分を有する1つ以上の袋内に含まれている間、1つ以上のホルダ全体に、上に、及び/又は内に置かれることがある。
一の実施形態の1つ以上のホルダが、1つ以上の支持面全体に薄膜を形成するために、任意の好適な方法で、蒸発すべき材料で少なくとも一部分被覆されることがある。一例として、たとえば金属複合体などの好適な材料が、溶融され、1つ以上の支持面全体に塗布され、次いで冷却されることがある。別の例として、たとえば金属複合体などの好適な材料が、溶剤内に溶解され、1つ以上の支持面全体に塗布され、その後、溶剤が除去されることがある。
一の実施形態の蒸発すべき材料がまた、任意に、容器の内部領域の底面全体に置かれる又は形成されることがある。
1つ以上の実施形態の1つ以上のホルダが、このような1つ以上のホルダの清掃及び/又は補充を容易にするのを助けるために、1つ以上の他のホルダから分離可能、容器から除去可能であり得る。1つ以上のこのようなホルダが、任意の好適な方法で容器内に置かれることがある。一の実施形態の1つ以上のホルダが、容器内に手動で置かれることがある。一の実施形態の1つ以上のホルダが、任意の好適な設備を使用して任意の好適な方法で、容器内に自動的に置かれることがある。除去可能なホルダの支持面全体に材料を置くこと又は形成することが、ホルダが容器内に置かれる前に、この間に、又はこの後に実施されることがある。
一の実施形態の複数の除去可能なホルダが、任意に、容器の内部領域内のスタック内に置かれることがある。一の実施形態の複数の分離可能かつ除去可能なホルダが、一度に1つずつ容器内に置かれることがある。第1のホルダが容器内に置かれた後、一の実施形態の第2のホルダが、第1のホルダ上に載るよう容器内に置かれ、次いで、任意のその後のホルダが、容器内の上部のホルダ上に載るよう容器内に置かれることがある。一の実施形態の1つ以上のホルダが、別のホルダに直接載るよう容器内に置かれることがある。一の実施形態の1つ以上のホルダが、たとえばガスケット又は他の任意の好適な構造が他のホルダ全体に置かれた、別のホルダに間接的に載るよう容器内に置かれることがある。
一の実施形態の1つ以上のホルダが、容器内の1つ以上のホルダを支えるのを助けるための構造を画定する及び/又は有する容器内に置かれることがある。このような構造は、容器と一体及び/又はこれとは別個であることがある。一例として、容器の1つ以上の内壁が、1つ以上のホルダを支えるのを助けるために、1つ以上の棚と共に形作られることがある。
一の実施形態の複数の除去可能なホルダが、任意の好適な方法で共に容器内に置かれることがある。一の実施形態の複数のホルダが、容器内にホルダを置く前に、任意の好適な方法で互いに結合されることがある。
一の実施形態の蒸発すべき材料が、たとえばドライボックス又はグローブボックス内にある間、1つ以上の除去可能なホルダの1つ以上の支持面全体に置かれ、1つ以上のホルダが、たとえば酸素及び/又は水分と材料との反応を減少させる、最小限に抑える、又は回避するのを助けるために、ドライボックス又はグローブボックス内にある間、容器内に置かれることがある。
ホルダが、任意の好適な大きさ、輪郭、及び形状を有する、1つ以上の支持面を画定することがある。1つ以上の実施形態のホルダが、任意に、ホルダ全体に位置決めされた、たとえば1つ以上の他のホルダを支えるのを助けるための、かつホルダによって支えられた材料全体にガスが流れる領域を画定するのを助けるための、支持面に対して任意の好適な大きさ及び形状の、1つ以上の側壁及び/又は1つ以上の支持材を有することがある。一の実施形態のホルダが、支持面の周囲の少なくとも一部分に沿って、1つ以上の側壁を有することがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、ホルダによって支えられる、任意の好適な量の材料を含むのを助けるよう画定されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁に、任意に、たとえばホルダと上にあるホルダとの間にガスケットを位置決めするのを助けるために、上部に沿って溝がつけられることがある。
図4の実施形態の例に示されているように、ホルダ310が、形状がほぼ円形のほぼ平面の支持面311を画定し、支持面311の周囲に沿って、ほぼ円筒形の側壁312を有することがある。
ホルダが、任意の好適な材料を使用して、任意の好適な方法で形成されることがある。一の実施形態のホルダが、加熱するのを助けるよう、したがってホルダによって支えられた材料が蒸発するのを助けるよう、熱を伝えるのを助ける、任意の好適な材料を使用して形成されることがある。ホルダのための好適な材料の例には、無制限に、ステンレス鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、銀、銀合金、鉛、ニッケルクラッド、グラファイト、セラミック材料、ハステロイ、インコネル、モネル、及び/又は1つ以上の高分子が含まれる。1つ以上の実施形態のホルダが、材料、層状材料、及び/又は内張り材料の複合体を使用して形成されることがある。ホルダを形成するために使用される1つ以上の材料は、この中でホルダが位置決めされる容器を形成するために使用される1つ以上の材料と同じである場合もあれば、同じでない場合もある。ホルダを形成するために使用される1つ以上の材料は、同じ容器内に位置決めされる他の任意のホルダを形成するために使用される1つ以上の材料と同じである場合もあれば、同じでない場合もある。ホルダ310が、支持面311及び側壁312を画定する一体型の本体を有して、図3及び図4の実施形態の例に示されているが、別の実施形態の1つ以上のホルダが、1つ以上の支持面及び/又は1つ以上の側壁及び/又は1つ以上の支持材を画定するための、別個の部品から形成されることがある。
一の実施形態について、容器内の2つ以上のホルダが、容器内の蒸発すべき材料を支えるのを助けるよう同様に形成されることがある。
1つ以上の実施形態の容器及び1つ以上のホルダは、任意の好適な方法で、容器から1つ以上のホルダへの熱伝達を促進するのを助けるよう設計されることがある。1つ以上の実施形態の容器及び1つ以上のホルダは、容器の1つ以上の側壁からこのような1つ以上のホルダの1つ以上の側壁を通って1つ以上のホルダへの熱伝達を促進するのを助けるよう設計されることがある。図3及び図4の実施形態の例に示されているように、容器300が、ほぼ円筒形の内部領域を画定するのを助けるための側壁302を有し、ホルダ310が、たとえばほぼ円筒形の側壁312を有し、ホルダ310が容器300内に位置決めされている場合に、この外面は、側壁302の内面との熱接触を提供するのを助けるのに使用されることがある。
一の実施形態の容器及び1つ以上のホルダは、任意に、容器の1つ以上の側壁の内面とホルダの1つ以上の側壁の外面との間の隙間が、たとえば約1000分の1インチ〜約1000分の3インチの範囲内などの所定の範囲内になるよう製造されることがある。一の実施形態の、容器内に1つ以上のホルダを置くこと及び/又は容器から1つ以上のホルダを除去することが、容器に対して1つ以上のホルダを冷却すること及び/又は1つ以上のホルダに対して容器を加熱することによって簡単になることがある。一の実施形態の1つ以上のホルダが、比較的より高い温度での容器の1つ以上の側壁の内面とホルダの1つ以上の側壁の外面との間の熱接触を促進するのを助けつつ、たとえば部屋の温度などの比較的より低い温度で、容器の1つ以上の側壁の内面とホルダの1つ以上の側壁の外面との間に広い隙間ができるようにするのを助けるための、容器を形成するのに使用される材料より大きい熱膨張係数を有する材料を使用して形成されることがある。
ガスの導入
ガスが、任意の好適な場所で、容器の1つ以上の内部領域内に任意の好適な流量で導入されることがある。1つ以上の実施形態のガスが、内部領域内の別の端部の方に流れるよう、内部領域内の一方の端部又はこの近くの容器の内部領域内に導入されることがある。
1つ以上の実施形態のガスが、内部領域の底面及び/又は内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダの又はこの近くの、容器の内部領域内に導入されることがある。一の実施形態のガスが、蒸発すべき材料を支える最下部のホルダと内部領域の底面との間に導入されることがある。一の実施形態のガスが、蒸発すべき材料を支える最下部のホルダと内部領域内の蒸発すべき材料を支える次の最下部のホルダとの間に導入されることがある。
ガスが、任意の好適な方法で、容器の内部領域内に導入されることがある。一の実施形態のガスが、内部領域の上部又はこの近くの任意の好適な場所から、内部領域の底面及び/又は内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダの又はこの近くの、任意の好適な場所まで延在するよう画定された流路を通って、容器の内部領域内に導入されることがある。流路は、任意の好適な構造を使用して任意の好適な方法で画定されることがある。
一の実施形態のガスを導入するための流路は、内部領域の上部又はこの近くの任意の好適な場所から、内部領域の任意の好適な部分を通って、内部領域の底面及び/又は内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダの又はこの近くの任意の好適な場所まで延在する管により、少なくとも一部分画定されることがある。一の実施形態の管は、内部領域内の少なくとも1つのホルダ内の開口部を通って延在することがある。管は、任意の好適な材料から形成され、任意の好適な大きさ及び形状の流路を画定することがある。
一の実施形態の管は、内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダと内部領域の底面との間の任意の好適な場所まで延在することがある。一の実施形態の内部領域内の最下部のホルダは、その最下部のホルダと底面との間の領域を画定するための任意の好適な構造により、内部領域の底面より上で支えられることがある。一の実施形態について、任意の好適な支持構造が、内部領域の底面上の、ここの、又はこの近くの容器によって画定される、及び/又は内部領域内に第1のホルダを置く前に内部領域内に置かれることがある。次いで、第1のホルダは、直接的に又は間接的に支持構造上に載るよう内部領域内に置かれることがある。一の実施形態について、内部領域の1つ以上の側壁が、底面より上で最下部のホルダを支えるのを助けるために、底面上に、ここに、又はこの近くに1つ以上の棚を画定することがある。
図3の実施形態の例に示されているように、ほぼ環状の支持材304が、底面301より上でホルダ310を支えるために、容器300の内部領域内の底面301上に置かれることがある。次いで、管305が、容器300の内部領域のほぼ中心の部分内のホルダ360、350、340、330、320、及び310内の開口部を通って、ホルダ310と底面301との間の場所まで延在することがある。
別の実施形態の管は、内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダとその最下部のホルダの上にあるホルダとの間の任意の好適な場所まで延在することがある。
1つ以上の実施形態のホルダが、任意の好適な場所で、この中を管が延在する、任意の好適な大きさ及び形状の開口部を画定することがある。一の実施形態のホルダが、このような開口部の周囲の少なくとも一部分に沿って、1つ以上の側壁を有することがある。一実施形態のこのような1つ以上の側壁が、ホルダの支持面によって支えられた任意の好適な量の材料を含むのを助けるよう画定されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、熱を伝えるのを助けるよう、したがってホルダによって支えられた材料が蒸発するのを助けるよう、任意の好適な材料から形成されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、ホルダ全体に位置決めされた1つ以上の他のホルダを支えるのを助けるよう画定されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁には、任意に、たとえばホルダと管との間及び/又はホルダと上にあるホルダとの間にガスケットを位置決めするのを助けるために、上部に沿って溝がつけられることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、たとえばねじ込み開口部内に少なくとも一部分ねじ込みされた側壁をねじ締めするなどの、任意の好適な技術を使用して、ホルダに結合されることがある。別の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、このような1つ以上の側壁への熱伝達を促進するのを助けるために、たとえばホルダと一体に形成されることがある。
図3、図4、及び図5の実施形態の例に示されているように、ホルダ310が、支持面311のほぼ中心の領域を通って、この中を管305が延在するほぼ円形の開口部を画定し、ホルダ310と管305との間及びホルダ310とホルダ320との間にOリング316を位置決めするのを助けるために、側壁315の上部に溝を有するその開口部の周囲に沿って、ほぼ円筒形の側壁315を有することがある。
