JPH02233585A - 基板ホルダ - Google Patents
基板ホルダInfo
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- JPH02233585A JPH02233585A JP5215689A JP5215689A JPH02233585A JP H02233585 A JPH02233585 A JP H02233585A JP 5215689 A JP5215689 A JP 5215689A JP 5215689 A JP5215689 A JP 5215689A JP H02233585 A JPH02233585 A JP H02233585A
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- Japan
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- temperature
- molybdenum
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、温度変動の少ない基板ホルダに関するもので
ある。
ある。
く従来の技術）
分子線エピタキシ（ＭＢＦ！）法は１〜２原子層の膜厚
を制御できるので、レーザ、ＦＥＴなど多くの素子の作
製に応用されている。有機金属分子線エピタキシ（ＭＯ
ＭＢＢ）法は、ＭＢＢ法の特長を維持しながら、ＭＢＢ
法では不可能であったＩｎＧａＡｓＰ膜の作製に用いら
れている。これらの方法では超高真空容器の中で薄膜を
形成する。膜質は、真空度と基板温度によって大きく左
右される。ＭＢＥ装置における基板の出し入れは、基板
をインジウムで糊付けしたモリブデンホルダを介して行
われる。ホルダの材料にモリブデンを用いる理由は、加
熱時のガス放出量が少なく、高真空を保つことができる
がらである。インジウムは熱接触媒体である。
を制御できるので、レーザ、ＦＥＴなど多くの素子の作
製に応用されている。有機金属分子線エピタキシ（ＭＯ
ＭＢＢ）法は、ＭＢＢ法の特長を維持しながら、ＭＢＢ
法では不可能であったＩｎＧａＡｓＰ膜の作製に用いら
れている。これらの方法では超高真空容器の中で薄膜を
形成する。膜質は、真空度と基板温度によって大きく左
右される。ＭＢＥ装置における基板の出し入れは、基板
をインジウムで糊付けしたモリブデンホルダを介して行
われる。ホルダの材料にモリブデンを用いる理由は、加
熱時のガス放出量が少なく、高真空を保つことができる
がらである。インジウムは熱接触媒体である。
基板の温度は、モリブデンホルダに接触させた熱電対に
よって測定するか、または基板表面温度をパイ口メータ
によって測定する。後者の方が基板温度を、より正確に
測定できるので、広く用いられている。多元系の膜にお
いては、ケミトロニクス、３巻、３ページに記載されて
いるように、膜質ばかりでなく、組成も基板温度に非常
に敏感であるので、成長中は基板温度を数℃以内に保つ
必要がある。しかしながら、従来のホルダでは、膜成長
開始とともに基板温度が急激に減少するという欠点があ
った。この理由を以下に述べる。
よって測定するか、または基板表面温度をパイ口メータ
によって測定する。後者の方が基板温度を、より正確に
測定できるので、広く用いられている。多元系の膜にお
いては、ケミトロニクス、３巻、３ページに記載されて
いるように、膜質ばかりでなく、組成も基板温度に非常
に敏感であるので、成長中は基板温度を数℃以内に保つ
必要がある。しかしながら、従来のホルダでは、膜成長
開始とともに基板温度が急激に減少するという欠点があ
った。この理由を以下に述べる。
パイ口メータを用いて温度を決定するには、被測定物の
放射率の値が必要である。ＧａＡｓ基板およＣＦ Ｉ
ｎ Ｐ基板の放射率は、エレクトロニクスレター１６巻
、７３ページによれば、ともに０．６である。一方、モ
リブデンホルダの放射率は０．１に近い。ホルダの大き
さはＭＢＢ装置によって決まり、２インチの基板用には
、ひとまわり大きい直径６０ｍｍのホルダが用いられる
。したがって、基板をホルダに張り付けた際に、ホルダ
の周辺部はモリブデンの面が露出する。エビ成長を行う
と、この部分にＧａＡｓまたはＩｎＰが付着し、放射率
が変化する。この結果、多量の熱が放射されるので、基
板温度が低下する。この低下分は１０〜２０℃に、も及
ぶ。したがって、ＭＢＢまたはＭＯＭＢＢにおいて多元
系薄膜の組成を精密に制御することは非常に困難であっ
た。
放射率の値が必要である。ＧａＡｓ基板およＣＦ Ｉ
ｎ Ｐ基板の放射率は、エレクトロニクスレター１６巻
、７３ページによれば、ともに０．６である。一方、モ
リブデンホルダの放射率は０．１に近い。ホルダの大き
さはＭＢＢ装置によって決まり、２インチの基板用には
、ひとまわり大きい直径６０ｍｍのホルダが用いられる
。したがって、基板をホルダに張り付けた際に、ホルダ
の周辺部はモリブデンの面が露出する。エビ成長を行う
と、この部分にＧａＡｓまたはＩｎＰが付着し、放射率
