JPH05178698A

JPH05178698A - 炭化珪素バルク単結晶の製造装置及び製造方法

Info

Publication number: JPH05178698A
Application number: JP34731691A
Authority: JP
Inventors: Masaki Furukawa; 勝紀古川; Yoshimitsu Tajima; 善光田島; Akira Suzuki; 彰鈴木
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1991-12-27
Filing date: 1991-12-27
Publication date: 1993-07-20

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】高品質な立方晶（３Ｃ型）の炭化珪素バルク
単結晶を再現性よく実用的な成長速度で製造できるよう
にする。【構成】種結晶１を用いた昇華再結晶法によって立方
晶の炭化珪素バルク単結晶を製造する装置であって、空
胴を有し、該空胴の下部に炭化珪素粉末からなる成長用
原料２がセットされ、該空胴の上部に炭化珪素単結晶か
らなる種結晶１がセットされる被加熱容器と、該被加熱
容器の下部の外側に設けられ、該原料を温度調整して加
熱する下部ヒータ８ｂと、該被加熱容器の上部の外側に
該下部ヒータ８ｂとは独立して設けられ、該種結晶１を
温度調整して加熱する上部ヒータ８ａと、該被加熱容器
の内部圧力を調整する手段と、を具備する炭化珪素バル
ク単結晶の製造装置を用い、該種結晶１の表面に単結晶
を０．１ｍｍ／時間以下の成長速度で成長させる第１の
工程と、該単結晶を０．５〜１．５ｍｍ／時間の成長速
度で成長させる第２の工程と、を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、種結晶を用いた昇華再
結晶法により立方晶の炭化珪素バルク単結晶を成長させ
る炭化珪素バルク単結晶の製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶は、広い禁制
帯幅（２．２〜３．３ｅＶ）を有する半導体材料であ
り、また熱的、化学的、及び機械的に極めて安定であ
り、放射線損傷にも強いという優れた特徴をもってい
る。このため、従来の珪素のような半導体材料を用いた
素子では使用が困難な、例えば高温、高出力駆動、放射
線照射などの苛酷な条件下でも使用し得る炭化珪素単結
晶を用いた半導体素子の広範な分野での応用が期待され
ている。

【０００３】かかる炭化珪素単結晶の製造は、従来、昇
華再結晶法（レーリー法）や化学的気相成長法（ＣＶＤ
法）を用いて行われている。前者の昇華再結晶法による
場合には、半導体素子に使用可能なサイズの炭化珪素単
結晶を一応製造することができるものの、その大きさと
しては単結晶の外径が小さく研究室程度の規模でしか製
造を行えず、また、その外径寸法及び形状を高精度に制
御することは困難であり、更には、同じ炭化珪素ではあ
っても結晶構造の異なる六方晶、菱面体晶、立方晶等の
結晶多形の制御および不純物キャリヤ濃度の制御も容易
に行うことができなかった。

【０００４】後者の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）は、
珪素等の異種基板上に立方晶の炭化珪素単結晶をヘテロ
エピタキシャル成長させる方法である。この方法による
場合には、大面積の炭化珪素単結晶を得ることができる
が、異種基板を使用するが故に基板との格子不整合が約
２０％もあること等で、例えば転位等の欠陥の数が最大
で１０⁷／ｃｍ²程度もある炭化珪素単結晶しか成長でき
ず、高品質の炭化珪素単結晶を得ることは容易でなかっ
た。

【０００５】このように、大面積を有する高品質の炭化
珪素単結晶を、工業的規模で安定に供給し得る結晶成長
技術は、いまだ確立されていない。それゆえ、炭化珪素
は、上述のような多くの利点および可能性を有する半導
体材料であるにも関わらず、その実用化が阻まれてい
る。

