JPH11251249A - 半導体膜の形成方法 - Google Patents
半導体膜の形成方法Info
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- JPH11251249A JPH11251249A JP4702298A JP4702298A JPH11251249A JP H11251249 A JPH11251249 A JP H11251249A JP 4702298 A JP4702298 A JP 4702298A JP 4702298 A JP4702298 A JP 4702298A JP H11251249 A JPH11251249 A JP H11251249A
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- Japan
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- semiconductor film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の半導体膜の形成方法では、半導体膜を
形成するための基板の正確な温度校正ができず、成長温
度を再現性よく制御することができないという問題があ
った。 【解決手段】 サセプタ上に載置した基板をヒータで加
熱しながら、この基板上に半導体膜を堆積させる半導体
膜の形成方法において、前記半導体膜を堆積させる前
に、同心円状に複数の溝を設けたサセプタを用いて前記
ヒータの温度と前記サセプタの温度との関係を測定し、
しかる後前記基板が収納される複数の凹部を有するサセ
プタを用いて前記基板上に前記半導体膜を堆積させる。
形成するための基板の正確な温度校正ができず、成長温
度を再現性よく制御することができないという問題があ
った。 【解決手段】 サセプタ上に載置した基板をヒータで加
熱しながら、この基板上に半導体膜を堆積させる半導体
膜の形成方法において、前記半導体膜を堆積させる前
に、同心円状に複数の溝を設けたサセプタを用いて前記
ヒータの温度と前記サセプタの温度との関係を測定し、
しかる後前記基板が収納される複数の凹部を有するサセ
プタを用いて前記基板上に前記半導体膜を堆積させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体膜の形成方法
に関し、特にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などで基板上に化
合物半導体膜を堆積させる半導体膜の形成方法に関す
る。
に関し、特にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などで基板上に化
合物半導体膜を堆積させる半導体膜の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、単結晶半導体基板や単結晶絶縁基
板などから成る基板上に、ＧａＡｓなどの化合物半導体
膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成
長）法やＭＢＥ（分子線エピタキシー）法などで形成し
ていた。
板などから成る基板上に、ＧａＡｓなどの化合物半導体
膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成
長）法やＭＢＥ（分子線エピタキシー）法などで形成し
ていた。
【０００３】ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法で化合物半導体膜
を形成する場合、サセプタ上に半導体膜を堆積させるた
めの基板を載置して、この基板を６５０〜７５０℃程度
に加熱して化合物半導体膜を堆積させていた。すなわ
ち、図２に示すように、従来のＭＯＣＶＤ装置では、サ
セプタ１１の下部に設けられたカーボン製の抵抗加熱ヒ
ータ１２の温度を熱電対１３により測定しながら抵抗加
熱ヒータ１２の温度を制御することによってサセプタ１
１の温度を制御している。
を形成する場合、サセプタ上に半導体膜を堆積させるた
めの基板を載置して、この基板を６５０〜７５０℃程度
に加熱して化合物半導体膜を堆積させていた。すなわ
ち、図２に示すように、従来のＭＯＣＶＤ装置では、サ
セプタ１１の下部に設けられたカーボン製の抵抗加熱ヒ
ータ１２の温度を熱電対１３により測定しながら抵抗加
熱ヒータ１２の温度を制御することによってサセプタ１
１の温度を制御している。
【０００４】この従来のＭＯＣＶＤ装置で用いられるサ
セプタ１１の構造を図３に示す。サセプタ１１は、例え
ばカーボンの表面にグラファイトや炭化珪素などをコー
ティングして構成され、このサセプタ１１上に半導体膜
を堆積させるための基板（不図示）が複数セッティング
できるように、複数個、例えば６個の凹部１１ａが形成
されている。この凹部１１ａは半導体膜を堆積させるた
めの基板を保持するために、基板よりやや大きい形状に
形成されている。また、このサセプタ１１は回転しなが
ら複数の基板上に化合物半導体膜を均一に堆積できるよ
うに、全体が円盤状に形成されている。
セプタ１１の構造を図３に示す。サセプタ１１は、例え
ばカーボンの表面にグラファイトや炭化珪素などをコー
ティングして構成され、このサセプタ１１上に半導体膜
を堆積させるための基板（不図示）が複数セッティング
できるように、複数個、例えば６個の凹部１１ａが形成
されている。この凹部１１ａは半導体膜を堆積させるた
めの基板を保持するために、基板よりやや大きい形状に
形成されている。また、このサセプタ１１は回転しなが
ら複数の基板上に化合物半導体膜を均一に堆積できるよ
うに、全体が円盤状に形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体膜の
形成方法では、図２に示すように、半導体膜を基板上に
堆積させる前に、サセプタ１１の表面温度をチャンバー
１４の外部から放射温度計１５で測定し、その測定結果
に基づいて、サセプタ１１の温度が所望温度になるよう
に抵抗加熱ヒータ１２の温度を熱電対１３で検知しなが
ら制御して成膜していた。なお、サセプタ１１の表面温
度は、石英（ＳｉＯ2 ）などから成る監視窓１４ａを介
して測定される。
形成方法では、図２に示すように、半導体膜を基板上に
堆積させる前に、サセプタ１１の表面温度をチャンバー
１４の外部から放射温度計１５で測定し、その測定結果
に基づいて、サセプタ１１の温度が所望温度になるよう
に抵抗加熱ヒータ１２の温度を熱電対１３で検知しなが
ら制御して成膜していた。なお、サセプタ１１の表面温
度は、石英（ＳｉＯ2 ）などから成る監視窓１４ａを介
して測定される。
【０００６】ところが、サセプタ１１の表面温度を放射
温度計１５で測定する場合、円周方向での温度ムラを防
ぐために、図３に示すようなサセプタ１１を２〜３ｒｐ
ｍで回転しながら測定するが、このサセプタ１１には半
導体膜を堆積させるための基板をセッティングするため
の凹部１１ａが複数形成されており、この凹部１１ａ部
分と他の部分とでは抵抗加熱式ヒータ１２からの熱の伝
わり方が異なることから、このサセプタ１１における凹
部１１ａとそれ以外の部分では温度が異なり、放射温度
計１５による温度の測定値幅が広くなるという問題があ
った。例えば図３におけるサセプタ１１の〜の位置
の温度を放射温度計で測定した場合、例えばの位置で
は６７４〜６８６℃（Δ１２℃）の測定温度となり、
の位置では６７４〜６９０℃（Δ１６℃）の測定温度と
なり、の位置では６６６〜６７５℃（Δ９℃）の測定
温度になる。
温度計１５で測定する場合、円周方向での温度ムラを防
ぐために、図３に示すようなサセプタ１１を２〜３ｒｐ
ｍで回転しながら測定するが、このサセプタ１１には半
導体膜を堆積させるための基板をセッティングするため
の凹部１１ａが複数形成されており、この凹部１１ａ部
分と他の部分とでは抵抗加熱式ヒータ１２からの熱の伝
わり方が異なることから、このサセプタ１１における凹
部１１ａとそれ以外の部分では温度が異なり、放射温度
計１５による温度の測定値幅が広くなるという問題があ
った。例えば図３におけるサセプタ１１の〜の位置
の温度を放射温度計で測定した場合、例えばの位置で
は６７４〜６８６℃（Δ１２℃）の測定温度となり、
の位置では６７４〜６９０℃（Δ１６℃）の測定温度と
なり、の位置では６６６〜６７５℃（Δ９℃）の測定
温度になる。
【０００７】このようにサセプタ１１の測定温度幅が広
くなると、正確な温度校正ができず、半導体膜の成長温
度を再現性よく制御することができないという問題を誘
発する。
くなると、正確な温度校正ができず、半導体膜の成長温
度を再現性よく制御することができないという問題を誘
発する。
【０００８】本発明はこのような従来方法の問題点に鑑
みてなされたものであり、正確な温度校正ができず、半
導体膜の成長温度を再現性よく制御することができない
という従来方法の問題点を解消した半導体膜の形成方法
を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、正確な温度校正ができず、半
導体膜の成長温度を再現性よく制御することができない
という従来方法の問題点を解消した半導体膜の形成方法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体膜の形成方法では、サセプタ上
に載置した基板をヒータで加熱しながら、この基板上に
半導体膜を堆積させる半導体膜の形成方法において、前
記半導体膜を堆積させる前に、同心円状に複数の溝を設
けたサセプタを用いて前記ヒータの温度と前記サセプタ
の温度との関係を測定し、しかる後前記基板が収納され
る複数の凹部を有するサセプタを用いて前記基板上に前
記半導体膜を堆積させる。
に、本発明に係る半導体膜の形成方法では、サセプタ上
に載置した基板をヒータで加熱しながら、この基板上に
半導体膜を堆積させる半導体膜の形成方法において、前
記半導体膜を堆積させる前に、同心円状に複数の溝を設
けたサセプタを用いて前記ヒータの温度と前記サセプタ
の温度との関係を測定し、しかる後前記基板が収納され
る複数の凹部を有するサセプタを用いて前記基板上に前
記半導体膜を堆積させる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体膜の形成
方法に用いられる温度校正用のサセプタを示す図であ
り、１はサセプタ、２は溝である。
詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体膜の形成
