JPH05208900A - 炭化ケイ素単結晶の成長装置 - Google Patents

炭化ケイ素単結晶の成長装置

Info

Publication number
JPH05208900A
JPH05208900A JP4037208A JP3720892A JPH05208900A JP H05208900 A JPH05208900 A JP H05208900A JP 4037208 A JP4037208 A JP 4037208A JP 3720892 A JP3720892 A JP 3720892A JP H05208900 A JPH05208900 A JP H05208900A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
silicon carbide
chamber
gas
carbide single
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4037208A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Maeda
泰宏 前田
Seiichi Taniguchi
斉一 谷口
Momohachi Fukuda
百八 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Nisshin Co Ltd
Original Assignee
Nisshin Steel Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nisshin Steel Co Ltd filed Critical Nisshin Steel Co Ltd
Priority to JP4037208A priority Critical patent/JPH05208900A/ja
Priority to US08/008,312 priority patent/US5288326A/en
Priority to AU32027/93A priority patent/AU653286B2/en
Priority to EP93300549A priority patent/EP0554047B1/en
Priority to DE69300877T priority patent/DE69300877T2/de
Publication of JPH05208900A publication Critical patent/JPH05208900A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0635—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 黒鉛ルツボを使用することなく、ガス反応に
よって生成したＳｉＣから炭化ケイ素単結晶を成長させ
る。 【構成】 チャンバー１０内をガス反応室２０及び結晶
成長室３０に区分する。ガス反応室２０にガス配管２１
から導入された混合ガス４０は、成分相互の反応によっ
て固相ＳｉＣ４２を生成する。固相ＳｉＣ４２は、ヒー
タ３５による加熱で昇華し、種結晶を取り付けた単結晶
支持具３７の上に結晶成長する。種結晶支持具３７は、
炭化ケイ素単結晶の成長条件に合わせて回転及び下降さ
れる。 【効果】 ガス反応によって生成したＳｉＣから炭化ケ
イ素単結晶４３を成長させるため、極めて純度が高く且
つ不純物の少ない製品が得られる。しかも、製造上から
加わる制約がなく、大口径，長尺の単結晶であっても容
易に製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高純度，大口径及び長
尺の炭化ケイ素単結晶を製造する成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素単結晶は、従来から昇華法で
製造されており、半導体デバイスを始めとする高機能材
料として各種分野での用途が期待されている。昇華法に
は、たとえば炭化ケイ素粉末原料を収容した黒鉛ルツボ
の蓋に原料粉末と対向させて種結晶を取り付け、２００
０〜２５００℃に加熱することにより黒鉛ルツボ内の原
料粉末を昇華させる方式がある。昇華した炭化ケイ素
は、種結晶の結晶方位に揃った方位で凝縮・成長し、単
結晶となる。
【０００３】また、底部に種結晶を取り付けた黒鉛ルツ
ボの内部に多孔質の黒鉛製中空円筒を配置し、黒鉛ルツ
ボの内壁面と中空円筒との間に炭化ケイ素粉末原料を充
填し、高温加熱によって炭化ケイ素粉末原料を昇華させ
る方式も採用されている。昇華した炭化ケイ素は、中空
円筒を透過し、ルツボ底部にある種結晶の上に凝縮・成
長する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ルツボ材料としては、
得られる炭化ケイ素単結晶に対する汚染を防止する上か
ら、高純度の黒鉛が使用される。しかしながら、現在入
手できる黒鉛材料には、高純度のものでも約５ｐｐｍ程
度の不純物が含まれている。不純物は、黒鉛ルツボの壁
面から揮発し、炭化ケイ素単結晶に混入する。その結
果、得られた炭化ケイ素単結晶を半導体デバイス等の機
能部材として使用するとき、機能の劣化や誤動作等が生
じる原因となる。
【０００５】ルツボ材料の不純物が炭化ケイ素単結晶に
