CN103028270B - 蒸汽递送容器和在容器内提供可汽化源材料的方法 - Google Patents

蒸汽递送容器和在容器内提供可汽化源材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103028270B
CN103028270B CN201210532357.5A CN201210532357A CN103028270B CN 103028270 B CN103028270 B CN 103028270B CN 201210532357 A CN201210532357 A CN 201210532357A CN 103028270 B CN103028270 B CN 103028270B
Authority
CN
China
Prior art keywords
supporter
container
detailed description
gas
supporting construction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210532357.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103028270A (zh
Inventor
约翰·格雷格
斯科特·巴特尔
杰弗里·I·邦东
唐·奈托
拉维·K·拉克斯曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Entegris Inc
Original Assignee
Entegris Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Entegris Inc filed Critical Entegris Inc
Publication of CN103028270A publication Critical patent/CN103028270A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103028270B publication Critical patent/CN103028270B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/20Mixing gases with liquids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S261/00Gas and liquid contact apparatus
    • Y10S261/65Vaporizers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)

Abstract

本发明涉及蒸汽递送容器和在容器内提供可汽化源材料的方法。该蒸汽递送容器包括:周边容器壁,限定内部容积;气体出口,与所述内部容积流体连通;以及至少一个支撑结构,设置于所述内部容积内且适合于在所述至少一个支撑结构内接收可汽化源材料并适合于支撑所述内部容积内的可汽化的固体源材料,其特征在于设置在所述内部容积内的所述至少一个支撑结构包括以下中的任一种:(i)筛网材料,以及(ii)多孔体,其中所述至少一个支撑结构被设置负载有所述可汽化源材料。

