JPS6142125A - Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法 - Google Patents
Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法Info
- Publication number
- JPS6142125A JPS6142125A JP16400884A JP16400884A JPS6142125A JP S6142125 A JPS6142125 A JP S6142125A JP 16400884 A JP16400884 A JP 16400884A JP 16400884 A JP16400884 A JP 16400884A JP S6142125 A JPS6142125 A JP S6142125A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mbe
- melting point
- high melting
- point metal
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、表面にＭＢＥ（分子線エピタキシャル成長
）装置で層が形成されるＭＢ’Ｅ用基板鉛基板その温度
測定法に関する。
）装置で層が形成されるＭＢ’Ｅ用基板鉛基板その温度
測定法に関する。
（ロ）従来技術
半導体レーザ等の製作において、各成長層の厚さを精度
良く形成する手段としてＭＢＥ法が有効である。しかる
にＭＢＥ法において、所望の特質をもった層を再現性良
く成長させるには、結晶成長条件である成長途中におけ
る基板の温度を測定制御することが重要な要件となる。
良く形成する手段としてＭＢＥ法が有効である。しかる
にＭＢＥ法において、所望の特質をもった層を再現性良
く成長させるには、結晶成長条件である成長途中におけ
る基板の温度を測定制御することが重要な要件となる。
第２図は、ＭＢＥ装置の構成を示す模式図であり、１は
内部が超高真空に引かれるチャンバ、２は主表面に成長
層が形成されるＭＢＥ用基板基板り基板台３に装着され
ている。４はＭＢＥ用基板基板２子線の形で入射される
Ｇａ、ＡＩ、Ａｓ等の材料供給源である。５は前記材料
供給源４の外周に巻回されたヒータ線、６は前記材料供
給源４の前面に配設されたシャッタである。７は電子銃
、８は質量分析器、９はＲＨＥＥＤ （高速反射電子線
回折の略称）スクリーン、１０はビューポート、１１は
ＭＢＥ用基板基板２度測定用の赤外線パイロメータであ
る。
内部が超高真空に引かれるチャンバ、２は主表面に成長
層が形成されるＭＢＥ用基板基板り基板台３に装着され
ている。４はＭＢＥ用基板基板２子線の形で入射される
Ｇａ、ＡＩ、Ａｓ等の材料供給源である。５は前記材料
供給源４の外周に巻回されたヒータ線、６は前記材料供
給源４の前面に配設されたシャッタである。７は電子銃
、８は質量分析器、９はＲＨＥＥＤ （高速反射電子線
回折の略称）スクリーン、１０はビューポート、１１は
ＭＢＥ用基板基板２度測定用の赤外線パイロメータであ
る。
第３図は、第１面における基板台３の拡大図であり、従
来のＭＢＥ用基板基板２着されている。″基板台３は、
ＭＢＥ用基板基板２熱制御を容易にするため、特願昭５
９−２２３１３にみられるようにＭＢＥ用基板２が螺子
３７および押圧部材３６で支持される基板台ブロック３
１にはＭＢＥ用基板２よりも僅かに小径の開孔部３８が
形成され、ヒータ３３でＭＢＥ用基板２を直接加熱でき
るように改良が加えられている。
来のＭＢＥ用基板基板２着されている。″基板台３は、
ＭＢＥ用基板基板２熱制御を容易にするため、特願昭５
９−２２３１３にみられるようにＭＢＥ用基板２が螺子
３７および押圧部材３６で支持される基板台ブロック３
１にはＭＢＥ用基板２よりも僅かに小径の開孔部３８が
形成され、ヒータ３３でＭＢＥ用基板２を直接加熱でき
るように改良が加えられている。
このような構成の装置を用い、従来は、成長途中のＭＢ
Ｅ用基板２の温度をそれから発せられる赤外線の強度を
ビューボー目０を通して赤外線パイロメータ１１により
測定していた。
Ｅ用基板２の温度をそれから発せられる赤外線の強度を
ビューボー目０を通して赤外線パイロメータ１１により
測定していた。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上述のように赤外線の強度で成長途中のＭＢＥ用基板２
の温度を測定する方法は、基板台ブロック３１に熱電対
を設けて測定する方法よりも精度が良いが以下のような
不都合を生じる。即ちＭＢＥ用基板としてＧａＡｓ、Ｓ
ｉ、Ｉ ｎＰ等の赤外線の透過率の大きい材質の基板
を用いる場合、赤外線パイロメータが感受する赤外線に
はＭＢＥ用基板２から発せられるものに、ヒータ３３か
ら発せられＭＢＥ用基板２を透過したものが加わる可能
