JPH11508531A - Cvdによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法 - Google Patents
Cvdによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.化学蒸着によって基板(13、13′)上にSiC、第三族−窒化物また はそれらの合金である目的物をエピタキシアル生長させる装置にして、前記基板 を受容する室(18)を包囲する円周壁(8)を有するサセプタ(7、7′)、 および前記円周サセプタ壁そしてそれにより前記基板および供給手段によって前 記基板へ供給される基板生長用混合ガスを加熱する手段(11)を有するもので あって、前記加熱手段(11)が、それから被生長材料の昇華が相当増進し始め る温度レベルより高く前記サセプタ(7)およびそれにより前記基板(13、1 3′)を加熱するように配列されていることと、前記供給手段が、正の生長が起 こるような組成を以てかつそのような率において前記混合ガスを前記サセプタ内 に供給するように配列されていることとを特徴とする装置。 2.請求項1に記載の装置であって、前記円周サセプタ壁(8)が、事実上一 様の厚さを有することを特徴とする装置。 3.請求項2に記載の装置であって、前記円周サセプタ壁(8)が、事実上円 筒形のサセプタ(7、7′)を形成していることを特徴とする装置。 4.請求項1から請求項3までの何れか1項に記載の装置であって、前記サセ プタの内壁が、SiC、SiCと前記被生長材料との合金または前記被生長材料 から作られたプレートから形成されまたは該プレートによって被覆されているこ とを特徴とする装置。 5.請求項1から請求項4までの何れか1項に記載の装置であって、それがブ ール体(19)を生長させるようにされておりそして前記基板(13′)が種結 晶であることを特徴とする装置。 6.請求項5に記載の装置であって、前記加熱手段(11)が、そのようなブ ール体が在来の種づけ昇華テクニックによって生産されるとき使用される温度範 囲内の温度まで前記サセプタ壁(18)を加熱するように配列されていることを 特徴とする装置。 7.請求項1から請求項4までの何れか1項に記載の装置であって、それが層 を生長させるようにされていることを特徴とする装置。 8.請求項1から請求項7までの何れか1項に記載の装置であって、それがS iCである目的物を生長させるようにされていることと、前記加熱手段(11) が、前記サセプタ壁(8)を1900°Cまで加熱するように配列されているこ ととを特徴とする装置。 9.請求項8に記載の装置であって、前記加熱手段(11)が,前記サセプタ 壁(8)を2000°Cと2500°Cとの間の温度まで加熱するように配列さ れていることを特徴とする装置。 10.請求項1から請求項9までの何れか1項に記載の装置であって、前記円周 壁(8)が事実上垂直にガス供給方向に前記サセプタ(8)内に延びて前記サセ プタ(7、7′)が位置されるようにされていることを特徴とする装置。 11.請求項1から請求項10までの何れか1項に記載の装置であって、前記加 熱手段(11)が、前記円周サセプタ壁(8)を包囲するRf電界放射手段であ ることを特徴とする装置。 12.円周壁を有するサセプタ(7、7′)内に受容された基板(13、13′ )上に化学蒸着によってSiC、第三族−窒化物またはそれらの合金である目的 物をエピタキシアル生長させる方法にして、前記円周サセプタ壁およびそれによ り前記基板および生長させるため前記基板へ供給される混合ガスが加熱される方 法であって、前記サセプタおよびそれにより前記基板(13、13′)が、それ から被生長材料の昇華が相当増進し始める温度レベルより高く加熱されることと 、前記混合ガスが正の生長が起こるような組成を以てかつそのような率で供給さ れることとを特徴とする方法。 13.サセプタ(7、7′)によって受容されるように配置された基板(13、 13′)上に、化学蒸着によってSiC、第三族−窒化物またはそれらの合金で ある目的物をエピタキシアル生長させる方法にして、前記基板および生長させる ため前記基板へ供給される混合ガスが、前記サセプタの加熱を介して加熱される 方法であって、前記サセプタおよび基板に対する前記混合ガスのエッチング作用 が、前記混合ガス中の少なくとも一つのエッチングガスの含量を変えることによ って変えられることを特徴とする方法。 14.請求項13に記載の方法であって、前記エッチング作用が、前記混合ガス の担体ガスの含量を変えることによって変えられることを特徴とする方法。 15.請求項14に記載の方法であって、前記含量が、前記混合ガス中の前記エ ッチング担体ガスの含量を削減し、ノンエッチング担体ガスの含量を増すことに よって、あるいはその逆で変えることを特徴とする方法。 16.請求項15に記載の方法であって、前記ノンエッチング担体ガスの含量が 、前記サセプタおよびそれによって前記混合ガスの温度の増強と同時に増加され ることを特徴とする方法。 17.請求項15または請求項16に記載の方法であって、前記ノンエッチング ガスがArであることを特徴とする方法。 18.請求項13から請求項17までの何れか一項に記載の方法であって、前記 エッチングガスがH2であることを特徴とする方法。 19.請求項13に記載の方法であって、前記基板が、それから前記被成長材料 の昇華が相当増進し始める温度レベルより高く前記サセプタ(7、7′)を加熱 することによって加熱されること、および前記混合ガス中の前記少なくとも一つ のエッチングガスの含量および成長させるための前記混合ガス中に含有される前 駆ガスの供給率が、正の成長が生じるように、すなわち前記基板上に被成長材料 を形成する元素の堆積率が、昇華およびエッチングによって前記基板上の層から 材料がはなれる率より高いように、規制されることを特徴とする方法。 20.請求項19に記載の方法であって、SiCが成長させられることと、前記 基板が1900°Cより高い温度で加熱されることとを特徴とする方法。 21.請求項20に記載の方法であって、前記基板が2000°Cと2500° Cとの間の温度で加熱されることを特徴とする方法。 22.請求項13から請求項21までの何れか1項に記載の方法であって、ブー ル体(19)が種結晶の形式で基板(13′)上に成長させられることを特徴と する方法。 23.請求項22に記載の方法であって、前記加熱が、そのようなブール体が在 来の種づけ昇華テクニックによって生産されるとき使用される温度範囲内の温度 で行われることを特徴とする方法。 24.請求項13から請求項21までの何れか1項に記載の方法であって、層が 前記基板(13)上に成長させられることを特徴とする方法。
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