が変化する。この結果、多量の熱が放射されるので、基
板温度が低下する。この低下分は１０〜２０℃に、も及
ぶ。したがって、ＭＢＢまたはＭＯＭＢＢにおいて多元
系薄膜の組成を精密に制御することは非常に困難であっ
た。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、この温度変動の点を解決した基板ホルダを提
供することにある。
供することにある。
本発明はモリブデンホルダの全面を、基板と同じ放射率
をもつ材料で覆ったことを最も大きな特徹とする。基板
はシリコンの上にインジウムで糊付けする。このような
構造であるから、エビ成長前後で放射率がほとんど変化
しない。下記の実施例では専らシリコンを用いた。その
理由は、■放射率が化合物半導体材料の放射率に近い０
．７であること、■蒸気圧が非常に低く、汚染源の原因
にならないこと、■加工が容易であること、■８インチ
の大きさが入手できるので、複数の基板が装着可能であ
ること、■安価であること、などである。従来のホルダ
では、このような中間材料は、全く使用されていない。
をもつ材料で覆ったことを最も大きな特徹とする。基板
はシリコンの上にインジウムで糊付けする。このような
構造であるから、エビ成長前後で放射率がほとんど変化
しない。下記の実施例では専らシリコンを用いた。その
理由は、■放射率が化合物半導体材料の放射率に近い０
．７であること、■蒸気圧が非常に低く、汚染源の原因
にならないこと、■加工が容易であること、■８インチ
の大きさが入手できるので、複数の基板が装着可能であ
ること、■安価であること、などである。従来のホルダ
では、このような中間材料は、全く使用されていない。
（実施例）
第１図は本発明の基板ホルダの一実施例を説明する断面
図であって、１はモリブデンホルダ、２はインジウム、
３はシリコンウエーハ、４はＩｎＰ基板、５はヒータ、
６は熱電対、７は真空容器、８はパイ口メータ、９はの
ぞき窓を示す。モリブデンホルダｌとシリコンウエーハ
３、およびシリコンエーハ３とＩｎＰ基板４は、ともに
インジウム２で糊付けされている。基板はヒータ５で加
熱され、その温度は熱電対６でモニタされる。モリブデ
ンホルダ１は回転できる構造となっており、熱電対６は
モリブデンホルダ１に接触していない。
図であって、１はモリブデンホルダ、２はインジウム、
３はシリコンウエーハ、４はＩｎＰ基板、５はヒータ、
６は熱電対、７は真空容器、８はパイ口メータ、９はの
ぞき窓を示す。モリブデンホルダｌとシリコンウエーハ
３、およびシリコンエーハ３とＩｎＰ基板４は、ともに
インジウム２で糊付けされている。基板はヒータ５で加
熱され、その温度は熱電対６でモニタされる。モリブデ
ンホルダ１は回転できる構造となっており、熱電対６は
モリブデンホルダ１に接触していない。
基板ホルダは真空容器７内に置かれている。パイ口メー
タ８は真空容器７の外に置かれ、のぞき窓９を通してＩ
ｎＰ基板４の表面の温度を測定する。
タ８は真空容器７の外に置かれ、のぞき窓９を通してＩ
ｎＰ基板４の表面の温度を測定する。
第２図は、ＩｎＰ基板上にＩｎＰを成長させたときの成
長開始前後の時間変化を示す。膜成長にはＭＯＭＢε法
を用いた。ホルダの大きさは直径６０ｍｍ，基板の大き
さは２０ｍｍ角である。シリコンウエーハを装着した場
合は、基板降下は２℃であるのに対して、装着しない場
合は、２図に破線で示すように、成長開始６０分後には
２０℃も降下した。
長開始前後の時間変化を示す。膜成長にはＭＯＭＢε法
を用いた。ホルダの大きさは直径６０ｍｍ，基板の大き
さは２０ｍｍ角である。シリコンウエーハを装着した場
合は、基板降下は２℃であるのに対して、装着しない場
合は、２図に破線で示すように、成長開始６０分後には
２０℃も降下した。
第３図は、ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓを成長させた場
合の深さ方向の組成変動を示す。膜厚は１．２μｍであ
る。この実施例の方法を用いることにより、深さ方向に
均一な組成が得られた。従来の方法では、第３゛図に破
線で示すように、表面に近くになるにつれて［ｎｌＪッ
チの組成となった。この理由は、前者では基板温度が一
定であるのに対して、後者では温度が変動しているため
である。
合の深さ方向の組成変動を示す。膜厚は１．２μｍであ
る。この実施例の方法を用いることにより、深さ方向に
均一な組成が得られた。従来の方法では、第３゛図に破
線で示すように、表面に近くになるにつれて［ｎｌＪッ
チの組成となった。この理由は、前者では基板温度が一
定であるのに対して、後者では温度が変動しているため
である。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の基板ホルダを用いれば、
エビ成長前後で温度変動がほとんどないので、多元系の
薄膜の組成を精密に制御できる。
エビ成長前後で温度変動がほとんどないので、多元系の
薄膜の組成を精密に制御できる。
実施例ではＩｎＧａＡｓのみを示したが、ＩＩＩＶ化合