【０００６】そこで、これらの問題点を解決するため
に、種結晶を用いて昇華再結晶法を行う改良型のレーリ
ー法が提案されている（Ｙｕ．Ｍ．Ｔａｉｒｏｖａｎ
ｄＶ．Ｆ．Ｔｓｖｅｔｋｏｖ，Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ，５２（１９８１），ｐｐ．１４６ー１５
０）。この方法は、被加熱容器の内部空胴の下部に原料
をセットすると共に上部に種結晶をセットし、その被加
熱容器の外側に被加熱容器とは相対的な高さ関係を調整
できるように設けたヒータにより、種結晶の温度及び、
種結晶と原料との間の温度勾配を調整し、加えて内部空
胴の圧力を制御して炭化珪素単結晶を成長させる方法で
ある。この方法による場合には、結晶多形および形状を
制御しつつ炭化珪素単結晶を成長させることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに炭化珪素には多くの結晶多形が存在するが、六方晶
系および菱面体晶系の炭化珪素単結晶は禁制帯幅が２．
８ｅＶ以上と大きく、青色発光ダイオード用の基板材料
として有用である。一方、立方晶（３Ｃ型）系の炭化珪
素単結晶は、禁制帯幅が２．２ｅＶ程度であるため青色
発光ダイオード用には使用できないが、電子移動度が、
例えば１０００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ程度と他の結晶形よ
り大きいので、電子素子用半導体材料として有用であ
る。また、六方晶系および菱面体晶系の炭化珪素単結晶
は高温安定型であり、一方の立方晶（３Ｃ型）系の炭化
珪素単結晶は低温安定型であり、例えば気相エピタキシ
ャル成長法を用いてこれらを成長させた場合には、前者
では１５００°Ｃ以上の温度を要するのに対し、後者で
は１３００°Ｃ以下の比較的低い温度でよく、前者の結
晶形よりも有利である一面がある。

【０００８】しかしながら、種結晶を用いた昇華再結晶
法による場合は、六方晶系（６Ｈ型、４Ｈ型）及び菱面
体晶系（１５Ｒ型、２１Ｒ型）の良質の炭化珪素単結晶
を成長させ得るものの、立方晶（３Ｃ型）の炭化珪素単
結晶を成長させる場合には以下のような問題があった。
即ち、ヒータによる被加熱容器の加熱位置制御がヒータ
の高さを変えることにより行われているため、成長速度
を高くして生産性を高めるべく、原料の温度を高くする
と原料と種結晶と間の温度勾配の調整が困難となり、逆
に前記温度勾配を調整すると原料を所望の温度にするこ
とができず、そのため高品質なバルク単結晶を実用的な
成長速度で再現性よく製造できないという問題があっ
た。

【０００９】本発明は、上記のような課題を解決すべく
なされたものであり、高品質な立方晶（３Ｃ型）の炭化
珪素バルク単結晶を再現性よく実用的な成長速度で製造
し得る炭化珪素バルク単結晶の製造装置を提供すること
にある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の炭化珪素バルク
単結晶の製造装置は、種結晶を用いた昇華再結晶法によ
って立方晶の炭化珪素バルク単結晶を製造する装置であ
って、空胴を有し、該空胴の下部に炭化珪素粉末からな
る成長用原料がセットされ、該空胴の上部に炭化珪素単
結晶からなる種結晶がセットされる被加熱容器と、該被
加熱容器の下部の外側に設けられ、該原料を温度調整し
て加熱する下部ヒータと、該被加熱容器の上部の外側に
該下部ヒータとは独立して設けられ、該種結晶を温度調
整して加熱する上部ヒータと、該被加熱容器の内部圧力
を調整する手段と、を具備しており、そのことにより上
記目的を達成することができる。

【００１１】また、本発明の炭化珪素バルク単結晶の製
造方法は、種結晶を用いた昇華再結晶法によって立方晶
の炭化珪素バルク単結晶を製造する装置であって、空胴
を有し、該空胴の下部に炭化珪素粉末からなる成長用原
料がセットされ、該空胴の上部に炭化珪素単結晶からな
る種結晶がセットされる被加熱容器と、該被加熱容器の
下部の外側に設けられ、該原料を温度調整して加熱する
下部ヒータと、該被加熱容器の上部の外側に該下部ヒー
タとは独立して設けられ、該種結晶を温度調整して加熱
する上部ヒータと、該被加熱容器の内部圧力を調整する
手段と、を具備する炭化珪素バルク単結晶の製造装置を
用い、該種結晶の表面に単結晶を０．１ｍｍ／時間以下
の成長速度で成長させる第１の工程と、該単結晶を０．
５〜１．５ｍｍ／時間の成長速度で成長させる第２の工
程と、を含んでおり、そのことにより上記目的を達成す
ることができる。