混入される過程は、次のように考えられている。ルツボ
内で炭化ケイ素粉末原料が昇華するとき、昇華した炭化
ケイ素は、必ずしも化学量論的な組成をとらず、Ｓｉ，
Ｓｉ2 ，Ｃ，ＳｉＣ2 ，Ｓｉ2 Ｃ等が混在したガス組成
をもっている。そして、これらの成分が互いに反応して
ＳｉＣガスとなり、炭化ケイ素単結晶の成長に消費され
る。
【０００６】Ｓｉ，Ｓｉ2 ，Ｃ，ＳｉＣ2 ，Ｓｉ2 Ｃ等
のガス成分は、黒鉛ルツボのＣとも反応しＳｉＣを形成
する。このとき、黒鉛ルツボの不純物も同時に昇華ガス
に混入し、ひいては成長中の炭化ケイ素単結晶に取り込
まれる。
【０００７】また、Ｃの昇華によって黒鉛ルツボ自体も
損耗し、ルツボ構造，ルツボ壁等の厚みが変化する。こ
の変化は、黒鉛ルツボの長手方向に沿った温度勾配に影
響を与える。その結果、成長条件が変動し、得られた炭
化ケイ素単結晶の均質性や品質信頼性等を低下させる。
【０００８】また、黒鉛ルツボを使用する昇華法による
ことから、ルツボの大きさやルツボに収容可能な炭化ケ
イ素粉末原料の量に制約が加わる。ルツボに起因する制
約から、約３０ｍｍ以上の直径及び約数十ｍｍの長さを
持つ炭化ケイ素単結晶を製造することができない現状で
ある。しかし、単結晶を半導体デバイス作製等に利用す
るとき、デバイス歩留りの向上を図ること等から、より
大口径で且つ長尺の単結晶が必要とされる。従来の昇華
法で製造される炭化ケイ素単結晶は、この要求に十分応
えるためには口径が小さい。そのため、炭化ケイ素デバ
イスの本格的な実用化が行われていない。
【０００９】本発明は、このような問題を解消すべく案
出されたものであり、混合ガスから生成したＳｉＣを昇
華させて単結晶を成長させることにより、従来のような
黒鉛ルツボを使用する必要なく、高純度で大口径，長尺
の炭化ケイ素単結晶を製造することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の炭化ケイ素単結
晶成長装置は、その目的を達成するため、導入した混合
ガスから固相ＳｉＣを生成させる反応室と、該反応室か
ら送り込まれた前記固相ＳｉＣを昇華させて種結晶の上
に成長させる結晶成長室とを備え、チャンバーの内部を
区分して前記反応室及び前記結晶成長室が設けられてい
ることを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明に従った炭化ケイ素単結晶製造装置にお
いては、ガス反応部で生成した固相ＳｉＣを昇華させ、
単結晶に成長させる。そのため、従来の昇華法にみられ
た黒鉛ルツボに起因する種々の製造上の問題や製品上の
問題から解放され、鋼塊及び長さ共に自由度が高く、品
質安定性に優れた炭化ケイ素単結晶が製造される。しか
も、得られた炭化ケイ素単結晶は、ガス反応によって生
成した固相ＳｉＣから成長したものであるため、不純物
の混入する機会が少なく、極めて高純度のものとなる。
【００１２】以下、図面を参照しながら、本発明を具体
的に説明する。本発明の炭化ケイ素単結晶成長装置は、
図１に示すようにチャンバー１０の内部を反応室２０及
び結晶成長室３０に分割している。チャンバー１０は、
各種操作のための操作パネルを備えたフレーム１１で支
持されている。
【００１３】反応室２０には、炭化ケイ素製造のために
必要なシラン系ガス，炭化水素ガス，ドーピングガス及
びキャリアガスを供給するガス配管２１が開口してい
る。それぞれのガスは、流量調製弁２２ａ〜２２ｆによ
って所定流量でガス供給源からガス配管２１に送り込ま
れ、所定濃度の混合ガス４１となる。ガス配管２１の反
応室２０に近い部分には、反応室２０に導入される混合
ガス４１の流量を設定し、反応室２０内を所定のガス圧
に維持する圧力調整弁２３が設けられている。
【００１４】反応室２０は、混合ガスの流動方向に沿っ
て大径部から小径部に流路断面積を変更する反応管２４
を備えている。そして、反応管２４と外側壁２５との間
に断熱材２６が設けられ、反応管２４の外側にヒータ２
７が配置されている。反応管２４の大径部で囲まれた空
間部がＳｉＣを生成するガス反応部２８となる。反応に
よって生成したＳｉＣは、小径部で囲まれた部分（通過
部２９）を経て下方に流出する。
【００１５】反応管２４は、結晶成長室３０の内部に突
出している。そして、反応管２４の突出部２４ａに、排
気管３１ａを開口させている。また、結晶成長室３０の
下方部分にも、排気管３１ｂを開口させている。それぞ
れの排気管３１ａ，３１ｂには、圧力調整弁３２ａ，３
２ｂが設けられている。更に、Ａｒ等の不活性ガスを結
晶成長室３０に導入するため、流量調整弁３３を備えた
供給配管３４が結晶成長室３０に開口している。
【００１６】チャンバー１０を真空引きした後、ガス配
管２１から所定組成の混合ガスを送り込み、圧力調整弁
３２ａ，３２ｂや流量調整弁３３等を操作することによ
り、反応室２０及び結晶成長室３０それぞれをＳｉＣの
生成，昇華及び成長に適した圧力に維持する。また、反
応室２０に送り込まれた混合ガスのうち、未反応の水
素，水素化合物等のガスは、排気管３１ａ，３１ｂから
系外に排出される。
【００１７】結晶成長室３０は、雰囲気温度を一定に維
持するヒータ３５を備えている。結晶成長室３０に突出
している反応管２４の突出部２４ａから流出していくＳ
ｉＣ４２がヒータ３５により加熱され、昇華する。この
部分が、昇華部３６となる。
【００１８】結晶成長室３０の下部には、単結晶支持具