Description

蒸汽递送容器和在容器内提供可汽化源材料的方法
本申请是申请日为2005年6月1日、申请号为201010259171.8、发明名称为“有助于增进气体与汽化材料接触的方法和装置”的分案申请的再次分案申请,其中,申请号为201010259171.8的分案申请是申请日为2005年6月1日、申请号为200580025920.8(国际申请号为PCT/US2005/019138)、发明名称为“有助于增进气体与汽化材料接触的方法和装置”的母案申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请是2002年7月23日提交的名称为“汽化器递送瓶”的美国专利申请第10/201,518号的部分延续。将美国专利申请第10/201,518号的内容结合于此作为参考。
技术领域
本专利申请中所描述的一个或多个具体实施方式涉及汽化器(蒸发器,vaporizer)的领域。
背景技术
汽化器可用于,例如在载气中将材料递送到半导体加工设备如(例如)化学汽相淀积(VCD)设备的工艺室(加工室,processchamber)以在工件或离子注入机上形成薄膜,从而使离子朝向工件加速而注入该工件。
一种称为鼓泡器(bubbler)的汽化器通过加热容器中的液体材料并以可控速率将载气引入容器底部附近的液体材料中而将来自液态材料的蒸汽递送到工艺室。然后当载气气泡到达容器顶部时,载气变得饱和有来自液体材料的蒸汽。然后饱和载气被递送至工艺室。
来自固态材料的蒸汽可以通过加热该材料至其升华温度并引导载气流通过该加热后的材料而被递送至工艺室。
发明内容
至少一种披露的装置包括容器和有助于支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积的结构,从而有助于增进气体与汽化材料的接触。用于至少一种所披露装置的结构可以有助于以当材料被置于该结构时一样的形式支撑用于汽化的材料。
至少一种披露的装置包括容器和有助于支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积的结构,从而有助于增进气体与汽化材料的接触,其中汽化材料用于递送至原子层淀积(ALD)工艺设备(加工设备,process equipment)。
至少一种披露的装置包括容器和有助于支撑容器中的液体材料使其具有增大的暴露表面积的结构,从而有助于增进气体与汽化的液体材料的接触。
至少一种披露的装置包括容器以及有助于支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积的一个或多个限定支撑表面的支撑物(支架,holder),从而有助于增进气体与汽化材料的接触。用于至少一种所披露装置的支撑物沿通过支撑物支持表面的开口周边的至少一部分可以具有一个或多个侧壁,以有助于限定气体可以通过其流过支撑物的通道。
至少一种披露的装置包括容器和有助于支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积的一个或多个限定支撑表面的支撑物,从而有助于增进气体与汽化材料的接触。用于至少一种所披露装置的支撑物可以具有一个或多个壁以及在一个或多个壁内的一个或多个通道,以使气体流过该支撑物。
至少一种披露的装置包括容器和有助于支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积的一个或多个限定支撑表面的支撑物,从而有助于增进气体与汽化材料的接触。用于至少一种所披露装置的支撑物可以限定支撑表面,其中该支撑表面的至少一部分是在至少部分地可渗透材料(气体通过其可以流动)的上方。
至少一种披露的方法包括加热容器以有助于汽化容器中的材料,将气体引入该容器,以及将由所引入的气体与汽化材料接触而产生的气体递送至工艺设备。用于至少一种所披露方法的容器可以具有有助于支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积的结构,从而有助于增进气体与汽化材料的接触。用于至少一种所披露方法的结构可以有助于以与当该材料被置于该结构时一样的形式支撑用于汽化的材料。
至少一种披露的方法包括加热容器以有助于汽化容器中的材料,将气体引入该容器,将由所引入的气体与汽化材料接触而产生的气体递送至原子层淀积工艺设备,以及利用该递送的气体实施原子层淀积工艺。用于至少一种所披露方法的容器可以具有有助于支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积的结构,从而有助于增进气体与汽化材料的接触。
附图说明
通过所附附图中的实施例但不是限制性地描述了一种或多种具体实施方式,其中相同标号表示相同元件并且附图中:
图1描述了用于一种或多种具体实施方式的利用有助于增进气体与汽化材料接触的汽化器的系统;
图2描述了用于一种或多种具体实施方式的用于图1的系统中气体递送的流程图;
图3描述了用于一种具体实施方式的汽化器容器的透视、剖视图,其中汽化器容器具有有助于增进气体与来自该支撑物所支撑材料的蒸汽的接触的支撑物;
图4描述了用于一种具体实施方式的支撑物的透视图;
图5描述了用于一种具体实施方式的设置在另一支撑物上方的支撑物的截面图;
图6描述了用于另一种具体实施方式的设置在另一支撑物上方的支撑物的透视、分解图;
图7描述了用于另一种具体实施方式的设置在另一支撑物上方的支撑物的透视、分解图;
图8描述了用于另一种具体实施方式的支撑物的透视图;以及
图9描述了用于一种或多种具体实施方式的利用图3的汽化器容器的系统。
具体实施方式
图1描述了用于一种或多种具体实施方式的系统100,其将来自汽化器110的所需气体递送至连接汽化器110的工艺设备120。汽化器110汽化材料、接收来自连接至汽化器110的气源130的气体、并帮助将由所接收气体与汽化材料接触所产生的气体递送至工艺设备120。汽化器110支撑待汽化的材料以有助于增大待汽化材料的暴露表面积,从而有助于增进所接收气体与汽化材料的接触。
通过有助于增进所接收气体与汽化材料的接触,用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来帮助将所得气体以相对更高的流率递送至工艺设备120。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来依照图2的流程图200将所需气体递送至工艺设备120。
对于图2的方框202,待汽化的材料被支撑在汽化器110的容器中以有助于增大待汽化材料的暴露表面积。
汽化器110可以用来汽化呈任何适当的一种或多种状态和/或以任何适当的一种或多种形式的任何合适材料。用于一种或多种具体实施方式的待汽化材料可以至少部分地取决于例如由工艺设备120实施的工艺或操作。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来汽化任何呈固态的合适材料。用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来汽化例如任何合适的固体材料,该固体材料的特征在于升华温度在例如约20℃至约300℃的范围内并且蒸汽压力在例如约10-2Torr至约103Torr的范围内。汽化器110可以用来汽化例如任何合适的材料,该材料包括硼(B)、磷(P)、铜(Cu)、镓(Ga)、砷(As)、钌(Ru)、铟(In)、锑(Sb)、镧(La)、钽(Ta)、铱(Ir)、癸硼烷(B10H14)、四氯化铪(HfCl4)、四氯化锆(ZrCl4)、三氯化铟(InCl3)、金属有机β-二酮酸盐复合物、环戊二烯基环庚三烯基钛(CpTiChT)、三氯化铝(AlCl3)、碘化钛(TixIy)、环辛四烯环戊二烯钛((Cot)(Cp)Ti)、二叠氮化双(环戊二烯基)钛、羰基钨(Wx(CO)y)、双(环戊二烯基)钌(II)(Ru(Cp)2)、和/或三氯化钌(RuCl3)。汽化器110可以用来汽化以任何适当形式(例如粉末、聚集颗粒、一种或多种结晶体、和/或薄膜)的任何适当固体材料。结晶体可以具有任何适当的尺寸和形状例如片状、块状、或球状。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可用来汽化任何呈液态的适当材料。汽化器110可以用来汽化例如任何合适的材料,该材料包括叔戊基亚氨三(二甲基酰氨基)钽(Taimata)、四(二乙基酰氨基)钛(TDEAT)、四(二甲基酰氨基)钛(TDMAT)、五-二甲基酰氨基钽(PDMAT)、五乙氧基钽(TAETO)、以及双(乙基环戊二烯基)钌(II)(Ru(EtCp)2)。用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来在对材料进行汽化之前将呈固态的任何适当材料加热为液态。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来汽化具有以任何适当状态和/或形式的两种或更多种不同物质的任何适当材料。
汽化器110可包括任何合适的结构以有助于以任何适当方式支撑在任何适当容器中的待汽化材料,从而有助于增大该材料的暴露表面积。可以以任何适当方式将该结构限定、定位、和/或连接在任何适当容器中。用于一种或多种具体实施方式的结构可以有助于支撑容器中的材料,以相对于该材料在没有该结构的容器中静止时可能具有的最大暴露表面积而言有助于增大材料的暴露表面积。
用于一种或多种具体实施方式的结构可以有助于以与当该材料被置于该结构时一样的形式支撑任何用于汽化的合适材料。以这种方式,用于一种或多种具体实施方式的待汽化材料可以被人工或自动化地置于该结构并在不需要进一步制备或调节这样的材料的情况下被汽化。作为一个实施例,任何合适的液体材料可以被置于该结构并在仍处于液体形式下被汽化。作为另一实施例,以任何适当形式(例如粉末、聚集颗粒、和/或一种或多种结晶体)的任何合适固体材料可以被置于该结构并在仍处于该相同形式下被汽化。
用于一种或多种具体实施方式的结构可以以任何适当方式限定一个或多个材料支撑表面,以有助于支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积。用于一种或多种具体实施方式的结构可以以任何适当方式限定一个或多个除了容器内部区域的底表面之外的容器内部区域中的材料支撑表面。用于一种或多种具体实施方式的结构可以限定容器内部区域中的一个或多个材料支撑表面,该材料支撑表面具有的总表面积大于容器内部区域的底表面的表面积。用于一种或多种具体实施方式的结构可以限定多个在容器不同水平面处的材料支撑表面。用于一种或多种具体实施方式的结构可以限定一个或多个跨越容器不同水平面的材料支撑表面。用于一种或多种具体实施方式的结构可以限定一个或多个任何适当形状或轮廓的材料支撑表面。用于一种或多种具体实施方式的结构可以限定一个或多个通常为平面的材料支撑表面。用于一种或多种具体实施方式的结构可以包括一整体以限定一个或多个材料支撑表面。用于一种或多种具体实施方式的结构可以包括多个部分以限定一个或多个材料支撑表面。
对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化的材料为液态或固态并以例如粉末、聚集颗粒、和/或一种或多种结晶体的形式,结构可以有助于支撑以及可选地有助于以任何适当形式在一个或多个材料支撑表面上方包含这样的材料。对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化材料是呈薄膜形式的固态,该材料可以以任何适当形式形成在一个或多个材料支撑表面上方。对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化材料具有两种或更多种不同物质,用于一种或多种具体实施方式的结构可以可选地有助于在不同材料支撑表面上方支撑材料的不同物质。
用于一种或多种具体实施方式的结构可以有助于在一个或多个材料支撑表面上方以与当该材料被置于这样的材料支撑表面上方一样的形式支撑用于汽化的任何合适材料。以这种方式,用于一种或多种具体实施方式的待汽化材料可以被人工或自动化地置于一个或多个材料支撑表面上方并在不需要进一步制备或调节这样的材料的情况下被汽化。作为一个实施例,任何合适的液体材料可以被置于一个或多个材料支撑表面上方并在仍处于液体形式时被汽化。作为另一实施例,以任何适当形式(例如粉末、聚集颗粒、和/或一种或多种结晶体)的任何合适固体材料可以被置于一个或多个材料支撑表面上方并在仍处于该相同形式下被汽化。
用于一种或多种具体实施方式的结构可以以任何适当方式限定在任何适当的至少部分可渗透材料上方的至少一部分材料支撑表面,以有助于支撑待汽化材料同时使适当气体可以流过该材料支撑表面。同样通过暴露待通过一个或多个材料支撑表面汽化的材料的表面积,汽化器110可以有助于增大待汽化材料的暴露表面积。
用于一种或多种具体实施方式的结构可以以任何适当方式限定一个或多个以任何适当方式迂回、弯曲、和/或卷绕在容器中的通道。于是这样的结构可以有助于在一个或多个通道中支撑待汽化的材料,从而有助于增大材料的暴露表面积。该结构可以限定任何适当尺寸和形状的一个或多个通道。用于一种或多种具体实施方式的结构可以包括管以限定通道。用于一种或多种具体实施方式的结构可以包括一系列连接的管以限定一通道。用于一种或多种具体实施方式的结构可以包括限定一个或多个通道的整体。用于一种或多种具体实施方式的结构可以包括多个连接以限定一个或多个通道的部分。
对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化材料为液态或固态并为例如粉末、聚集颗粒、和/或一种或多种结晶体的形式,材料可以被注入以填充一个或多个通道的一部分。对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化材料为薄膜形式的固态,材料可以沿一个或多个通道的内壁或壁的至少一部分以任何适当方式被形成为任何合适厚度。对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化材料具有两种或更多种不同的物质,用于一种或多种具体实施方式的结构可以可选地有助于支撑在不同通道中的材料的不同物质。
用于一种或多种具体实施方式的结构可以以任何适当方式限定任何合适材料的筛网(mesh),以有助于支撑待汽化材料,从而有助于增大材料的暴露表面积。作为一个实施例,这样的结构可以包括任何适当密度的钢丝棉(steel wool)。对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化材料为以例如粉末、聚集颗粒、和/或一种或多种结晶体的形式的固态,材料可以被注入到筛网结构中。
用于一种或多种具体实施方式的结构可以具有一个或多个多孔体(porous body)以有助于支撑待汽化材料,从而有助于增大材料的暴露表面积。这样的一个或多个多孔体可以为任何合适的尺寸和形状,并且可以利用任何合适材料例如任何适当密度的多孔不锈钢来制成。用于一种或多种具体实施方式的这样的一个或多个多孔体可以以任何适当方式被装入待汽化材料和/或可以有助于在该一个或多个多孔体的一个或多个表面上方支撑待汽化材料。用于一种具体实施方式的多孔体可以在朝多孔体的第一端方向上、在该多孔体的第一端处或其附近具有更大尺寸的孔,并且在朝多孔体的相对第二端方向上、在该第二端处或其附近具有更小尺寸的孔,以有助于防止在多孔体中的材料在被汽化为气流进入多孔体的第一端并通过多孔体从多孔体的第二端出来之前从多孔体流出。对于一种或多种具有多个多孔体的具体实施方式,这样的多孔体可以以任何适当方式被限定、定位、和/或连接在容器中。用于一种或多种具体实施方式的多个多孔体可以以堆积方式被限定、定位、和/或连接在容器中。在这样的堆积中的多孔体与该堆积中的任何在下面的或任何在上面的多孔体可以被或可以不被隔开。
用于一种或多种具体实施方式的结构可以以任何适当方式被限定以有助于支撑一个或多个待汽化材料的袋,其中至少一部分的袋由任何合适的至少部分可渗透材料例如合适的膜材料制成,从而有助于支撑袋中的待汽化材料同时使合适气体可以流入袋中和/或使来自袋中的材料的蒸汽可以流出该袋。用于一种或多种具体实施方式的结构可以支撑一个或多个这样的袋从而以任何适当方式暴露袋的表面积,进而有助于增大待汽化材料的暴露表面积。作为一个实施例,该结构可以有助于支撑袋以暴露袋的两个相对侧面,从而在袋的两个相对侧面暴露待汽化材料的表面积。对于一种或多种具体实施方式,一个或多个待汽化材料的袋可以以任何适当方式置于该结构之中和/或之上。对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化材料具有两种或更多种不同物质,用于一种或多种具体实施方式的结构可以可选地有助于支撑不同袋中的材料的不同物质。
对于图2中的方框204,容器中的材料被加热以汽化该材料。可以利用任何适当加热设备以任何适当方式将材料加热至任何合适的温度,以有助于将材料转化成气体或蒸汽状态。用于一种或多种具体实施方式的容器可以限定和/或具有任何合适的结构,以有助于增大容器中的受热表面积,从而有助于增大容器中的材料汽化速率。用于一种或多种具体实施方式的容器可以限定和/或具有任何合适的结构以相对没有这样结构的容器的最大受热表面积来说有助于增大容器中的受热表面积。对于一种或多种具体实施方式,有助于支撑待汽化材料从而有助于增大材料的暴露表面积的结构可以被限定以有助于导热,因而有助于增大容器中的受热表面积。
对于方框206,气体被引入汽化器110的容器中以接触汽化的材料。汽化器110可以以任何适当方式被连接至任何合适的气源130,从而以任何适当方式接收容器中的任何合适气体。由于汽化器110支撑容器中的材料使其具有增大的暴露表面积,所以汽化器110有助于提供较大的界面面积,汽化材料在该处可以与容器中的气体相互作用,因而有助于增进引入的气体与汽化材料的接触。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以接收任何合适的载气,以有助于将任何合适的汽化材料递送至工艺设备120。通过有助于增进载气与汽化材料的接触,于是汽化器110可以有助于增进载气与汽化材料的饱和。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以接收任何合适的气体(其与任何合适的汽化材料是反应性的),以将任何合适的所得气体递送至工艺设备120。通过有助于增进引入气体与汽化材料的接触,于是汽化器110可以有助于增进引入气体与汽化材料的化学反应。
由汽化器110接收的气体可以至少部分地取决于例如待汽化材料和/或由工艺设备120实施的工艺或操作。对于一种或多种具体实施方式,其中汽化器110用于接收载气,汽化器110可以接收载气,其中载气包括例如氢(H)、氦(He)、氮(N)、氧(O)、氩(Ar)、一氧化碳(CO)、和/或二氧化碳(CO2)。对于一种或多种具体实施方式,其中汽化器110用于接收与汽化材料是反应性的气体,汽化器110可以接收包括例如一氧化碳(CO)、亚硝酰(nitrosyl)、和/或氧化氮(NO)的气体。用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以接收与汽化材料是反应性的气体和任何适当惰性气体例如氮(N)或氦(He)的混合物。
对于图2的方框208,汽化器110可以可选地引导气流经过和/或通过汽化材料,以有助于增大引入气体与汽化材料的接触时间。然后用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以有助于增进引入气体与汽化材料的接触,而不管容器中材料的汽化速率的任何变化和/或汽化材料浓度的任何变化。汽化器110可以包括任何合适的结构以有助于引导气流以任何适当方式经过和/或通过汽化材料。
对于一种或多种具体实施方式,其中待汽化材料被支撑在一个或多个材料支撑表面的上方,汽化器110可以包括限定通过一个或多个材料支撑表面的一个或多个通道的结构,以有助于引导气体流过汽化材料的上方。这样的通道可以被限定以例如有助于引导气体直接流过汽化材料上方和/或流向任何合适的结构,从而有助于引导气流在汽化材料上方循环或旋转。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以包括任何合适的导流板(折流板,baffle)或扩散器(diffuser)结构以有助于引导气体直接流过汽化材料上方和/或有助于引导气流在汽化材料上方循环或旋转。