一の実施形態について、容器内の2つ以上のホルダが、この中を管が延在する開口部を画定するよう、同様に形成されることがある。一の実施形態の管は、このような1つ以上のホルダが容器内に置かれた後、1つ以上のホルダ内の開口部を通って挿入されることがある。別の実施形態の管は、このような1つ以上のホルダが容器内に置かれる前に、1つ以上のホルダ内の開口部を通って挿入され、次いで、管及び1つ以上のホルダが共に容器内に置かれることがある。
別の実施形態のガスを導入するための流路は、容器の内部領域の上部又はこの近くの任意の好適な場所から、内部領域の底面及び/又は内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダの又はこの近くの任意の好適な場所まで、側壁内で延在するよう、少なくとも一部分画定されることがある。流路は、任意の好適な大きさ及び形状を有するよう側壁内で画定されることがある。
内部領域の底面及び/又は内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダの又はこの近くの、1つの流路を通って導入されることに関連して記述してきたが、別の実施形態のガスが、内部領域の底面及び/又は内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダの又はこの近くの、任意の好適な場所に延在するよう画定された複数の流路を通って、容器の内部領域内に導入されることがある。このような複数の流路が、1つ以上の管によって少なくとも一部分画定された1つ以上の流路と、内部領域の1つ以上の側壁内に画定された1つ以上の流路と、及び/又は他の任意の好適な構造を使用して画定された1つ以上の流路とを有することがある。
一の実施形態のガスが、底面及び/又は内部領域内の蒸発すべき材料を支える最下部のホルダの又はこの近くの任意の好適な場所の、内部領域の底面の底部壁を通って及び/又は内部領域の側壁面の側壁を通って、容器の内部領域内に導入されることがある。一の実施形態のガスが、内部領域内にガスをより良く分散するのを助けるために、内部領域の底面及び/又は内部領域の側壁面全体に渡って画定された複数の開口部を通って導入されることがある。
1つ以上の実施形態のガスが、内部領域の底端部の方に流れるよう、内部領域の上端部及び/又は内部領域内で蒸発すべき材料を支える最上部のホルダの又はこの近くの、容器の内部領域内に導入されることがある。
蒸発する材料全体に及び/又はここを通って流れるガス
導入されたガスが、導入されたガスと蒸発する材料との接触時間を増加させるのを助けるために、容器の内部領域の端部面によって及び/又は内部領域内の1つ以上のホルダによって支えられた材料全体に及び/又はここを通って流れるよう、任意の好適な方法で方向付けられることがある。このため、内部領域内の材料の蒸発速度のばらつき及び/又は蒸発材料の濃度のばらつきがある場合にも、導入されたガスが蒸発材料に接触する可能性が高くなる。
蒸発すべき材料が容器の内部領域の底面上で支えられ、かつガスが底面に又はこの近くに導入される、一の実施形態について、導入されたガスが、任意の好適な構造を使用して底面上で支えられた材料全体に及び/又はここを通って流れるよう方向付けられることがある。一例として、図3の実施形態の例は、底面301上で支えられた材料全体にガス流を方向付けるのを助けるために、管305の端部でバッフル又はディフューザを結合することによって修正されることがある。蒸発すべき材料を支える最下部のホルダに又はこの近くにガスが導入される、一の実施形態について、導入されたガスが、任意の好適な構造を使用して最下部のホルダによって支えられた材料全体に及び/又はここを通って流れるよう方向付けられることがある。
1つ以上の実施形態について、容器の内部領域内の1つ以上のホルダが、内部領域の一方の端部から別の端部の方に任意の好適なガスの流れを方向付けるのを助けるために、かつガスが内部領域の他の端部の方に方向付けられる時に、このようなガスがこのような1つ以上のホルダによって支えられた材料全体に及び/又はここを通って流れるよう方向付けるのを助けるために、任意の好適な方法で画定された1つ以上の通路を有することがある。
1つ以上の実施形態のホルダが、任意の好適な1つ以上の場所に、ホルダを通るガス流用の任意の好適な数の1つ以上の通路を有することがある。一の実施形態のホルダが、ホルダの下から及びホルダによって支えられた材料全体に及び/又はここを通ってガスが流れる任意の好適な数の1つ以上の通路を、任意の好適な1つ以上の場所に有することがある。
一の実施形態のホルダが、支持面を通る任意の好適な大きさ及び形状の開口部を画定し、ホルダを通るガス流用の通路を画定するのを助けるために、このような開口部の周囲の少なくとも一部分に沿って支持面から上に延在する、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の側壁を有することがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、ホルダによって支えられた任意の好適な量の材料を含むのを助けるよう画定されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、ホルダによって支えられた材料全体に循環させる又は渦を起こすようガス流を方向付けるのを助けることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、熱を伝えるのを助けるよう、したがってホルダによって支えられた材料が蒸発するのを助けるよう、任意の好適な材料から形成されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、任意の好適な技術を使用してホルダに結合されることがある。別の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、このような1つ以上の側壁への熱伝達を促進するのを助けるために、たとえばホルダと一体に形成されることがある。
図4及び図5の実施形態の例に示されているように、ホルダ310が、支持面311を通るほぼ円形の開口部を画定し、管317が、ホルダ310を通るほぼ円筒形の通路を画定するのを助けるために、支持面311からその開口部の周囲に沿って上に延在するほぼ円筒形の側壁を画定するために、その開口部内に挿入されることがある。管317が、任意の好適な大きさ及び形状を有し、任意の好適な大きさ及び形状の通路を画定することがある。管317が、たとえばステンレス鋼などの任意の好適な材料から形成され、任意の好適な技術を使用して支持面311の開口部内に挿入されることがある。一の実施形態の管317が、支持面311の開口部内に圧入されることがある。別の実施形態の管317が、外部のねじ込み面を有し、支持面311の開口部にねじ込まれることがある。一の実施形態のねじ込み管317が、ガス流及び/又はガスと蒸発する材料との接触時間を最適化するのを助けるよう調整可能であり得る。たとえば管318によって画定された、1つ以上の他の通路が、ホルダ310についてと同様に画定されることがある。
一の実施形態のホルダが、ガスの逆流を減少させる、最小限に抑える、又は回避するのを助けるために、1つ以上の側壁がホルダの支持面から上に延在するにつれて先細りになっている1つ以上のほぼ円錐形の通路を画定する、1つ以上の側壁を有することがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁の幅及び/又は厚さも、1つ以上の側壁がホルダの支持面から上に延在するにつれて先細りになっていることがある。
一の実施形態のホルダが、このような1つ以上の側壁を通って、かつホルダによって支えられた材料を通って及び/又は全体に、ガスが放射状に流れることができるようにする、1つ以上の通気口を画定する、1つ以上の通路の側壁を有することがある。
1つ以上の実施形態について、2つ以上のホルダが、1つ以上のこのようなホルダを少なくとも一部分上に重なっている別のこのようなホルダに位置決めできるようにするために、このようなホルダを通るガス流用の1つ以上の通路を有することがある。次いで、一の実施形態の導入されたガスが、導入されたガスと蒸発する材料との接触時間を増加させるのを助けるために、多数のホルダによって支えられた材料全体に及び/又はここを通って流れるよう方向付けられることがある。
一の実施形態の上にあるホルダが、上にあるホルダの1つ以上の通路と下にあるホルダの1つ以上の通路とが整列するのを回避するのを助けるよう、下にあるホルダに対して位置決めされる又は配向されることがある。一の実施形態の上にあるホルダが、このようなホルダが互いに如何に位置決めされるか又は配向されるかに関係なく、上にあるホルダの1つ以上の通路と下にあるホルダの1つ以上の通路とが整列するのを回避するのを助けるよう、異なる場所に1つ以上の通路を有することがある。通路が整列するのを回避することにより、上にあるホルダの底部は、上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入る前に、下にあるホルダによって支えられた材料全体に循環させる又は渦を起こすよう、下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出るガス流を方向付けるのを助けることがある。材料が蒸発する時にホルダによって支えられた材料全体に循環させる又は渦を起こすようガス流を方向付けることは、ガスと蒸発する材料との接触時間を増加させるのを助け、したがって、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける。
一の実施形態の上にあるホルダ及び下にあるホルダが、任意に、上にあるホルダの1つ以上の通路と下にあるホルダの1つ以上の通路とが整列するのを回避するのを助けるよう、互いに位置決めする又は配向させるのを助ける任意の好適な構造を画定する及び/又は有することがある。図4の実施形態の例に示されているように、刻み目314が、ホルダ310に対して上にあるホルダを配向させるのを助けるために、上にあるホルダの底部から下に延在する、これに対応する突起を受けとるために、側壁312の上部に画定されることがある。
1つ以上の通路の側壁が下にあるホルダの支持面から上に延在する1つ以上の実施形態について、一の実施形態のこのような1つ以上の通路の側壁は、ガス流が下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出ることができるようにするために、このような1つ以上の通路の側壁と上にあるホルダの底部との間で任意の好適な大きさの出口領域を画定するのを助ける、及び/又は下にあるホルダによって支えられた材料全体にガス流を循環させる又は渦を起こすのを助ける、任意の好適な高さであり得る。
1つ以上の実施形態の上にあるホルダが、ホルダの底部から通路開口部の周囲の少なくとも一部分に沿って下に延在する、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の側壁を有することがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入る前に、下にあるホルダによって支えられた材料全体に循環させる又は渦を起こすようガス流を方向付けるのを助けることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁は、ガス流が上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入ることができるようにするために、このような1つ以上の側壁とたとえば下にあるホルダによって支えられた材料の上部面との間で任意の好適な大きさの入口領域を画定するのを助ける任意の好適な深さであり得る。一の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、任意の好適な技術を使用してホルダに結合されることがある。別の実施形態のこのような1つ以上の側壁が、ホルダと一体に形成されることがある。
図3及び図5の実施形態の例に示されているように、ホルダ320が、支持面321を通るほぼ円形の開口部を画定し、管327が、ホルダ320を通るほぼ円筒形の通路を画定するのを助けるために、ホルダ320の底部からその開口部の周囲に沿って下に延在するほぼ円筒形の側壁を画定するその開口部に挿入されることがある。管327が、任意の好適な大きさ及び形状を有し、任意の好適な大きさ及び形状の通路を画定することがある。管327が、たとえばステンレス鋼などの任意の好適な材料から形成され、任意の好適な技術を使用して支持面321の開口部に挿入されることがある。一の実施形態の管327が、支持面321の開口部に圧入されることがある。別の実施形態の管327が、外部のねじ込み面を有し、支持面321の開口部にねじ込まれることがある。一の実施形態のねじ込み管327が、ガス流及び/又はガスと蒸発する材料との接触時間を最適化するのを助けるよう調整可能であり得る。たとえば管328によって画定された、1つ以上の他の通路が、ホルダ320についてと同様に画定されることがある。