３７が設けられた単結晶成長部４０がある。単結晶支持
具３７は、チャンバー１０の底壁を貫通する回転軸３８
で支持されている。回転軸３８は、フレーム１１から水
平方向に突出した昇降ロッド３９に接続されている。こ
れにより、単結晶支持具３７は、結晶成長室３０内で回
転可能になり、またチャンバー１０から引き抜かれる。
単結晶支持具３７の回転速度及び引抜き速度は、フレー
ム１１に設けられている操作パネル（図示せず）を介し
て制御される。
【００１９】ガス配管２１から昇華室２０に送り込まれ
た混合ガス４１は、ガス反応部２８で相互に反応して固
相ＳｉＣ４２を生成し、通過部２９を流下する。生成し
たＳｉＣは、内側壁２９の突出部２４ａを経て流出し、
ヒータ３５による加熱で昇華部３６においてＳｉＣガス
となる。ＳｉＣガスは、圧力及び温度が一定した条件下
で、結晶成長部４０で単結晶支持具３７に取り付けてい
る種結晶（図示せず）の上に成長し、炭化ケイ素単結晶
４３となる。炭化ケイ素単結晶４３の成長速度に応じて
単結晶支持具３７の回転速度及び引抜き速度を制御し、
結晶成長条件を一定に維持する。
【００２０】昇華部３６は、単結晶支持具３７が配置さ
れている結晶成長部と同じ圧力に維持することが好まし
い。他方、ガス反応室２０の圧力は、生成したＳｉＣ４
２が下流側に流れるように、結晶成長室３０よりも高く
設定する。また、ガス反応室２０の温度はＳｉＣの昇華
温度よりも低く設定し、反応管２４の突出部２４ａをヒ
ータ３５でＳｉＣの昇華温度以上に加熱する。更に、昇
華したＳｉＣガスから単結晶の成長が円滑に行われるよ
うに、昇華部３６から結晶成長部４０に向かって降温す
る５０℃／ｃｍ以下の温度勾配を付けることが好まし
い。
【００２１】
【実施例】単結晶の成長に先立って、チャンバー１０内
にガス配管２１及び供給配管３４からＡｒガスを送り込
み、雰囲気ガスをＡｒに置換した。そして、チャンバー
１０の雰囲気圧を１０-2トールまで減厚した。この操作
を５回繰返すことによってチャンバー１０内の不純物を
除去した。そして、Ａｒガスを再度導入し、ヒータ２
７，３５による加熱でチャンバー１０内を２４００℃に
昇温した後、１トールまで減圧し、１時間のベーキング
処理を行った。
【００２２】そして、シランガス（ＳｉＨ4)０．３ｍｌ
／分，プロパンガス (Ｃ3 Ｈ8)０．１ｍｌ／分，水素ガ
ス (Ｈ2)１リットル／分，窒素ガス (Ｎ2)０．０１ｍｌ
／分の割合で混合ガス４１を調製し、表１に示した条件
下に維持されたガス反応室２０及び結晶成長室３０に導
入した。また、供給配管３４からは、Ａｒガス１リット
ル／分を結晶成長室３０に送り込んだ。なお、ガス反応
室２０の圧力は、結晶成長室３０の圧力よりも高く設定
した。
【００２３】
【表１】
【００２４】炭化ケイ素単結晶４３の成長に伴って、単
結晶支持具３７を回転速度１０ｒ．ｐ．ｍ．で回転させ
ながら４ｍｍ／時の速度で降下させた。その結果、単結
晶支持具３７上にｎ型の炭化ケイ素単結晶４３が成長し
た。得られた炭化ケイ素単結晶４３は、不純物の混入が
ない高品質のものでり、窒素ガスをドーピング材として
使用していることからｎ型の特性を呈した。また、炭化
ケイ素単結晶４３の口径は、単結晶支持具３７の面積に
応じ自由に変えることができた。
【００２５】以上の例においては、窒素ガスをドーピン
グ材として使用した場合を説明した。しかし、これに拘
束されることなく、ドーピング材を含まない原料ガス，
或いはｐ型単結晶を得るためのドーピング材を含む原料
ガスを使用することもできる。たとえば、Ｎ2 に代えて
Ａｌ (ＣＨ3)3 を０．０１ｍｌ／分導入することによっ
て、ｐ型の炭化ケイ素単結晶が得られた。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、ガス反応室で生成したＳｉＣを昇華させた後、単結
晶支持具に取り付けられている種結晶を起点として結晶
成長させている。すなわち、従来のように黒鉛ルツボを
使用することなく炭化ケイ素単結晶の成長が行われるた
め、ルツボ不純物の単結晶への混入，ルツボの厚みや構
造変化に伴う単結晶成長条件の変動等の黒鉛ルツボ使用
に起因した欠陥を発生させることなく、高品質，高純度
の炭化ケイ素単結晶が製造される。また、得られる単結
晶のサイズ等を制約する要因がないため、大口径，長尺
の炭化ケイ素単結晶であっても同様な条件下で成長させ
ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の炭化ケイ素単結晶成長装置を具体的
に示した図
【符号の説明】
１０ チャンバー ２０ 反応室 ２８
ガス反応部 ３０ 結晶成長室 ４０ 結晶成長部 ４１
混合ガス ４２ 固相ＳｉＣ ４３ 炭化ケイ素単結晶

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導入した混合ガスから固相ＳｉＣを生成
    させる反応室と、該反応室から送り込まれた前記固相Ｓ
    ｉＣを昇華させて種結晶の上に成長させる結晶成長室と
    を備え、チャンバーの内部を区分して前記反応室及び前
    記結晶成長室が設けられていることを特徴とする炭化ケ
    イ素単結晶の成長装置。