【００１２】前記第１の工程は、成長速度を確保するた
めに、種結晶の温度を１５００°Ｃ以下にしたり、被加
熱容器の内部圧力を１０^ー1Ｔｏｒｒより高くしたり、或
は種結晶と原料との間の温度勾配を１０°Ｃ／ｃｍ以下
にして加熱するとよい。そのときの第２の工程は、原料
の温度を２２００°Ｃ〜２３００°Ｃにし、かつ種結晶
の温度を１５００°Ｃ〜２０００°Ｃにすると共に、被
加熱容器の内部圧力を１０^ー3〜１０^ー6Ｔｏｒｒにすると
よい。

【００１３】また、前記種結晶には、面方位が（１１
１）面の炭化珪素単結晶、[０１１]方向にオフ角度を有
し面方位が（１００）面の炭化珪素単結晶、又は面方位
が（０００１）面の炭化珪素単結晶を選択使用するとよ
い。

【００１４】また、前記原料には、高純度の立方晶炭化
珪素からなる炭化珪素粉末を使用するとよい。

【００１５】

【作用】本発明の炭化珪素バルク単結晶の製造装置で
は、被加熱容器の外側に上部ヒータと下部ヒータとを独
立させて設けているので、原料の温度と種結晶の温度と
をそれぞれ独立に制御することが可能となる。よって、
原料の温度調整及び、原料と種結晶との間の温度勾配の
調整を両立させることができ、再現性よく温度条件を設
定することが可能となる。

【００１６】また、本発明方法では、成長初期より第２
の工程の条件で成長させると核発生密度が低くなって成
長しない部分が発生し、平坦性の悪い炭化珪素単結晶し
か得られないため、表面平坦性を向上させるべく核発生
密度を高め、また、分子の表面移動距離を大きくするた
めに成長初期の成長速度を遅くしている。そのために第
１の工程では、温度を下げるか圧力を高くすることによ
り、成長速度を遅くしている。

【００１７】その後、第２の工程において、立方晶型の
炭化珪素単結晶が成長し易いように種結晶の温度を２０
００°Ｃ以下にし、原料については成長速度を速くし、
また、結晶性を向上させるために２２００°Ｃ以上の高
温にしている。このように高い原料温度を採用すること
により、成長に関与する原料の炭化珪素粉末より昇華し
たＳｉ₂Ｃ，ＳｉＣ₂分子種の分圧を上げることができ、
成長速度を速くすることが可能となる。

【００１８】

【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいて説明す
る。

【００１９】図１は、本実施例の炭化珪素バルク単結晶
の製造装置の一例を示す正面図である。この製造装置
は、種結晶を用いた改良型のレーリー法によって炭化珪
素単結晶を成長させる装置であり、被加熱容器としては
黒鉛製坩堝３と、その上部開口に設けられる蓋４とから
なり、蓋４の内面に炭化珪素単結晶基板からなる種結晶
１がセットされる。黒鉛製坩堝３の内部空胴３ａには、
炭化珪素粉末からなる原料２が充填される。結晶成長
は、種結晶１の表面上に原料２を昇華再結晶させること
により行われる。

【００２０】上記黒鉛製坩堝３は、二重石英管５の内部
に黒鉛製の支持棒６により設置される。黒鉛製坩堝３の
周囲には、熱シールドのための黒鉛製フェールト７が設
置されている。二重石英管５の上部と下部の外周にはそ
れぞれ、例えばワークコイルからなる上部ヒータ８ａ
と、下部ヒータ８ｂが巻回されており、それぞれに高周
波電流を流すことにより黒鉛製坩堝３を加熱できると共
に、上部ヒータ８ａにより種結晶１を、下部ヒータ８ｂ
により原料２をそれぞれ所望の温度に加熱することがで
きる。

【００２１】二重石英管５の上端には、ガスを導入する
ための枝管９を備えたステンレス製チャンバー１０が設
けられ、二重石英管５の上端にはステンレス製チャンバ
ー１２が設けられている。ステンレス製チャンバー１２
には真空ポンプ１３が接続され、真空ポンプ１３により
二重石英管５の内部を所望の真空度に排気することがで
きる。その排気は、ステンレス製チャンバー１２に接続
されたガスを排出するための枝管１１を介して行われ
る。

【００２２】次に、このような結晶成長装置を用いた炭
化珪素バルク単結晶の製造について具体的に説明する。

【００２３】（実施例１）まず、種結晶１として、成長
面方位が（１１１）方向である立方晶型の炭化珪素単結
晶からなる基板を用意した。そして、この種結晶１を黒
鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付けた。また、黒鉛製坩
堝３の内部には、高純度の立方晶型の炭化珪素粉末から
なる原料２を充填した。原料２としては、最大粒径が１
５０μｍであり、ＪＩＳ粒度が＃２５０のものを用い
た。また、黒鉛製坩堝３としては、種結晶１と原料２の
上部との距離が５ｃｍとなるものを用いた。

【００２４】次いで、原料２を充填した黒鉛製坩堝３の
上に、種結晶１を予め取り付けた蓋４を載せ、その状態
の黒鉛製坩堝３を黒鉛製の支持棒６で二重石英管５の内
部に設置した。黒鉛製坩堝３の周囲には黒鉛製フェール
ト７で被覆した。

【００２５】次いで、雰囲気ガスとしてアルゴンガス
（Ａｒ）を、ステンレス製チャンバー１０の枝管９から
二重石英管５の内部に流した。Ａｒガスの流量は１リッ
トル／分に設定した。また、上部ヒータ８ａと下部ヒー
タ８ｂとに高周波電流を流し、それぞれの電流値を調節
することで種結晶１の温度が１４００°Ｃ、原料２の温
度が１８００°Ｃになるように調節した。続いて、Ａｒ
ガスの流量の調節するとともに、真空ポンプ１３を用い
て二重石英管５の内部を減圧した。この減圧は大気圧か
ら〜１０Ｔｏｒｒまで２０分間かけて徐々に行い、１０
Ｔｏｒｒの真空度で３０分間保持した。これにより、第
１の工程が行われる。

【００２６】続いて、上部ヒータ８ａの高周波電流を調
節し、種結晶１の温度を１８００°Ｃにし、原料２の温
度を２２００°Ｃにした。また、真空度を１０^ー4Ｔｏｒ
ｒまで３０分間かけて徐々に減圧した。これにより第２
の工程が行われる。この状態で５時間保持することによ
り、種結晶１の表面に約４ｍｍの厚さの炭化珪素単結晶
が成長した。

【００２７】このようにして得られた炭化珪素単結晶を
Ｘ線回折法、ラマン分光法により分析したところ、成長
面方位が＜１１１＞方向である立方晶型の炭化珪素単結
晶が成長していることが分かった。全体的な成長速度は
０．８ｍｍ／時間であり、顕微鏡観察の結果、第１の工
程における成長速度は０．１ｍｍ／時間以下の低成長速
度であり、成長速度はほぼ第２の工程における成長速度
により決まることが判明した。また、欠陥も比較的少な
く、高品質の炭化珪素単結晶であった。

【００２８】なお、この実施例では第１の工程におい
て、種結晶１の温度を１５００°Ｃ以下の１４００°Ｃ
にすると共に、内部空胴３ａの内部圧力を１０^-1Ｔｏｒ
ｒより高い１０Ｔｏｒｒの真空度としているが、どちら
か一方の条件を満たせば、第１の工程の成長速度を０．
１ｍｍ／時間以下にできることを実験により確認してい
る。

【００２９】次に、種結晶１を別の、面方位が[０１１]
方向に２度のオフ角度を有する（１００）面の炭化珪素
単結晶基板１に代え、上記と同条件にて成長させてみ
た。その結果、成長面方位が＜１００＞方向である立方
晶型の炭化珪素単結晶が得られた。そのときの全体の成
長速度は０．６ｍｍ／時間であり、顕微鏡観察の結果、
第１の工程における成長速度は０．１ｍｍ／時間以下の
低成長速度を有し、第２の工程における成長速度は０．
６ｍｍ／時間であることが判明した。また、得られた炭
化珪素単結晶は、オフ角度を有する（１００）面の炭化
珪素単結晶基板を種結晶として用いたため、内部に逆位
相境界が存在せず結晶性に優れたものであった。

【００３０】（実施例２）次ぎに、他の実施例について
説明する。

【００３１】まず、種結晶１として、成長面方位が＜０
００１＞方向である六方晶型の炭化珪素単結晶からなる
基板を用意した。そして、この種結晶１を黒鉛製坩堝３
の蓋４の内面に取り付けた。また、黒鉛製坩堝３の内部
には、高純度の六方晶型の炭化珪素粉末からなる原料２
を充填した。原料２としては、ＪＩＳ粒度が＃１０００
のものを用いた。また、種結晶１と原料２の上部との距
離が７ｃｍの黒鉛製坩堝３を用いた。

【００３２】次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、
種結晶を取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛製の支持棒６によ
り二重石英管５の内部に設置した。黒鉛製坩堝３の周囲
には黒鉛製フェールト７で被覆した。そして、雰囲気ガ
スとしてアルゴンガス（Ａｒ）を、ステンレス製チャン
バー１０の枝管９から二重石英管５の内部に流した。Ａ
ｒガスの流量は１リットル／分に設定した。また、上部
ヒータ８ａ，下部ヒータ８ｂに高周波電流を流して種結
晶１の温度が１８００°Ｃ、原料２の温度が１８５０°
Ｃになるように調節した。続いて、Ａｒガスの流量を調
節するとともに、真空ポンプ１３を用いて二重石英管５
の内部を減圧した。この減圧は大気圧の状態から１０^ー1
Ｔｏｒｒへと６０分間かけて徐々に行い、１０^ー1Ｔｏｒ
ｒの真空度で３０分保持した。これにより第１の工程が
行われる。なお、このときの種結晶１と原料２との間の
温度勾配は、種結晶１と原料２との温度差５０°Ｃを両
者間の離隔距離７ｃｍで割った約７°Ｃ／ｃｍであっ
た。

【００３３】続いて、上部ヒータ８ａ，下部ヒータ８ｂ
のそれぞれの高周波電流を調節し、種結晶１の温度が１
９００°Ｃ、原料２の温度が２２５０°Ｃになるように
調節し、また、真空度を１０^ー5Ｔｏｒｒまで３０分間か
けて徐々に減圧した。これにより、第２の工程が行われ
る。そして、この状態で５時間保持することにより約
５．５ｍｍの厚さの炭化珪素単結晶が成長した。

【００３４】このようにして得られた炭化珪素単結晶を
Ｘ線回折法、ラマン分光法により分析したところ、成長
面方位が＜１１１＞方向である立方晶型の炭化珪素単結
晶が成長していることが分かった。全体的な成長速度は
１．１ｍｍ／時間であり、顕微鏡観察の結果、第１の工
程における成長速度は０．１ｍｍ／時間以下の低成長速
度を有し、第２の工程における成長速度は１．１ｍｍ／
時間であることが判明した。また、欠陥も比較的少な
く、高品質の炭化珪素単結晶であった。

【００３５】なお、第１の工程における成長速度を０．
１ｍｍ／時間より大にした場合には核の発生密度が低く
なって、結晶が相互につながりにくくなり、そのために
溝構造になり、平坦性が保たれなくなる。また、同時に
結晶性も低下する。第２の工程における成長速度を０．
５より小とした場合には成長速度が遅くて実用的でな
く、１．５ｍｍ／時間より大とした場合には多結晶化し
て好ましくない。

【００３６】従って、本発明は、第１の工程における成
長速度は０．１ｍｍ／時間以下に限定し、第２の工程に
おける成長速度を０．５〜１．５ｍｍ／時間に限定して
いる。

【００３７】

【発明の効果】本発明の製造装置によれば、種結晶を用
いた改良型レーリー法により、良質の炭化珪素単結晶、
特に従来得られなかった立方晶型のバルク炭化珪素単結
晶を再現性よく成長させることができる。

【００３８】このような立方晶型の炭化珪素単結晶を成
長用基板として用い、気相エピタキシャル成長法によ
り、この成長用基板上に炭化珪素単結晶を成長させれ
ば、電気的特性に優れた立方晶型の炭化珪素単結晶が得
られる。従って、電気的特性に優れた炭化珪素半導体装
置、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、相補性モ
ス集積回路（Ｃ−ＭＯＳ）および各種パワー素子などを
製作することができる。しかも、上記のような炭化珪素
単結晶を再現性よく得られるので、電気的特性に優れた
上記の各種炭化珪素半導体装置を工業的規模で歩留まり
よく生産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の炭化珪素バルク単結晶の製造装置の一
例を示す断面図である。

【符号の説明】

１種結晶２原料３黒鉛製坩堝４蓋５二重石英管６支持棒７黒鉛製フェルト８ａ上部ヒータ８ｂ下部ヒータ９枝管１０チャンバー１１枝管１２チャンバー１３真空ポンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】種結晶を用いた昇華再結晶法によって立
方晶の炭化珪素バルク単結晶を製造する装置であって、空胴を有し、該空胴の下部に炭化珪素粉末からなる成長
用原料がセットされ、該空胴の上部に炭化珪素単結晶か
らなる種結晶がセットされる被加熱容器と、該被加熱容器の下部の外側に設けられ、該原料を温度調
整して加熱する下部ヒータと、該被加熱容器の上部の外側に該下部ヒータとは独立して
設けられ、該種結晶を温度調整して加熱する上部ヒータ
と、該被加熱容器の内部圧力を調整する手段と、を具備する炭化珪素バルク単結晶の製造装置。
【請求項２】種結晶を用いた昇華再結晶法によって立
方晶の炭化珪素バルク単結晶を製造する装置であって、
空胴を有し、該空胴の下部に炭化珪素粉末からなる成長
用原料がセットされ、該空胴の上部に炭化珪素単結晶か
らなる種結晶がセットされる被加熱容器と、該被加熱容
器の下部の外側に設けられ、該原料を温度調整して加熱
する下部ヒータと、該被加熱容器の上部の外側に該下部
ヒータとは独立して設けられ、該種結晶を温度調整して
加熱する上部ヒータと、該被加熱容器の内部圧力を調整
する手段と、を具備する炭化珪素バルク単結晶の製造装
置を用い、該種結晶の表面に単結晶を０．１ｍｍ／時間以下の成長
速度で成長させる第１の工程と、該単結晶を０．５〜１．５ｍｍ／時間の成長速度で成長
させる第２の工程と、を含む炭化珪素バルク単結晶の製造方法。
【請求項３】前記第１の工程を、種結晶の温度を１５
００°Ｃ以下にして行請求項２記載の炭化珪素バルク単
結晶の製造方法。
【請求項４】前記第１の工程を、被加熱容器の内部圧
力を１０^ー1Ｔｏｒｒより高くして行う請求項２記載の炭
化珪素バルク単結晶の製造方法。
【請求項５】前記第１の工程を、種結晶と前記原料と
の間の温度勾配を１０°Ｃ／ｃｍ以下にして行う請求項
２記載の炭化珪素バルク単結晶の製造方法。
【請求項６】前記第２の工程において、前記原料の温
度を２２００°Ｃ〜２３００°Ｃにし、かつ前記種結晶
の温度を１５００°Ｃ〜２０００°Ｃにすると共に、前
記被加熱容器の内部圧力を１０^ー3〜１０^ー6Ｔｏｒｒにす
る請求項２、３、４又は５記載の炭化珪素バルク単結晶
の製造方法。
【請求項７】前記種結晶に、面方位が（１１１）面の
炭化珪素単結晶、[０１１]方向にオフ角度を有し面方位
が（１００）面の炭化珪素単結晶、又は面方位が（００
０１）面の炭化珪素単結晶を選択使用する請求項２記載
の炭化珪素バルク単結晶の製造方法。
【請求項８】前記原料に、高純度の立方晶炭化珪素か
らなる炭化珪素粉末を使用する請求項２記載の炭化珪素
バルク単結晶の製造方法。