NL143436B - Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen.

Info

Publication number
NL143436B
NL143436B NL666617544A NL6617544A NL143436B NL 143436 B NL143436 B NL 143436B NL 666617544 A NL666617544 A NL 666617544A NL 6617544 A NL6617544 A NL 6617544A NL 143436 B NL143436 B NL 143436B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
crystals
particulated
silicon carbide
shaped silicon
manufacturing wire
Prior art date
Application number
NL666617544A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6617544A (nl
Inventor
Wilhelmus Francisc Knippenberg
Gerrit Verspui
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL666617544A priority Critical patent/NL143436B/nl
Priority claimed from NL6703609A external-priority patent/NL6703609A/xx
Priority to NO170923A priority patent/NO123641B/no
Priority to CH1743167A priority patent/CH520076A/de
Priority to ES348181A priority patent/ES348181A1/es
Priority to DK621167AA priority patent/DK122220B/da
Priority to BE707877D priority patent/BE707877A/xx
Priority to GB56404/67D priority patent/GB1213156A/en
Priority to DE1667657A priority patent/DE1667657C3/de
Priority to AT1119067A priority patent/AT294772B/de
Priority to FR132062A priority patent/FR1547963A/fr
Priority to JP7960567A priority patent/JPS5411280B1/ja
Priority to SE17117/67A priority patent/SE334868B/xx
Priority to AT213068A priority patent/AT299124B/de
Priority to GB00592/68A priority patent/GB1213867A/en
Priority to CH324268A priority patent/CH505647A/de
Priority to DE19681719493 priority patent/DE1719493A1/de
Priority to ES351307A priority patent/ES351307A1/es
Priority to US00711349A priority patent/US3721732A/en
Priority to BE711956D priority patent/BE711956A/xx
Priority to FR1556128D priority patent/FR1556128A/fr
Publication of NL6617544A publication Critical patent/NL6617544A/xx
Priority to DE19741794382 priority patent/DE1794382A1/de
Publication of NL143436B publication Critical patent/NL143436B/nl
Priority to US05/599,087 priority patent/US4013503A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D39/00—Filtering material for liquid or gaseous fluids
    • B01D39/02—Loose filtering material, e.g. loose fibres
    • B01D39/06—Inorganic material, e.g. asbestos fibres, glass beads or fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/984—Preparation from elemental silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62227—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/005—Growth of whiskers or needles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S264/00—Plastic and nonmetallic article shaping or treating: processes
    • Y10S264/19—Inorganic fiber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
NL666617544A 1966-12-14 1966-12-14 Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen. NL143436B (nl)

Priority Applications (22)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL666617544A NL143436B (nl) 1966-12-14 1966-12-14 Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen.
NO170923A NO123641B (nl) 1966-12-14 1967-12-11
CH1743167A CH520076A (de) 1966-12-14 1967-12-11 Verfahren zur Herstellung draht- oder bandförmiger Siliziumkarbidkristalle
ES348181A ES348181A1 (es) 1966-12-14 1967-12-12 Un metodo de manufacturar cristales de carburo de silicio en filamentos.
DK621167AA DK122220B (da) 1966-12-14 1967-12-12 Fremgangsmåde til fremstilling af filamentformede siliciumcarbidkrystaller.
BE707877D BE707877A (nl) 1966-12-14 1967-12-12
GB56404/67D GB1213156A (en) 1966-12-14 1967-12-12 Manufacturing filamentary silicon carbide crystals
DE1667657A DE1667657C3 (de) 1966-12-14 1967-12-12 Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbidwhiskers
AT1119067A AT294772B (de) 1966-12-14 1967-12-12 Verfahren zur Herstellung drahtförmiger Siliziumkarbidkristalle
JP7960567A JPS5411280B1 (nl) 1966-12-14 1967-12-13
SE17117/67A SE334868B (nl) 1966-12-14 1967-12-13
FR132062A FR1547963A (fr) 1966-12-14 1967-12-13 Procédé de fabrication de cristaux filiformes de carbure de silicium et objets constitués au moins partiellement par ces cristaux
AT213068A AT299124B (de) 1966-12-14 1968-03-05 Verfahren zur Herstellung von drahtförmigen Körpern, sogenannten Haarkristallen, kreisförmigen Querschnittes, die aus Siliziumkarbid-Einkristallen bestehen
GB00592/68A GB1213867A (en) 1966-12-14 1968-03-05 Method of manufacturing silicon carbide single crystal filaments
CH324268A CH505647A (de) 1966-12-14 1968-03-05 Verfahren zur Herstellung von aus Siliciumkarbid-Einkristallen bestehenden Haarkristallen kreisförmigen Querschnitts
DE19681719493 DE1719493A1 (de) 1966-12-14 1968-03-05 Verfahren zur Herstellung von drahtfoermigen Koerpern (Haarkristallen) kreisfoermigen Querschnitts,die aus Siliciumcarbid-Einkristallen bestehen,und Gegenstaende aus Siliciumcarbid-Haarkristallen kreisfoermigen Querschnitts
ES351307A ES351307A1 (es) 1966-12-14 1968-03-06 Un metodo de manufacturar cuerpos en filamentos.
US00711349A US3721732A (en) 1966-12-14 1968-03-07 Method of manufacturing filamentary bodies of circular cross-section consisting of silicon carbide single crystals and filamentary bodies obtained by said method
FR1556128D FR1556128A (nl) 1966-12-14 1968-03-08
BE711956D BE711956A (nl) 1966-12-14 1968-03-08
DE19741794382 DE1794382A1 (de) 1966-12-14 1974-01-03 Versteifung von gegenstaenden aus kunststoff, glas oder metall
US05/599,087 US4013503A (en) 1966-12-14 1975-07-25 Filamentary silicon carbide crystals by VLS growth in molten iron

