JP3505597B2 - 炭化珪素単結晶 - Google Patents
炭化珪素単結晶Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/10—Single-crystal growth directly from the solid state by solid state reactions or multi-phase diffusion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素単結晶に
関し、詳しくは炭化珪素種結晶上に二酸化珪素超微粒子
および炭素超微粒子を供給して二酸化珪素を炭素により
還元することにより製造される炭化珪素単結晶に関す
る。
関し、詳しくは炭化珪素種結晶上に二酸化珪素超微粒子
および炭素超微粒子を供給して二酸化珪素を炭素により
還元することにより製造される炭化珪素単結晶に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】炭化珪素単結晶は、耐環境用デバイス、
パワーデバイスなどの半導体デバイス用の材料として有
用であり、その製造方法として種々の方法が用いられて
いる。炭化珪素は、常圧での液相が存在せず、シリコン
単結晶の引き上げ法のような液相からの結晶化が困難で
あり、従来はＳｉ2Ｃ、ＳｉＣ2、Ｓｉなどの気相からの
結晶化である昇華法による製造が一般的であった。昇華
法には、無水珪酸と炭素源を高温加熱し、発生した蒸気
内の反応により炭化珪素単結晶を製造するアチソン法
や、黒鉛坩堝内で炭化珪素粉末を昇華させ、黒鉛坩堝内
で炭化珪素単結晶を再結晶化するレーリー法、改良レー
リー法等があるが、アチソン法は、得られる単結晶の大
きさが小さい上、半導体デバイス用としては純度が低
く、レーリー法や改良レーリー法は、炭化珪素の化学量
論的組成のガスが存在しないことから、反応が複雑にな
るという問題がある。また、気相からの結晶成長は、原
子や分子が種結晶表面に供給されて結晶が１層毎に成長
するため、いずれの方法も単結晶の成長速度が１ｍｍ／
時間程度と、シリコン単結晶のような引き上げ法による
成長速度の１００ｍｍ／時間程度に比べて著しく遅く、
収率も悪いという問題点がある。さらに、従来の方法で
は、マイクロパイプなどの数ミクロン径の中空欠陥が発
生しやすく、また、β型結晶体が得られにくい。
パワーデバイスなどの半導体デバイス用の材料として有
用であり、その製造方法として種々の方法が用いられて
いる。炭化珪素は、常圧での液相が存在せず、シリコン
単結晶の引き上げ法のような液相からの結晶化が困難で
あり、従来はＳｉ2Ｃ、ＳｉＣ2、Ｓｉなどの気相からの
結晶化である昇華法による製造が一般的であった。昇華
法には、無水珪酸と炭素源を高温加熱し、発生した蒸気
内の反応により炭化珪素単結晶を製造するアチソン法
や、黒鉛坩堝内で炭化珪素粉末を昇華させ、黒鉛坩堝内
で炭化珪素単結晶を再結晶化するレーリー法、改良レー
リー法等があるが、アチソン法は、得られる単結晶の大
きさが小さい上、半導体デバイス用としては純度が低
く、レーリー法や改良レーリー法は、炭化珪素の化学量
論的組成のガスが存在しないことから、反応が複雑にな
るという問題がある。また、気相からの結晶成長は、原
子や分子が種結晶表面に供給されて結晶が１層毎に成長
するため、いずれの方法も単結晶の成長速度が１ｍｍ／
時間程度と、シリコン単結晶のような引き上げ法による
成長速度の１００ｍｍ／時間程度に比べて著しく遅く、
収率も悪いという問題点がある。さらに、従来の方法で
は、マイクロパイプなどの数ミクロン径の中空欠陥が発
生しやすく、また、β型結晶体が得られにくい。
【０００３】他に、気相からの結晶化方法として、ＣＶ
Ｄ法もあるが、得られる結晶体は薄膜となり、デバイス
などの基板として使用する単結晶としては使用しにく
い。
Ｄ法もあるが、得られる結晶体は薄膜となり、デバイス
などの基板として使用する単結晶としては使用しにく
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、結晶の成長
速度が速くコスト的に有利であり、純度が高く大口径
で、さらにマイクロパイプの発生が低減された単結晶が
得られる炭化珪素単結晶を得ることを目的とする。
速度が速くコスト的に有利であり、純度が高く大口径
で、さらにマイクロパイプの発生が低減された単結晶が
得られる炭化珪素単結晶を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、炭化珪素種結
晶上に炭化珪素単結晶を成長させてなる炭化珪素単結晶
であって、不活性ガス雰囲気中に加熱状態で保持された