図3及び図5の実施形態の例にも示されているように、管327が、支持面321からその開口部の周囲に沿って上に延在するほぼ円筒形の側壁とホルダ320の底部からその開口部の周囲に沿って下に延在するほぼ円筒形の側壁との両方を画定する、ホルダ320の支持面321の開口部を通って挿入されることがある。一の実施形態の管327が、開口部内の任意の好適な位置に圧入されることがある。別の実施形態の管327が、外部のねじ込み面を有し、開口部内の任意の好適な位置へと開口部にねじ込まれることがある。たとえば管328などの1つ以上の他の管がまた、支持面321から上に延在するほぼ円筒形の側壁とホルダ320の底部から下に延在するほぼ円筒形の側壁との両方を画定することがある。
1つ以上の通路の側壁が下にあるホルダの支持面から上に延在する、かつ1つ以上の通路の側壁が上にあるホルダの底部から下に延在する、1つ以上の実施形態について、一の実施形態の下にあるホルダの支持面から上に延在する1つ以上の通路の側壁の上部は、上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入る前に、下にあるホルダによって支えられた材料全体に循環させる又は渦を起こすよう、下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出るガス流を方向付けるのを助けるために、上にあるホルダの底部から下に延在する1つ以上の通路の側壁の底部より高いことがある。図5の実施形態の例に示されているように、ホルダ310の管317及び318の上部は、ホルダ310によって支えられた材料全体に循環させる又は渦を起こすようガス流を方向付けるのを助けるために、ホルダ320の管327及び328の底部より高いことがある。
一の実施形態のホルダが、カバーと通路の側壁との間に画定された及び/又は通路の側壁内に画定された1つ以上の通気口を通って放射状にガス流を方向付けるのを助けるために、その上部全体にカバーを有する、1つ以上の通路を有することがある。このようにして、ホルダは、通路が整列するのを回避するために、少し又は最小限関与する上にあるホルダに対して位置決めされる又は配向されることがある。ホルダは、通路カバーのための任意の好適な構造を有することがある。一の実施形態のこのような構造は、任意の好適な方法で、通路の側壁と一体及び/又はこれに結合されることがある。
1つ以上の実施形態のホルダが、ホルダの支持面から上に延在するために、任意の好適な場所に任意の好適な大きさ及び形状の任意の好適な数の1つ以上の壁を有し、ホルダを通るガス流用の1つ以上のこのような1つ以上の壁内に画定された任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の通路を有することがある。一の実施形態のこのような1つ以上の壁が、たとえば、支持面全体に渡って広がった通路の側壁を有するホルダに対して、ホルダ全体に、上に、及び/又は内に、材料を置くこと又は形成することを簡単にするのを助けるために、1つ以上の通路を有して画定されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の壁が、ホルダによって支えられた任意の好適な量の材料を含むのを助けるよう画定されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の壁が、ホルダによって支えられた材料全体に循環させる又は渦を起こすよう、ガス流を方向付けるのを助けることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の壁が、熱を伝えるのを助けるために、したがってホルダによって支えられた材料が蒸発するのを助けるよう、任意の好適な材料を使用して形成されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の壁が、任意の好適な技術を使用して、ホルダに結合されることがある。別の実施形態のこのような1つ以上の壁が、このような1つ以上の壁への熱伝達を促進するのを助けるために、たとえばホルダと一体に形成されることがある。
一の実施形態のホルダが、支持面を分割するのを助けるためにホルダの支持面から上に延在する、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の壁を有し、ホルダを通るガス流用の1つ以上のこのような1つ以上の壁内に画定された任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の通路を有することがある。一実施形態のこのような1つ以上の壁が、蒸発すべき材料が支えられる任意の好適な数の2つ以上の領域に支持面を分割するのを助けるために、任意の好適な場所に画定されることがある。
図6の実施形態の例に示されているように、ホルダ610が、支持面611を画定し、支持面611の周囲に沿った側壁612と、ガス導入用の管が延在する開口部の周囲に沿った側壁615とを有することがある。ホルダ610、支持面611、側壁612、及び側壁615が、図3、図4、及び図5の、それぞれ、ホルダ310、支持面311、側壁312、及び側壁315にほぼ対応する。ホルダ610が、蒸発すべき材料が置かれる又は形成される多くの領域に支持面611を分割するために、側壁612と側壁615との間に延在する、たとえば壁617及び618などの、複数の壁を有することがある。1つ以上の通路が、ホルダ610全体に、上に、及び/又は内に、蒸発すべき材料を置くこと又は形成することを簡単にするのを助けるために、たとえば支持面611全体に渡って広がるのではなく、1つ以上のこのような1つ以上の壁内に画定されることがある。
一の実施形態の1つ以上の通路を有する1つ以上の壁を有する上にあるホルダが、上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入る前に、下にあるホルダによって支えられた材料全体に流れるよう、下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出るガス流を方向付けるのを助けるために、下にあるホルダに対して位置決めされる又は配向されることがある。一の実施形態について、下にあるホルダのための1つ以上の通路を有する1つ以上の壁は、ガス流が下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出ることができるようにするために、及び/又は下にあるホルダによって支えられた材料全体にガス流を循環させる又は渦を起こすのを助けるために、このような1つ以上の壁と上にあるホルダの底部との間で、任意の好適な大きさの出口領域を画定するのを助ける任意の好適な高さであり得る。
図6の実施形態の例に示されているように、上にあるホルダ620が、支持面621を画定し、支持面621の周囲に沿った側壁622と、ガス導入用の管が延在する開口部の周囲に沿った側壁625と、蒸発すべき材料置かれる又は形成される多くの領域に支持面621を分割する、側壁622と側壁625との間に延在するたとえば壁627及び628などの複数の壁とを有することがある。ホルダ620、支持面621、側壁622、側壁625、及び壁627及び628は、それぞれ、ホルダ610、支持面611、側壁612、側壁615、及び壁617及び618にほぼ対応する。一の実施形態の上にあるホルダ620が、上にあるホルダ620の、たとえば壁627及び628内に画定された1つ以上の通路に入る前に、壁618に隣接する2つの支持面領域全体に支えられた材料全体に流れるよう、たとえば壁618内に画定された1つ以上の通路を出るガス流を方向付けるのを助けるために、下にあるホルダ610に対して位置決めされる又は配向されることがある。刻み目614が、任意に、下にあるホルダ610に対して上にあるホルダ620を配向させるのを助けるために、上にあるホルダ620の底部から下に延在する、これに対応する突起を受けるよう、側壁612の上部に画定されることがある。
一の実施形態のホルダが、支持面の周囲の少なくとも一部分に沿って又はこの近くのホルダの支持面から上に延在する、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の壁を有し、ホルダを通るガス流用の、1つ以上のこのような1つ以上の壁内に画定された、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の通路を有することがある。
図7の実施形態の例に示されているように、ホルダ710が、支持面711を画定し、支持面711の周囲に沿った側壁712と、ガス導入用の管が延在する開口部の周囲に沿った側壁715とを有することがある。ホルダ710、支持面711、側壁712、及び側壁715は、図3、図4、及び図5の、それぞれ、ホルダ310、支持面311、側壁312、及び側壁315にほぼ対応する。ホルダ710が、側壁712の内側に沿った壁717を有し、ホルダ710全体に、上に、及び/又は内に、材料を置くこと又は形成することを簡単にするのを助けるために、たとえば支持面711全体に渡って広がるのではなく、壁717内に画定された1つ以上の通路を有することがある。
一の実施形態のホルダが、支持面のほぼ中心の領域又はこの近くのホルダの支持面から上に延在する、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の壁を有し、ホルダを通るガス流用の、1つ以上のこのような1つ以上の壁内に画定された任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の通路を有することがある。
図7の実施形態の例に示されているように、ホルダ720が、支持面721を画定し、支持面721の周囲に沿った側壁722と、ガス導入用の管が延在する開口部の周囲に沿った側壁725とを有することがある。ホルダ720、支持面721、側壁722、及び側壁725は、図3、図4、及び図5の、それぞれ、ホルダ310、支持面311、側壁312、及び側壁315にほぼ対応する。ホルダ720が、側壁725の外側に沿って壁727を有し、ホルダ720全体に、上に、及び/又は内に材料を置くこと又は形成することを簡単にするのを助けるために、たとえば支持面721全体に渡って広がるのではなく、壁727内に画定された1つ以上の通路を有することがある。
一の実施形態の支持面の周囲の少なくとも一部分に沿って又はこの近くに1つ以上の通路を有する1つ以上の壁を有するホルダが、上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入る前に、下にあるホルダによって支えられた材料全体に流れるよう、下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出るガス流を方向付けるのを助けるために、支持面のほぼ中心の領域に又はこの近くに1つ以上の通路を有する1つ以上の壁を有するホルダの下に位置決めされることがある。一の実施形態のホルダは、通路が整列するのを回避するために、少し又は最小限関与する上にあるホルダに対して位置決めされる又は配向されることがある。一の実施形態について、下にあるホルダのための1つ以上の通路を有する1つ以上の壁は、ガス流が下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出ることができるようにするために、及び/又は下にあるホルダによって支えられた材料全体にガス流を循環させる又は渦を起こすのを助けるために、このような1つ以上の壁と上にあるホルダの底部との間で任意の好適な大きさの出口領域を画定するのを助けるための、任意の好適な高さであり得る。
図7の実施形態の例に示されているように、一の実施形態のホルダ710が、上にあるホルダ720の壁727内の1つ以上の通路に入る前に、支持面711全体に支えられた材料全体に流れるよう、壁717内に画定された1つ以上の通路を出るガス流を方向付けるのを助けるために、ホルダ720の下に位置決めされることがある。
一の実施形態の支持面のほぼ中心の領域に又はこの近くに1つ以上の通路を有する1つ以上の壁を有するホルダが、上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入る前に、下にあるホルダによって支えられた材料全体に流れるよう、下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出るガス流を方向付けるのを助けるために、支持面の周囲の少なくとも一部分に沿って又はこの近くに1つ以上の通路を有する1つ以上の壁を有するホルダの下に位置決めされることがある。一の実施形態のホルダは、通路が整列するのを回避するために、少し又は最小限関与する上にあるホルダに対して位置決めされる又は配向されることがある。一の実施形態について、下にあるホルダのための1つ以上の通路を有する1つ以上の壁は、ガス流が下にあるホルダを通って1つ以上の通路を出ることができるようにするために、及び/又は下にあるホルダによって支えられた材料全体にガス流を循環させる又は渦を起こすのを助けるために、このような1つ以上の壁と上にあるホルダの底部との間で任意の好適な大きさの出口領域を画定するのを助けるための、任意の好適な高さであり得る。