对于一种或多种具体实施方式,有助于支撑待汽化材料的结构也可以用来有助于引导气流经过和/或通过汽化材料。对于一种或多种具体实施方式,其中汽化器110包括有助于在至少部分可渗透的材料上方支撑待汽化材料的结构,气流可以被引导通过至少部分可渗透材料而流过汽化材料。对于一种或多种具体实施方式,其中汽化器110包括有助于支撑在一个或多个通道(其迂回、弯曲、和/或卷绕在容器中)中的待汽化材料的结构,气流可以被引导通过限定的通道而流过汽化材料的上方。对于一种或多种具体实施方式,其中汽化器110包括限定筛网从而有助于支撑待汽化材料的结构,气流可以被引导通过筛网以流过汽化材料的上方。对于一种或多种具体实施方式,其中汽化器110包括具有一个或多个多孔体以有助于支撑待汽化材料的结构,气流可以被引导通过一个或多个多孔体以流过在一个或多个多孔体中的汽化材料上方和/或流过在一个或多个多孔体的一个或多个表面上方的汽化材料。
对于图2的方框210,由引入气体与汽化材料接触产生的气体被递送至工艺设备120。汽化器110可以以任何适当方式被连接至任何合适的工艺设备120以将所得气体递送至工艺设备120。由于汽化器110有助于增进引入气体与汽化材料的接触,所以用于一种或多种具体实施方式的气体可以以相对更高的流速被引入汽化器110的容器中,从而有助于将所得气体以相对更高的流速递送至工艺设备120。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来递送(输送)任何用于任何适当半导体工艺的合适气体,其中半导体工艺是通过任何适当工艺设备120响应于接收所递送气体来实施的。用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来递送任何合适的气体,该气体用于任何合适的化学汽相淀积(CVD)工艺例如原子层淀积(ALD)工艺、等离子体增强原子层淀积(PEALD)工艺、金属有机化学汽相淀积(MOCVD)工艺、或等离子体增强的化学汽相沉积(PECVD)工艺。
对于一种或多种具体实施方式,其中汽化器110用于将气体递送至工艺设备120以实施原子层淀积(ALD)工艺,该工艺利用时间上隔开的递送气体的多次脉冲(bursts)以每次一个单层地在基板上沉积薄膜,用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以连续产生待被递送至工艺设备120的气体同时工艺设备120在这样的脉冲之间不会从汽化器110吸入任何气体。由于汽化器110支撑待汽化材料以有助于增大待汽化材料的暴露表面积,从而有助于增进接收气体与汽化材料的接触,所以用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以产生气体并将气体递送至工艺设备120,其中当由工艺设备120吸入时,可以减少或最小化对于提供足够流量的递送气体的关注。
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以用来递送供任何合适离子注入工艺利用的任何合适气体。
用于方框202、204、206、208、和/或210的操作可以以任何适当的顺序被实施并且可以被实施或不被实施以便及时与任何适当操作与任何其他适当操作的实施重叠。作为一个实施例,容器中的材料可以在方框204被加热作为气体被引入方框206的容器中。
尽管结合工艺设备120进行描述,但是,汽化器110可以用来将任何合适的气体递送至用于任何适当目的的任何合适设备。
如在本文详细描述中所使用的,方向性术语例如顶部、底部、上以及下用来方便描述相对于一个参考坐标系(frame of reference)的汽化器110,而不考虑汽化器110或汽化器110的任何组件是怎样可以在空间被定向的。
用来支撑具有增大表面积的材料的实例结构
用于一种或多种具体实施方式的汽化器110可以包括具有一个或多个支撑物的容器,其中支撑物限定一个或多个支撑表面以有助于支撑材料并进而有助于增大材料的暴露表面积。图3描述了用于一个实例的具体实施方式的容器300,其具有多个分别限定支撑表面311、321、331、341、351、以及361的支撑物310、320、330、340、350、以及360。
容器可以以任何适当方式限定任何适当的一个或多个内部区域,其中一个或多个支撑物可以以任何适当方式被限定、定位、和/或连接在该内部区域中。容器可以限定任何合适尺寸和形状的一个或多个内部区域。用于一种具体实施方式的容器可以具有一个或多个侧壁、底壁、和/或顶壁,以有助于限定任何合适尺寸和形状的内部区域。用于一种或多种具体实施方式的容器可以以任何适当方式限定任何合适的一个或多个开口(opening),通过该开口可以将待汽化材料置于内部区域中的一个或多个支撑物上方、之上、和/或之中,和/或通过该开口可以将一个或多个支撑物插入到内部区域中。容器可以限定任何合适尺寸和形状的一个或多个开口并且限定在相对于一个或多个内部区域的任何合适位置。
用于一种具体实施方式的容器可以具有底壁和一个或多个侧壁以有助于限定任何适当尺寸和形状的内部区域,其中内部区域在容器的顶部处或附近(通常与底壁相对)具有任何合适尺寸和形状的开口。如在图3的实例的具体实施方式中所图示的,容器300可以具有带有表面301的底壁和侧壁302,以有助于限定容器300中的通常为圆筒形的内部区域,其中在容器300顶部处或附近具有通常为圆形的开口。用于一种或多种具体实施方式的通常为圆筒形的内部区域的内径可以在例如约3英寸至约6英寸的范围内,并且对于一种具体实施方式,可以为例如约3.75英寸。用于一种具体实施方式的容器可以具有底壁和四个侧壁以有助于限定容器中的通常为平行六面体形的内部区域,其中在容器的顶部处或附近(通常与底壁相对)具有通常为矩形的开口。
用于一种具体实施方式的容器可以具有顶壁、一个或多个侧壁、以及底壁以有助于限定任何合适尺寸和形状的内部区域,并且在容器的侧面上具有任何合适尺寸和形状的开口。用于一种具体实施方式的容器可以具有顶壁、三个侧壁以及底壁以有助于限定容器中的通常为平行六面体形的内部区域,其中在容器的第四侧面具有通常为矩形的开口。
用于一种或多个具体实施方式的容器可以限定任何合适尺寸和形状的一个或多个内部区域以有助于加热在这样的内部区域中的材料。对于一种或多种具体实施方式,其中容器中的材料可以通过该容器的一个或多个侧壁被加热,用于一种或多种具体实施方式的容器可以限定细长的内部区域以有助于在侧壁附近支撑容器中的材料。
容器可以利用任何合适材料以任何适当方式来制成。用于一种具体实施方式的容器可以利用任何有助于导热的合适材料来制成以有助于加热,从而有助于汽化容器中的材料。用于容器的合适材料的实例可以包括但不限于不锈钢、铝、铝合金、铜、铜合金、银、银合金、铅、镀镍、石墨、陶瓷材料、哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(hastelloy)、因科镍合金(inconel)、蒙乃尔铜-镍合金(monel)、和/或一种或多种聚合物。用于一种或多种具体实施方式的容器可以利用材料的复合物、成层材料、和/或衬里材料(lined material)加以形成。尽管容器300在图3的实例的具体实施方式中被图示为具有整体,但是用于另一具体实施方式的容器可以由分开构件(separate piece)所形成。用于一种或多种具体实施方式的容器可以是合适的传统安瓿(小玻璃瓶,ampoule),其用于汽化材料并递送至工艺设备。
任何适当数量的一个或多个支撑物可以以任何适当方式被限定、定位、和/或连接在任何合适的容器中,以有助于增大材料的暴露表面积。任何适当数量的一个或多个支撑物可以用于一种或多种具体实施方式,以有助于支撑容器内部区域中的材料使其具有增大的暴露表面积(相对于在内部区域中没有任何支撑物的情况下,相同总量的材料在容器内部区域的底表面上静止时可能具有的最大暴露表面积而言)。对于一种具体实施方式,除了被内部区域中的一个或多个支撑物所支撑外,待汽化材料可以可选地被支撑在容器内部区域的底表面上。任何适当数量的两个或更多个支撑物可以用于一种或多种具体实施方式以有助于支撑容器内部区域中的材料,使得由有助于支撑材料的这样的支撑物限定的表面的总表面积大于内部区域底表面的表面积。
用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以被限定、定位、和/或连接以有助于支撑在容器中不同水平面处的待汽化材料。用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以被限定、定位、和/或连接以限定在容器内部区域中底表面连通性地连接至的一个或多个支撑表面。用于一种具体实施方式的多个支撑物可以被限定、定位、和/或连接以限定在容器不同水平面处的多个支撑表面。
如在图3的实例的具体实施方式中所图示的,支撑物310可以被定位在底表面301的上方以限定在底表面301上方的支撑表面311,支撑物320可以被定位在支撑物310上方以限定支撑表面311上方的支撑表面321;支撑物330可以被定位在支撑物320上方以限定支撑表面321上方的支撑表面331;支撑物340可以被定位在支撑物330上方以限定支撑表面331上方的支撑表面341;支撑物350可以被定位在支撑物340上方以限定支撑表面341上方的支撑表面351;以及支撑物360可以被定位在支撑物350上方以限定支撑表面351上方的支撑表面361。尽管在图3的实例的具体实施方式中被图示为利用六个支撑物310、320、330、340、350、以及360,但是任何适当数量的一个或多个支撑物(例如三个、四个、或五个)可以用于一种或多种其他具体实施方式。
任何适当数量的呈任何合适的一种或多种状态和/或形式的任何合适材料可以以任何适当方式被置于或形成在一个或多个支撑物上方、之上、和/或之中。材料可以包括例如固体和/或液体。在待汽化材料包括固体的情况下,这样的材料可以为任何适当形式例如粉末、聚集颗粒、一种或多种结晶体、和/或薄膜。用于一种具体实施方式的待汽化材料可以人工地以任何适当方式被置于或形成在一个或多个支撑物上方、之上、和/或之中。用于一种具体实施方式的待汽化材料可以利用任何合适设备自动化地以任何适当方式被置于或形成在一个或多个支撑物上方、之上、和/或之中。
用于一种具体实施方式的待汽化材料可以容纳在一个或多个袋中而被置于一个或多个支撑物上方、之上、和/或之中,其中至少一部分袋由任何合适的至少部分可渗透材料(例如合适的膜材料)形成,以有助于支撑袋中的待汽化材料同时使合适气体可以流入袋内和/或使来自袋中材料的蒸汽可以流出该袋。用于一种具体实施方式的待汽化材料可以容纳在一个或多个袋中而被置于一个或多个支撑物上方、之上、和/或之中,其中至少一部分袋由任何合适的材料(其在被加热时至少部分地解开)所形成。
用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以至少部分地以任何适当方式涂覆有待汽化材料以在一个或多个支撑表面连通性地连接至形成薄膜。作为一个实施例,诸如金属复合物的合适材料可以被熔化、施加到一个或多个支撑表面上,接着被冷却。作为另一个实施例,诸如金属复合物的合适材料可以被溶解在溶剂中并施加在一个或多个支撑表面上,接着除去溶剂。
用于一种具体实施方式的待汽化材料也可以可选地被置于或形成在容器内部区域的底表面连通性地连接至。
用于一种或多种具体实施方式的一个或多个支撑物可以是与一个或多个其他支撑物可分开的并且与容器是可拆卸的,以有助于方便清洗和/或再装入这样的支撑物。一个或多个这样的支撑物可以以任何适当方式被放置在容器中。可以人工地将用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物放置在容器中。用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以利用任何适当设备以任何适当方式被自动地置于容器中。在可拆卸支撑物的支撑表面连通性地连接至的材料的放置或形成可以在支撑物被置于容器中之前、同时、或之后实施。
用于一种具体实施方式的多个可拆卸支撑物可以可选地以堆积形式被置于容器内部区域中。用于一种具体实施方式的多个可分开和可拆卸支撑物可以一次一个地被置于容器中。在第一个支撑物被置于容器中后,用于一种具体实施方式的第二个支撑物可以被置于容器中以搁置在第一个支撑物上,然后任何接下来的支撑物可以置于容器中以搁置在容器的顶部支撑物上。用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以被置于容器中以直接搁置在另一个支撑物上。用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以被置于容器中以间接搁置在另一个支撑物上,其中例如垫圈或任何其他合适的结构被置于其他支撑物连通性地连接至。
用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以被置于限定和/或具有结构的容器中,以有助于支撑容器中的一个或多个支撑物。这样的结构可以是集成在容器上的和/或与容器是分开的。作为一个实施例,容器的一个或多个内壁可以被成型为具有一个或多个壁架(ledge)以有助于支撑一个或多个支撑物。
用于一种具体实施方式的多个可拆卸支撑物可以以任何适当方式一起被置于容器中。用于一种具体实施方式的多个支撑物可以以任何适当方式在将支撑物置于容器中之前被相互连接。
当在例如干燥箱或手套箱中时,用于一种具体实施方式的待汽化材料可以被置于一个或多个可拆卸支撑物的一个或多个支撑表面连通性地连接至,并且当在干燥箱或手套箱中时,支撑物可以被置于容器中以有助于减少、最小化、或避免材料与例如氧气和/或湿气的反应。
支撑物可以限定具有任何合适尺寸、轮廓、以及形状的一个或多个支撑表面。用于一种或多种具体实施方式的支撑物可以可选地具有一个或多个侧壁和/或任何合适尺寸和形状的一个或多个支撑物(相对于支撑表面),以有助于支撑一个或多个例如位于支撑物上方的其他支撑物和有助于限定一区域,通过该区域气体可以流过由支撑物所支撑的材料的上方。用于一种具体实施方式的支撑物可以沿至少一部分支撑表面的周边具有一个或多个侧壁。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以被限定以有助于容纳任何适当数量的由支撑物所支撑的材料。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以可选地沿顶部被开槽(groove)以有助于将垫圈定位在例如支撑物和在上面的支撑物之间。
如在图4的实例的具体实施方式中所图示的,支撑物310可以限定通常为平坦的支撑表面311(通常为圆形形状)并且沿支撑表面311的周边可以具有通常为圆筒形的侧壁312。
可以利用任何合适材料并以任何适当方式来制成支撑物。用于一种具体实施方式的支撑物可以利用任何有助于导热的合适材料来制成以有助于加热,因而有助于汽化由支撑物所支撑的材料。用于支撑物的合适材料的实例可以包括但不限于不锈钢、铝、铝合金、铜、铜合金、银、银合金、铅、镀镍、石墨、陶瓷材料、哈斯特洛伊耐蚀镍基合金、因科镍合金、蒙乃尔铜-镍合金、和/或一种或多种聚合物。用于一种或多种具体实施方式的支撑物可以利用材料的复合物、成层材料、和/或衬里材料来形成。用于形成支撑物的材料可以是或可以不是与用于形成任何容器(支撑物可以定位在其中)的材料相同的材料。用于形成支撑物的材料可以是或可以不是与用于形成任何被定位在相同容器中的其他支撑物的材料相同的材料。尽管支撑物310在图3和图4的实例的具体实施方式中被图示为具有限定支撑表面311和侧壁312的整体,但是用于另一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以由分开构件形成,以限定一个或多个支撑表面和/或一个或多个侧壁和/或一个或多个支撑物(support)。
对于一种具体实施方式,容器中的两个或更多个支撑物可以类似地形成以有助于支撑容器中待汽化材料。
用于一种或多种具体实施方式的容器和一个或多个支撑物可以用来以任何适当方式帮助增进从容器传热至一个或多个支撑物。用于一种或多种具体实施方式的容器和一个或多个支撑物可以用来帮助增进从容器的一个或多个侧壁通过上述支撑物的一个或多个侧壁传热至一个或多个支撑物。如在图3和图4的具体实施方式中所图示的,容器300可以具有侧壁302以有助于限定通常为圆筒形的内部区域,并且支撑物310例如可以具有通常为圆筒形侧壁312,其外表面可以用来有助于当支撑物310被定位在容器300中时提供与侧壁302的内表面的热接触。
用于一种具体实施方式的容器和一个或多个支撑物可以可选地加以制造以使在容器的一个或多个侧壁内表面和支撑物的一个或多个侧壁外表面之间的间隔(clearance)可以处在预定范围内,例如在约1/1000英寸至约3/1000英寸的范围内。对于一种具体实施方式,容器内一个或多个支撑物的放置和/或从容器移走一个或多个支撑物可以通过相对于容器冷却支撑物和/或相对于支撑物加热容器而易于进行。用于一种具体实施方式的一个或多个支撑物可以利用具有更大热膨胀系数的材料(相对于用来形成容器的材料)来制成,以有助于以相对更低的温度例如室温使在容器的一个或多个侧壁内表面和支撑物的一个或多个侧壁外表面之间的间隔增大,同时有助于以相对更高的温度增进在容器的一个或多个侧壁内表面和支撑物的一个或多个侧壁外表面之间的热接触。
气体引入
气体可以以任何适当流率被引入在任何合适位置的容器的一个或多个内部区域。用于一种或多种具体实施方式的气体可以在内部区域的一端处或附近被引入容器的内部区域以流向内部区域的另一端。
用于一种或多种具体实施方式的气体可以在内部区域的底表面和/或内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物处或附近被引入容器的内部区域。用于一种具体实施方式的气体可以在内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物和底表面之间被引入。用于一种具体实施方式的气体可以在内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物和支撑待汽化材料的接着的最低支撑物之间被引入。
气体可以以任何适当方式被引入容器的内部区域。用于一种具体实施方式的气体可以通过通道被引入容器的内部区域,其中通道被限定以从在内部区域顶部处或附近的任何合适位置延伸至内部区域底表面和/或内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物处或附近的任何合适位置。通道可以以任何适当方式利用任何合适结构来加以限定。
用于一种具体实施方式的引入气体的通道可以至少部分地由管加以限定,其中所述管从在内部区域顶部处或附近的任何合适位置并通过内部区域的任何部分延伸至内部区域底表面和/或内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物处或附近的任何合适位置。用于一种具体实施方式的管可以延伸通过在内部区域的至少一个支撑物中的开口。管可以由任何合适材料制成并且可以限定任何适当尺寸和形状的通道。
用于一种具体实施方式的管可以延伸至内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物和内部区域底表面之间的任何合适位置。用于一种具体实施方式的内部区域中的最低支撑物可以通过任何合适结构被支撑在内部区域底表面连通性地连接至以限定在最低支撑物和底表面之间的区域。对于一种具体实施方式,任何合适支撑结构可以被容器限定在内部区域底表面之上、处、或附近和/或可以在第一支撑物置于内部区域中之前被置于内部区域中。接着第一支撑物可以被置于内部区域中以或者直接或者间接搁置在支撑结构上。对于一种具体实施方式,内部区域的一个或多个侧壁可以限定在底表面上、处、或附近的一个或多个壁架以有助于支撑在底表面连通性地连接至的最低支撑物。
如在图3的具体实施方式中所图示描述的,通常圆形支撑物304可以被置于容器300内部区域中的底表面301上以支撑底表面301上方的支撑物310。然后管305可以通过通常在容器300内部区域的中部的支撑物360、350、340、330、320、以及310中的开口延伸至支撑物310和底表面301之间的位置。
用于另一具体实施方式的管可以延伸至在内部区域支撑待汽化材料的最低支撑物和在该最低支撑物上面的支撑物之间的任何合适位置。
用于一种或多种具体实施方式的支撑物可以在任何合适位置限定通过其管可以延伸的任何适当尺寸和形状的开口。用于一种具体实施方式的支撑物可以沿这样的开口的至少一部分周边具有一个或多个侧壁。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以被限定以有助于容纳任何适当数量的由支撑物的支撑表面所支撑的材料。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以由任何适当的材料制成以有助于导热,因而有助于汽化由支撑物所支撑的材料。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以被限定以有助于支撑定位在该支撑物上方的一个或多个其它支撑物。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以可选地沿顶部被开槽以有助于例如在支撑物和管之间和/或在支撑物和在上面的支撑物之间定位垫圈。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以利用任何合适技术(例如通过将至少部分带螺纹的侧壁拧入螺纹开口中)被连接至支撑物。用于另一具体实施方式的这样的侧壁可以例如和支撑物整体地形成以有助于增进传热至这样的侧壁。
如在图3、图4和图5的具体实施方式中所图示的,支撑物310可以通过通常为支撑表面311的中部区域限定通常为圆形的开口(通过其管305可以延伸)并且可以沿着该开口(在侧壁315顶部具有凹槽)的周边具有通常为圆筒形侧壁315,以有助于在支撑物310和管305之间以及在支撑物310和支撑物320之间定位O形环316。
对于一种具体实施方式,容器中的两个或更多个支撑物可以类似地被形成以限定通过其管可以延伸的开口。用于一种具体实施方式的管可以在这样的支撑物已被置于容器中后通过一个或多个支撑物中的开口而被插入。用于另一具体实施方式的管可以在这样的支撑物已被置于容器中之前通过一个或多个支撑物中的开口而被插入,然后管和支撑物可以一起被置于容器中。
用于另一具体实施方式的用来引入气体的通道可以至少部分被限定以在侧壁内从容器内部区域的顶部处或附近的任何合适位置延伸至内部区域底表面和/或内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物处或附近的任何合适位置。通道可以在侧壁内被限定为任何适当尺寸和形状。
尽管是相对于通过在内部区域底表面和/或在内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物处或附近的一个通道被引入进行描述的,但是用于另一具体实施方式的气体可以通过多个通道(其被限定以延伸至内部区域底表面和/或在内部区域中支撑待汽化材料的最低支撑物处或附近的任何合适位置)被引入容器内部区域。这样的多个通道可包括至少部分由一个或多个管限定的一个或多个通道、限定在内部区域一个或多个侧壁内的一个或多个通道、和/或利用任何其它适当结构限定的一个或多个通道。
用于一种具体实施方式的气体可以在内部区域底表面和/或支撑待汽化材料的最低支撑物处或附近的任何合适位置并通过在内部区域底表面处的底壁和/或通过在内部区域侧壁表面处的侧壁被引入容器的内部区域。用于一种具体实施方式的气体可以通过多个开口(限定在整个内部区域的底表面和/或内部区域的侧壁表面)被引入以有助于更好地在内部区域中分配气体。
用于一种或多种具体实施方式的气体可以在内部区域顶端和/或内部区域中支撑待汽化材料的最高支撑物处或附近被引入容器内部区域内以流向内部区域的底端。
经过和/或通过汽化材料的气流
引入的气体可以被引导用来流动经过和/或通过以任何适当方式在由容器内部区域的端表面和/或由内部区域中的一个或多个支撑物所支撑的材料,从而有助于增加所引入气体与待汽化材料的接触时间。然后引入的气体可以更可能地接触汽化材料而不管材料汽化速率的任何变化和/或内部区域中的汽化材料的浓度的任何变化。
对于一种具体实施方式,其中待汽化材料被支撑在容器内部区域的底表面上并且其中气体在底表面处或附近被引入,所引入的气体可以被引导以在利用任何合适结构支撑在底表面上的材料连通性地连接至流动或通过该材料流动。作为一个实施例,图3的具体实施方式可以通过连接在管305端部处的导流板或分散器加以改进以有助于引导气流经过支撑在底表面301上的材料。对于一种具体实施方式,其中气体在支撑待汽化材料的最低支撑物处或附近被引入,所引入的气体可以被引导以流动经过和/或通过在利用任何合适结构由最低支撑物所支撑的材料。
对于一种或多种具体实施方式,容器内部区域内的一个或多个支撑物可以具有以任何适当方式限定的一个或多个通道以有助于引导任何合适气体从内部区域一端流向另一端,并且当气体被引向内部区域另一端时,有助于引导这样的气体流动经过和/或通过在由这样的支撑物所支撑的材料。
用于一种或多种具体实施方式的支撑物可以在任何合适的一个或多个位置具有任何适当数量的一个或多个通道(通过其气体可流过支撑物)。用于一种具体实施方式的支撑物可以在任何合适的一个或多个位置具有任何适当数量的一个或多个通道(通过其气体可从支撑物下方流动并且流动经过和/或通过在由该支撑物所支撑的材料)。
用于一种具体实施方式的支撑物可以通过支撑表面限定任何合适尺寸和形状的开口并且可以具有任何合适尺寸和形状的一个或多个侧壁,以从该支撑表面沿着这样的开口的至少一部分周边向上延伸,从而有助于限定用于气流通过支撑物的通道。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以被限定以有助于包含任何合适数量的由支撑物支撑的材料。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以有助于引导气流在由支撑物所支撑的材料上方循环或旋转。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以由任何适当的材料制成以有助于导热并因此有助于汽化由支撑物所支撑的材料。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以利用任何合适技术被连接至支撑物。用于另一种具体实施方式的这样的支撑物可以例如与支撑物一起整体形成以有助于增进传热至这样的侧壁。
如在图4和图5的具体实施方式中所图示的,支撑物310可以限定通过支撑表面311的通常为圆形的开口,并且管317可以被插入该开口以限定通常为圆筒形的侧壁,从而从支撑表面311沿着该开口的周边向上延伸以有助于限定通过支撑物310的通常为圆筒形的通道。管317可以具有任何合适尺寸和形状并且可以限定任何合适尺寸和形状的通道。管317可以由任何适当材料例如不锈钢形成,并且可以利用任何合适技术插入在支撑表面311内的开口。用于一种具体实施方式的管317可以压配合到支撑表面311内的开口中。用于另一种具体实施方式的管317可以具有外部螺纹表面并且可以被拧入支撑表面311中的开口内。用于一种具体实施方式的带螺纹的管317可以允许有可调整性以有助于最优化气流和/或气体与待汽化材料的接触时间。对于支撑物310可以类似地限定一个或多个其它通道例如由管318限定的通道。
用于一种具体实施方式的支撑物可以具有一个或多个侧壁以限定一个或多个通常为圆锥形的通道(其随着侧壁从支撑物的支撑表面向上延伸而逐渐变细)以有助于减少、最小化、或避免气体回流。用于一种具体实施方式的这样的侧壁的宽度和/或厚度也可以随着侧壁从该支撑物的支撑表面向上延伸而逐渐变细。
用于一种具体实施方式的支撑物可以具有一个或多个通道侧壁(其限定一个或多个通风孔)以允许气体径向地流过这样的侧壁和流过支撑物所支撑的材料和/或在该材料上方流动。
对于一种或多种具体实施方式,两个或更多个支撑物可以具有用于气体流过这样的支撑物的一个或多个通道,以允许一个或多个这样的支撑物被定位从而至少部分叠加另一个这样的支撑物上面。然后用于一种具体实施方式的所引入的气体可以被引导以流动经过和/或通过在由增加数量的支撑物所支撑的材料,从而有助于增加所引入气体与汽化材料的接触时间。
用于一种具体实施方式的在上面的支撑物可以相对于在下面的支撑物被定位或定向,以有助于避免将在上面的支撑物的一个或多个通道与在下面的支撑物的一个或多个通道排列成直线。用于一种具体实施方式的在上面的支撑物可以在不同位置处具有一个或多个通道以有助于避免将在上面的支撑物的一个或多个通道与在下面的支撑物的一个或多个通道排列成直线,而不管这样的支撑物相对于彼此是怎样被定位或定向的。通过避免通道的对准,上面支撑物的底部可以有助于引导气流通过在下面的支撑物的一个或多个通道流出从而在通过在上面的支撑物进入一个或多个通道之前在由在下面的支撑物所支撑的材料上方循环或旋转。当材料被汽化时引导气流在由支撑物所支撑的材料上方循环或旋转,有助于增加气体与汽化材料的接触时间并因此有助于增进气体与汽化材料的接触。
用于一种具体实施方式的在上面和在下面的支撑物可以可选地限定和/或具有任何合适结构以有助于将它们相对于彼此进行定位或定向,从而有助于避免将在上面的支撑物的一个或多个通道与在下面的支撑物的一个或多个通道排列成直线。如在图4的具体实施方式中所图示的,切口314可以被限定在侧壁312的顶部以接纳相应的突出部分(protuberance)(其从在上面的支撑物的底部向下延伸)从而有助于相对于支撑物310对在上面的支撑物进行定向。
对于一种或多种具体实施方式,其中一个或多个通道侧壁从在下面的支撑物的支撑表面向上延伸,用于一种具体实施方式的这样的通道侧壁可以为任何合适高度以有助于限定在这样的通道侧壁和在上面的支撑物的底部之间的任何合适尺寸的出口区,从而使气流可以通过在下面的支撑物从一个或多个通道排出和/或有助于在由在下面的支撑物所支撑的材料上方循环或旋转气流。
用于一种或多种具体实施方式的在上面的支撑物可以具有任何合适尺寸和形状的一个或多个侧壁以沿着通道开口的至少一部分周边从支撑物的底部向下延伸。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以有助于引导气流在通过上面的支撑物进入一个或多个通道之前在由在下面的支撑物所支撑的材料上方进行循环或旋转。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以为任何合适深度以有助于限定在这样的侧壁和例如由在下面的支撑物所支撑的材料的顶表面之间的任何合适尺寸的进口区,从而使气流可以通过在上面的支撑物进入一个或多个通道。用于一种具体实施方式的这样的侧壁可以利用任何合适技术连接至支撑物。用于另一种具体实施方式的这样的侧壁可以与支撑物一起整体形成。
如在图3和图5的具体实施方式中所图示的,支撑物320可以限定通过支撑物表面321的通常为圆形的开口,并且管327可以被插入该开口以限定通常为圆筒形的侧壁,从而沿着该开口的周边从支撑物320的底部向下延伸以有助于限定通过支撑物320的通常为圆筒形的通道。管327可以具有任何适当尺寸和形状并且可以限定任何适当尺寸和形状的通道。管327可以由任何合适材料例如不锈钢形成,并且可以利用任何适当技术插入在支撑表面321内的开口中。用于一种具体实施方式的管327可以压配入在支撑表面321内的开口内。用于另一具体实施方式的管327可以具有外部带螺纹的表面并且可以被拧入在支撑表面321内的开口中。用于一种具体实施方式的带螺纹的管327可以允许有可调整性以有助于最优化气流和/或气体与汽化材料的接触时间。对于支撑物320可以类似地限定一个或多个其它通道例如由管328所限定的通道。
同样如在图3和图5的具体实施方式中所图示的,管327可以通过支撑物320的支撑表面321中的开口插入,以限定沿着该开口周边从支撑表面321向上延伸的通常为圆筒形的侧壁和沿着该开口周边从支撑物320的底部向下延伸的通常为圆筒形的侧壁。用于一种具体实施方式的管327可以被压配入开口中的任何合适位置。用于另一种具体实施方式的管327可以具有外部带螺纹的表面并且可以被拧入开口内至开口中的任何合适位置。一个或多个其它管例如管328还可以限定从支撑表面321向上延伸的通常为圆筒形的侧壁和从支撑物320的底部向下延伸的通常为圆筒形的侧壁。
对于一种或多种具体实施方式,其中一个或多个通道侧壁从在下面的支撑物的支撑表面向上延伸并且一个或多个通道侧壁从在上面的支撑物的底部向下延伸,一个或多个通道侧壁(从用于一种具体实施方式的在下面的支撑物的支撑表面向上延伸)的顶部可以高于一个或多个通道侧壁(从在上面的支撑物的底部向下延伸)的底部,以有助于引导气流通过在下面的支撑物从一个或多个通道排出,从而在通过在上面的支撑物进入一个或多个通道之前在由在下面的支撑物所支撑的材料上方循环或旋转。如在图5的具体实施方式中所图示的,用于支撑物310的管317和管318的顶部可以高于用于支撑物320的管327和管328的底部,以有助于引导气流在由支撑物310所支撑的材料上方循环或旋转。
用于一种具体实施方式的支撑物可以具有一个或多个通道(在其顶部上方具有一盖子)以有助于引导气流径向地通过在该盖子和通道侧壁之间限定的和/或在通道侧壁中限定的一个或多个通风孔。这样,可以将支撑物相对于在上面的支撑物(具有减少或最低程度关注于避免通道的对准)进行定位或定向。支撑物可以具有用于通道盖子的任何合适结构。用于一种具体实施方式的这样的结构可以以任何适当方式与通道侧壁成为整体和/或连接至通道侧壁。
用于一种或多种具体实施方式的支撑物可以在任何合适位置具有任何合适数量的具有任何合适尺寸和形状的一个或多个壁,以从支撑物的支撑表面向上延伸并且可以具有任何合适尺寸和形状的一个或多个通道(限定在一个或多个这样的壁内用于气流通过该支撑物)。用于一种具体实施方式的这样的壁可以被限定为具有一个或多个通道以有助于易于在支撑物(相对于例如具有在整个支撑表面铺展的通道侧壁的支撑物)上方、之上、和/或之中的材料的放置或形成。用于一种具体实施方式的这样的壁可以被限定以有助于包含任何合适量的由支撑物所支撑的材料。用于一种具体实施方式的这样的壁可以有助于引导气流在支撑物所支撑的材料上方循环或旋转。用于一种具体实施方式的这样的壁可以利用有助于导热的任何合适材料形成,从而有助于汽化由支撑物所支撑的材料。用于一种具体实施方式的这样的壁可以利用任何合适技术被连接至支撑物。用于另一种具体实施方式的这样的壁可以与例如支撑物一起整体形成以有助于增进传热至这样的壁。
用于一种具体实施方式的支撑物可以具有任何合适尺寸和形状的从支撑物的支撑表面向上延伸的一个或多个壁,以有助于隔开支撑表面并且可以具有任何合适尺寸和形状的一个或多个通道(限定在一个或多个这样的壁内用于气流通过该支撑物)。用于一种具体实施方式的这样的壁可以被限定在任何合适位置以有助于将支撑表面分隔成任何合适数量的两个或更多个区域(在其上方可以支撑待汽化材料)。
如在图6的具体实施方式中所图示的,支撑物610可以限定支撑表面611并且沿着支撑表面611的周边具有侧壁612以及沿着开口(通过其用于气体引入的管可以延伸)的周边具有侧壁615。支撑物610、支撑表面611、侧壁612、以及侧壁615通常分别对应于图3、图4、和图5的支撑物310、支撑表面311、侧壁312、以及侧壁315。支撑物610可以具有在侧壁612和侧壁615之间延伸的多个壁(例如壁617和618)以将支撑表面611分隔成多个区域(在其上可以放置或形成待汽化材料)。一个或多个通道可以被限定在一个或多个这样的壁中而不是例如铺展在整个支撑表面611上以有助于易于在支撑物610上方、之上、和/或之中放置或形成待汽化材料。
用于一种具体实施方式的具有一个或多个壁(具有一个或多个通道)的在上面的支撑物可以相对于在下面的支撑物被定位或定向,以有助于引导气流通过在下面的支撑物的一个或多个通道流出从而在通过在上面的支撑物进入一个或多个通道之前在由在下面的支撑物所支撑的材料上方流动。对于一种具体实施方式,具有用于在下面的支撑物的一个或多个通道的一个或多个壁可以为任何合适高度以有助于在这样的壁和在上面的支撑物的底部之间限定任何合适尺寸的出口区,以使气流可以从通过在下面的支撑物的一个或多个通道排出和/或有助于气流在由在下面的支撑物所支撑的材料上方循环或旋转。
如在图6的具体实施方式中所图示的,在上面的支撑物620可以限定支撑表面621并且沿着支撑表面621的周边具有侧壁622、沿着开口(通过其用于气体引入的管可以延伸)的周边具有侧壁625、以及在侧壁622和侧壁625之间延伸的多个壁(例如壁627和628)以将支撑表面621分隔成多个区域(在其上可以放置或形成待汽化材料)。支撑物620、支撑表面621、侧壁622、侧壁625、以及壁627和628通常分别对应于支撑物610、支撑表面611、侧壁612、侧壁615、以及壁617和618。用于一种具体实施方式的在上面的支撑物620可以相对于在下面的支撑物610被定位或定向以有助于引导气流从一个或多个通道(限定在例如壁618中)排出,从而在进入在上面的支撑物620的一个或多个通道(限定在例如壁627和628中)之前在壁618附近的两个支撑表面区域上方支撑的材料上方流动。缺口614可以可选地被限定在侧壁612的顶部以接收相应的突出部分(从在上面的支撑物620的底部向下延伸)以有助于相对于在下面的支撑物610对在上面的支撑物620进行定向。
用于一种具体实施方式的支撑物可以具有任何合适尺寸和形状的一个或多个壁以沿着或靠近至少一部分支撑表面的周边从支撑物的支撑表面向上延伸并且可以具有任何合适尺寸和形状的一个或多个通道(限定在一个或多个这样的壁中用于气流通过支撑物)。
如在图7的具体实施方式中所图示的,支撑物710可以限定支撑表面711并且具有沿着支撑表面711周边的侧壁712和沿着开口(通过其用于气体引入的管可以延伸)周边的侧壁715。支撑物710、支撑表面711、侧壁712、以及侧壁715通常分别对应于图3、图4、以及图5的支撑物310、支撑表面311、侧壁312、以及侧壁315。支撑物710可以具有沿着侧壁712内侧的壁717并且可以具有限定在壁717内而不是例如在整个支撑表面711上铺展的一个或多个通道以有助于易于在支撑物710上方、之上和/或之中的材料的放置或形成。
用于一种具体实施方式的支撑物可以具有任何合适尺寸和形状的一个或多个壁以从在支撑表面的通常中心区域处或附近的支撑物的支撑表面向上延伸,并且可以具有任何合适尺寸和形状的一个或多个通道(限定在一个或多个这样的壁内用于气流通过该支撑物)。
如在图7的具体实施方式中所图示的,支撑物720可以限定支撑表面721并具有沿着支撑表面721周边的侧壁722以及沿着开口(通过其用于气体引入的管可以延伸)周边的侧壁725。支撑物720、支撑表面721、侧壁722、以及侧壁725通常分别对应于图3、图4、以及图5的支撑物310、支撑表面311、侧壁312、以及侧壁315。支撑物720可以具有沿着侧壁725外侧的壁727并且可以具有限定在壁727内而不是例如在整个支撑表面721上铺展的一个或多个通道,以有助于易于在支撑物720上方、之上、和/或之中的材料的放置或形成。
用于一种具体实施方式的具有一个或多个壁的支撑物(沿着支撑表面的至少一部分周边或其附近具有一个或多个通道)可以被定位在具有一个或多个壁的在下面的支撑物(在支撑表面的通常中心区域处或附近具有一个或多个通道),以有助于引导气流通过在下面的支撑物的一个或多个通道流出,从而在通过在上面的支撑物进入一个或多个通道之前在由在下面的支撑物所支撑的材料上方流动。用于一种具体实施方式的支撑物可以在减少或最低程度关注避免通道对准的情况下相对于在上面的支撑物被定位或定向。对于一种具体实施方式,具有用于在下面的支撑物的一个或多个通道的一个或多个壁可以为任何合适高度以有助于限定在这样的壁和在上面的支撑物的底部之间的任何合适尺寸的出口区,以使气流可以通过在下面的支撑物的一个或多个通道流出和/或有助于气流在由在下面的支撑物所支撑的材料上方循环或旋转。
如在图7的具体实施方式中所图示的,用于一种具体实施方式的支撑物710可以被定位在支撑物720的下面以有助于引导气流流出限定在壁717内的一个或多个通道,从而在进入在上面的支撑物720的壁727内的一个或多个通道之前在由支撑表面711上方所支撑的材料上方流动。
用于一种具体实施方式的具有一个或多个壁的支撑物(在支撑表面的通常中心区域处或附近具有一个或多个通道)可以被定位在具有一个或多个壁的支撑物(沿着支撑表面的至少部分周边或其附近具有一个或多个通道)的下面,以有助于引导气流通过在下面的支撑物的一个或多个通道流出从而在通过在上面的支撑物进入一个或多个通道之前在由在下面的支撑物所支撑的材料上方流动。用于一种具体实施方式的支撑物可以在减少或最低程度关注避免通道对准的情况下相对于在上面的支撑物被定位或定向。对于一种具体实施方式,具有用于在下面的支撑物的一个或多个通道的一个或多个壁可以为任何合适高度以有助于限定在这样的壁和在上面的支撑物的底部之间的任何合适尺寸的出口区,以使气流可以通过在下面的支撑物的一个或多个通道流出和/或有助于气流在由在下面的支撑物所支撑的材料上方循环或旋转。
用于一种具体实施方式的具有一个或多个壁(具有一个或多个通道)的在上面的支撑物可以可选地具有任何合适尺寸和形状的一个或多个壁以从支撑物的底部向下延伸从而通过在上面的支撑物延伸一个或多个通道。用于一种具体实施方式的这样的壁可以有助于引导气流在通过在上面的支撑物进入一个或多个通道之前在由在下面的支撑物所支撑的材料上方循环或旋转。用于一种具体实施方式的这样的壁可以为任何合适高度以有助于在这样的壁和例如由在下面的支撑物所支撑的材料的顶表面之间限定任何合适尺寸的进口区,以使气流可以通过在上面的支撑物进入一个或多个通道。用于一种具体实施方式的这样的壁可以利用任何合适技术连接至支撑物。用于另一种具体实施方式的这样的壁可以与支撑物整体形成。
图6的具体实施方式的支撑物620例如可以具有从支撑物620底部向下延伸的一个或多个壁(与分隔支撑表面621的一个或多个壁例如壁627和/或628相对)以通过支撑物620延伸一个或多个通道。图7的具体实施方式的支撑物720例如可以具有从支撑物720底部向下延伸的一个或多个壁(与壁727相对)以通过支撑物720延伸一个或多个通道。
用于一种具体实施方式的具有一个或多个壁(具有一个或多个通道)的在上面的支撑物可以可选地具有任何合适尺寸和形状的一个或多个侧壁以从支撑物底部沿着通道开口的至少一部分周边向下延伸。
通过以任何合适方式限定在任何合适的至少部分可渗透的材料(例如任何合适密度的多孔不锈钢)上方的至少部分支撑表面,用于一种具体实施方式的支撑物可以具有通过其气体可以流过支撑物的通道。然后这样的支撑物可以支撑在支撑表面上方的汽化材料同时使任何合适气体可以流过支撑表面,然后流过汽化材料和/或在其上方流动。用于一种具体实施方式的这样的支撑物可以支撑任何合适的液体材料。用于一种具体实施方式的这样的支撑物可以支撑任何适当形式的任何合适的固体材料。用于一种具体实施方式的这样的支撑物可以支撑呈粉末和/或聚集颗粒形式的任何合适的固体材料以有助于形成流化床。
如在图8的具体实施方式中所图示的,支撑物810可以限定在任何合适的至少部分可渗透材料上方的支撑表面811并且具有沿着支撑表面811周边的侧壁812以及沿着通过其用于气体引入的管可以延伸的开口的周边的侧壁815。支撑物810、支撑表面811、侧壁812、以及侧壁815通常分别对应于图3、图4、以及图5的支撑物310、支撑表面311、侧壁312、以及侧壁315。
对于一种或多种具体实施方式,其中支撑物具有任何合适的至少部分可渗透材料例如任何合适密度的多孔不锈钢,通过以任何适当方式用待汽化材料装载至少部分可渗透材料和/或通过在至少部分可渗透材料的至少一部分支撑在一个或多个支撑表面上方的待汽化材料,用于一种或多种具体实施方式的支撑物可以有助于支撑待汽化材料。用于一种具体实施方式的至少部分可渗透材料可以具有朝向支撑物的第一端(如下端)、在支撑物的第一端处、或支撑物的第一端附近的较大尺寸的孔和朝向支撑物的相对第二端(如顶端)、在支撑物的第二端处、或支撑物的第二端附近的较小尺寸的孔,以有助于防止在至少部分可渗透材料中的材料在被汽化为通过支撑物的气流之前流出支撑物。
对于一种或多种具体实施方式,可以利用任何合适的折流板或分散结构来引导气体流经和/或流过由容器内部区域的端表面和/或由内部区域的一个或多个支撑物所支撑的材料。这样的结构可以与一个或多个这样的支撑物和/或容器形成整体和/或与其分开。用于一种具体实施方式的这样的结构可以与支撑物成整体和/或连接至该支撑物,以有助于引导气流经过和/或通过由支撑物所支撑的材料。用于一种具体实施方式的这样的结构可以与在上面的支撑物成整体和/或连接至该在上面的支撑物,以有助于引导气流经过和/或通过由在下面的支撑物所支撑的材料。
递送所获得气体的系统
一个或多个支撑待汽化材料的支撑物被限定、定位、和/或连接在其中的容器可以以任何适当方式被连接以接收来自任何合适气源的任何合适气体,可以利用任何合适加热设备以任何适当方式被加热以有助于汽化容器中的材料,并且可以被连接以将由所接收气体与汽化材料接触而产生的气体以任何适当方式递送至例如任何合适的工艺设备。
对于一种或多种具体实施方式,图9图示了系统900,其包括汽化器910、工艺设备920、以及气源930。汽化器910、工艺设备920、以及气源930通常分别对应于图1的汽化器110、工艺设备120、以及气源130。汽化器910可以包括容器300和加热设备912以有助于汽化容器300中的材料。容器300可以连接至气源930以接收任何合适气体并且可以连接至工艺设备920以将由所接收气体与汽化材料接触产生的气体递送至工艺设备920。
用于一种或多种具体实施方式的容器可以通过一个或多个通道或进口(其以任何适当方式被限定通过任何适当的一个或多个盖子,其中盖子覆盖容器的一个或多个开口)和/或通过容器的任何合适的一个或多个壁例如侧壁和/或底壁来接收在一个或多个内部区域中的任何合适流率的气体。用于一种或多种具体实施方式的容器可以通过一个或多个通道或出口(其以任何适当方式被限定通过任何适当的一个或多个盖子,其中盖子覆盖容器的一个或多个开口)和/或通过容器的任何合适的一个或多个壁例如侧壁和/或底壁来以任何合适流率递送由所接收气体与汽化材料接触而产生的气体。用于一种具体实施方式的盖子可以可选地具有一个或多个进口以接收气体以及一个或多个出口以递送气体。对于一种具体实施方式,一个或多个阀可以可选地用来帮助调节将气体引入容器中。对于一种具体实施方式,一个或多个阀可以可选地用来帮助调节递送来自容器的气体。
用于一种或多种具体实施方式的容器可以具有任何合适的一个或多个盖子,其可以为任何合适尺寸和形状,其可由任何合适材料形成,并且其可以被安装从而以任何适当方式覆盖容器的一个或多个开口。对于一种具体实施方式,容器可以具有环绕至少部分开口的安装环(collar)以有助于在开口上方安装盖子。然后用于一种具体实施方式的盖子可以利用任何合适的一个或多个机械紧固件被固定至该安装环。用于一种具体实施方式的容器可以可选地环绕至少部分开口被开槽以有助于在容器和安装在开口上方的盖子之间定位垫圈(gasket)。用于一种或多种具体实施方式的盖子可以有助于当盖子被固定至容器时通过在内部区域中压靠这样的支撑物而固定在内部区域中的一个或多个支撑物。对于一种或多种具体实施方式,其它结构例如隔板(spacer)可以可选地用来帮助将盖子压靠在这样的支撑物上。
如在图3的具体实施方式中所图示的,容器300可以具有环绕在容器300顶部的开口的安装环,并且盖子306可以被定位在该安装环上方并利用螺钉例如螺钉307被固定至该安装环。槽可以可选地被限定在安装环顶部的开口周围以有助于在容器300和盖306之间定位O形环308。O形环308可以由任何合适材料例如任何合适的弹性体、或任何合适的金属例如不锈钢形成。盖306可以通过通常为盖306的中部区域限定开口,通过其至少部分由管305限定的通道或进口可以延伸到容器300的内部区域内。当盖306被固定至用于容器300的安装环时,盖306可以压靠O形环308以有助于密封在安装环上方的盖306并且可以压靠环绕管305的安装环以有助于将盖306压靠在支撑物360、350、340、330、320、以及310上。然后用于支撑物360、350、340、330、320、以及310的O形环例如图5中的O形环316可以被压缩以有助于相对于彼此和/或相对于管305密封支撑物360、350、340、330、320、以及310。具有进口连接器(coupling)391的阀381可以被连接至管305以有助于调节将气体引入容器300内。盖306也可以限定开口,通过其至少部分由管限定的通道或出口可以延伸到容器300内。具有出口连接器392的阀382可以被连接至管以有助于调节来自容器的气体的递送。
用于一种具体实施方式的气体进口可以利用任何合适的一个或多个气体递送管线(delivery line)被连接至气源。对于一种具体实施方式,流量计可以可选地被连接在一个或多个气体进口和气源之间以有助于监控和/或控制引入容器的气体的流率。如用于一种或多种具体实施方式的图9中所图示的,用于阀381的进口连接器391可以通过气体递送管线被连接至流量计932,并且流量计932可以通过气体递送管线被连接至气源930。容器300可以接收任何合适流率的来自气源930的任何合适气体。用于一种或多种具体实施方式的容器300可以接收流率在例如约1标准立方厘米/分钟(sccm)至约500sccm的范围内的任何合适气体。用于一种或多种具体实施方式的容器300可以接收流率在例如约1sccm至约1000sccm的范围内的任何合适气体。
用于一种具体实施方式的气体出口可以利用任何合适的一个或多个气体递送管线被连接至例如工艺设备。对于一种具体实施方式,流量计可以可选地被连接在一个或多个气体出口和工艺设备之间以有助于监控和/或控制自容器递送的气体的流率。如在用于一种或多种具体实施方式的图9中所图示的,用于阀382的出口连接器392可以通过气体递送管线被连接至流量计922,并且流量计922可以通过气体递送管线被连接至工艺设备920。
用于将气体引入容器以及用于递送来自容器的气体的气体递送管线可以利用任何合适的材料形成。用于一种具体实施方式的这样的气体递送管线可以利用任何合适材料例如不锈钢形成以允许用于更高温度和/或压力。用于一种具体实施方式的这样的气体递送管线可以利用具有相对较低摩擦系数的材料例如聚合物形成以有助于允许用于相对较高的流速。
容器可以以任何适当方式加热至任何合适温度以有助于当气体流过容器时汽化容器中的材料。在用于一种或多种具体实施方式的容器需要加热的温度可以取决于例如待汽化材料、待汽化材料的量、汽化气体的浓度、和/或处理设备例如所获得气体待被递送至的处理设备的操作条件。用于一种或多种具体实施方式的温度可以在例如约40℃至约300℃的范围内。
可以使用任何合适的加热设备以有助于加热容器中的待汽化材料和/或有助于调节容器中的温度。如在图9中所图示的,用于一种或多种具体实施方式的加热设备912可以用来加热容器300。作为实例,合适的加热设备可以包括但不限于卷绕在容器周围的带式加热器(ribbon heater)、具有覆盖容器的形状的干式加热器(blockheater)、电热丝式加热器、辐射加热器、加热套(heated enclosure)、循环流体加热器、耐热系统、和/或感应加热系统。
用于一种具体实施方式的加热设备可以由容器所支撑和/或与容器成为整体。用于一种具体实施方式的容器可以限定和/或具有任何合适的支撑结构以有助于以任何适当方式支撑在容器周围、之上、和/或之中的任何合适加热设备。这样的结构可以以任何适当方式与容器成为整体和/或连接至容器。用于一种具体实施方式的容器可以以任何适当方式限定在容器的任何合适的一个或多个壁内和/或在任何合适的一个或多个盖内的一个或多个为任何合适形状和尺寸的空腔(cavity)以有助于支撑例如一个或多个加热器筒(heatercartridge)。
对于一种或多种具体实施方式,在容器周围、之上、和/或之中的任何合适的一个或多个位置的温度可以可选地被监控以有助于调节容器中的温度。任何合适的一个或多个温度传感器可以以任何适当方式被支撑在容器周围、之上、和/或之中的任何合适的一个或多个位置。作为实例,合适的温度传感器可以包括但不限于热电偶、热敏电阻、以及设置用于接触容器中的任何合适导热表面的任何其它合适的温度传感接头或元件。
用于一种或多种具体实施方式的容器可以以任何适当方式被加热以有助于更好分配热,从而有助于汽化容器中的材料和/或有助于减少、最小化、和/或避免容器中的更冷位置或冷点,在此处汽化材料和/或由所引入气体与汽化材料接触产生的气体可以冷凝。对于一种或多种具体实施方式,其中固体材料被汽化,减少、最小化、和/或避免更冷位置或冷点可以有助于减少、最小化、和/或避免形成沉积物,其可以至少部分阻塞或堵塞任何合适的一个或多个通道,而通过所述通道可以引导气流。
用于一种或多种具体实施方式的容器可以利用导热材料形成以有助于更好分配热。对于一种或多种具体实施方式,其中容器中的一个或多个支撑物是利用导热材料所形成并且在与容器热接触的情况下被限定、定位、和/或连接在容器中,加热容器有助于加热这样的支撑物并因而有助于增大容器中的加热面积,从而有助于更好分配热以汽化容器中的材料。用于一种或多种具体实施方式的这样的支撑物可以在与容器的一个或多个侧壁热接触的情况下被限定、定位、和/或连接在容器中。用于一种或多种具体实施方式的容器可以从一个或多个侧壁加热。对于一种或多种具体实施方式,其中这样的支撑物具有一个或多个壁例如一个或多个通道侧壁,和/或利用导热材料形成的支撑物(support),这样的壁和/或支撑物也可以有助于增大容器中的加热面积。用于一种或多种具体实施方式的容器和/或一个或多个支撑物可以被形成有增大的热质以有助于保持容器中的加热温度。
对于一种或多种具体实施方式,其中固体材料通过升华被汽化,在给定温度下固体材料的蒸汽压为固体材料在其蒸汽/固体界面(其中在给定时间范围内冷凝在固体材料表面上的蒸汽分子数量与从固体材料表面升华的固体中的分子数量相同)处的分压。这个平衡在蒸汽/固体界面处通过除去蒸汽中的分子而被破坏,这是起因于与引入容器中的气体的接触。由于只要将足够的热供至固体材料的表面以补偿升华的潜热则升华就会以更高速率发生以恢复平衡,所以增大容器中的受热面积可以有助于增大固体材料的汽化速率。对于一种或多种具体实施方式,其中来自固体材料的蒸汽和/或由引入的气体接触这样的汽化材料所产生的气体相对于这样的增大的受热面积或在其附近流动,这样的增大的受热面积也可以有助于更好减少、最小化、和/或避免汽化材料和/或获得的气体的凝聚。
任何合适量的发热量可以用来有助于汽化容器中的材料。用于汽化容器中材料的能量的量可以取决于例如待汽化材料的化学性质、引入容器内的气体的化学性质、和/或由所引入气体与汽化材料接触所产生的气体的流率。对于一种或多种具体实施方式,可以使发热量以这样的量获得,以致通过所获得气体吸收的发热量为可获得的发热量的相对较小部分,从而有助于保持容器中的受热温度。用于一种或多种具体实施方式的可获得的发热量的量可以在例如约100瓦至约3000瓦的范围内。
对于一种或多种具体实施方式,引入容器内的气体可以以任何适当方式被预加热至任何合适温度以有助于保持容器中的受热温度。引入的气体可以被预加热,其取决于例如容器是如何受热的、用于气体引入的气体递送管线的长度、和/或引入气体的流率。任何合适的加热设备可以用来有助于预加热引入的气体和/或有助于调节引入气体的温度。对于一种或多种具体实施方式,任何合适的加热设备可以用来有助于加热用于将气体引入容器的一个或多个气体递送管线。
对于一种或多种具体实施方式,其中固体材料待被汽化,气体可以可选地被引导以流过任何合适的一个或多个过滤器从而有助于防止气流中的任何固体材料从容器被递送。这样的过滤器可以利用任何合适结构以任何适当方式被支撑在容器中和/或由容器支撑。对于一种具体实施方式,一个或多个过滤器板(frit)可以被定位在容器的一个或多个内部区域一端处或其附近以有助于在从容器被递送之前过滤由引入的气体与汽化材料的接触所产生的气体。这样的过滤器板可以为任何合适尺寸和形状并且可以利用任何合适密度的任何合适的多孔材料来制成。作为一个实例,利用多孔不锈钢形成的过滤器板(例如具有在约1微米至约100微米范围内的孔径)可以用于一种具体实施方式。
如在图3的具体实施方式中所图示的,通常为圆形的过滤器板370可以被定位在顶部支撑物360上方以有助于在递送通过通过盖306限定的出口之前过滤来自由支撑物360所支撑的材料上方引导的气流的固体材料。过滤器板370可以通过通常为过滤器板370中部区域限定通常为圆形的开口,通过其管305可以延伸。当盖306被固定至容器300时,用于具体实施方式的过滤器板370可以利用任何合适结构以任何适当方式压靠在支撑物360上方以有助于在支撑物360上方密封过滤器板370。用于一种具体实施方式的图3的具体实施方式可以包括(除了或代替过滤器板370)定位在通道或出口用于从容器300的气体递送的过滤器板,和/或通过一个或多个支撑物310、320、330、340、350、以及360定位在一个或多个通道中的一个或多个过滤器板。
对于一种或多种具体实施方式,用于从容器递送气体至例如处理设备的一个或多个气体递送管线可以以任何适当方式被加热至任何合适温度以有助于减少、最小化、和/或避免所得气体凝聚在这样的管线中。用于一种具体实施方式的一个或多个气体递送管线可以被加热例如至高于容器的温度约5~10℃的温度。任何合适的加热设备可以用来有助于加热用于从容器递送气体的一个或多个气体递送管线。
对于一种或多种具体实施方式,其中在容器内部区域的第一端处或附近引入气体并被引导以流向内部区域的第二端,朝向第一端支撑的材料可以被以相对于朝向第二端支撑的材料更快的速率引入的气体除去。对于一种或多种具体实施方式,其中载气被引入容器,载气可以在到达在第二端处或附近的汽化材料之前变得大部分或全部地饱和有汽化材料。对于一种或多种具体实施方式,其中气体被引入容器以与汽化材料反应,引入的气体可以在到达在第二端处或附近的汽化材料之前与汽化材料反应。对于一种或多种具体实施方式,更多材料可以朝向第一端被支撑并且更少材料可以朝向第二端被支撑以有助于补偿汽化材料的这样的不成比例的除去。对于一种或多种具体实施方式,其中多个支撑物用来有助于支撑容器内部区域中的材料,两个或更多个这样的支撑物可以可选地被定尺寸和/或隔开以有助于朝向第一端支撑更多材料并且朝向第二端支撑更少材料,从而有助于补偿汽化材料的这样的不成比例的除去。对于一种或多种具体实施方式,其中这样的支撑物具有一个或多个侧壁,例如两个或更多个这样的支撑物可以具有不同高度的侧壁。
对于一种或多种具体实施方式,任何合适的设备可以用来帮助确定何时容器、任何合适的一个或多个支撑物、和/或容器内部区域的底表面没有或接近没有待汽化材料。对于一种或多种具体实施方式,这样的设备可以用来帮助确定何时容器内部区域中的底部支撑物和/或顶部支撑物没有或接近没有待汽化材料。对于一种或多种具体实施方式,这样的设备可以用来帮助确定何时容器内部区域的底表面和/或内部区域中的顶部支撑物没有或接近没有待汽化材料。
对于一种或多种具体实施方式,任何合适水平的传感器可以用来以任何适当方式帮助确定何时支撑物或内部区域的底表面没有或接近没有待汽化材料以及以任何适当方式发信号报告这样的确定。例如光学或红外水平传感器可以用来朝向反射支撑表面(待汽化材料被支撑在其上)引导辐射并当已经从反射支撑表面除去材料时,检测这样的辐射的反射。作为其它的实例,超声水平传感器、电容水平传感器、和/或摇臂开关可以用来帮助确定何时支撑物或内部区域底表面没有或接近没有待汽化材料。作为又一个实例,例如光学或红外传感器可以用来引导辐射通过汽化材料上方的空间并且检测这样的辐射以有助于监控在这样的空间中汽化材料的浓度。
对于一种或多种具体实施方式,容器可以具有一个或多个观察孔(sight glass),通过观察孔一个或多个光学和/或红外传感器可以引导辐射进入容器内和/或检测来自容器的辐射以有助于确定何时支撑物或内部区域的底表面没有或接近没有待汽化材料时。用于一种或多种具体实施方式的容器可以具有一个或多个观察孔以有助于使操作者可以肉眼确定何时支撑物或内部区域的底表面没有或接近没有待汽化材料。
用于一种或多种具体实施方式的容器可以可选地被构造成具有一个或多个旁路通道和/或一个或多个另外的容器进口和/或出口以有助于例如从一个或多个容器进口、一个或多个容器出口、和/或一个或多个容器内部区域清除任何固体沉淀物和/或污垢物。如在图3的具体实施方式中所图示的,由管395限定的连接在阀381和382之间的旁路通道可以用来有助于净化阀381和382、进口连接器391、和/或出口连接器392。阀383可以可选地被连接至管道395以有助于调节流过旁路通道的液体流量。进口/出口连接器397可以可选地用来以有助于限定用于容器300内部区域的另外的进口/出口,从而有助于净化内部区域。
尽管是相关于接收用于接触汽化材料的气体进行描述的,但是用于一种或多种可替换具体实施方式的汽化器110可以不接收任何气体而是可以用作蒸汽拔取工具(vapor draw),其中任何合适材料可以在容器中被汽化并被递送至例如工艺设备120,而没有被任何气体运载或与任何气体反应。用于一种或多种这样的具体实施方式的汽化器110可以支撑待汽化材料以有助于增大待汽化材料的暴露表面积,从而有助于增进材料的汽化。
在前面的描述中,已经描述了本发明的一种或多种具体实施方式。然而,很明显在不背离如所附权利要求书所限定的本发明的较宽精神或范围的情况下,可以对其进行各种更改和变化。相应地,说明书和附图应被认为是说明性的而不是限制性的。