物およびＩＩ−Ｖｌ化合物半導体薄膜全体に応用できる
。
物およびＩＩ−Ｖｌ化合物半導体薄膜全体に応用できる
。
また、本発明の実施例の方法により内面の温度分布がよ
り均一となり、膜厚および組成の均一性が向上した。従
って、内面均一性が特に要求されるＦＥＴの製作に有利
である。
り均一となり、膜厚および組成の均一性が向上した。従
って、内面均一性が特に要求されるＦＥＴの製作に有利
である。
第１図は本発明の基板ホルダの一実施例を説明する断面
図、 第２図はＩｎＰ基板上にＩｎＰを成長させたときの成長
開始前後の基板温度の時間変化を示す図、第３図はＩｎ
Ｐ基板上にＩｎＧａＡｓを成長させた場合のＩ ｎ ＋
ｉ Ｇ ａ ＋ − ｗ Ａ ｓ膜の深さ方向の組成変
動を示す図である。 １・・・モリブデンホルダ ２・・・インジウム３・・
・シリコンウエーハ ４・・・ＩｎＰ 基板５・・・ヒ
ータ ６・・・熱電対７・・・真空容器
８・・・パイ口メータ９・・・のぞき窓 ５−一−ヒーダ 第２図 峙聞 （今）
図、 第２図はＩｎＰ基板上にＩｎＰを成長させたときの成長
開始前後の基板温度の時間変化を示す図、第３図はＩｎ
Ｐ基板上にＩｎＧａＡｓを成長させた場合のＩ ｎ ＋
ｉ Ｇ ａ ＋ − ｗ Ａ ｓ膜の深さ方向の組成変
動を示す図である。 １・・・モリブデンホルダ ２・・・インジウム３・・
・シリコンウエーハ ４・・・ＩｎＰ 基板５・・・ヒ
ータ ６・・・熱電対７・・・真空容器
８・・・パイ口メータ９・・・のぞき窓 ５−一−ヒーダ 第２図 峙聞 （今）
Claims (1)
- １、分子線エピタキシ装置用および有機金属分子線エピ
タキシ装置用の基板ホルダにおいて、基板と同じ放射率
もしくはそれに近い放射率を有する材料によって、全面
が覆われていることを特徴とする基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052156A JP2688365B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052156A JP2688365B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 基板ホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02233585A true JPH02233585A (ja) | 1990-09-17 |
| JP2688365B2 JP2688365B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=12906990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052156A Expired - Fee Related JP2688365B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2688365B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177038A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Nec Corp | 分子線エピタキシー法による水銀カドミウムテルル薄膜の形成方法およびそれに用いる基板ホルダー |
| JPH06196403A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Nec Corp | 基板構造と基板構造の制御方法と基板温度制御方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6217120U (ja) * | 1985-07-17 | 1987-02-02 |
-
1989
- 1989-03-06 JP JP1052156A patent/JP2688365B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6217120U (ja) * | 1985-07-17 | 1987-02-02 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177038A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Nec Corp | 分子線エピタキシー法による水銀カドミウムテルル薄膜の形成方法およびそれに用いる基板ホルダー |
| JPH06196403A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Nec Corp | 基板構造と基板構造の制御方法と基板温度制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2688365B2 (ja) | 1997-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |