JPS6358916A - 分子線エピタキシ−装置 - Google Patents
分子線エピタキシ−装置Info
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- JPS6358916A JPS6358916A JP20408786A JP20408786A JPS6358916A JP S6358916 A JPS6358916 A JP S6358916A JP 20408786 A JP20408786 A JP 20408786A JP 20408786 A JP20408786 A JP 20408786A JP S6358916 A JPS6358916 A JP S6358916A
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、分子線エピタキシー装置に関し、特に基板加
熱用のサセプタに関するものである。
熱用のサセプタに関するものである。
従来の技術
分子線エビキタシー（以下ｒＭＢＥＪと称す）は、高品
質・高制御性を持つ結晶成長法の一つである。これは、
超高真空（１０−９ＴＯＲＲ以下）中で、加熱されたセ
ルからでる分子線を、比較的低温の半導体基板にあてる
ことにより、エピタキシャル成長させる方法である。
質・高制御性を持つ結晶成長法の一つである。これは、
超高真空（１０−９ＴＯＲＲ以下）中で、加熱されたセ
ルからでる分子線を、比較的低温の半導体基板にあてる
ことにより、エピタキシャル成長させる方法である。
従来のＭＢＥ装置では、半導体基板を基板ホルダーに溶
融したインジウム（以下ｒｌｎＪと称す）で貼付け、基
板ホルダーの裏面にあるヒーターで基板加熱を行ってい
た。Ｉｎが用いられるのは、基板の温度を均一にするた
めであるが、その貼付や剥離によるプロセスの複雑化や
、基板に与える悪影響のため、ＭＢＨにおける量産性の
問題点の一つとなっていた。そこで近年、Ｉｎを用いな
いＩｎフリー法が検討され始めた。Ｉｎフリー法では、
ヒーターからの熱を直接半導体基板に伝えず、サセプタ
と呼ばれる等方性の熱伝導率を有する均熱板を間に挾む
のが一般的である。このＩｎフリー法の構成図を第２図
に示す。
融したインジウム（以下ｒｌｎＪと称す）で貼付け、基
板ホルダーの裏面にあるヒーターで基板加熱を行ってい
た。Ｉｎが用いられるのは、基板の温度を均一にするた
めであるが、その貼付や剥離によるプロセスの複雑化や
、基板に与える悪影響のため、ＭＢＨにおける量産性の
問題点の一つとなっていた。そこで近年、Ｉｎを用いな
いＩｎフリー法が検討され始めた。Ｉｎフリー法では、
ヒーターからの熱を直接半導体基板に伝えず、サセプタ
と呼ばれる等方性の熱伝導率を有する均熱板を間に挾む
のが一般的である。このＩｎフリー法の構成図を第２図
に示す。
半導体基板１４とサセプタ１１は、タンタル製の基板ホ
ルダー１２に、タンタル製のリング１３を用いて装着さ
れ、成長時には、ヒーター１５により加熱される。
ルダー１２に、タンタル製のリング１３を用いて装着さ
れ、成長時には、ヒーター１５により加熱される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような借成では、同図のように、
ヒーター１５は基板の全域には広がらず、特に中央部は
基板温度を測定するための熱電対１６があるので、半導
体基板１４０面内方向における熱分布は不均一になり易
い。このとき、熱伝導率の低い材料をサセプタに用いた
場合は、基板の中央部と周辺部の温度が他の部分に比べ
て低くなり、そのため、結晶性の不均一が生じるという
欠点を有していた。また、熱伝導率の高い材料をサセプ
タに用いた場合は、ヒーターの熱が周辺部に逃げ、基板
が温まりにくいという問題があった。
ヒーター１５は基板の全域には広がらず、特に中央部は
基板温度を測定するための熱電対１６があるので、半導
体基板１４０面内方向における熱分布は不均一になり易
い。このとき、熱伝導率の低い材料をサセプタに用いた
場合は、基板の中央部と周辺部の温度が他の部分に比べ
て低くなり、そのため、結晶性の不均一が生じるという
欠点を有していた。また、熱伝導率の高い材料をサセプ
タに用いた場合は、ヒーターの熱が周辺部に逃げ、基板
が温まりにくいという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、良好な結晶成長を可能にす
るサセプタを有するＭＢＥ装置を提供するものである。
るサセプタを有するＭＢＥ装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明のＭＢＥ装置は、面
垂直方向にＣ軸配向したグラファイトと、前記グラファ
イトの両面に面垂直方向にＣ軸配向した六方晶形結晶の
窒化硼素の積層板をサセプタに用いることを特（改とす
る。
垂直方向にＣ軸配向したグラファイトと、前記グラファ
イトの両面に面垂直方向にＣ軸配向した六方晶形結晶の
窒化硼素の積層板をサセプタに用いることを特（改とす
る。
作用
上記構成のＭＢＥ装置は、サセプタの面内方向の熱伝導
率が面垂直方向の熱伝導率よりも高いため、面内方向に
均一な熱分布になり易く、それに比べて、周辺部から熱
が逃げに（いという特徴を有しており、また、グラファ
イト成分の炭素が、特に化合物半導体の成長に悪影響を
及ぼす恐れがあるため、上記のように両面を六方晶形結
晶の窒化硼素で覆うことにより膜質の劣化を防ぎ、良好
な結晶成長を可能にする。
率が面垂直方向の熱伝導率よりも高いため、面内方向に
均一な熱分布になり易く、それに比べて、周辺部から熱
が逃げに（いという特徴を有しており、また、グラファ
イト成分の炭素が、特に化合物半導体の成長に悪影響を
及ぼす恐れがあるため、上記のように両面を六方晶形結
晶の窒化硼素で覆うことにより膜質の劣化を防ぎ、良好
な結晶成長を可能にする。
実施例
第１図に、本発明のＭＢＥ装置の構成による基板加熱用
サセプタの一実施例を示す。面垂直方向にＣ軸配向した
グラファイト１の両面に、高温（１８００℃以上）減圧
（ＩＯＴＯＲＲ以下）下で三塩化硼素とアンモニアの反
応による熱化学沈着法（熱ＣＶＤ法）で製造され、同じ
く面垂直方向にＣ軸配向した六方晶形結晶の窒化硼素２
の積層したものである。この場合、グラファイト１およ
び窒化硼素２のいずれも、面内方向の熱伝導率は面垂直
方向の熱伝導率よりも非常に高く、グラファイトで約２