性がありＭＢＥ用基板の温度を正確に測定しているとは
言えないということである。
の温度を測定する方法は、基板台ブロック３１に熱電対
を設けて測定する方法よりも精度が良いが以下のような
不都合を生じる。即ちＭＢＥ用基板としてＧａＡｓ、Ｓ
ｉ、Ｉ ｎＰ等の赤外線の透過率の大きい材質の基板
を用いる場合、赤外線パイロメータが感受する赤外線に
はＭＢＥ用基板２から発せられるものに、ヒータ３３か
ら発せられＭＢＥ用基板２を透過したものが加わる可能
性がありＭＢＥ用基板の温度を正確に測定しているとは
言えないということである。
（ニ）問題を解決するための手段およびその作用このた
め本件第１の発明はＭＢＥ用基板において層を成長させ
る面の背面に高融点金属層を被着し赤外線の透過を防い
だ。又第２の発明は第１の発明に係るＭＢＥ用基板の成
長途中における温度測定にあたり、高融点金属層側に加
熱手段を設け、層を成長させる面側にパイロメータを配
備し、このパイロメータが加熱手段より射出される赤外
線を感受することがないようにした。
め本件第１の発明はＭＢＥ用基板において層を成長させ
る面の背面に高融点金属層を被着し赤外線の透過を防い
だ。又第２の発明は第１の発明に係るＭＢＥ用基板の成
長途中における温度測定にあたり、高融点金属層側に加
熱手段を設け、層を成長させる面側にパイロメータを配
備し、このパイロメータが加熱手段より射出される赤外
線を感受することがないようにした。
（ホ）実施例
第１図は、本件第１の発明に係るＭＢＥ用基板２０を装
着した基板台の拡大図であり、第２図と同一部分には同
じ符号を付しである。
着した基板台の拡大図であり、第２図と同一部分には同
じ符号を付しである。
ＭＢＥ用基板２０の層を成長させる面２２の背面には赤
外線を反射する高融点金属層２３が蒸着、スパッタリン
グ等により被着されている。この高融点金属としては、
チャンバｌ内の分子汚染を避けるためチャンバｌ内に既
存する金属、例えば、基板台３の通常の材質であるＭｏ
（モリブデン）の他、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタ
ン）を用いるのが望ましい。
外線を反射する高融点金属層２３が蒸着、スパッタリン
グ等により被着されている。この高融点金属としては、
チャンバｌ内の分子汚染を避けるためチャンバｌ内に既
存する金属、例えば、基板台３の通常の材質であるＭｏ
（モリブデン）の他、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタ
ン）を用いるのが望ましい。
第２の発明の実施にあたっては、第３図に示した従来か
らのＭＢＥ装置を何等変更することなく用いることがで
きる。但し基板台３に第１の発明に係るＭＢＥ用基板２
０を装着すべきことは言うまでもない。
らのＭＢＥ装置を何等変更することなく用いることがで
きる。但し基板台３に第１の発明に係るＭＢＥ用基板２
０を装着すべきことは言うまでもない。
しかるに、第３図をもとに説明すると、ＭＢＥ用基板の
加熱手段であるヒータ３３が内部に設けられた基板台３
には高融点金属層がヒータ３３に対向するようにＭＢＥ
用基板２０が装着され、層の成長にあたって加熱される
。このときＭＢＥ用基板２１から射出される赤外線をビ
ューボート１０を通してパイロメータ１１で検知し、赤
外線の強度を電気変換することにより層の成長途中のＭ
ＢＥ用基板２１の温度を換算して求める。
加熱手段であるヒータ３３が内部に設けられた基板台３
には高融点金属層がヒータ３３に対向するようにＭＢＥ
用基板２０が装着され、層の成長にあたって加熱される
。このときＭＢＥ用基板２１から射出される赤外線をビ
ューボート１０を通してパイロメータ１１で検知し、赤
外線の強度を電気変換することにより層の成長途中のＭ
ＢＥ用基板２１の温度を換算して求める。
（へ）効果
この発明によれば、ＭＢＥ用基板の層を成長させる面の
背面に被着された高融点金属層が加熱用ヒータから射出
される赤外線を遮断するのでパイロメータが感受する赤
外線はＭＢＥ用基板から射出されるものに限定され成長
途中のＭＢＥ用基板の温度を正確に測定することができ
るので、成長条件の制御の精度が向上する。
背面に被着された高融点金属層が加熱用ヒータから射出
される赤外線を遮断するのでパイロメータが感受する赤
外線はＭＢＥ用基板から射出されるものに限定され成長
途中のＭＢＥ用基板の温度を正確に測定することができ
るので、成長条件の制御の精度が向上する。
なお、本発明の効果が顕著に現れるので基板台ブロック
に開孔部を設けた改良型の基板台を配備したＭＢＥ装置
を例にとって説明したが基板台ブロックに開孔部を設け
ない基板台を用いる場合にも本発明の効果は現れる。即
ちヒータで加熱された基板台ブロックから射出される赤
外線をパイロメータが感受することが避けられるからで
ある。