炭化珪素種結晶表面に向けて、二酸化珪素超微粒子およ
び炭素超微粒子を供給して付着させ、炭化珪素種結晶表
面において二酸化珪素を炭素により還元することによ
り、炭化珪素単結晶を炭化珪素種結晶上に成長させてな
ることを特徴とする炭化珪素単結晶である。
晶上に炭化珪素単結晶を成長させてなる炭化珪素単結晶
であって、不活性ガス雰囲気中に加熱状態で保持された
炭化珪素種結晶表面に向けて、二酸化珪素超微粒子およ
び炭素超微粒子を供給して付着させ、炭化珪素種結晶表
面において二酸化珪素を炭素により還元することによ
り、炭化珪素単結晶を炭化珪素種結晶上に成長させてな
ることを特徴とする炭化珪素単結晶である。
【０００６】本発明においては、加熱されて高温となっ
た炭化珪素種結晶表面に付着し、種結晶表面において二
酸化珪素超微粒子が溶融しながら炭素超微粒子と融合し
て還元反応することにより炭化珪素結晶微粒子が生成
し、生成した炭化珪素結晶微粒子は、超微粒子の融解流
動現象によって種結晶表面に融合して単結晶としてエピ
タキシャルに成長する。本発明の炭化珪素単結晶は、種
結晶表面に直接固体の二酸化珪素と炭素を供給し、種結
晶表面において反応させて得られるため、単結晶の成長
速度が速く、また、マイクロパイプが発生しにくい。
た炭化珪素種結晶表面に付着し、種結晶表面において二
酸化珪素超微粒子が溶融しながら炭素超微粒子と融合し
て還元反応することにより炭化珪素結晶微粒子が生成
し、生成した炭化珪素結晶微粒子は、超微粒子の融解流
動現象によって種結晶表面に融合して単結晶としてエピ
タキシャルに成長する。本発明の炭化珪素単結晶は、種
結晶表面に直接固体の二酸化珪素と炭素を供給し、種結
晶表面において反応させて得られるため、単結晶の成長
速度が速く、また、マイクロパイプが発生しにくい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に使用する二酸化珪素超微
粒子の種類、粒径、粒子形状等の構成は特に限定され
ず、例えば種類としてはフュームドシリカなどが挙げら
れる。
粒子の種類、粒径、粒子形状等の構成は特に限定され
ず、例えば種類としてはフュームドシリカなどが挙げら
れる。
【０００８】本発明に使用する炭素超微粒子の種類、粒
径、粒子形状等の構成は特に限定されず、例えば種類と
してはチャンネルブラックやファーネスブラックなどの
カーボンブラックなどが挙げられる。
径、粒子形状等の構成は特に限定されず、例えば種類と
してはチャンネルブラックやファーネスブラックなどの
カーボンブラックなどが挙げられる。
【０００９】上記二酸化珪素超微粒子および炭素超微粒
子の供給量の比率は適宜選択できる。上記二酸化珪素超
微粒子、炭素超微粒子のいずれも２種以上のものを混合
して使用してもよい。また、上記二酸化珪素超微粒子、
炭素超微粒子は、必要に応じ、本発明の作用を阻害しな
い範囲で、前処理を施したり、他の成分を微量添加して
もよい。
子の供給量の比率は適宜選択できる。上記二酸化珪素超
微粒子、炭素超微粒子のいずれも２種以上のものを混合
して使用してもよい。また、上記二酸化珪素超微粒子、
炭素超微粒子は、必要に応じ、本発明の作用を阻害しな
い範囲で、前処理を施したり、他の成分を微量添加して
もよい。
【００１０】上記二酸化珪素超微粒子および炭素超微粒
子の種結晶表面への供給は、種結晶表面に上記超微粒子
が効率よく付着するために、上記超微粒子に適度な速度
が与えられることが好ましい。上記超微粒子の種結晶表
面への供給方法は特に限定されず、例えば所望の流速を
有するキャリアガスと混合して種結晶表面に向けて供給
する方法が挙げられる。この際、使用するキャリアガス
は、単結晶成長の雰囲気を不活性雰囲気とするためのア
ルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガスを使用する。な
お、上記二酸化珪素超微粒子、炭素超微粒子は、種結晶
表面へ混合された状態で供給されるのであれば、別個に
供給しても混合した状態で供給してもよい。混合した状
態で供給する場合、予め原料の段階で混合しても、キャ
リアガス中へ別個に供給し混合するようにしてもよい。
子の種結晶表面への供給は、種結晶表面に上記超微粒子
が効率よく付着するために、上記超微粒子に適度な速度
が与えられることが好ましい。上記超微粒子の種結晶表
面への供給方法は特に限定されず、例えば所望の流速を
有するキャリアガスと混合して種結晶表面に向けて供給
する方法が挙げられる。この際、使用するキャリアガス
は、単結晶成長の雰囲気を不活性雰囲気とするためのア
ルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガスを使用する。な
お、上記二酸化珪素超微粒子、炭素超微粒子は、種結晶
表面へ混合された状態で供給されるのであれば、別個に
供給しても混合した状態で供給してもよい。混合した状
態で供給する場合、予め原料の段階で混合しても、キャ
リアガス中へ別個に供給し混合するようにしてもよい。
【００１１】さらに、例えば炭化珪素単結晶中にドーピ
ングを行う場合には、上記超微粒子やキャリアガスにド
ーパントとなる成分を混合してもよい
ングを行う場合には、上記超微粒子やキャリアガスにド
ーパントとなる成分を混合してもよい
【００１２】本発明で使用する炭化珪素種結晶の構成、
サイズ、形状は、目的とする炭化珪素単結晶の構成、大
きさ、形状などによって選択すればよく、例えばアチソ
ン法や改良レーリー法等によって得られた単結晶に必要
に応じ処理を施したものが挙げられる。
サイズ、形状は、目的とする炭化珪素単結晶の構成、大
きさ、形状などによって選択すればよく、例えばアチソ
ン法や改良レーリー法等によって得られた単結晶に必要
に応じ処理を施したものが挙げられる。
【００１３】炭化珪素種結晶表面は、付着した二酸化珪
素超微粒子および炭素超微粒子が溶融しながら反応して
炭化珪素結晶が生成し、融解流動現象によって種結晶表
面に融合してする温度であれば特に限定されず、好まし
くは１６００〜２３００℃とするのがよい。
素超微粒子および炭素超微粒子が溶融しながら反応して
炭化珪素結晶が生成し、融解流動現象によって種結晶表
面に融合してする温度であれば特に限定されず、好まし
くは１６００〜２３００℃とするのがよい。
【００１４】本発明の炭化珪素単結晶を得るために使用
する炭化珪素単結晶の製造装置の構成（サイズ、加熱方
法、原料供給方法、雰囲気調整方法など）は特に限定さ
れず、目的とする炭化珪素単結晶の大きさや形状、原料
の種類などに応じて選択する。
する炭化珪素単結晶の製造装置の構成（サイズ、加熱方
法、原料供給方法、雰囲気調整方法など）は特に限定さ
れず、目的とする炭化珪素単結晶の大きさや形状、原料
の種類などに応じて選択する。
【００１５】また、炭化珪素単結晶の製造条件も特に限
定されず、目的とする炭化珪素単結晶の大きさや形状、
原料の種類や供給方法、キャリアガスの種類等に応じて
選択する。
定されず、目的とする炭化珪素単結晶の大きさや形状、
原料の種類や供給方法、キャリアガスの種類等に応じて
選択する。
【００１６】
【実施例】実施例１
本発明の炭化珪素単結晶を得るための製造装置の一例で
ある図１に示すような製造装置を用いて炭化珪素単結晶
の製造を行った。図１の製造装置は、耐熱容器１として
直径５０ｍｍ、高さ１００ｍｍのカーボン密閉坩堝を、
誘導加熱炉の高周波誘導加熱コイル２内に設置したもの
であり、カーボン密閉坩堝の内部上部に炭化珪素種結晶
を保持するための炭化珪素種結晶保持棒３が取り付けら
れ、内部下面には直径１０ｍｍの貫通孔が設けられて、
カーボン密閉坩堝外部から原料の超微粒子を供給するた
めの原料供給管５（外径８ｍｍのカーボン管）が貫通挿
入されている。炭化珪素種結晶保持棒３は、図示しない
駆動機構により炭化珪素種結晶保持棒３の中心軸を回転
軸として回転可能であり、また、カーボン密閉坩堝の上
面に図示しない放射温度計が設置されていて、坩堝上面
の温度を測定し、それに応じて高周波誘導加熱コイル２
の出力を制御することにより、坩堝内の温度を調製す
る。
ある図１に示すような製造装置を用いて炭化珪素単結晶
の製造を行った。図１の製造装置は、耐熱容器１として
直径５０ｍｍ、高さ１００ｍｍのカーボン密閉坩堝を、
誘導加熱炉の高周波誘導加熱コイル２内に設置したもの
であり、カーボン密閉坩堝の内部上部に炭化珪素種結晶
を保持するための炭化珪素種結晶保持棒３が取り付けら
れ、内部下面には直径１０ｍｍの貫通孔が設けられて、
カーボン密閉坩堝外部から原料の超微粒子を供給するた
めの原料供給管５（外径８ｍｍのカーボン管）が貫通挿
入されている。炭化珪素種結晶保持棒３は、図示しない
駆動機構により炭化珪素種結晶保持棒３の中心軸を回転
軸として回転可能であり、また、カーボン密閉坩堝の上
面に図示しない放射温度計が設置されていて、坩堝上面
の温度を測定し、それに応じて高周波誘導加熱コイル２
の出力を制御することにより、坩堝内の温度を調製す
る。
【００１７】誘導加熱炉内は、図示しない真空ポンプお
よび圧力調整弁により、圧力制御が可能であって、カー
ボン密閉坩堝内部の反応雰囲気の圧力調製を行うことが
できる。原料供給管５は、誘導加熱炉外の二酸化珪素超
微粒子貯蔵槽６と炭素超微粒子貯蔵槽６’、さらに流量
調節が可能なキャリアガス供給源（図示せず）にそれぞ
れ連結しており、キャリアガスＡと共に二酸化珪素超微
粒子と炭素超微粒子をカーボン密閉坩堝内部に供給する