JP4037208A 1992-01-28 1992-01-28 炭化ケイ素単結晶の成長装置 Withdrawn JPH05208900A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4037208A JPH05208900A (ja) 1992-01-28 1992-01-28 炭化ケイ素単結晶の成長装置
US08/008,312 US5288326A (en) 1992-01-28 1993-01-25 Apparatus for continuous growth of SiC single crystal from SiC synthesized in a vapor phase without using graphite crucible
AU32027/93A AU653286B2 (en) 1992-01-28 1993-01-25 Apparatus for continuous growth of SiC single crystal from SiC synthesized in a vapor phase without using graphite crucible
EP93300549A EP0554047B1 (en) 1992-01-28 1993-01-26 SiC single crystal growth
DE69300877T DE69300877T2 (de) 1992-01-28 1993-01-26 Wachstum von SiC-Einkristall.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4037208A JPH05208900A (ja) 1992-01-28 1992-01-28 炭化ケイ素単結晶の成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05208900A true JPH05208900A (ja) 1993-08-20

Family

ID=12491176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4037208A Withdrawn JPH05208900A (ja) 1992-01-28 1992-01-28 炭化ケイ素単結晶の成長装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5288326A (ja)
EP (1) EP0554047B1 (ja)
JP (1) JPH05208900A (ja)
AU (1) AU653286B2 (ja)
DE (1) DE69300877T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006503781A (ja) * 2002-05-15 2006-02-02 セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク 単結晶炭化ケイ素の形成
JP2014240336A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4310744A1 (de) * 1993-04-01 1994-10-06 Siemens Ag Vorrichtung zum Herstellen von SiC-Einkristallen
JPH06295915A (ja) * 1993-04-09 1994-10-21 F T L:Kk 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
US5554224A (en) * 1994-03-31 1996-09-10 Foltyn; Steve R. Substrate heater for thin film deposition
DE19581382D2 (de) * 1994-12-01 1997-08-21 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Siliciumcarbid-Einkristallen durch Sublimationszüchtung
US5964943A (en) * 1994-12-27 1999-10-12 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing boron-doped monocrystalline silicon carbide
SE9502288D0 (sv) * 1995-06-26 1995-06-26 Abb Research Ltd A device and a method for epitaxially growing objects by CVD
US6030661A (en) * 1995-08-04 2000-02-29 Abb Research Ltd. Device and a method for epitaxially growing objects by CVD
SE9503427D0 (sv) * 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A method for epitaxially growing objects and a device for such a growth