Claims (24)

1.一种蒸汽递送容器,包括:
周边容器壁,限定内部容积;
气体出口,与所述内部容积流体连通;以及
至少一个支撑结构,设置于所述内部容积内且适合于在所述至少一个支撑结构内接收可汽化源材料并适合于支撑所述内部容积内的可汽化的固体源材料,其特征在于设置在所述内部容积内的所述至少一个支撑结构包括多孔体,其被设置负载有所述可汽化源材料,使得所述可汽化源材料在所述多孔体的孔中。
2.根据权利要求1所述的蒸汽递送容器,其中所述支撑结构被设置为使得在汽化所述可汽化源材料时所述容器中的气体能够流过所述至少一个支撑结构。
3.根据权利要求1所述的蒸汽递送容器,其中所述至少一个支撑结构负载有可汽化的固体源材料。
4.根据权利要求1所述的蒸汽递送容器,其中通过将可汽化的固体源材料倾倒至所述至少一个支撑结构中而使所述至少一个支撑结构负载有所述可汽化的固体源材料。
5.根据权利要求1所述的蒸汽递送容器,其中所述至少一个支撑结构被设置为接收形式为粉末、聚集颗粒和结晶体形式中的任一种的可汽化的固体源材料。
6.根据权利要求1所述的蒸汽递送容器,其中所述至少一个支撑结构被设置为以下之一:位于和连接于与所述周边容器壁进行热接触。
7.根据权利要求1所述的蒸汽递送容器,其中所述至少一个支撑结构被接收在支撑物内,所述支撑物被设置为被接收在所述内部容积内。
8.根据权利要求7所述的蒸汽递送容器,其中所述支撑物包括由侧壁限定的可渗透支撑表面,所述侧壁沿着所述可渗透支撑表面的周边延伸。
9.根据权利要求8所述的蒸汽递送容器,其中所述侧壁被设置为热接触所述周边容器壁。
10.根据权利要求7所述的蒸汽递送容器,其中所述支撑物包括被设置为被接收在所述内部容积内的多个垂直可叠加的支撑物之一。
11.根据权利要求1所述的蒸汽递送容器,进一步包括气体入口。
12.根据权利要求1所述的蒸汽递送容器,连接而与半导体加工设备具有气体递送关系。
13.根据权利要求12所述的蒸汽递送容器,其中所述半导体加工设备包括离子注入设备。
14.一种在容器内提供可汽化源材料的方法,包括:
形成容器,所述容器以至少一个周边容器壁来限定内部容积并且具有与所述内部容积流体连通的气体出口;
在所述容器的内部容积内布置至少一个支撑结构,其中所述至少一个支撑结构适合于在所述至少一个支撑结构内接收可汽化源材料并适合于支撑所述内部容积内的所述可汽化的固体源材料,其特征在于所述至少一个支撑结构包括多孔体,其中所述至少一个支撑结构负载有所述可汽化源材料,使得所述可汽化源材料在所述多孔体的孔中。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述支撑结构被设置为使得在汽化所述可汽化源材料时所述容器中的气体能够流过所述至少一个支撑结构。
16.根据权利要求14所述的方法,进一步包括使所述至少一个支撑结构负载有可汽化的固体源材料。
17.根据权利要求16所述的方法,进一步包括通过将可汽化的固体源材料倾倒至所述至少一个支撑结构中而使所述至少一个支撑结构负载。
18.根据权利要求14所述的方法,其中所述至少一个支撑结构被设置为接收形式为粉末、聚集颗粒和结晶体形式中的任一种的可汽化的固体源材料。
19.根据权利要求14所述的方法,进一步包括以下之一:使所述至少一个支撑结构位于和连接于与所述至少一个周边容器壁进行热接触。
20.根据权利要求14所述的方法,进一步包括将所述至少一个支撑结构接收在支撑物内,所述支撑物被设置为被接收在所述内部容积内。
21.根据权利要求20所述的方法,其中所述支撑物包括由侧壁限定的可渗透支撑表面,所述侧壁沿着所述可渗透支撑表面的周边延伸。
22.根据权利要求21所述的方法,其中所述侧壁被设置为热接触所述周边容器壁。
23.根据权利要求20所述的方法,其中所述支撑物包括被设置为被接收在所述内部容积内的多个垂直可叠加的支撑物之一。
24.根据权利要求14所述的方法,进一步包括形成所述容器以包括气体入口。
CN201210532357.5A 2004-06-01 2005-06-01 蒸汽递送容器和在容器内提供可汽化源材料的方法 Active CN103028270B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/858,509 US7300038B2 (en) 2002-07-23 2004-06-01 Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US10/858,509 2004-06-01
CNA2005800259208A CN1993172A (zh) 2004-06-01 2005-06-01 有助于增进气体与汽化材料接触的方法和装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005800259208A Division CN1993172A (zh) 2004-06-01 2005-06-01 有助于增进气体与汽化材料接触的方法和装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103028270A CN103028270A (zh) 2013-04-10
CN103028270B true CN103028270B (zh) 2015-10-28