方法に用いられる温度校正用のサセプタを示す図であ
り、１はサセプタ、２は溝である。
【００１１】この温度校正用サセプタ１も前述した半導
体膜堆積用のサセプタ１１とほぼ同一であるが、この温
度校正用サセプタ１には、その一主面側に同心円状の複
数の溝２が設けられている。
体膜堆積用のサセプタ１１とほぼ同一であるが、この温
度校正用サセプタ１には、その一主面側に同心円状の複
数の溝２が設けられている。
【００１２】この複数の溝２は、例えば１７ｍｍ程度の
間隔をもって例えば２２ｍｍ程度の幅に形成され、例え
ば１ｍｍ程度の深さに形成される。なお、サセプタ１自
体は例えばφ３４０ｍｍ程度の直径で、例えば５．１５
ｍｍ程度の厚みに形成される。
間隔をもって例えば２２ｍｍ程度の幅に形成され、例え
ば１ｍｍ程度の深さに形成される。なお、サセプタ１自
体は例えばφ３４０ｍｍ程度の直径で、例えば５．１５
ｍｍ程度の厚みに形成される。
【００１３】このような温度校正用サセプタ１を用いて
抵抗加熱式ヒータ１２（図２参照）の温度とサセプタ１
の温度との関係を測定する。つまり、抵抗加熱式ヒータ
１２の温度を熱電対１３で測定し、温度校正用サセプタ
１の温度を放射温度計１５で測定し、抵抗加熱式ヒータ
１２による加熱温度とサセプタ１の表面温度との関係を
知得する。なお、熱電対とは、一対の異種金属導線を二
つの点で結合したものであって、これらの結合点が異な
った温度に保たれるとき、熱電効果によって温度差に比
例して生じた起電力を検出して指示計で読み取るもので
ある。また、放射温度計とは、物体からの放射をうけ
て、その全放射エネルギーの量を測定することによって
温度を知るものであり、物体からの放射をレンズか反射
鏡で集めて受熱板に吸収させ、その温度上昇を熱電対、
バイメタル、測温抵抗体などで検出して、指示計で読み
取るものである。
抵抗加熱式ヒータ１２（図２参照）の温度とサセプタ１
の温度との関係を測定する。つまり、抵抗加熱式ヒータ
１２の温度を熱電対１３で測定し、温度校正用サセプタ
１の温度を放射温度計１５で測定し、抵抗加熱式ヒータ
１２による加熱温度とサセプタ１の表面温度との関係を
知得する。なお、熱電対とは、一対の異種金属導線を二
つの点で結合したものであって、これらの結合点が異な
った温度に保たれるとき、熱電効果によって温度差に比
例して生じた起電力を検出して指示計で読み取るもので
ある。また、放射温度計とは、物体からの放射をうけ
て、その全放射エネルギーの量を測定することによって
温度を知るものであり、物体からの放射をレンズか反射
鏡で集めて受熱板に吸収させ、その温度上昇を熱電対、
バイメタル、測温抵抗体などで検出して、指示計で読み
取るものである。
【００１４】図１におけるサセプタ１の位置〜は、
図３におけるサセプタの位置〜とほぼ同じ位置を示
している。このサセプタ１における〜の位置の温度
を放射温度計１５で測定したところ、の部分では６７
１〜６７２℃（Δ１℃）、の部分では６７５〜６７６
℃（Δ１℃）、の部分では６６５〜６６６℃（Δ１
℃）の測定結果を得た。つまり、従来のサセプタでは、
放射温度計によって測定された温度幅が、サセプタ１１
の場所によって９〜１６℃と大きかったのに対し、本発
明による方法では放射温度計１５によって測定された温
度幅は、いずれの場所でも１℃の差しかなく、サセプタ
１の表面温度を極めて正確に測定できる。
図３におけるサセプタの位置〜とほぼ同じ位置を示
している。このサセプタ１における〜の位置の温度
を放射温度計１５で測定したところ、の部分では６７
１〜６７２℃（Δ１℃）、の部分では６７５〜６７６
℃（Δ１℃）、の部分では６６５〜６６６℃（Δ１
℃）の測定結果を得た。つまり、従来のサセプタでは、
放射温度計によって測定された温度幅が、サセプタ１１
の場所によって９〜１６℃と大きかったのに対し、本発
明による方法では放射温度計１５によって測定された温
度幅は、いずれの場所でも１℃の差しかなく、サセプタ
１の表面温度を極めて正確に測定できる。
【００１５】また、サセプタ１の表面に同心円状の溝２
を複数形成すると、この同心円状の溝２が放射温度計に
よって温度を測定する際の目印になるので、基板１４の
サセプタ中心部（）、基板１４の中心（）、基板１
４の外周部（）を測定しやすい。
を複数形成すると、この同心円状の溝２が放射温度計に
よって温度を測定する際の目印になるので、基板１４の
サセプタ中心部（）、基板１４の中心（）、基板１
４の外周部（）を測定しやすい。
【００１６】このように同心円状の溝２が形成された温
度校正用サセプタ１を用いて抵抗加熱式ヒータ１２への
供給電流とサセプタ１の温度との関係を測定した後、図
３に示すような半導体膜堆積用のサセプタ１１上に半導
体膜堆積用の基板１４を載置して、この基板１４上に半
導体膜を形成する。
度校正用サセプタ１を用いて抵抗加熱式ヒータ１２への
供給電流とサセプタ１の温度との関係を測定した後、図
３に示すような半導体膜堆積用のサセプタ１１上に半導
体膜堆積用の基板１４を載置して、この基板１４上に半
導体膜を形成する。
【００１７】この半導体膜堆積用のサセプタ１１は従来
のサセプタ１１と同様に、カーボンなどから成り、基板
１４上に堆積される化合物半導体膜に不純物が混入しな
いようにするために、その表面には例えばグラファイト