一の実施形態の1つ以上の通路を有する1つ以上の壁を有する上にあるホルダが、任意に、上にあるホルダを通って1つ以上の通路に延在するために、ホルダの底部から下に延在する任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の壁を有することがある。一の実施形態のこのような1つ以上の壁が、上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入る前に、下にあるホルダによって支えられた材料全体に循環させる又は渦を起こすために、ガス流を方向付けるのを助けることがある。一の実施形態のこのような1つ以上の壁は、ガス流が上にあるホルダを通って1つ以上の通路に入ることができるようにするために、このような1つ以上の壁とたとえば下にあるホルダによって支えられた材料の上部面との間で任意の好適な大きさの入口領域を画定するのを助けるための、任意の好適な深さであり得る。一の実施形態のこのような1つ以上の壁は、任意の好適な技術を使用して、ホルダに結合されることがある。別の実施形態のこのような1つ以上の壁が、ホルダと一体に形成されることがある。
たとえば、図6の実施形態の例のホルダ620が、ホルダ620を通って1つ以上の通路に延在する、たとえば壁627及び/又は628などの支持面621を分割する1つ以上の壁に対向するホルダ620の底部から下に延在する1つ以上の壁を有することがある。たとえば、図7の実施形態の例のホルダ720が、ホルダ720を通って1つ以上の通路に延在する壁727に対向するホルダ720の底部から下に延在する1つ以上の壁を有することがある。
一の実施形態の1つ以上の通路を有する1つ以上の壁を有する上にあるホルダが、任意に、通路開口部の周囲の少なくとも一部分に沿ってホルダの底部から下に延在する、任意の好適な大きさ及び形状の1つ以上の側壁を有することがある。
一の実施形態のホルダが、たとえば任意の好適な密度の多孔性のステンレス鋼などの、任意の好適な少なくとも一部分浸透性の材料全体に、支持面の少なくとも一部分を任意の好適な方法で画定することにより、ガスがホルダを通って流れる通路を有することがある。次いで、このようなホルダが、任意の好適なガスが支持面を通って、次いで蒸発する材料を通って及び/又は蒸発する材料全体に流れることができるようにしつつ、支持面全体に蒸発する材料を支えることがある。一の実施形態のこのようなホルダが、任意の好適な液体材料を支えることがある。一の実施形態のこのようなホルダが、任意の好適な形態の、任意の好適な固体材料を支えることがある。一の実施形態のこのようなホルダが、流動床を作るのを助けるための、粉末及び/又は凝集粒子の形態の、任意の好適な固体材料を支えることがある。
図8の実施形態の例に示されているように、ホルダ810が、任意の好適な少なくとも一部分浸透性の材料全体に支持面811を画定し、支持面811の周囲に沿った側壁812と、ガス導入用の管が延在する開口部の周囲に沿った側壁815とを有することがある。ホルダ810、支持面811、側壁812、及び側壁815は、図3、図4、及び図5の、それぞれ、ホルダ310、支持面311、側壁312、及び側壁315にほぼ対応する。
ホルダが、たとえば任意の好適な密度の多孔性のステンレス鋼などの、任意の好適な少なくとも一部分浸透性の材料を有する、1つ以上の実施形態について、1つ以上の実施形態のホルダは、蒸発すべき材料を有する少なくとも一部分浸透性の材料を任意の好適な方法で荷電することにより、及び/又は少なくとも一部分浸透性の材料の少なくとも一部分の上の1つ以上の支持面全体に蒸発すべき材料を支えることにより、蒸発すべき材料を支えるのを助けることがある。一の実施形態の少なくとも一部分浸透性の材料は、ガスがホルダを通って流れる時に蒸発する前に、少なくとも一部分浸透性の材料内の材料がホルダから出るのを防止するのを助けるために、ホルダのたとえば底端部などの第1の端部の方に、ここに、又はこの近くに、より大きい大きさの孔と、ホルダのたとえば上端部などの対向する第2の端部の方に、ここに、又はこの近くに、より小さい大きさの孔とを有することがある。
1つ以上の実施形態について、ガスが、任意の好適なバッフル又はディフューザ構造を使用して、容器の内部領域の端部面により及び/又は内部領域内の1つ以上のホルダにより支えられた材料全体に及び/又はここを通って流れるよう方向付けられることがある。このような構造は、このような1つ以上の1つ以上のホルダ及び/又は容器と一体及び/又はこれとは別個であることがある。一の実施形態のこのような構造は、ホルダによって支えられた材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付けるのを助けるために、ホルダと一体及び/又はこれに結合されることがある。一の実施形態のこのような構造は、下にあるホルダによって支えられた材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付けるのを助けるために、上にあるホルダと一体及び/又はこれに結合されることがある。
得られたガスを送出するためのシステム
蒸発すべき材料を支える1つ以上のホルダが、画定される、位置決めされる、及び/又は結合される容器は、任意の好適な方法で任意の好適なガス源から任意の好適なガスを受けとるよう結合され、容器内の材料が蒸発するのを助けるよう任意の好適な加熱設備を使用して任意の好適な方法で加熱され、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを、たとえば任意の好適な処理設備に、任意の好適な方法で送出するよう結合されることがある。
図9は、1つ以上の実施形態について、蒸発器910と、処理設備920と、ガス源930とを備えたシステム900を示している。蒸発器910、処理設備920、及びガス源930は、図1の、それぞれ、蒸発器110、処理設備120、及びガス源130にほぼ対応する。蒸発器910は、容器300内の材料が蒸発するのを助けるよう、容器300と加熱設備912とを備えることがある。容器300が、任意の好適なガスを受けとるようガス源930に結合され、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを処理設備920に送出するよう処理設備920に結合されることがある。
1つ以上の実施形態の容器は、任意の好適な方法で画定された1つ以上の流路又は入り口を通って、容器の1つ以上の開口部を覆う任意の好適な1つ以上の壁を通って、及び/又は容器のたとえば側壁及び/又は底部壁などの任意の好適な1つ以上の蓋を通って、1つ以上の内部領域内に、任意の好適な流量のガスを受けとることがある。1つ以上の実施形態の容器は、任意の好適な方法で画定された1つ以上の流路又は出口を通って、容器の1つ以上の開口部を覆う任意の好適な1つ以上の壁を通って、及び/又は容器のたとえば側壁及び/又は底部壁などの任意の好適な1つ以上の壁を通って、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを任意の好適な流量で送出することがある。一の実施形態の蓋が、任意に、ガスを受けとるための1つ以上の入り口とガスを送出するための1つ以上の出口とを有することがある。一実施形態について、1つ以上のバルブが、任意に、容器内へのガスの導入を調節するのを助けるのに使用されることがある。一実施形態について、1つ以上のバルブが、任意に、容器からのガスの送出を調節するのを助けるのに使用されることがある。
1つ以上の実施形態の容器は、任意の好適な材料を使用して形成される、任意の好適な大きさ及び形状を有する、かつ任意の好適な方法で容器の1つ以上の開口部を覆うよう取り付けられる、任意の好適な1つ以上の蓋を有することがある。一の実施形態について、容器は、開口部に蓋を取り付けるのを助けるために、開口部の少なくとも一部分の周りにカラーを有することがある。次いで、一の実施形態の蓋が、任意の好適な1つ以上の機械ファスナを使用して、カラーに固定されることがある。一の実施形態の容器には、任意に、容器と開口部に取り付けられた蓋との間にガスケットを位置決めするのを助けるために、開口部の少なくとも一部分の周りに溝がつけられることがある。1つ以上の実施形態の蓋が、蓋が容器に固定されている場合に、内部領域にこのような1つ以上のホルダを押圧することにより、内部領域内に1つ以上のホルダを固定するのを助けることがある。1つ以上の実施形態について、たとえばスペーサなどの追加構造が、任意に、このような1つ以上のホルダに蓋を押圧するのを助けるのに使用されることがある。
図3の実施形態の例に示されているように、容器300が、容器300の上部の開口部の周りにカラーを有し、蓋306が、カラー全体に位置決めされ、たとえばネジ307などのネジを使用してカラーに固定されることがある。溝が、任意に、容器300と蓋306との間にOリング308を位置決めするのを助けるために、カラーの上部の開口部の周りに画定されることがある。Oリング308は、たとえばテフロン(登録商標)などの任意の好適な金属、任意の好適なエラストマ、又はたとえばステンレス鋼などの任意の好適な材料から形成されることがある。蓋306が、管305により少なくともある程度画定された流路又は入口が容器300の内部領域内に延在する開口部を、蓋306のほぼ中心の領域を通って画定することがある。蓋306は、容器300のカラーに固定される時に、カラー全体に蓋306を封止するのを助けるようOリング308を押圧し、ホルダ360、350、340、330、320、及び310に対して蓋306を押圧するのを助けるよう、管305の周りにカラーを押圧することがある。次いで、たとえば図5のOリング316などの、ホルダ360、350、340、330、320、及び310のためのOリングが、互いに及び/又は管305に対して、ホルダ360、350、340、330、320、及び310を封止するのを助けるよう圧縮されることがある。入口継ぎ手391を備えたバルブ381が、容器300へのガスの導入を調節するのを助けるよう、管305に結合されることがある。また、蓋306が、管により少なくともある程度画定された流路又は出口が容器300内に延在する開口部を画定することがある。出口継ぎ手392を備えたバルブ382が、容器からのガスの送出を調節するのを助けるよう、管に結合されることがある。
一の実施形態の1つ以上のガスの入り口は、任意の好適な1つ以上のガス送出ラインを使用して、ガス源に結合されることがある。一の実施形態について、流量計が、任意に、容器内へのガス導入の流量を監視する及び/又は制御するのを助けるために、1つ以上のガスの入り口とガス源との間で結合されることがある。1つ以上の実施形態について図9に示されているように、バルブ381のための入口継ぎ手391が、ガス送出ラインにより流量計932に結合され、流量計932が、ガス送出ラインによりガス源930に結合されることがある。容器300が、任意の好適な流量でガス源930から任意の好適なガスを受けとることがある。1つ以上の実施形態の容器300が、たとえば約1標準立方センチメートル毎分(sccm)〜約500sccmの範囲内の流量で、任意の好適なガスを受けとることがある。1つ以上の実施形態の容器300が、たとえば約1sccm〜約1000sccmの範囲内の流量で、任意の好適なガスを受けとることがある。
一の実施形態の1つ以上のガスの出口は、任意の好適な1つ以上のガス送出ラインを使用して、たとえば処理設備に結合されることがある。一の実施形態について、流量計が、任意に、容器からのガス送出の流量を監視する及び/又は制御するのを助けるよう、1つ以上のガスの出口と処理設備との間に結合されることがある。1つ以上の実施形態について図9に示されているように、バルブ382のための出口継ぎ手392が、ガス送出ラインにより流量計922に結合され、流量計922が、ガス送出ラインにより処理設備920に結合されることがある。
容器内へのガス導入用の及び容器からのガス送出用のガス送出ラインが、任意の好適な材料を使用して形成されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上のガス送出ラインが、より高い温度及び/又は圧力を可能にするために、たとえばステンレス鋼などの任意の好適な材料を使用して形成されることがある。一の実施形態のこのような1つ以上のガス送出ラインが、比較的高い流速を可能にするのを助けるために、たとえば高分子などの、比較的低い摩擦係数を有する材料を使用して形成されることがある。
容器は、ガスが容器を通って流れる時に容器内の材料が蒸発するのを助けるよう、任意の好適な方法で任意の好適な温度まで加熱されることがある。1つ以上の実施形態の容器が加熱される温度は、たとえば、蒸発すべき材料に、蒸発すべき材料の量に、蒸発するガスの濃度に、及び/又はたとえば得られたガスが送出される処理設備の動作条件に依存することがある。1つ以上の実施形態の温度は、たとえば約40℃〜約300℃の範囲内であり得る。
任意の好適な加熱設備が、容器内の蒸発すべき材料を加熱するのを助けるのに、及び/又は容器内の温度を調節するのを助けるのに使用されることがある。図9に示されているように、1つ以上の実施形態の加熱設備912が、容器300を加熱するのに使用されることがある。例として、好適な加熱設備には、無制限に、容器の周りに巻かれたリボンヒーター、容器を覆う形状を有するブロックヒーター、ストリップヒーター、輻射ヒーター、加熱された筐体、循環流体ヒーター、抵抗性加熱システム、及び/又は誘導加熱システムが含まれる。