Family

ID=35462761

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210532357.5A Active CN103028270B (zh) 2004-06-01 2005-06-01 蒸汽递送容器和在容器内提供可汽化源材料的方法
CNA2005800259208A Pending CN1993172A (zh) 2004-06-01 2005-06-01 有助于增进气体与汽化材料接触的方法和装置
CN201210534049.6A Active CN103031542B (zh) 2004-06-01 2005-06-01 用于递送汽化源材料的装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005800259208A Pending CN1993172A (zh) 2004-06-01 2005-06-01 有助于增进气体与汽化材料接触的方法和装置
CN201210534049.6A Active CN103031542B (zh) 2004-06-01 2005-06-01 用于递送汽化源材料的装置

Country Status (8)

Country Link
US (3) US7300038B2 (zh)
EP (2) EP1750833B1 (zh)
JP (3) JP5342139B2 (zh)
KR (2) KR101247824B1 (zh)
CN (3) CN103028270B (zh)
AT (1) ATE530249T1 (zh)
SG (3) SG158097A1 (zh)
WO (1) WO2005118119A1 (zh)

Families Citing this family (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7194197B1 (en) * 2000-03-16 2007-03-20 Global Solar Energy, Inc. Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer
FI117979B (fi) 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
US6620723B1 (en) * 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7964505B2 (en) * 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US6936538B2 (en) 2001-07-16 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics
US6551929B1 (en) * 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7405158B2 (en) * 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US7211144B2 (en) * 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US20070009658A1 (en) * 2001-07-13 2007-01-11 Yoo Jong H Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process
TW581822B (en) * 2001-07-16 2004-04-01 Applied Materials Inc Formation of composite tungsten films
US20080268635A1 (en) * 2001-07-25 2008-10-30 Sang-Ho Yu Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in copper contact applications
US8110489B2 (en) * 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US20090004850A1 (en) * 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US9051641B2 (en) * 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
WO2003030224A2 (en) * 2001-07-25 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Barrier formation using novel sputter-deposition method
US20030029715A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6936906B2 (en) * 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
TW589684B (en) * 2001-10-10 2004-06-01 Applied Materials Inc Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
AU2003238853A1 (en) * 2002-01-25 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6911391B2 (en) * 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6833161B2 (en) * 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
KR100476556B1 (ko) * 2002-04-11 2005-03-18 삼성전기주식회사 압전트랜스 장치, 압전트랜스 하우징 및 그 제조방법
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7404985B2 (en) 2002-06-04 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Noble metal layer formation for copper film deposition
US7264846B2 (en) * 2002-06-04 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer formation for copper film deposition
US7910165B2 (en) * 2002-06-04 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer formation for copper film deposition
US6858547B2 (en) * 2002-06-14 2005-02-22 Applied Materials, Inc. System and method for forming a gate dielectric
US20030232501A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-18 Kher Shreyas S. Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials
KR100703121B1 (ko) * 2002-06-26 2007-04-05 세미이큅, 인코포레이티드 이온 주입 방법
US6686595B2 (en) 2002-06-26 2004-02-03 Semequip Inc. Electron impact ion source
US7186385B2 (en) * 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US6921062B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US6915592B2 (en) * 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US20040069227A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
EP1420080A3 (en) * 2002-11-14 2005-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes
US6868869B2 (en) * 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7063097B2 (en) * 2003-03-28 2006-06-20 Advanced Technology Materials, Inc. In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration
WO2004088415A2 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Advanced Technology Materials Inc. Photometrically modulated delivery of reagents
US20040198069A1 (en) * 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
JP2007523994A (ja) * 2003-06-18 2007-08-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド バリヤ物質の原子層堆積
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
US20050252449A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8323754B2 (en) * 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US20060019033A1 (en) * 2004-05-21 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of hafnium-containing materials
US20060153995A1 (en) * 2004-05-21 2006-07-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a dielectric stack
US20060062917A1 (en) * 2004-05-21 2006-03-23 Shankar Muthukrishnan Vapor deposition of hafnium silicate materials with tris(dimethylamino)silane
US8119210B2 (en) * 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7241686B2 (en) * 2004-07-20 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA
US7819981B2 (en) * 2004-10-26 2010-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for cleaning ion implanter components
US7791216B2 (en) * 2004-11-01 2010-09-07 Ford Global Technologies, Llc Method and system for use with a vehicle electric storage system
US20060185597A1 (en) * 2004-11-29 2006-08-24 Kenji Suzuki Film precursor evaporation system and method of using
US7488512B2 (en) * 2004-11-29 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Method for preparing solid precursor tray for use in solid precursor evaporation system
US7708835B2 (en) * 2004-11-29 2010-05-04 Tokyo Electron Limited Film precursor tray for use in a film precursor evaporation system and method of using
US7638002B2 (en) * 2004-11-29 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Multi-tray film precursor evaporation system and thin film deposition system incorporating same
US7484315B2 (en) * 2004-11-29 2009-02-03 Tokyo Electron Limited Replaceable precursor tray for use in a multi-tray solid precursor delivery system
US7429402B2 (en) * 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
US7265048B2 (en) 2005-03-01 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Reduction of copper dewetting by transition metal deposition
EP1866074A4 (en) * 2005-03-16 2017-01-04 Entegris Inc. System for delivery of reagents from solid sources thereof
US7651570B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Solid precursor vaporization system for use in chemical vapor deposition
US20100224264A1 (en) * 2005-06-22 2010-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and process for integrated gas blending
DE102005030862B4 (de) * 2005-07-01 2009-12-24 Sintec Keramik Gmbh Erstbenetzungshilfsmaterial für einen Verdampferkörper, seine Verwendung zum Herrichten der Verdampferfläche eines Verdampferkörpers und ein elektrisch beheizbarer keramischer Verdampferkörper
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
US20070049043A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement
US7402534B2 (en) * 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
CN103170447B (zh) 2005-08-30 2015-02-18 先进科技材料公司 使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US20070099422A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Kapila Wijekoon Process for electroless copper deposition
US20070119371A1 (en) 2005-11-04 2007-05-31 Paul Ma Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
GB2432371B (en) 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
WO2007062242A2 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Msp Corporation High stability and high capacity precursor vapor generation for thin film deposition
JP2009529579A (ja) 2006-03-10 2009-08-20 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド チタネート、ランタネート及びタンタレート誘電体の膜の原子層堆積及び化学蒸着のための前駆体組成物
US7562672B2 (en) 2006-03-30 2009-07-21 Applied Materials, Inc. Chemical delivery apparatus for CVD or ALD
US8951478B2 (en) * 2006-03-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Ampoule with a thermally conductive coating
US7833358B2 (en) * 2006-04-07 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Method of recovering valuable material from exhaust gas stream of a reaction chamber
US20070252299A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Synchronization of precursor pulsing and wafer rotation
US7798096B2 (en) * 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US20070259111A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Singh Kaushal K Method and apparatus for photo-excitation of chemicals for atomic layer deposition of dielectric film
WO2007142700A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-13 Advanced Technology Materials, Inc. Copper (i) amidinates and guanidinates for forming copper thin films
US20080018004A1 (en) * 2006-06-09 2008-01-24 Air Products And Chemicals, Inc. High Flow GaCl3 Delivery
WO2008005892A2 (en) * 2006-06-30 2008-01-10 Applied Materials, Inc. Nanocrystal formation
US20080241805A1 (en) * 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US7521379B2 (en) * 2006-10-09 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers
KR101480971B1 (ko) * 2006-10-10 2015-01-09 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 전구체 전달 시스템
US9109287B2 (en) * 2006-10-19 2015-08-18 Air Products And Chemicals, Inc. Solid source container with inlet plenum
US7775508B2 (en) * 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
GB2444143B (en) * 2006-11-27 2009-10-28 Sumitomo Chemical Co Apparatus of supplying organometallic compound
US8708320B2 (en) * 2006-12-15 2014-04-29 Air Products And Chemicals, Inc. Splashguard and inlet diffuser for high vacuum, high flow bubbler vessel
US20080141937A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling a vapor delivery system
TW200831694A (en) * 2007-01-17 2008-08-01 Advanced Tech Materials Precursor compositions for ALD/CVD of group II ruthenate thin films
US8821637B2 (en) * 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
US7846256B2 (en) * 2007-02-23 2010-12-07 Tokyo Electron Limited Ampule tray for and method of precursor surface area
US7678298B2 (en) * 2007-09-25 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Tantalum carbide nitride materials by vapor deposition processes
US7585762B2 (en) * 2007-09-25 2009-09-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials
GB0718801D0 (en) * 2007-09-25 2007-11-07 P2I Ltd Vapour delivery system
US7737028B2 (en) * 2007-09-28 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Selective ruthenium deposition on copper materials
US7824743B2 (en) * 2007-09-28 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum
US9034105B2 (en) * 2008-01-10 2015-05-19 American Air Liquide, Inc. Solid precursor sublimator
KR20110005683A (ko) 2008-02-11 2011-01-18 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 반도체 가공 시스템에서의 이온 공급원 세정법
WO2009117440A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Heated valve manifold for ampoule
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8491967B2 (en) * 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US20100095892A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Evaporator device, method of mounting an evaporator device, method of operating an evaporator device, and coating device
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
KR20110088564A (ko) * 2008-11-11 2011-08-03 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드 반응물 분배 장치 및 전달 방법
US20100116208A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Applied Materials, Inc. Ampoule and delivery system for solid precursors
US8663735B2 (en) * 2009-02-13 2014-03-04 Advanced Technology Materials, Inc. In situ generation of RuO4 for ALD of Ru and Ru related materials
JP2012520943A (ja) 2009-03-17 2012-09-10 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド ルテニウムを補助金属種と共に堆積させるための方法及び組成物
KR101372488B1 (ko) * 2009-04-24 2014-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 하이브리드 밸브가 통합된 앰풀
US8598022B2 (en) 2009-10-27 2013-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same
CN102597310B (zh) * 2009-11-02 2015-02-04 西格玛-奥吉奇有限责任公司 固态前体输送组件以及相关方法
US8724974B2 (en) 2011-09-30 2014-05-13 Fujikin Incorporated Vaporizer
JP5913888B2 (ja) * 2011-09-30 2016-04-27 国立大学法人東北大学 気化器
US20130105483A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for sublimating solid state precursors
JP6156972B2 (ja) * 2012-04-06 2017-07-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、気化システムおよびミストフィルタ
US9443736B2 (en) 2012-05-25 2016-09-13 Entegris, Inc. Silylene compositions and methods of use thereof
US9598766B2 (en) * 2012-05-27 2017-03-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vessel with filter
KR20210135341A (ko) * 2012-05-31 2021-11-12 엔테그리스, 아이엔씨. 배취식 침착을 위한 고 물질 플럭스를 갖는 유체의 소스 시약-기반 수송
KR101695356B1 (ko) * 2012-06-26 2017-01-24 주식회사 레이크머티리얼즈 유기금속 화합물 공급 장치
US20140174955A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High flow xef2 canister
PL2938377T3 (pl) * 2012-12-27 2020-08-10 BREIWA, III, George, R. Rurkowe urządzenie przeprowadzające w stan lotny
WO2014124056A1 (en) 2013-02-08 2014-08-14 Advanced Technology Materials, Inc. Ald processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness bitao films
JP6306286B2 (ja) * 2013-04-25 2018-04-04 株式会社フジキン 流量制御用のオリフィスプレート及びこれを用いた圧力式流量制御装置
US9334566B2 (en) 2013-11-25 2016-05-10 Lam Research Corporation Multi-tray ballast vapor draw systems
US10392700B2 (en) * 2014-04-21 2019-08-27 Entegris, Inc. Solid vaporizer
CN103949171A (zh) * 2014-04-28 2014-07-30 德合南京智能技术有限公司 一种气体与溶液快速混合的方法及装置
MY190445A (en) 2015-08-21 2022-04-21 Flisom Ag Homogeneous linear evaporation source
TWI624554B (zh) * 2015-08-21 2018-05-21 弗里松股份有限公司 蒸發源
CN205624467U (zh) * 2016-03-21 2016-10-12 深圳市合元科技有限公司 一种烟油加热组件及包括该烟油加热组件的电子烟和雾化器
US9928983B2 (en) * 2016-06-30 2018-03-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Vaporizer for ion source
US10876205B2 (en) 2016-09-30 2020-12-29 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US11926894B2 (en) 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
JP6324609B1 (ja) * 2017-06-21 2018-05-16 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
US11104993B2 (en) * 2017-07-28 2021-08-31 Entegris, Inc. Modular tray ampoule
KR102344996B1 (ko) 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10895347B2 (en) 2017-10-20 2021-01-19 Entegris, Inc. Heat transfer to ampoule trays
JP6462096B1 (ja) * 2017-11-22 2019-01-30 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
JP6425850B1 (ja) * 2017-11-22 2018-11-21 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
JP6895372B2 (ja) * 2017-12-12 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 原料容器
JP2021138972A (ja) * 2018-05-09 2021-09-16 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器
JP7144032B2 (ja) * 2018-06-25 2022-09-29 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器の製造方法
US11634812B2 (en) 2018-08-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Solid source sublimator
JP6887688B2 (ja) 2019-02-07 2021-06-16 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム
JP6901153B2 (ja) 2019-02-07 2021-07-14 株式会社高純度化学研究所 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。
KR102709637B1 (ko) * 2019-04-26 2024-09-26 엔테그리스, 아이엔씨. 기화 용기 및 방법
US20210071301A1 (en) * 2019-09-10 2021-03-11 Asm Ip Holding B.V. Fill vessels and connectors for chemical sublimators
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system
KR20220057608A (ko) * 2019-09-18 2022-05-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 원료 가스 공급 시스템 및 원료 가스 공급 방법
US20210123134A1 (en) * 2019-10-24 2021-04-29 Entegris, Inc. Sublimation ampoule with level sensing
KR20210134226A (ko) * 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
US11578406B2 (en) * 2020-12-08 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor
JP7391900B2 (ja) * 2021-02-09 2023-12-05 大陽日酸株式会社 半導体材料ガス反応装置及びガス反応容器
US12037684B2 (en) * 2021-02-26 2024-07-16 Entegris, Inc. Solids vaporizer
JP2023064027A (ja) * 2021-10-25 2023-05-10 ドゥクサン テコピア カンパニー リミテッド 半導体製造装置用キャニスタ
CN116121730B (zh) * 2023-04-12 2023-09-01 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 固态前驱体源升华装置
CN118028747B (zh) * 2024-04-11 2024-07-30 江苏宝新智能装备有限公司 一种机器人制造外壳镀覆设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6270839B1 (en) * 1999-08-20 2001-08-07 Pioneer Corporation Device for feeding raw material for chemical vapor phase deposition and method therefor