ことができる。キャリアガスと共に供給することによ
り、二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子に適度な速度を
与え、坩堝内部で固定された炭化珪素種結晶に向かって
移動し、炭化珪素種結晶表面に付着させることができ
る。二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子の供給量は、供
給量調節弁７、７’により調製される。
よび圧力調整弁により、圧力制御が可能であって、カー
ボン密閉坩堝内部の反応雰囲気の圧力調製を行うことが
できる。原料供給管５は、誘導加熱炉外の二酸化珪素超
微粒子貯蔵槽６と炭素超微粒子貯蔵槽６’、さらに流量
調節が可能なキャリアガス供給源（図示せず）にそれぞ
れ連結しており、キャリアガスＡと共に二酸化珪素超微
粒子と炭素超微粒子をカーボン密閉坩堝内部に供給する
ことができる。キャリアガスと共に供給することによ
り、二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子に適度な速度を
与え、坩堝内部で固定された炭化珪素種結晶に向かって
移動し、炭化珪素種結晶表面に付着させることができ
る。二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子の供給量は、供
給量調節弁７、７’により調製される。
【００１８】炭化珪素単結晶の製造（単結晶の成長）は
次のように行われる。カーボン密閉坩堝（耐熱容器１）
内部上部に炭化珪素種結晶保持棒３に保持して、下記に
示す構成の炭化珪素種結晶４を固定し、カーボン密閉坩
堝を誘導加熱炉内に設置して、誘導加熱炉内を減圧状態
とし、アルゴンガスによりガス置換を行う。次いで高周
波誘導加熱コイル２によりカーボン密閉坩堝を加熱し、
炭化珪素種結晶表面が１６００〜２３００℃となるよう
にする。
次のように行われる。カーボン密閉坩堝（耐熱容器１）
内部上部に炭化珪素種結晶保持棒３に保持して、下記に
示す構成の炭化珪素種結晶４を固定し、カーボン密閉坩
堝を誘導加熱炉内に設置して、誘導加熱炉内を減圧状態
とし、アルゴンガスによりガス置換を行う。次いで高周
波誘導加熱コイル２によりカーボン密閉坩堝を加熱し、
炭化珪素種結晶表面が１６００〜２３００℃となるよう
にする。
【００１９】原料として下記の材料を用い、二酸化珪素
超微粒子と炭素超微粒子をキャリアガス（アルゴンガ
ス）とともに、下記製造の条件で坩堝内に供給した。な
お、この時、二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子に加え
て図示しない供給装置により炭化防止のためのシリコン
粉末を若干量添加した。また、種結晶は上記超微粒子の
供給時には炭化珪素種結晶保持棒３ごと水平面内で回転
させた。その結果炭化珪素種結晶表面上に厚さ２５０μ
ｍを超える炭化珪素種結晶の成長が見られた。
超微粒子と炭素超微粒子をキャリアガス（アルゴンガ
ス）とともに、下記製造の条件で坩堝内に供給した。な
お、この時、二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子に加え
て図示しない供給装置により炭化防止のためのシリコン
粉末を若干量添加した。また、種結晶は上記超微粒子の
供給時には炭化珪素種結晶保持棒３ごと水平面内で回転
させた。その結果炭化珪素種結晶表面上に厚さ２５０μ
ｍを超える炭化珪素種結晶の成長が見られた。
【００２０】［原料］
二酸化珪素（ＳｉＯ2）超微粒子
：ＡＥＲＯＳＩＬ−３８０（日本アエロジル（株）製）
（１次平均粒径＝７ｎｍ、ＢＥＴ比表面積＝３８０ｍ2
／ｇ） 炭素（Ｃ）超微粒子 ：カーボンブラック−ＭＡ６００（三菱化学（株）製） （１次平均粒径＝１８ｎｍ、窒素吸着法による比表面積
＝１４０ｍ2／ｇ）シリコン（Ｓｉ）粉末 （電子級純度、平均粒径＝１μｍ） なお、上記、は電気炉を用い、大気中で２００℃、
３時間の乾燥を行った。
／ｇ） 炭素（Ｃ）超微粒子 ：カーボンブラック−ＭＡ６００（三菱化学（株）製） （１次平均粒径＝１８ｎｍ、窒素吸着法による比表面積
＝１４０ｍ2／ｇ）シリコン（Ｓｉ）粉末 （電子級純度、平均粒径＝１μｍ） なお、上記、は電気炉を用い、大気中で２００℃、
３時間の乾燥を行った。
【００２１】
［単結晶の製造条件］
炭化珪素種結晶表面温度 ：１６００〜２３００℃
キャリアガス ：アルゴンガス、流速１０ｌ／ｍｉｎ．
カーボン密閉坩堝内雰囲気：アルゴンガス（２５ＫＰａ以下）
二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子の配合比
：ＳｉＯ2／Ｃ＝１．５〜５．０（重量比）