００倍、窒化硼素で約２０倍（久保田芳宏：電子材料
１９８５年 ７月 ｐ３４）になる。
サセプタの一実施例を示す。面垂直方向にＣ軸配向した
グラファイト１の両面に、高温（１８００℃以上）減圧
（ＩＯＴＯＲＲ以下）下で三塩化硼素とアンモニアの反
応による熱化学沈着法（熱ＣＶＤ法）で製造され、同じ
く面垂直方向にＣ軸配向した六方晶形結晶の窒化硼素２
の積層したものである。この場合、グラファイト１およ
び窒化硼素２のいずれも、面内方向の熱伝導率は面垂直
方向の熱伝導率よりも非常に高く、グラファイトで約２
００倍、窒化硼素で約２０倍（久保田芳宏：電子材料
１９８５年 ７月 ｐ３４）になる。
また、上記の組合せは、面内方向の熱膨張率が非常に小
さく、ひびわれなどの問題なくサセプタを作ることがで
きる。
さく、ひびわれなどの問題なくサセプタを作ることがで
きる。
発明の効果
以上に記したように、本発明の構成のＭＢＥ装置は、サ
セプタの面内方向の熱伝導率が面垂直方向の熱伝導率よ
りも高いため、面内方向に均一な熱分布になり易く、そ
れに比べて、周辺部から熱が逃げにくいという特徴を有
しており、また、成長する物質に最も影響の少ないよう
に、両面を窒化硼素で覆うことにより膜質の劣化を防ぎ
、良好な結晶成長を可能にする。このことは、成長膜の
均一性やそこに作製されるデバイスの歩留り向上に大き
く貢献する。
セプタの面内方向の熱伝導率が面垂直方向の熱伝導率よ
りも高いため、面内方向に均一な熱分布になり易く、そ
れに比べて、周辺部から熱が逃げにくいという特徴を有
しており、また、成長する物質に最も影響の少ないよう
に、両面を窒化硼素で覆うことにより膜質の劣化を防ぎ
、良好な結晶成長を可能にする。このことは、成長膜の
均一性やそこに作製されるデバイスの歩留り向上に大き
く貢献する。
第１図は本発明の構成によるサセプタの断面図、第２図
はＩｎフリー法の構成を示す断面図である。 １・・・・・・グラファイト、２・・・・・・窒化硼素
。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１−クラコ
アＡ） ？ −−５１イヒ、ａ＋ 第１図 第２図
はＩｎフリー法の構成を示す断面図である。 １・・・・・・グラファイト、２・・・・・・窒化硼素
。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１−クラコ
アＡ） ？ −−５１イヒ、ａ＋ 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）基板加熱用のサセプタとして、面垂直方向にｃ軸
配向したグラファイトと、前記グラファイトの少なくと
も両面に面垂直方向にｃ軸配向した六方晶形結晶の窒化
硼素の積層板を用いることを特徴とする分子線エピタキ
シー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20408786A JPS6358916A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 分子線エピタキシ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20408786A JPS6358916A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 分子線エピタキシ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358916A true JPS6358916A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16484570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20408786A Pending JPS6358916A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 分子線エピタキシ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358916A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04231459A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-08-20 | Union Carbide Coatings Service Technol Corp | 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法 |
| US11947256B2 (en) | 2017-08-03 | 2024-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Simultaneous double-side coating of multilayer graphene pellicle by local thermal processing |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20408786A patent/JPS6358916A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04231459A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-08-20 | Union Carbide Coatings Service Technol Corp | 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法 |
| US11947256B2 (en) | 2017-08-03 | 2024-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Simultaneous double-side coating of multilayer graphene pellicle by local thermal processing |
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