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL666617544A NL143436B (nl) 1966-12-14 1966-12-14 Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen.
NL6703609A NL6703609A (nl) 1967-03-08 1967-03-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6617544A NL6617544A (nl) 1968-06-17
NL143436B true NL143436B (nl) 1974-10-15

Family

ID=26644120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL666617544A NL143436B (nl) 1966-12-14 1966-12-14 Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen.

Country Status (13)

Country Link
US (2) US3721732A (nl)
JP (1) JPS5411280B1 (nl)
AT (2) AT294772B (nl)
BE (2) BE707877A (nl)
CH (2) CH520076A (nl)
DE (2) DE1667657C3 (nl)
DK (1) DK122220B (nl)
ES (2) ES348181A1 (nl)
FR (2) FR1547963A (nl)
GB (2) GB1213156A (nl)
NL (1) NL143436B (nl)
NO (1) NO123641B (nl)
SE (1) SE334868B (nl)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL143436B (nl) * 1966-12-14 1974-10-15 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen.
NL7005963A (nl) * 1970-04-24 1971-10-26
US4582561A (en) * 1979-01-25 1986-04-15 Sharp Kabushiki Kaisha Method for making a silicon carbide substrate
US4382837A (en) * 1981-06-30 1983-05-10 International Business Machines Corporation Epitaxial crystal fabrication of SiC:AlN
JPS599220A (ja) * 1982-06-30 1984-01-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 炭化けい素繊維の製造方法
US4789537A (en) * 1985-12-30 1988-12-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Prealloyed catalyst for growing silicon carbide whiskers
CA1275088A (en) * 1985-12-30 1990-10-09 Peter D. Shalek Prealloyed catalyst for growing silicon carbide whiskers
US4702901A (en) * 1986-03-12 1987-10-27 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for growing silicon carbide whiskers by undercooling
US4911781A (en) * 1987-05-05 1990-03-27 The Standard Oil Company VLS Fiber growth process
US5404836A (en) * 1989-02-03 1995-04-11 Milewski; John V. Method and apparatus for continuous controlled production of single crystal whiskers
US4971834A (en) * 1989-06-29 1990-11-20 Therm Incorporated Process for preparing precursor for silicon carbide whiskers
US5055276A (en) * 1989-11-15 1991-10-08 Huckins Harold A Ceramic whisker growing system
US5207263A (en) * 1989-12-26 1993-05-04 Bp America Inc. VLS silicon carbide whisker reinforced metal matrix composites
FR2658839B1 (fr) * 1990-02-23 1997-06-20 Thomson Csf Procede de croissance controlee de cristaux aciculaires et application a la realisation de microcathodes a pointes.
JP2821061B2 (ja) * 1992-05-22 1998-11-05 電気化学工業株式会社 単結晶の製造方法
JP3769739B2 (ja) * 1994-11-17 2006-04-26 住友電気工業株式会社 多孔質セラミックス膜及びその製造方法
SE9502288D0 (sv) * 1995-06-26 1995-06-26 Abb Research Ltd A device and a method for epitaxially growing objects by CVD
US6030661A (en) * 1995-08-04 2000-02-29 Abb Research Ltd. Device and a method for epitaxially growing objects by CVD
JP2000516708A (ja) * 1996-08-08 2000-12-12 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置
US6632477B2 (en) 2001-07-16 2003-10-14 Chien-Min Sung SiCN compositions and methods
US20040206008A1 (en) * 2001-07-16 2004-10-21 Chien-Min Sung SiCN compositions and methods
US7449065B1 (en) 2006-12-02 2008-11-11 Ohio Aerospace Institute Method for the growth of large low-defect single crystals
US9199227B2 (en) 2011-08-23 2015-12-01 Advanced Ceramic Fibers, Llc Methods of producing continuous boron carbide fibers
US9803296B2 (en) 2014-02-18 2017-10-31 Advanced Ceramic Fibers, Llc Metal carbide fibers and methods for their manufacture
US8940391B2 (en) 2010-10-08 2015-01-27 Advanced Ceramic Fibers, Llc Silicon carbide fibers and articles including same
US10208238B2 (en) 2010-10-08 2019-02-19 Advanced Ceramic Fibers, Llc Boron carbide fiber reinforced articles
US10954167B1 (en) 2010-10-08 2021-03-23 Advanced Ceramic Fibers, Llc Methods for producing metal carbide materials
US9275762B2 (en) 2010-10-08 2016-03-01 Advanced Ceramic Fibers, Llc Cladding material, tube including such cladding material and methods of forming the same
CN102534796B (zh) * 2011-12-21 2014-11-05 西安交通大学 一种纯α碳化硅晶须的制备方法
US10793478B2 (en) 2017-09-11 2020-10-06 Advanced Ceramic Fibers, Llc. Single phase fiber reinforced ceramic matrix composites
DE102018100681A1 (de) * 2018-01-12 2019-07-18 Universität Paderborn Verfahren zum Herstellen von Siliziumcarbid
DE102018100679A1 (de) * 2018-01-12 2019-07-18 Universität Paderborn Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Siliziumcarbid
CN108286074B (zh) * 2018-01-26 2020-10-16 山东大学 一种大尺寸SiC单晶生长装置及其工作方法
CN113479855B (zh) * 2021-07-26 2022-11-22 武汉科技大学 一种利用体相层状过渡金属硫化物制备非层状二维过渡金属化合物的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3053635A (en) * 1960-09-26 1962-09-11 Clevite Corp Method of growing silicon carbide crystals
US3346414A (en) * 1964-01-28 1967-10-10 Bell Telephone Labor Inc Vapor-liquid-solid crystal growth technique
NL6615376A (nl) * 1966-11-01 1968-05-02
US3493431A (en) * 1966-11-25 1970-02-03 Bell Telephone Labor Inc Vapor-liquid-solid crystal growth technique
NL143436B (nl) * 1966-12-14 1974-10-15 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen.