一の実施形態の加熱設備が、容器に支えられる及び/又は統合されることがある。一の実施形態の容器は、任意の好適な方法で、容器の周りの、上の、及び/又は内の、任意の好適な加熱設備を支えるのを助けるよう、任意の好適な支持構造を画定する及び/又は有することがある。このような構造が、任意の好適な方法で、容器と一体である及び/又はこれに結合されることがある。一の実施形態の容器は、たとえば1つ以上のヒーターカートリッジを支えるのを助けるよう、容器の任意の好適な1つ以上の壁内に及び/又は任意の好適な1つ以上の蓋内に、任意の好適な形状及び大きさの1つ以上の空洞を任意の好適な方法で画定することがある。
容器の周りの、上の、及び/又は内の、任意の好適な1つ以上の場所の温度は、任意に、1つ以上の実施形態について、容器内の温度を調節するのを助けるよう監視されることがある。任意の好適な1つ以上の測温機器が、任意の好適な方法で、容器の周りの、上の、及び/又は内の、任意の好適な1つ以上の場所で支えられることがある。例として、好適な測温機器には、無制限に、容器内の任意の好適な熱伝導面に接触するよう配置された、熱電対、サーミスタ、及び他の任意の好適な測温接合器又は機器が含まれる。
1つ以上の実施形態の容器は、容器内の材料が蒸発するのを助けるよう、熱をより良く分散するのを助けるために、及び/又は蒸発材料及び/又は導入されたガスと蒸発材料との接触から生じたガスが凝縮する、容器内のより冷たい場所又は冷点を減少させる、最小限に抑える、及び/又は回避するのを助けるために、任意の好適な方法で加熱されることがある。固体材料が蒸発する1つ以上の実施形態について、より冷たい場所又は冷点を減少させる、最小限に抑える、及び/又は回避することは、ガス流が方向付けられる任意の好適な1つ以上の通路を少なくとも一部分詰まらせる又は遮げる恐れのある堆積物が形成されるのを減少させる、最小限に抑える、及び/又は回避するのを助けることがある。
1つ以上の実施形態の容器は、熱をより良く分散するのを助けるように、熱伝導材料を使用して形成されることがある。容器内の1つ以上のホルダが、熱伝導材料を使用して形成され、かつ容器に熱接触している容器内に画定される、位置決めされる、及び/又は結合される、1つ以上の実施形態について、容器を加熱することは、このような1つ以上のホルダを加熱するのを助け、したがって、容器内の材料を蒸発させるために熱をより良く分散するのを助けるよう容器内の加熱表面積を増加させるのを助ける。1つ以上の実施形態のこのような1つ以上のホルダが、容器の1つ以上の側壁に熱接触している容器内に画定される、位置決めされる、及び/又は結合されることがある。1つ以上の実施形態の容器は、1つ以上の側壁から加熱されることがある。このような1つ以上のホルダがたとえば1つ以上の通路の側壁などの1つ以上の壁、及び/又は熱伝導材料を使用して形成された支持材を有する、1つ以上の実施形態について、このような1つ以上の壁及び/又は1つ以上の支持材がまた、容器内の加熱表面積を増加させるのを助けることがある。1つ以上の実施形態の容器及び/又は1つ以上のホルダは、容器内で加熱された温度を維持するのを助けるよう、増加した熱質量を有して形成されることがある。
固体材料が昇華によって蒸発する1つ以上の実施形態について、所与の温度での固体材料の蒸気圧は、その蒸気と固体との界面での固体材料の分圧であり、固体材料の表面で凝縮する蒸気内の分子の数は、所与の時間に渡って固体材料の表面から昇華された固体内の分子の数と同じである。この平衡状態は、容器内に導入されたガスと接触することにより、蒸気と固体との界面で蒸気内の分子が除去されることによって乱される。昇華の潜在熱を相殺するよう十分な熱が固体材料の表面に供給される場合、平衡状態を復元するよう昇華がより高い速度で発生するので、容器内の加熱表面積を増加させることは、固体材料の蒸発速度を増加させるのを助けることがある。固体材料からの蒸気及び/又は導入されたガスとこのような蒸発材料との接触から生じたガスがこのような増大した加熱表面積に又はこの近くに流れる、1つ以上の実施形態について、このような増大した加熱表面積がまた、蒸発材料及び/又は得られたガスの凝縮をより良く減少させる、最小限に抑える、及び/又は回避するのを助けることがある。
任意の好適な量の火力が、容器内の材料が蒸発するのを助けるよう使用されることがある。容器内の材料を蒸発させるため火力量は、たとえば、蒸発すべき材料の化学作用、容器内に導入されたガスの化学作用、及び/又は導入されたガスと蒸発材料との接触から生じたガスの流量に依存することがある。1つ以上の実施形態について、火力が、得られたガスによって吸収される火力の量が利用可能な火力の比較的わずかな量で利用可能となり、容器内で加熱された温度を維持するのを助ける。1つ以上の実施形態の利用可能な火力の量は、たとえば約100ワット〜約3000ワットの範囲内であり得る。
1つ以上の実施形態について、容器内に導入されたガスが、容器内の加熱された温度を維持するのを助けるよう、任意の好適な方法で任意の好適な温度まで予熱されることがある。導入されたガスが、たとえば、容器が加熱される方法、ガス導入用の1つ以上のガス送出ラインの長さ、及び/又は導入されたガスの流量に依存して予熱されることがある。任意の好適な加熱設備が、導入されたガスを予熱するのを助けるよう及び/又は導入されたガスの温度を調節するのを助けるよう使用されることがある。1つ以上の実施形態について、任意の好適な加熱設備が、容器内へのガス導入用の1つ以上のガス送出ラインを加熱するのを助けるよう使用されることがある。
固体材料が蒸発する1つ以上の実施形態について、ガスが、任意に、ガス流内の固体材料が容器から送出されるのを防止するのを助けるために、任意の好適な1つ以上のフィルタを通って流れるよう方向付けられることがある。このような1つ以上のフィルタが、任意の好適な構造を使用して任意の好適な方法で、容器内に及び/又は容器によって支えられる。一の実施形態について、1つ以上のフリットが、容器から送出される前に、導入されたガスと蒸発材料との接触から生じたガスをろ過するのを助けるよう、容器の1つ以上の内部領域の端部に又はこの近くに位置決めされることがある。このような1つ以上のフリットが、任意の好適な大きさ及び形状を有し、任意の好適な密度の任意の好適な多孔性の材料を使用して形成されることがある。一例として、たとえば約1ミクロン〜約100ミクロンの範囲内の孔径を有する多孔性のステンレス鋼を使用して形成されたフリットが、一の実施形態のために使用されることがある。
図3の実施形態の例に示されているように、ほぼ円形のフリット370が、蓋306を通って画定された出口を通って送出される前に、ホルダ360によって支えられた材料全体に方向付けられたガス流からの固体材料をろ過するのを助けるよう、上部のホルダ360全体に位置決めされることがある。フリット370が、フリット370のほぼ中心の領域を通って、管305が延在するほぼ円形の開口部を画定することがある。一の実施形態のフリット370が、ホルダ360全体にフリット370を封止するのを助けるよう蓋306が容器300に固定される時に、任意の好適な構造を使用して任意の好適な方法でホルダ360全体に押圧されることがある。一の実施形態の図3の実施形態の例は、フリット370に加えて又はこの代わりに、容器300からのガス送出用の流路又は出口内に位置決めされたフリット、及び/又はホルダ310、320、330、340、350、及び360の1つ以上を通る1つ以上の通路内に位置決めされた1つ以上のフリットを有することがある。
1つ以上の実施形態について、たとえば、容器から処理設備にガスを送出するための1つ以上のガス送出ラインが、このような1つ以上のライン内の得られたガスの凝縮を減少させる、最小限に抑える、及び/又は回避するのを助けるよう、任意の好適な方法で任意の好適な温度まで加熱されることがある。一の実施形態の1つ以上のガス送出ラインが、たとえば、容器の温度より熱い約5〜10℃の温度まで加熱されることがある。任意の好適な加熱設備が、容器からガスを送出するための1つ以上のガス送出ラインを加熱するのを助けるよう使用されることがある。
ガスが容器の内部領域の第1の端部に又はこの近くに導入され、内部領域の第2の端部の方に流れるよう方向付けられる、1つ以上の実施形態について、第1の端部の方に支えられた材料が、第2の端部の方に支えられた材料より速い速度で、導入されたガスによって除去されることがある。キャリヤガスが容器内に導入される1つ以上の実施形態について、キャリヤガスは、第2の端部の又はこの近くの蒸発材料に到達する前に、蒸発材料で大部分又は十分に飽和することがある。ガスが蒸発材料に反応するよう容器内に導入される1つ以上の実施形態について、導入されたガスが、第2の端部の又はこの近くの蒸発材料に到達する前に、蒸発材料に反応することがある。1つ以上の実施形態について、蒸発材料のこのような不均衡な除去を相殺するのを助けるよう、より多くの材料が第1の端部の方に支えられ、より少ない材料が第2の端部の方に支えられることがある。複数のホルダが容器の内部領域内で材料を支えるのを助けるのに使用される1つ以上の実施形態について、このようなホルダの2つ以上が、任意に、蒸発材料のこのような不均衡な除去を相殺するのを助けるよう、第1の端部の方にはより多くの材料を及び第2の端部の方にはより少ない材料を支えるのを助ける大きさを有する及び/又は間隔が置かれることがある。たとえば、このようなホルダが1つ以上の側壁を有する1つ以上の実施形態について、このようなホルダの2つ以上が、異なる高さの1つ以上の側壁を有することがある。
1つ以上の実施形態について、任意の好適な設備が、容器、任意の好適な1つ以上のホルダ、及び/又は容器の内部領域の底面で、蒸発すべき材料がいつ空又はほぼ空になるかを識別するのを助けるよう使用されることがある。1つ以上の実施形態について、このような設備が、容器の内部領域内の底部のホルダ及び/又は上部のホルダで、蒸発すべき材料がいつ空又はほぼ空になるかを識別するのを助けるよう使用されることがある。1つ以上の実施形態について、このような設備が、容器の内部領域の底面及び/又は内部領域内の上部のホルダで、蒸発すべき材料がいつ空又はほぼ空になるかを識別するのを助けるよう使用されることがある。
1つ以上の実施形態について、任意の好適なレベルセンサが、ホルダ又は内部領域の底面で蒸発すべき材料がいつ空又はほぼ空になるかを任意の好適な方法で識別し、このような識別を任意の好適な方法で知らせるのを助けるよう使用されることがある。たとえば光学又は赤外線レベルセンサが、蒸発すべき材料が支えられる反射支持面の方に放射を方向付け、材料が反射支持面から除去される時のこのような放射の反射を検出するのに使用されることがある。他の例として、超音波レベルセンサ、容量式レベルセンサ、及び/又はロッカースイッチが、ホルダ又は内部領域の底面で蒸発すべき材料がいつ空又はほぼ空になるかを識別するのを助けるよう使用されることがある。さらに別の例として、たとえば光学又は赤外線センサが、蒸発材料全体の空間を通る放射を方向付け、このような空間内の蒸発材料の濃度を監視するのを助けるよう、このような放射を検出するために使用されることがある。
1つ以上の実施形態について、容器は、ホルダ又は内部領域の底面で蒸発すべき材料がいつ空又はほぼ空になるかを識別するのを助けるよう、1つ以上の光学及び/又は赤外線センサが放射を容器内に方向付ける及び/又は容器からの放射を検出する1つ以上のサイトグラスを有することがある。1つ以上の実施形態の容器は、ホルダ又は内部領域の底面で蒸発すべき材料がいつ空又はほぼ空になるかを、オペレータが視覚的に識別できるようにするのを助ける1つ以上のサイトグラスを有することがある。
1つ以上の実施形態の容器は、任意に、1つ以上の容器入り口、1つ以上の容器出口、及び/又は容器の1つ以上の内部領域から、たとえば固体堆積物及び/又は汚染物質を一掃するのを助ける、1つ以上の迂回路及び/又は1つ以上の追加容器入り口及び/又は出口から構成されることがある。図3の実施形態の例に示されているように、バルブ381と382との間に結合された細管395によって画定された迂回路が、バルブ381及び382、入口継ぎ手391、及び/又は出口継ぎ手392を一掃するのを助けるよう使用されることがある。バルブ383が、任意に、迂回路を通って流れる流体を調節するのを助けるよう、細管395に結合されることがある。入口/出口継ぎ手397が、任意に、内部領域を一掃するのを助けるために、容器300の内部領域のための追加の入り口/出口を画定するのを助けるよう使用されることがある。
蒸発材料と接触するガスを受けとることに関連して記述してきたが、1つ以上の代替実施形態の蒸発器110が、ガスを受けとるのではなく、蒸気吸込器として使用されて、ガスによって運ばれたりガスに反応したりせずに、任意の好適な材料が容器内で蒸発し、たとえば処理設備120に送出されることがある。このような1つ以上の実施形態の1つ以上の蒸発器110が、材料の蒸発を促進するのを助けるために、蒸発すべき材料の露出表面積を増加させるのを助けるよう、蒸発すべき材料を支えることがある。
前述の記述において、本発明の1つ以上の実施形態について記述してきた。しかし、特許請求の範囲に定義されている本発明の広範囲な趣旨又は範囲から逸脱することなく、様々な修正形態及び変更形態が作られ得ることが明らかであろう。したがって、本明細書及び図面は、限定的なものではなく、単なる例示である。

Claims (61)

  1. 容器と、
    ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する、前記容器内の材料を支えるのを助けるための構造と、を備える装置であって、
    前記構造が、前記材料が前記構造に置かれている時と同じ形態で材料が蒸発するよう支えるのを助ける装置。
  2. 前記構造が、前記構造が存在しない前記容器内にある、前記材料が有し得る最大露出表面積に対して、増大した露出表面積を有する材料を支えるのを助ける請求項1に記載の装置。
  3. 前記構造が、前記容器の前記内部領域の底面に加えて、前記容器の内部領域内で1つ以上の材料支持面を画定する請求項1に記載の装置。
  4. 前記構造が、前記容器の内部領域内で、前記容器の前記内部領域の底面の表面積より大きい総表面積を有する1つ以上の材料支持面を画定する請求項1に記載の装置。
  5. 前記構造が、粉末及び/又は凝集粒子の形態の材料を支えるのを助ける請求項1に記載の装置。
  6. 前記構造が、結晶質を支えるのを助ける請求項1に記載の装置。
  7. 前記構造が、前記容器内の異なるレベルで、複数の材料支持面を画定する請求項1に記載の装置。
  8. ガスと蒸発する材料との接触時間を増加させるのを助けるよう、蒸発する材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付けるのを助けるための構造を有する請求項1に記載の装置。
  9. 前記容器内の加熱表面積を増加させるのを助けるための構造を有する請求項1に記載の装置。
  10. 前記ガスが、キャリヤガスである請求項1に記載の装置。
  11. 前記ガスが、前記蒸発材料に反応性のある請求項1に記載の装置。
  12. 前記構造が、前記容器内の材料を支えるのを助けるための支持面を画定する、1つ以上のホルダを備える請求項1に記載の装置。
  13. ホルダが、ガスが前記ホルダを通って流れる1つ以上の通路を有する請求項12に記載の装置。
  14. ホルダが、少なくとも一部分浸透性の材料全体に支持面の少なくとも一部分を画定する請求項12に記載の装置。
  15. 前記容器がガスを受けとるガス源と合わせて、材料が蒸発するのを助けるよう前記容器を加熱するための加熱設備と、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスが送出される処理設備とを備える請求項1に記載の装置。
  16. 前記処理設備が、化学気相成長法、原子層堆積法、プラズマ促進原子層堆積法、有機金属気相成長法、プラズマ促進化学気相成長法、又はイオン注入法を実施する請求項15に記載の装置。
  17. 容器と、
    原子層堆積法(ALD)処理設備に送出するために、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する、前記容器内の材料を支えるのを助けるための構造と、を備える装置。
  18. 前記構造が、前記構造が存在しない前記容器内にある、前記材料が有し得る最大露出表面積に対して、増大した露出表面積を有する材料を支えるのを助ける請求項17に記載の装置。
  19. 前記構造が、前記容器の前記内部領域の底面に加えて、前記容器の内部領域内に1つ以上の材料支持面を画定する請求項17に記載の装置。
  20. 前記構造が、前記容器の内部領域内で、前記容器の前記内部領域の底面の表面積より大きい総表面積を有する1つ以上の材料支持面を画定する請求項17に記載の装置。
  21. ガスと蒸発する材料との接触時間を増加させるのを助けるために、蒸発する材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付けるのを助けるための構造を有する請求項17に記載の装置。
  22. 前記容器内の加熱表面積を増加させるのを助けるための構造を有する請求項17に記載の装置。
  23. 前記容器がガスを受けとるガス源と合わせて、材料が蒸発するのを助けるよう前記容器を加熱するための加熱設備と、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスが送出されるALD処理設備とを備える請求項17に記載の装置。
  24. 容器と、
    ガスと蒸発した液体材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する、前記容器内の液体材料を支えるのを助けるための構造と、を備える装置。
  25. 前記構造が、前記構造が存在しない前記容器内にある、液体材料が有し得る最大露出表面積に対して、増大した露出表面積を有する前記液体材料を支えるのを助ける請求項24に記載の装置。
  26. 前記構造が、前記容器の内部領域の底面に加えて、前記容器の前記内部領域内に1つ以上の材料支持面を画定する請求項24に記載の装置。
  27. 前記構造が、前記容器の内部領域内に、前記容器の前記内部領域の底面の表面積より大きい総表面積を有する1つ以上の材料支持面を画定する請求項24に記載の装置。
  28. ガスと蒸発する液体材料との接触時間を増加させるのを助けるよう、蒸発する液体材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付けるのを助けるための構造を有する請求項24に記載の装置。
  29. 前記容器内の加熱表面積を増加させるのを助けるための構造を有する請求項24に記載の装置。
  30. 前記容器がガスを受けとるガス源と合わせて、液体材料が蒸発するのを助けるよう前記容器を加熱するための加熱設備と、受けとられたガスと蒸発した液体材料との接触から生じたガスが送出される処理設備とを備える、請求項24に記載の装置。
  31. 容器と、
    ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する、前記容器内の材料を支えるのを助けるための支持面を画定する1つ以上のホルダと、を備える装置であって、
    ホルダが、ガスが前記ホルダを通って流れる通路を画定するのを助けるよう、前記ホルダの前記支持面を通る開口部の周囲の少なくとも一部分に沿って1つ以上の側壁を有する装置。
  32. 前記1つ以上のホルダが、このような1つ以上のホルダが存在しない前記容器内にある、前記材料が有し得る最大露出表面積に対して、増大した露出表面積を有する材料を支えるのを助ける請求項31に記載の装置。
  33. 前記1つ以上のホルダが、前記容器の内部領域内で、前記容器の前記内部領域の底面の表面積より大きい総表面積を有する1つ以上の支持面を画定する請求項31に記載の装置。
  34. ホルダが、ガスを前記容器内に導入するための流路を画定するのを助けるよう、管が延在する開口部を画定する請求項31に記載の装置。
  35. 前記容器がガスを受けとるガス源と合わせて、材料が蒸発するのを助けるよう前記容器を加熱するための加熱設備と、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスが送出される処理設備とを備える請求項31に記載の装置。
  36. 容器と、
    ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する、前記容器内の材料を支えるのを助けるための支持面を画定する1つ以上のホルダと、を備える装置であって、
    ホルダが、ガスが前記ホルダを通って流れることができるようにするために、1つ以上の壁と1つ以上の壁内の1つ以上の通路とを有する装置。
  37. 前記1つ以上のホルダが、このような1つ以上のホルダが存在しない前記容器内にある、前記材料が有し得る最大露出表面積に対して、増大した露出表面積を有する材料を支えるのを助ける請求項36に記載の装置。
  38. 前記1つ以上のホルダが、前記容器の内部領域内に、前記容器の前記内部領域の底面の表面積より大きい総表面積を有する1つ以上の支持面を画定する請求項36に記載の装置。
  39. ホルダが、前記ホルダの前記支持面を分割するのを助けるよう、1つ以上の壁を有する請求項36に記載の装置。
  40. ホルダが、前記ホルダの前記支持面の周囲の少なくとも一部分に沿って又はこの近くに、1つ以上の壁を有する請求項36に記載の装置。
  41. ホルダが、前記ホルダの前記支持面のほぼ中心の領域に又はこの近くに、1つ以上の壁を有する請求項36に記載の装置。
  42. ホルダが、ガスを前記容器内に導入するための流路を画定するのを助けるよう、管が延在する開口部を画定する請求項36に記載の装置。
  43. 前記容器がガスを受けとるガス源と合わせて、材料が蒸発するのを助けるよう前記容器を加熱するための加熱設備と、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスが送出される処理設備とを備える請求項36に記載の装置。
  44. 容器と、
    ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する、前記容器内の材料を支えるのを助けるための支持面を画定する1つ以上のホルダと、を備える装置であって、
    ホルダが、その少なくとも一部分がこの中をガスが流れる少なくとも一部分浸透性の材料の上にある、支持面を画定する装置。
  45. 前記1つ以上のホルダが、このような1つ以上のホルダが存在しない前記容器内にある、前記材料が有し得る最大露出表面積に対して、増大した露出表面積を有する材料を支えるのを助ける請求項44に記載の装置。
  46. 前記1つ以上のホルダが、前記容器の内部領域内に、前記容器の前記内部領域の底面の表面積より大きい総表面積を有する1つ以上の支持面を画定する請求項44に記載の装置。
  47. ホルダが、ガスを前記容器内に導入するための流路を画定するのを助けるよう、管が延在する開口部を画定する請求項44に記載の装置。
  48. 前記容器がガスを受けとるガス源と合わせて、材料が蒸発するのを助けるよう前記容器を加熱するための加熱設備と、受けとられたガスと蒸発材料との接触から生じたガスが送出される処理設備とを備える請求項44に記載の装置。
  49. 容器内の材料が蒸発するのを助けるよう容器を加熱する工程であって、前記容器が、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する、前記容器内の材料を支えるのを助けるための構造を有し、前記構造が、前記材料が前記構造に置かれている時と同じ形態で材料が蒸発するよう支えるのを助け、
    さらに、ガスを前記容器内に導入する工程と、
    導入されたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを処理設備に送出する工程と、
    を含む方法。
  50. 前記加熱工程が、粉末及び/又は凝集粒子の形態の材料が蒸発するのを助けるよう、容器を加熱することを含む請求項49に記載の方法。
  51. 前記加熱工程が、結晶質が蒸発するのを助けるよう、容器を加熱することを含む請求項49に記載の方法。
  52. 蒸発材料でキャリヤガスを飽和させることを含む請求項49に記載の方法。
  53. 蒸発材料でガスを化学反応させることを含む請求項49に記載の方法。
  54. 導入されたガスと蒸発する材料との接触時間を増加させるのを助けるよう、蒸発する材料全体に及び/又はここを通って、ガス流を方向付ける工程を含む請求項49に記載の方法。
  55. 前記方向付ける工程が、前記容器内の材料を支えるのを助けるよう、支持面を画定する1つ以上のホルダの1つ以上の通路により、ガス流を方向付けることを含む請求項54に記載の方法。
  56. 前記送出されたガスを使用して、化学気相成長法、原子層堆積法、プラズマ促進原子層堆積法、有機金属気相成長法、プラズマ促進化学気相成長法、又はイオン注入法を実施することを含む請求項49に記載の方法。
  57. 容器内の材料が蒸発するのを助けるよう容器を加熱する工程であって、前記容器が、ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助けるよう増大した露出表面積を有する、前記容器内の材料を支えるのを助けるための構造を有し、
    さらに、ガスを前記容器内に導入する工程と、
    導入されたガスと蒸発材料との接触から生じたガスを原子層堆積法処理設備に送出する工程と、
    前記送出されたガスを使用して原子層堆積法を実施する工程と、
    を含む方法。
  58. 蒸発材料でキャリヤガスを飽和させることを含む請求項57に記載の方法。
  59. 蒸発材料でガスを化学反応させることを含む請求項57に記載の方法。
  60. 導入されたガスと蒸発する材料との接触時間を増加させるのを助けるよう、蒸発する材料全体に及び/又はここを通ってガス流を方向付ける工程を含む請求項57に記載の方法。
  61. 前記方向付ける工程が、前記容器内の材料を支えるのを助けるよう、支持面を画定する1つ以上のホルダの1つ以上の通路により、ガス流を方向付けることを含む請求項60に記載の方法。
JP2012262401A 2004-06-01 2012-11-30 ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 Pending JP2013049926A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/858,509 2004-06-01
US10/858,509 US7300038B2 (en) 2002-07-23 2004-06-01 Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007515504A Division JP5342139B2 (ja) 2004-06-01 2005-06-01 ガスと蒸発材料との接触を促進する方法及び装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015190933A Division JP6133954B2 (ja) 2004-06-01 2015-09-29 ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013049926A true JP2013049926A (ja) 2013-03-14
JP2013049926A5 JP2013049926A5 (ja) 2013-06-27