SE9503428D0 (sv) * 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A method for epitaxially growing objects and a device for such a growth
US5989340A (en) * 1995-11-14 1999-11-23 Siemens Aktiengesellschaft Process and device for sublimation growing of silicon carbide monocrystals
DE59901313D1 (de) * 1998-07-13 2002-05-29 Siemens Ag VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON SiC-EINKRISTALLEN
US6063185A (en) * 1998-10-09 2000-05-16 Cree, Inc. Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride: silicon carbide alloy
RU2162117C2 (ru) * 1999-01-21 2001-01-20 Макаров Юрий Николаевич Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления
US6824611B1 (en) * 1999-10-08 2004-11-30 Cree, Inc. Method and apparatus for growing silicon carbide crystals
JP3505597B2 (ja) * 2000-02-23 2004-03-08 日本ピラー工業株式会社 炭化珪素単結晶
JP3864696B2 (ja) * 2000-11-10 2007-01-10 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
JP3959952B2 (ja) * 2000-11-10 2007-08-15 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
JP4275308B2 (ja) * 2000-12-28 2009-06-10 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置
US7601441B2 (en) * 2002-06-24 2009-10-13 Cree, Inc. One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer
ATE335872T1 (de) 2003-04-24 2006-09-15 Norstel Ab Vorrichtung und verfahren zur herstellung von einkristallen durch dampfphasenabscheidung
US7147713B2 (en) * 2003-04-30 2006-12-12 Cree, Inc. Phase controlled sublimation
US7247513B2 (en) 2003-05-08 2007-07-24 Caracal, Inc. Dissociation of silicon clusters in a gas phase during chemical vapor deposition homo-epitaxial growth of silicon carbide
ITMI20031196A1 (it) * 2003-06-13 2004-12-14 Lpe Spa Sistema per crescere cristalli di carburo di silicio
CN104514034B (zh) * 2015-01-08 2017-10-27 中国科学院半导体研究所 用于碳化硅生长的高温装置及方法
CN108796610B (zh) * 2018-06-19 2020-12-11 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法
US11309177B2 (en) 2018-11-06 2022-04-19 Stmicroelectronics S.R.L. Apparatus and method for manufacturing a wafer
IT201900015416A1 (it) 2019-09-03 2021-03-03 St Microelectronics Srl Apparecchio per la crescita di una fetta di materiale semiconduttore, in particolare di carburo di silicio, e procedimento di fabbricazione associato
DE102022102320A1 (de) 2022-02-01 2023-08-03 The Yellow SiC Holding GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Produktion von Siliziumkarbid