や炭化珪素などが１００μｍ程度の厚みにコーティング
される。また、このサセプタ１１には、従来のサセプタ
１１と同様に複数の基板１４をセッティングできるよう
に、複数の凹部１１ａが形成されている。
のサセプタ１１と同様に、カーボンなどから成り、基板
１４上に堆積される化合物半導体膜に不純物が混入しな
いようにするために、その表面には例えばグラファイト
や炭化珪素などが１００μｍ程度の厚みにコーティング
される。また、このサセプタ１１には、従来のサセプタ
１１と同様に複数の基板１４をセッティングできるよう
に、複数の凹部１１ａが形成されている。
【００１８】前記サセプタ１１の凹部１１ａの大きさ
は、化合物半導体膜を堆積させる基板１４の大きさに応
じて設定されるが、化合物半導体膜を例えば直径４イン
チの基板に堆積させる場合は、凹部１１ａは直径１０２
ｍｍ程度で、深さ０．８５ｍｍ程度に形成される。
は、化合物半導体膜を堆積させる基板１４の大きさに応
じて設定されるが、化合物半導体膜を例えば直径４イン
チの基板に堆積させる場合は、凹部１１ａは直径１０２
ｍｍ程度で、深さ０．８５ｍｍ程度に形成される。
【００１９】基板はＧａＡｓ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＳｉＣ、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどの単結晶半導体基板やサファイア
（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板が用いられ、この
基板上には、例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ
Ｐ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮなどの化合物半導体膜やＳｉな
どの半導体膜が形成される。
ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどの単結晶半導体基板やサファイア
（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板が用いられ、この
基板上には、例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ
Ｐ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮなどの化合物半導体膜やＳｉな
どの半導体膜が形成される。
【００２０】これらの半導体膜を例えばＭＯＣＶＤ法で
形成する場合は、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ、ＡｓＨ3 、
ＰＨ3 、ＮＨ3 などの原料ガスが用いられ、また導電型
を制御するための半導体不純物用ガスとしては、ＤＭＺ
やＳｉＨ4 などが用いられる。また、これらの半導体膜
を例えばＭＢＥ法で形成する場合は、個々の構成元素を
蒸発るつぼに入れて加熱して蒸発させ、出てくる蒸気を
分子線の形で加熱されている基板に当てて単結晶薄膜を
成長させる。このようにして形成される半導体膜は、例
えば発光ダイオードなどの発光素子や電界効果トランジ
スタの半導体膜として用いられる。
形成する場合は、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ、ＡｓＨ3 、
ＰＨ3 、ＮＨ3 などの原料ガスが用いられ、また導電型
を制御するための半導体不純物用ガスとしては、ＤＭＺ
やＳｉＨ4 などが用いられる。また、これらの半導体膜
を例えばＭＢＥ法で形成する場合は、個々の構成元素を
蒸発るつぼに入れて加熱して蒸発させ、出てくる蒸気を
分子線の形で加熱されている基板に当てて単結晶薄膜を
成長させる。このようにして形成される半導体膜は、例
えば発光ダイオードなどの発光素子や電界効果トランジ
スタの半導体膜として用いられる。
【００２１】前記基板上に化合物半導体膜を堆積させる
場合は、基板をサセプタ１１の凹部１１ａ内にセッティ
ングして、サセプタ１１の裏面側から抵抗加熱式ヒータ
１２で基板を６５０〜７５０℃に加熱して堆積させる。
この場合、抵抗加熱式ヒータ１２の温度とサセプタ１１
の温度との関係は正確に得られていることから、抵抗加
熱式ヒータ１２で基板を正確に加熱して所望の半導体膜
を堆積させることができる。
場合は、基板をサセプタ１１の凹部１１ａ内にセッティ
ングして、サセプタ１１の裏面側から抵抗加熱式ヒータ
１２で基板を６５０〜７５０℃に加熱して堆積させる。
この場合、抵抗加熱式ヒータ１２の温度とサセプタ１１
の温度との関係は正確に得られていることから、抵抗加
熱式ヒータ１２で基板を正確に加熱して所望の半導体膜
を堆積させることができる。
【００２２】なお、上記実施形態では、ヒータとして抵
抗加熱式ヒータを用いることについて述べたが、誘導加
熱式ヒータを用いてもよい。
抗加熱式ヒータを用いることについて述べたが、誘導加
熱式ヒータを用いてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体膜の
形成方法によれば、半導体膜を堆積させる前に、同心円
状に複数の溝を設けたサセプタを用いてヒータの温度と