Also Published As

Publication number Publication date
CH520076A (de) 1972-03-15
NO123641B (nl) 1971-12-27
DK122220B (da) 1972-02-07
ES351307A1 (es) 1969-06-01
DE1667657C3 (de) 1973-10-18
BE711956A (nl) 1968-09-09
AT299124B (de) 1972-06-12
AT294772B (de) 1971-12-10
JPS5411280B1 (nl) 1979-05-14
FR1556128A (nl) 1969-01-31
US3721732A (en) 1973-03-20
DE1667657B2 (de) 1973-03-22
DE1719493A1 (de) 1971-09-02
SE334868B (nl) 1971-05-10
GB1213156A (en) 1970-11-18
BE707877A (nl) 1968-06-12
NL6617544A (nl) 1968-06-17
DE1667657A1 (de) 1972-03-16
CH505647A (de) 1971-04-15
GB1213867A (en) 1970-11-25
FR1547963A (fr) 1968-11-29
US4013503A (en) 1977-03-22
ES348181A1 (es) 1969-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL143436B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen.
NL157538B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van houders of dergelijke vormstukken uit polyethyleentereftalaat, alsmede aldus vervaardigde houder.
NL154868B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderinrichtingen volgens deze werkwijze verkregen.
NL145609B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van polyesterdraden.
NL147110B (nl) Werkwijze voor het bereiden van diamant, alsmede voorwerpen, geheel of ten dele bestaande uit bereide diamant.
NL148008B (nl) Werkwijze voor het bereiden van schuimzwavel en voorwerpen die geheel of gedeeltelijk uit deze schuimzwavel bestaan.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL147169B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van hittebestendige poreuze voorwerpen.
NL7311769A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van meervoudig geoerienteerde houders.
BE776481A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleidermonokristallen
BE779120A (fr) Werkwijze en inrichting voor het ononderbroken uit dunwandige buisfolievervaardigen van zakken
NL158518B (nl) Werkwijze voor het bereiden van blokcopolymeren en daaruit vervaardigde voorwerpen.
NL145796B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van rotatiesymmetrische voorwerpen.
NL140903B (nl) Werkwijze voor het behandelen van het oppervlak van staalband.
NL147496B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gemetalliseerde vlakke textielprodukten.
NL160006C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van voorwerpen.
NL140501B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van keramische voorwerpen, alsmede voorwerpen, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL146838B (nl) Werkwijze voor het bereiden van (delta)5(10)-3- keto-19-norsteroiden.
NL151054B (nl) Werkwijze voor het opwerken van chloormethaan-mengsels.
NL163764C (nl) Werkwijze voor het bereiden van alkanonen uit olefinen.
NL139838B (nl) Werkwijze voor het bereiden van elektrisch halfgeleidermateriaal en uit dit materiaal vervaardigde halfgeleider.
NL161459C (nl) Werkwijze voor het bereiden van 17 alpha-dihydro- -equilenine en 17 alpha-dihydro-equiline.
BE745573R (nl) Met vlokken bezette drager en werkwijze voor het vervaardigen
NL138777B (nl) Werkwijze voor het bereiden van dicyaan uit cyaanchloride.
CH483876A (de) Verfahren zum Herstellen von homogenen Schutzschichten aus Siliziumnitrid

Legal Events

Date Code Title Description
VJC Lapsed due to non-payment of the due maintenance fee for the patent or patent application
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: PHILIPS