Family

ID=35462761

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007515504A Active JP5342139B2 (ja) 2004-06-01 2005-06-01 ガスと蒸発材料との接触を促進する方法及び装置
JP2012262401A Pending JP2013049926A (ja) 2004-06-01 2012-11-30 ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置
JP2015190933A Active JP6133954B2 (ja) 2004-06-01 2015-09-29 ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007515504A Active JP5342139B2 (ja) 2004-06-01 2005-06-01 ガスと蒸発材料との接触を促進する方法及び装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015190933A Active JP6133954B2 (ja) 2004-06-01 2015-09-29 ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置

Country Status (8)

Country Link
US (3) US7300038B2 (ja)
EP (2) EP1750833B1 (ja)
JP (3) JP5342139B2 (ja)
KR (2) KR101181011B1 (ja)
CN (3) CN103028270B (ja)
AT (1) ATE530249T1 (ja)
SG (3) SG179494A1 (ja)
WO (1) WO2005118119A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022553087A (ja) * 2019-10-24 2022-12-21 インテグリス・インコーポレーテッド レベルセンサ付き昇華アンプル

Families Citing this family (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7194197B1 (en) * 2000-03-16 2007-03-20 Global Solar Energy, Inc. Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer
FI117979B (fi) * 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
US6620723B1 (en) * 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7405158B2 (en) * 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7964505B2 (en) * 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) * 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6936538B2 (en) 2001-07-16 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics
US6878206B2 (en) * 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US7211144B2 (en) * 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US20070009658A1 (en) * 2001-07-13 2007-01-11 Yoo Jong H Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process
WO2003029515A2 (en) * 2001-07-16 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Formation of composite tungsten films
US20080268635A1 (en) * 2001-07-25 2008-10-30 Sang-Ho Yu Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in copper contact applications
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20030029715A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US20090004850A1 (en) * 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US8110489B2 (en) * 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
JP2005504885A (ja) * 2001-07-25 2005-02-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US7085616B2 (en) * 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US6936906B2 (en) * 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
TW589684B (en) * 2001-10-10 2004-06-01 Applied Materials Inc Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7204886B2 (en) * 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US7175713B2 (en) * 2002-01-25 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6833161B2 (en) * 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) * 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
KR100476556B1 (ko) * 2002-04-11 2005-03-18 삼성전기주식회사 압전트랜스 장치, 압전트랜스 하우징 및 그 제조방법
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7910165B2 (en) * 2002-06-04 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer formation for copper film deposition
US7404985B2 (en) 2002-06-04 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Noble metal layer formation for copper film deposition
US7264846B2 (en) * 2002-06-04 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer formation for copper film deposition
US20030232501A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-18 Kher Shreyas S. Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials
US6858547B2 (en) * 2002-06-14 2005-02-22 Applied Materials, Inc. System and method for forming a gate dielectric
US6686595B2 (en) * 2002-06-26 2004-02-03 Semequip Inc. Electron impact ion source
KR100827670B1 (ko) * 2002-06-26 2008-05-07 세미이큅, 인코포레이티드 이온 소스
US7186385B2 (en) * 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US6921062B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US6915592B2 (en) * 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US20040069227A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US6868869B2 (en) * 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7063097B2 (en) * 2003-03-28 2006-06-20 Advanced Technology Materials, Inc. In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration
WO2004088415A2 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Advanced Technology Materials Inc. Photometrically modulated delivery of reagents
US20040198069A1 (en) * 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
WO2004113585A2 (en) * 2003-06-18 2004-12-29 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of barrier materials
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8323754B2 (en) * 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US20060153995A1 (en) * 2004-05-21 2006-07-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a dielectric stack
US20060019033A1 (en) * 2004-05-21 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of hafnium-containing materials
US20060062917A1 (en) * 2004-05-21 2006-03-23 Shankar Muthukrishnan Vapor deposition of hafnium silicate materials with tris(dimethylamino)silane
US8119210B2 (en) * 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7241686B2 (en) * 2004-07-20 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA
US7819981B2 (en) * 2004-10-26 2010-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for cleaning ion implanter components
US7791216B2 (en) * 2004-11-01 2010-09-07 Ford Global Technologies, Llc Method and system for use with a vehicle electric storage system
US7708835B2 (en) * 2004-11-29 2010-05-04 Tokyo Electron Limited Film precursor tray for use in a film precursor evaporation system and method of using
US7638002B2 (en) * 2004-11-29 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Multi-tray film precursor evaporation system and thin film deposition system incorporating same
US20060185597A1 (en) * 2004-11-29 2006-08-24 Kenji Suzuki Film precursor evaporation system and method of using
US7484315B2 (en) * 2004-11-29 2009-02-03 Tokyo Electron Limited Replaceable precursor tray for use in a multi-tray solid precursor delivery system
US7488512B2 (en) * 2004-11-29 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Method for preparing solid precursor tray for use in solid precursor evaporation system
US7429402B2 (en) * 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
US7265048B2 (en) 2005-03-01 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Reduction of copper dewetting by transition metal deposition
CN101495190B (zh) * 2005-03-16 2013-05-01 高级技术材料公司 用于从固体源递送试剂的系统
US7651570B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Solid precursor vaporization system for use in chemical vapor deposition
KR101241922B1 (ko) 2005-06-22 2013-03-11 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 통합 가스 배합 장치 및 방법
DE102005030862B4 (de) * 2005-07-01 2009-12-24 Sintec Keramik Gmbh Erstbenetzungshilfsmaterial für einen Verdampferkörper, seine Verwendung zum Herrichten der Verdampferfläche eines Verdampferkörpers und ein elektrisch beheizbarer keramischer Verdampferkörper
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
US20070049043A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement
US7402534B2 (en) * 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
EP1933992B1 (en) 2005-08-30 2014-09-24 Advanced Technology Materials, Inc. Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) * 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US20070099422A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Kapila Wijekoon Process for electroless copper deposition
CN101448977B (zh) * 2005-11-04 2010-12-15 应用材料股份有限公司 用于等离子体增强的原子层沉积的设备和工艺
GB2432371B (en) 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
US8603580B2 (en) * 2005-11-28 2013-12-10 Msp Corporation High stability and high capacity precursor vapor generation for thin film deposition
KR20160027244A (ko) 2006-03-10 2016-03-09 인티그리스, 인코포레이티드 티타네이트, 란타네이트 및 탄탈레이트 유전막의 원자층 증착 및 화학 증기 증착용 전구체 조성물
US7562672B2 (en) * 2006-03-30 2009-07-21 Applied Materials, Inc. Chemical delivery apparatus for CVD or ALD
US8951478B2 (en) * 2006-03-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Ampoule with a thermally conductive coating
US7833358B2 (en) * 2006-04-07 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Method of recovering valuable material from exhaust gas stream of a reaction chamber
US20070252299A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Synchronization of precursor pulsing and wafer rotation
US7798096B2 (en) * 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US20070259111A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Singh Kaushal K Method and apparatus for photo-excitation of chemicals for atomic layer deposition of dielectric film
KR20090018986A (ko) * 2006-06-02 2009-02-24 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 구리 박막 형성을 위한 구리(i) 아미디네이트 및 구아니디네이트
US20080018004A1 (en) * 2006-06-09 2008-01-24 Air Products And Chemicals, Inc. High Flow GaCl3 Delivery
CN101479834B (zh) * 2006-06-30 2011-06-08 应用材料股份有限公司 纳米结晶形成
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US7521379B2 (en) * 2006-10-09 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers
JP5073751B2 (ja) * 2006-10-10 2012-11-14 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 前駆体送出システム
US9109287B2 (en) * 2006-10-19 2015-08-18 Air Products And Chemicals, Inc. Solid source container with inlet plenum
US7775508B2 (en) * 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
GB2444143B (en) * 2006-11-27 2009-10-28 Sumitomo Chemical Co Apparatus of supplying organometallic compound
US8708320B2 (en) 2006-12-15 2014-04-29 Air Products And Chemicals, Inc. Splashguard and inlet diffuser for high vacuum, high flow bubbler vessel
US20080141937A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling a vapor delivery system
US8524931B2 (en) * 2007-01-17 2013-09-03 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for ALD/CVD of group II ruthenate thin films
US20080206987A1 (en) * 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
US7846256B2 (en) * 2007-02-23 2010-12-07 Tokyo Electron Limited Ampule tray for and method of precursor surface area
US7585762B2 (en) * 2007-09-25 2009-09-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials
GB0718801D0 (en) * 2007-09-25 2007-11-07 P2I Ltd Vapour delivery system
US7678298B2 (en) * 2007-09-25 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Tantalum carbide nitride materials by vapor deposition processes
US7824743B2 (en) * 2007-09-28 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum
US7737028B2 (en) * 2007-09-28 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Selective ruthenium deposition on copper materials
US9034105B2 (en) * 2008-01-10 2015-05-19 American Air Liquide, Inc. Solid precursor sublimator
TWI494975B (zh) 2008-02-11 2015-08-01 Advanced Tech Materials 在半導體處理系統中離子源之清洗
WO2009117440A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Heated valve manifold for ampoule
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8491967B2 (en) * 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US20100095892A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Evaporator device, method of mounting an evaporator device, method of operating an evaporator device, and coating device
US8146896B2 (en) * 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
EP2350342A1 (en) * 2008-11-11 2011-08-03 Praxair Technology, Inc. Reagent dispensing apparatuses and delivery methods
US20100116208A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Applied Materials, Inc. Ampoule and delivery system for solid precursors
US8663735B2 (en) * 2009-02-13 2014-03-04 Advanced Technology Materials, Inc. In situ generation of RuO4 for ALD of Ru and Ru related materials
US8574675B2 (en) 2009-03-17 2013-11-05 Advanced Technology Materials, Inc. Method and composition for depositing ruthenium with assistive metal species
KR101372488B1 (ko) * 2009-04-24 2014-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 하이브리드 밸브가 통합된 앰풀
US8598022B2 (en) 2009-10-27 2013-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
WO2011053505A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-05 Sigma-Aldrich Co. Evaporator
JP5913888B2 (ja) * 2011-09-30 2016-04-27 国立大学法人東北大学 気化器
US8724974B2 (en) 2011-09-30 2014-05-13 Fujikin Incorporated Vaporizer
US20130105483A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for sublimating solid state precursors
JP6156972B2 (ja) * 2012-04-06 2017-07-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、気化システムおよびミストフィルタ
WO2013177326A1 (en) 2012-05-25 2013-11-28 Advanced Technology Materials, Inc. Silicon precursors for low temperature ald of silicon-based thin-films
US9598766B2 (en) 2012-05-27 2017-03-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vessel with filter
KR20210135341A (ko) 2012-05-31 2021-11-12 엔테그리스, 아이엔씨. 배취식 침착을 위한 고 물질 플럭스를 갖는 유체의 소스 시약-기반 수송
KR101695356B1 (ko) * 2012-06-26 2017-01-24 주식회사 레이크머티리얼즈 유기금속 화합물 공급 장치
US20140174955A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High flow xef2 canister
US11213073B2 (en) * 2012-12-27 2022-01-04 George R. Breiwa, III Tubular volatizing device
US10186570B2 (en) 2013-02-08 2019-01-22 Entegris, Inc. ALD processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness BiTaO films
JP6306286B2 (ja) * 2013-04-25 2018-04-04 株式会社フジキン 流量制御用のオリフィスプレート及びこれを用いた圧力式流量制御装置
US9334566B2 (en) 2013-11-25 2016-05-10 Lam Research Corporation Multi-tray ballast vapor draw systems
WO2015164029A1 (en) * 2014-04-21 2015-10-29 Entegris, Inc. Solid vaporizer
CN103949171A (zh) * 2014-04-28 2014-07-30 德合南京智能技术有限公司 一种气体与溶液快速混合的方法及装置
TWI624554B (zh) * 2015-08-21 2018-05-21 弗里松股份有限公司 蒸發源
US10982319B2 (en) 2015-08-21 2021-04-20 Flisom Ag Homogeneous linear evaporation source
CN205624467U (zh) * 2016-03-21 2016-10-12 深圳市合元科技有限公司 一种烟油加热组件及包括该烟油加热组件的电子烟和雾化器
US9928983B2 (en) 2016-06-30 2018-03-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Vaporizer for ion source
US11926894B2 (en) 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US10876205B2 (en) 2016-09-30 2020-12-29 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
JP6324609B1 (ja) * 2017-06-21 2018-05-16 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
US11104993B2 (en) * 2017-07-28 2021-08-31 Entegris, Inc. Modular tray ampoule
KR102344996B1 (ko) 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10895347B2 (en) 2017-10-20 2021-01-19 Entegris, Inc. Heat transfer to ampoule trays
JP6462096B1 (ja) 2017-11-22 2019-01-30 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
JP6425850B1 (ja) * 2017-11-22 2018-11-21 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
JP6895372B2 (ja) * 2017-12-12 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 原料容器
JP2021138972A (ja) * 2018-05-09 2021-09-16 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器
JP7144032B2 (ja) * 2018-06-25 2022-09-29 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器の製造方法
JP7376278B2 (ja) 2018-08-16 2023-11-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体原料昇華器
JP6887688B2 (ja) * 2019-02-07 2021-06-16 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム
JP6901153B2 (ja) 2019-02-07 2021-07-14 株式会社高純度化学研究所 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。
WO2020219702A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Entegris, Inc. Vaporization vessel and method
US20210071301A1 (en) * 2019-09-10 2021-03-11 Asm Ip Holding B.V. Fill vessels and connectors for chemical sublimators
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system
KR20210134226A (ko) * 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
US11578406B2 (en) 2020-12-08 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor
JP7391900B2 (ja) * 2021-02-09 2023-12-05 大陽日酸株式会社 半導体材料ガス反応装置及びガス反応容器
KR20230058843A (ko) * 2021-10-25 2023-05-03 (주)덕산테코피아 반도체 제조장비용 캐니스터
CN116121730B (zh) * 2023-04-12 2023-09-01 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 固态前驱体源升华装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58126973A (ja) * 1982-01-22 1983-07-28 Hitachi Ltd 薄膜形成用ソ−ス供給装置
JPS6070176A (ja) * 1983-09-27 1985-04-20 Fujitsu Ltd 固体ソ−ス蒸発ボンベ
JPH04292406A (ja) * 1991-03-19 1992-10-16 Mitsubishi Cable Ind Ltd 超電導mocvd用ガス化容器
JPH0519351U (ja) * 1991-08-15 1993-03-09 三菱電線工業株式会社 超電導mocvd用蒸発器
JPH08279497A (ja) * 1995-04-07 1996-10-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置および半導体装置
JP2000192243A (ja) * 1998-12-24 2000-07-11 Nissin Electric Co Ltd 気化器メンテナンス方法
JP2001059178A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Pioneer Electronic Corp 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
US20030053799A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-20 Lei Lawrence C. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
WO2004010463A2 (en) * 2002-07-23 2004-01-29 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
WO2004011695A2 (en) * 2002-07-30 2004-02-05 Asm America, Inc. Sublimation system employing carrier gas