に開孔部を設けた改良型の基板台を配備したＭＢＥ装置
を例にとって説明したが基板台ブロックに開孔部を設け
ない基板台を用いる場合にも本発明の効果は現れる。即
ちヒータで加熱された基板台ブロックから射出される赤
外線をパイロメータが感受することが避けられるからで
ある。
第１図は、本発明に係るＭＢＥ用基板が装着された基板
台の拡大断面図、第２図は、従来のＭＢＥ用基板が装着
された基板台の拡大断面図、第３図は、ＭＢＥ装置の構
成を略示した模式図である。 ２０・・・ＭＢＥ用基板、２１・・・高融点金属層。
台の拡大断面図、第２図は、従来のＭＢＥ用基板が装着
された基板台の拡大断面図、第３図は、ＭＢＥ装置の構
成を略示した模式図である。 ２０・・・ＭＢＥ用基板、２１・・・高融点金属層。
Claims (2)
- （１）層を成長させる面の背面に高融点金属層を被着し
たことを特徴とするＭＢＥ用基板。 - （２）該ＭＢＥ用基板を、前記高融点金属層側より加熱
し、前記層を成長させる面側に配備したパイロメータで
該ＭＢＥ用基板より射出される赤外線の強度を検知する
ことを特徴とするＭＢＥ用基板の温度測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16400884A JPS6142125A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16400884A JPS6142125A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142125A true JPS6142125A (ja) | 1986-02-28 |
Family
ID=15785012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16400884A Pending JPS6142125A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | Ｍｂｅ用基板およびその温度測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430916A (en) * | 1987-07-22 | 1989-02-01 | Mazda Motor | Bearing device for engine |
| JPH024193A (ja) * | 1988-05-19 | 1990-01-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高温炉の断熱方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
| JPS58197719A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Ricoh Co Ltd | 基板の加熱構造および加熱方法 |
| JPS5992998A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長方法 |
| JPS60240119A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長法 |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP16400884A patent/JPS6142125A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
| JPS58197719A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Ricoh Co Ltd | 基板の加熱構造および加熱方法 |
| JPS5992998A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長方法 |
| JPS60240119A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6430916A (en) * | 1987-07-22 | 1989-02-01 | Mazda Motor | Bearing device for engine |
| JPH024193A (ja) * | 1988-05-19 | 1990-01-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高温炉の断熱方法 |
| JP2553633B2 (ja) * | 1988-05-19 | 1996-11-13 | 住友電気工業株式会社 | 高温炉の断熱方法 |
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