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6291494A (ja) * 1985-10-16 1987-04-25 Res Dev Corp Of Japan 化合物半導体単結晶成長方法及び装置
DE3923390A1 (de) * 1988-07-14 1990-01-25 Canon Kk Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen
DE69017744T2 (de) * 1989-04-27 1995-09-14 Fuji Electric Co Ltd Gerät und Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines durch Mikrowellen erzeugten Plasmas.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006503781A (ja) * 2002-05-15 2006-02-02 セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク 単結晶炭化ケイ素の形成
KR101031407B1 (ko) * 2002-05-15 2011-04-26 상뜨르 나쇼날 드 라 러쉐르쉬 샹띠피끄 (쎄엔알에스) 단결정 실리콘 탄화물의 형성방법
JP2014240336A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5288326A (en) 1994-02-22
DE69300877D1 (de) 1996-01-11
AU3202793A (en) 1993-07-29
DE69300877T2 (de) 1996-04-25
EP0554047A1 (en) 1993-08-04
EP0554047B1 (en) 1995-11-29
AU653286B2 (en) 1994-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05208900A (ja) 炭化ケイ素単結晶の成長装置
US4147572A (en) Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition technique
EP1471168B1 (en) Device and method for producing single crystals by vapour deposition
US5964944A (en) Method of producing silicon carbide single crystal
US6048398A (en) Device for epitaxially growing objects
JP4733485B2 (ja) 炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法、炭化珪素単結晶成長用種結晶、炭化珪素単結晶の製造方法、および炭化珪素単結晶
CA2583592C (en) Process for the production of gan or aigan crystals
US9580837B2 (en) Method for silicon carbide crystal growth by reacting elemental silicon vapor with a porous carbon solid source material
JPH06316499A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
KR101031407B1 (ko) 단결정 실리콘 탄화물의 형성방법
JPH06128094A (ja) 炭化ケイ素単結晶の製造方法
EP1132505B1 (en) Method for producing single-crystal silicon carbide
JP4505202B2 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
JP3590464B2 (ja) ４ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法
JPH05178698A (ja) 炭化珪素バルク単結晶の製造装置及び製造方法
JPH05306199A (ja) 炭化ケイ素単結晶製造装置
JPH06298600A (ja) ＳｉＣ単結晶の成長方法
KR20090042202A (ko) 단결정 ＳｉＣ 및 그 제조 방법
JP4222630B2 (ja) 物体をエピタキシャル成長させるための方法及びそのような成長を行うための装置
JPH0416597A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
JPS6115150B2 (ja)
JPH05208897A (ja) 炭化ケイ素単結晶基板製造方法
JPH0656596A (ja) 炭化ケイ素単結晶の製造方法
JP2008273819A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶
JPH03252385A (ja) 高解離圧単結晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990408