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US384682A (en) * 1888-06-19 Process of obtaining the precious metals from speiss
US2447789A (en) * 1945-03-23 1948-08-24 Polaroid Corp Evaporating crucible for coating apparatus
US2721064A (en) * 1951-10-03 1955-10-18 Hugo O Reichardt Carbonating device
US2769624A (en) * 1953-07-16 1956-11-06 Okey S Burnside Air cleaner and moistener for carburetors
US2902574A (en) * 1958-02-03 1959-09-01 Hughes Aircraft Co Source for vapor deposition
US3405251A (en) * 1966-05-31 1968-10-08 Trw Inc Vacuum evaporation source
US3647197A (en) * 1970-04-27 1972-03-07 Ford Motor Co Vacuum deposition
US3740043A (en) * 1970-05-26 1973-06-19 Republic Steel Corp Apparatus for vaporizing molten metal
US3834682A (en) 1972-06-19 1974-09-10 American Hospital Supply Corp Mixing column for medical humidifier and method of humidifying inhalable gases
US4190965A (en) * 1979-01-15 1980-03-04 Alternative Pioneering Systems, Inc. Food dehydrator
JPH0817804B2 (ja) * 1987-12-23 1996-02-28 雪印乳業株式会社 殺菌剤気化装置
JPH0269389A (ja) * 1988-08-31 1990-03-08 Toyo Stauffer Chem Co 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法
US5104695A (en) * 1989-09-08 1992-04-14 International Business Machines Corporation Method and apparatus for vapor deposition of material onto a substrate
DE69027496T2 (de) * 1989-09-26 1996-10-31 Canon Kk Gasversorgungsvorrichtung und ihre Verwendung für eine Filmabscheidungsanlage
US5362328A (en) * 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
JPH04228562A (ja) 1990-12-27 1992-08-18 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH04333572A (ja) 1991-05-10 1992-11-20 Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai 酸化物超電導体用mo原料の気化方法
US5336324A (en) * 1991-12-04 1994-08-09 Emcore Corporation Apparatus for depositing a coating on a substrate
JPH05214537A (ja) * 1992-01-30 1993-08-24 Nec Corp 固体昇華用の気化器
US5607002A (en) * 1993-04-28 1997-03-04 Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. Chemical refill system for high purity chemicals
KR960010901A (ko) * 1994-09-30 1996-04-20 김광호 고체 유기화합물 전용 버블러 장치
JPH1025576A (ja) * 1996-04-05 1998-01-27 Dowa Mining Co Ltd Cvd成膜法における原料化合物の昇華方法
US5917140A (en) * 1996-05-21 1999-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Sorbent-based fluid storage and dispensing vessel with enhanced heat transfer means
US6413476B1 (en) * 1996-12-05 2002-07-02 Mary F. Barnhart Aromatic diffuser with replaceable cartridge
US6409839B1 (en) * 1997-06-02 2002-06-25 Msp Corporation Method and apparatus for vapor generation and film deposition
AU8487298A (en) 1997-07-18 1999-02-10 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid delivery system comprising upstream pressure control means
US5972117A (en) * 1997-09-03 1999-10-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring generation of liquid chemical vapor
US6107634A (en) * 1998-04-30 2000-08-22 Eaton Corporation Decaborane vaporizer
JPH11335845A (ja) * 1998-05-20 1999-12-07 Ebara Corp 液体原料気化装置
JP2000012218A (ja) * 1998-06-23 2000-01-14 Tdk Corp 有機el素子の製造装置および製造方法
US6210485B1 (en) * 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
JP2001059161A (ja) 1999-08-20 2001-03-06 Tdk Corp 有機薄膜の製造装置および製造方法
US6288403B1 (en) * 1999-10-11 2001-09-11 Axcelis Technologies, Inc. Decaborane ionizer
US6473564B1 (en) * 2000-01-07 2002-10-29 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method of manufacturing thin organic film
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
WO2001083084A1 (en) * 2000-05-03 2001-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Gas cabinet assembly comprising sorbent-based gas storage and delivery system
DE60106675T2 (de) * 2000-05-31 2005-12-01 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Verdampfer
US6581915B2 (en) * 2000-07-27 2003-06-24 The Procter & Gamble Company Dispensing device for dispensing scents
US6887337B2 (en) * 2000-09-19 2005-05-03 Xactix, Inc. Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto
US6431118B1 (en) * 2001-05-21 2002-08-13 Imagine Gold, L.L.C. Apparatus and method for providing humidified air to a terrarium
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
JP3932874B2 (ja) * 2001-11-27 2007-06-20 三菱マテリアル株式会社 有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物及び該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
TW200300701A (en) * 2001-11-30 2003-06-16 Asml Us Inc High flow rate bubbler system and method
US20030111014A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Donatucci Matthew B. Vaporizer/delivery vessel for volatile/thermally sensitive solid and liquid compounds
US6620225B2 (en) * 2002-01-10 2003-09-16 Advanced Technology Materials, Inc. Adsorbents for low vapor pressure fluid storage and delivery
JP2003282449A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Japan Pionics Co Ltd 気化器及び半導体製造装置の洗浄方法
US7601225B2 (en) * 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
US7186385B2 (en) * 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US6915592B2 (en) * 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US6779378B2 (en) * 2002-10-30 2004-08-24 Asm International N.V. Method of monitoring evaporation rate of source material in a container
US6991671B2 (en) * 2002-12-09 2006-01-31 Advanced Technology Materials, Inc. Rectangular parallelepiped fluid storage and dispensing vessel
US7261118B2 (en) 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
CN101495190B (zh) * 2005-03-16 2013-05-01 高级技术材料公司 用于从固体源递送试剂的系统
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58126973A (ja) * 1982-01-22 1983-07-28 Hitachi Ltd 薄膜形成用ソ−ス供給装置
JPS6070176A (ja) * 1983-09-27 1985-04-20 Fujitsu Ltd 固体ソ−ス蒸発ボンベ
JPH04292406A (ja) * 1991-03-19 1992-10-16 Mitsubishi Cable Ind Ltd 超電導mocvd用ガス化容器
JPH0519351U (ja) * 1991-08-15 1993-03-09 三菱電線工業株式会社 超電導mocvd用蒸発器
JPH08279497A (ja) * 1995-04-07 1996-10-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置および半導体装置
JP2000192243A (ja) * 1998-12-24 2000-07-11 Nissin Electric Co Ltd 気化器メンテナンス方法
JP2001059178A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Pioneer Electronic Corp 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
US20030053799A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-20 Lei Lawrence C. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
WO2004010463A2 (en) * 2002-07-23 2004-01-29 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
WO2004011695A2 (en) * 2002-07-30 2004-02-05 Asm America, Inc. Sublimation system employing carrier gas

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022553087A (ja) * 2019-10-24 2022-12-21 インテグリス・インコーポレーテッド レベルセンサ付き昇華アンプル
JP7392137B2 (ja) 2019-10-24 2023-12-05 インテグリス・インコーポレーテッド レベルセンサ付き昇華アンプル

Also Published As

Publication number Publication date
US20080057218A1 (en) 2008-03-06
US7556244B2 (en) 2009-07-07
CN103028270B (zh) 2015-10-28
KR20120032579A (ko) 2012-04-05
US20080041310A1 (en) 2008-02-21
ATE530249T1 (de) 2011-11-15
US20050006799A1 (en) 2005-01-13
SG10201507473RA (en) 2015-10-29
JP5342139B2 (ja) 2013-11-13
US7487956B2 (en) 2009-02-10
WO2005118119A1 (en) 2005-12-15
KR20070035527A (ko) 2007-03-30
KR101247824B1 (ko) 2013-03-26
KR101181011B1 (ko) 2012-09-07
EP1750833B1 (en) 2011-10-26
SG158097A1 (en) 2010-01-29
CN103028270A (zh) 2013-04-10
EP1750833A4 (en) 2008-04-02
US7300038B2 (en) 2007-11-27
EP2363199A1 (en) 2011-09-07
JP2016000866A (ja) 2016-01-07
JP2008501507A (ja) 2008-01-24
CN1993172A (zh) 2007-07-04
JP6133954B2 (ja) 2017-05-24
SG179494A1 (en) 2012-04-27
EP1750833A1 (en) 2007-02-14
CN103031542B (zh) 2015-11-25
CN103031542A (zh) 2013-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6133954B2 (ja) ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置
US10465286B2 (en) Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US9109287B2 (en) Solid source container with inlet plenum
KR20220025794A (ko) 전구체 물질을 전달하기 위한 용기 및 방법
JP2008501507A5 (ja)
TW200834676A (en) System and method for depositing a gaseous mixture onto a substrate surface using a showerhead apparatus
CN101905126B (zh) 有助于增进气体与汽化材料接触的方法和装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121206

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121206

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140627

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140926

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141001

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141024

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141029

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141126

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150529

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20150604

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150701

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150929

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20151014

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20151204