サセプタの温度との関係を測定し、しかる後基板が収納
される複数の凹部を有するサセプタを用いて基板上に半
導体膜を堆積させることから、サセプタ温度のふれが小
さくなり、正確な温度校正が可能となる。よって、成長
温度を再現性よく制御することができる。
形成方法によれば、半導体膜を堆積させる前に、同心円
状に複数の溝を設けたサセプタを用いてヒータの温度と
サセプタの温度との関係を測定し、しかる後基板が収納
される複数の凹部を有するサセプタを用いて基板上に半
導体膜を堆積させることから、サセプタ温度のふれが小
さくなり、正確な温度校正が可能となる。よって、成長
温度を再現性よく制御することができる。
【図１】本発明に係る半導体膜の形成方法に用いられる
温度校正用サセプタを示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
温度校正用サセプタを示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
【図２】従来の半導体膜の形成方法に用いられる装置の
概要を示す図である。
概要を示す図である。
【図３】従来の半導体膜の形成方法に用いられる温度校
正用サセプタを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。
正用サセプタを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図である。
１‥‥‥サセプタ、２‥‥‥溝
Claims (3)
- 【請求項１】 サセプタ上に載置した基板をヒータで加
熱しながら、この基板上に半導体膜を堆積させる半導体
膜の形成方法において、前記半導体膜を堆積させる前
に、同心円状に複数の溝を設けたサセプタを用いて前記
ヒータの温度と前記サセプタの温度との関係を測定し、
しかる後前記基板が収納される複数の凹部を有するサセ
プタを用いて前記基板上に前記半導体膜を堆積させるこ
とを特徴とする半導体膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記ヒータが抵抗加熱式ヒータであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記半導体膜が化合物半導体膜であるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4702298A JPH11251249A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4702298A JPH11251249A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251249A true JPH11251249A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12763567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4702298A Pending JPH11251249A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 半導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251249A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392796B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2003-07-28 | 주식회사 세미텔 | 웨이퍼 가열용 턴테이블 장치 |
| JP2007258734A (ja) * | 2002-02-28 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | シャワーヘッド構造及び成膜処理装置 |
| JP2021193726A (ja) * | 2021-03-26 | 2021-12-23 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP4702298A patent/JPH11251249A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392796B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2003-07-28 | 주식회사 세미텔 | 웨이퍼 가열용 턴테이블 장치 |
| JP2007258734A (ja) * | 2002-02-28 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | シャワーヘッド構造及び成膜処理装置 |
| JP2021193726A (ja) * | 2021-03-26 | 2021-12-23 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
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