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US384682A (en) * 1888-06-19 Process of obtaining the precious metals from speiss
US2447789A (en) * 1945-03-23 1948-08-24 Polaroid Corp Evaporating crucible for coating apparatus
US2721064A (en) 1951-10-03 1955-10-18 Hugo O Reichardt Carbonating device
US2769624A (en) 1953-07-16 1956-11-06 Okey S Burnside Air cleaner and moistener for carburetors
US2902574A (en) * 1958-02-03 1959-09-01 Hughes Aircraft Co Source for vapor deposition
US3405251A (en) * 1966-05-31 1968-10-08 Trw Inc Vacuum evaporation source
US3647197A (en) * 1970-04-27 1972-03-07 Ford Motor Co Vacuum deposition
US3740043A (en) * 1970-05-26 1973-06-19 Republic Steel Corp Apparatus for vaporizing molten metal
US3834682A (en) 1972-06-19 1974-09-10 American Hospital Supply Corp Mixing column for medical humidifier and method of humidifying inhalable gases
US4190965A (en) 1979-01-15 1980-03-04 Alternative Pioneering Systems, Inc. Food dehydrator
JPS58126973A (ja) 1982-01-22 1983-07-28 Hitachi Ltd 薄膜形成用ソ−ス供給装置
JPS6070176A (ja) 1983-09-27 1985-04-20 Fujitsu Ltd 固体ソ−ス蒸発ボンベ
JPH0817804B2 (ja) 1987-12-23 1996-02-28 雪印乳業株式会社 殺菌剤気化装置
JPH0269389A (ja) 1988-08-31 1990-03-08 Toyo Stauffer Chem Co 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法
US5104695A (en) * 1989-09-08 1992-04-14 International Business Machines Corporation Method and apparatus for vapor deposition of material onto a substrate
EP0420596B1 (en) 1989-09-26 1996-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Gas feeding device and deposition film forming apparatus employing the same
US5362328A (en) * 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
JPH04228562A (ja) 1990-12-27 1992-08-18 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JP3174351B2 (ja) * 1991-03-19 2001-06-11 三菱電線工業株式会社 超電導mocvd用ガス化容器
JPH04333572A (ja) 1991-05-10 1992-11-20 Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai 酸化物超電導体用mo原料の気化方法
JP2559880Y2 (ja) * 1991-08-15 1998-01-19 三菱電線工業株式会社 超電導mocvd用蒸発器
US5336324A (en) * 1991-12-04 1994-08-09 Emcore Corporation Apparatus for depositing a coating on a substrate
JPH05214537A (ja) * 1992-01-30 1993-08-24 Nec Corp 固体昇華用の気化器
US5607002A (en) * 1993-04-28 1997-03-04 Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. Chemical refill system for high purity chemicals
KR960010901A (ko) * 1994-09-30 1996-04-20 김광호 고체 유기화합물 전용 버블러 장치
JPH08279497A (ja) 1995-04-07 1996-10-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置および半導体装置
JPH1025576A (ja) 1996-04-05 1998-01-27 Dowa Mining Co Ltd Cvd成膜法における原料化合物の昇華方法
US5917140A (en) 1996-05-21 1999-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Sorbent-based fluid storage and dispensing vessel with enhanced heat transfer means
US6413476B1 (en) * 1996-12-05 2002-07-02 Mary F. Barnhart Aromatic diffuser with replaceable cartridge
US6409839B1 (en) * 1997-06-02 2002-06-25 Msp Corporation Method and apparatus for vapor generation and film deposition
AU8487298A (en) 1997-07-18 1999-02-10 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid delivery system comprising upstream pressure control means
US5972117A (en) * 1997-09-03 1999-10-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring generation of liquid chemical vapor
US6107634A (en) 1998-04-30 2000-08-22 Eaton Corporation Decaborane vaporizer
JPH11335845A (ja) * 1998-05-20 1999-12-07 Ebara Corp 液体原料気化装置
JP2000012218A (ja) * 1998-06-23 2000-01-14 Tdk Corp 有機el素子の製造装置および製造方法
US6210485B1 (en) * 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
JP2000192243A (ja) * 1998-12-24 2000-07-11 Nissin Electric Co Ltd 気化器メンテナンス方法
JP2001059161A (ja) 1999-08-20 2001-03-06 Tdk Corp 有機薄膜の製造装置および製造方法
US6288403B1 (en) 1999-10-11 2001-09-11 Axcelis Technologies, Inc. Decaborane ionizer
US6473564B1 (en) * 2000-01-07 2002-10-29 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method of manufacturing thin organic film
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
WO2001083084A1 (en) * 2000-05-03 2001-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Gas cabinet assembly comprising sorbent-based gas storage and delivery system
EP1160355B1 (en) 2000-05-31 2004-10-27 Shipley Company LLC Bubbler
US6581915B2 (en) 2000-07-27 2003-06-24 The Procter & Gamble Company Dispensing device for dispensing scents
US6887337B2 (en) 2000-09-19 2005-05-03 Xactix, Inc. Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto
US6431118B1 (en) * 2001-05-21 2002-08-13 Imagine Gold, L.L.C. Apparatus and method for providing humidified air to a terrarium
US6718126B2 (en) * 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
JP3932874B2 (ja) * 2001-11-27 2007-06-20 三菱マテリアル株式会社 有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物及び該化合物により得られたルテニウム含有薄膜
TW200300701A (en) * 2001-11-30 2003-06-16 Asml Us Inc High flow rate bubbler system and method
US20030111014A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Donatucci Matthew B. Vaporizer/delivery vessel for volatile/thermally sensitive solid and liquid compounds
US6620225B2 (en) * 2002-01-10 2003-09-16 Advanced Technology Materials, Inc. Adsorbents for low vapor pressure fluid storage and delivery
JP2003282449A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Japan Pionics Co Ltd 気化器及び半導体製造装置の洗浄方法
US7601225B2 (en) * 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
US7186385B2 (en) * 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US6921062B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US6915592B2 (en) * 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
JP4585852B2 (ja) * 2002-07-30 2010-11-24 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 基板処理システム、基板処理方法及び昇華装置
US6779378B2 (en) * 2002-10-30 2004-08-24 Asm International N.V. Method of monitoring evaporation rate of source material in a container
US6991671B2 (en) * 2002-12-09 2006-01-31 Advanced Technology Materials, Inc. Rectangular parallelepiped fluid storage and dispensing vessel
US7261118B2 (en) * 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
EP1866074A4 (en) 2005-03-16 2017-01-04 Entegris Inc. System for delivery of reagents from solid sources thereof
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6270839B1 (en) * 1999-08-20 2001-08-07 Pioneer Corporation Device for feeding raw material for chemical vapor phase deposition and method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013049926A (ja) 2013-03-14
CN103031542A (zh) 2013-04-10
CN103031542B (zh) 2015-11-25
EP1750833B1 (en) 2011-10-26
SG179494A1 (en) 2012-04-27
CN103028270A (zh) 2013-04-10
EP1750833A4 (en) 2008-04-02
JP6133954B2 (ja) 2017-05-24
CN1993172A (zh) 2007-07-04
WO2005118119A1 (en) 2005-12-15
KR101181011B1 (ko) 2012-09-07
US7487956B2 (en) 2009-02-10
US7556244B2 (en) 2009-07-07
KR20070035527A (ko) 2007-03-30
EP1750833A1 (en) 2007-02-14
US20080057218A1 (en) 2008-03-06
EP2363199A1 (en) 2011-09-07
JP2008501507A (ja) 2008-01-24
US7300038B2 (en) 2007-11-27
SG10201507473RA (en) 2015-10-29
US20050006799A1 (en) 2005-01-13
JP2016000866A (ja) 2016-01-07
KR20120032579A (ko) 2012-04-05
KR101247824B1 (ko) 2013-03-26
SG158097A1 (en) 2010-01-29
JP5342139B2 (ja) 2013-11-13
ATE530249T1 (de) 2011-11-15
US20080041310A1 (en) 2008-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103028270B (zh) 蒸汽递送容器和在容器内提供可汽化源材料的方法
US10465286B2 (en) Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
CN101405433B (zh) 用于减少沉积系统中粒子污染的方法和设备
US20050000428A1 (en) Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant
US8951478B2 (en) Ampoule with a thermally conductive coating
JP2008501507A5 (zh)
CN101905126B (zh) 有助于增进气体与汽化材料接触的方法和装置
CN101065516A (zh) 多盘膜前驱体蒸发系统和结合了该系统的薄膜沉积系统
WO2010053878A2 (en) Laminar flow in a precursor source canister
TW201936961A (zh) 已改進之安瓿噴霧器及容器
KR101490438B1 (ko) 증착장비의 기화기

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ENTEGRIS INC.

Free format text: FORMER OWNER: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.

Effective date: 20150618

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150618

Address after: Massachusetts, USA

Applicant after: Entegris Inc.

Address before: American Connecticut

Applicant before: Advanced Technology Materials, Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Massachusetts, USA

Patentee after: Entergris Co.

Address before: Massachusetts, USA

Patentee before: Entegris Inc.