二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子の供給量：１〜３ｇ／ｍｉｎ．
二酸化珪素超微粒子と炭素超微粒子の供給時間：１０
分間 炭化珪素種結晶の構成 ：アチソン法により作成し
た炭化珪素単結晶のＣ面を下記の結晶軸方向に５度傾け
て研磨したもの
分間 炭化珪素種結晶の構成 ：アチソン法により作成し
た炭化珪素単結晶のＣ面を下記の結晶軸方向に５度傾け
て研磨したもの
【００２２】
【発明の効果】本発明の炭化珪素単結晶は、結晶の成長
速度が速いためコスト的に有利であり、純度が高く大口
径で、さらにマイクロパイプの発生が低減されている。
また、従来では得ることの難しかったβ型結晶体を得る
ことも可能になる。
速度が速いためコスト的に有利であり、純度が高く大口
径で、さらにマイクロパイプの発生が低減されている。
また、従来では得ることの難しかったβ型結晶体を得る
ことも可能になる。
【図１】図１は、本発明の炭化珪素単結晶を得るための
製造装置の一例の概要を示す図である。
製造装置の一例の概要を示す図である。
１ 耐熱容器
２ 高周波誘導加熱コイル
３ 炭化珪素種結晶保持棒
４ 炭化珪素種結晶
５ 原料供給管
６ 二酸化珪素超微粒子貯蔵槽
６’ 炭素超微粒子貯蔵槽
７、７’ 供給量調節弁
Ａ キャリアガス
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−80197（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−18311（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−141499（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−24999（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−171697（ＪＰ，Ａ)
特開2000−12462（ＪＰ，Ａ)
特開2000−264791（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C30B 1/00 - 35/00
Claims (2)
- 【請求項１】 炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成
長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、 不活性ガス雰囲気中に１６００〜２３００℃の加熱状態
で保持されている炭化珪素種結晶表面に向けて、二酸化
珪素超微粒子および炭素超微粒子をキャリアガスを用い
て供給して付着させ、炭化珪素種結晶表面において二酸
化珪素を炭素により還元させ、炭化珪素単結晶を炭化珪
素種結晶上に成長させることを特徴とする炭化珪素単結
晶の製造方法。 - 【請求項２】 炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成
長させる炭化珪素単結晶の製造装置であって、 不活性ガス雰囲気中に１６００〜２３００℃の加熱状態
で炭化珪素種単結晶を保持する保持部と、二酸化珪素を
炭素により還元することにより炭化珪素単結晶を炭化珪
素種結晶上に成長させるため、該保持部にて保持されて
いる炭化珪素種結晶表面に向けて、ニ酸化珪素超微粒子
および炭素超微粒子をキャリアガスを用いて供給して付
着させる供給部とを有していることを特徴とする炭化珪
素単結晶の製造装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000045571A JP3505597B2 (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 炭化珪素単結晶 |
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-
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-
2001
- 2001-02-20 US US09/789,285 patent/US6458207B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 2001-02-22 DE DE60142201T patent/DE60142201D1/de not_active Expired - Lifetime
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