JP2015063435A - 単結晶インゴットの製造方法、単結晶基板の製造方法、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 407
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】{0001}面に垂直な第1の面PL1が設けられた第1の種結晶11上に第1の単結晶インゴット12が成長させられる。{0001}面から10°未満のオフ角を有する第2の面PL2が設けられた第2の種結晶21が第1の単結晶インゴット12から切り出される。第1の単結晶インゴット12を成長させる上記工程は、第2の面PL2の10mm角の範囲内における第2の種結晶21の<0001>方位のばらつきが0.15°未満となるように行われる。第2の種結晶21上に第2の単結晶インゴット22が成長させられる。
【選択図】図10
Description
図1を参照して、六方晶系の結晶構造を有するSiCから作られた、円形の種結晶1が準備される。結晶構造のポリタイプは、4Hであることが好ましい。種結晶1には、成長に用いるための面PLが設けられている。面PLは、{0001}面から10°未満のオフ角を有する。ここでいう{0001}面は、(000−1)面、すなわちカーボン面であることが好ましい。
まず、ポリタイプ4HのSiCからなり、直径40mmを有し、面PLとして(000−1)カーボン面を有する種結晶1(図1)を準備した。種結晶1上に昇華法を用いて高さ40mmの単結晶インゴット2(図2)を成長させた。単結晶インゴット2を、種結晶1の面PLと垂直な面である(11−20)面に平行にスライスすることで、(11−20)面を有する単結晶基板を得た。この単結晶基板を円形に加工することで種結晶1a(図3)を得た。種結晶1aの一方面(面PLa)をCMP加工し、他方の面をグラファイト製の台座部に張り付けた。面PLa上における昇華法を用いた結晶成長により、高さ60mm程度、直径60mm程度の単結晶インゴット2aを得た。単結晶インゴット2aを種結晶1aの面PLaと垂直な面である(1−100)面に平行にスライスすることで、面PL1を有する単結晶基板10(図4)を得た。単結晶基板10を円形に加工することで、面PL1を有する種結晶11(図4)を得た。
まず上記比較例と同様の方法により、種結晶11を準備し、種結晶11の一方面(面PL1)をCMP加工し、他方の面をグラファイト製の台座部51に張り付けた(図10)。本実施例においては、断熱材59(図10)として、直径D=40mm、厚さT=90mmおよび間隔S=20mmの寸法を有するものを用いた。面PL1上における昇華法を用いた結晶成長により、高さ60mm程度、直径60mm程度の、実施例としての単結晶インゴット12を得た。本実施例の単結晶インゴット12の平坦度Fは1.02であった。この後、上記比較例と同様の工程および測定を行ったところ、上記表2の試料M2の欄に示すように、基板XRDは0.083°、基板EPDは1.8×103/cm2、成長後EPDは9.3×103/cm2であった。
図13を参照して、本実施の形態においても、まず実施の形態1と同様に、種結晶1上に単結晶インゴット2が成長させられる。次に、図中破線で示すように、単結晶インゴット2が{1−100}面に平行にスライスされる。
まず、実施の形態1の実施例と同様に、種結晶1上に昇華法を用いて高さ40mmの単結晶インゴット2(図13)を成長させた。単結晶インゴット2を、種結晶1の面PLと垂直な面である(1−100)面に平行にスライスすることで、(1−100)面を有する単結晶基板を得た。この単結晶基板を円形に加工することで種結晶1b(図14)を得た。種結晶1bの一方面(面PLb)をCMP加工し、他方の面をグラファイト製の台座部に張り付けた。面PLb上における昇華法を用いた結晶成長により、高さ60mm程度、直径60mm程度の単結晶インゴット2bを得た。なお単結晶インゴット2bの平坦度Fは1.12であり、成長面には、図11(A)および(B)と同様に、多結晶が析出していた。単結晶インゴット2bを種結晶1bの面PLbと垂直な面である(11−20)面に平行にスライスすることで、面PL1vを有する単結晶基板10v(図15)を得た。単結晶基板10vを円形に加工することで、面PL1vを有する種結晶11v(図15)を得た。
図21を参照して、本実施の形態のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)90(半導体装置)は、単結晶基板30と、ドリフト層61(エピタキシャル層)と、ベース領域62と、ソース領域63と、ゲート絶縁膜70と、ゲート電極71と、ソース電極81と、ドレイン電極82とを有する。単結晶基板30、ドリフト層61およびソース領域63の各々はn型(第1の導電型)を有する。ベース領域62はp型(第1の導電型と異なる第2の導電型)を有する。
Claims (9)
- {0001}面に垂直な第1の面が設けられた第1の種結晶上に第1の単結晶インゴットを成長させる工程と、
{0001}面から10°未満のオフ角を有する第2の面が設けられた第2の種結晶を前記第1の単結晶インゴットから切り出す工程とを備え、前記第1の単結晶インゴットを成長させる工程は、前記第2の面の10mm角の範囲内における前記第2の種結晶の<0001>方位のばらつきが0.15°未満となるように行われ、さらに
前記第2の種結晶上に第2の単結晶インゴットを成長させる工程を備える、単結晶インゴットの製造方法。 - 前記第1の単結晶インゴットを成長させる工程は、前記第1の単結晶インゴットが前記第1の種結晶の前記第1の面の中心上における厚さHcと前記第1の種結晶の前記第1の面の外周上における厚さHpとを有するように行われ、1≦Hc/Hp≦1.1が満たされる、請求項1に記載の単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第1の単結晶インゴットを成長させる工程は、前記第1の単結晶インゴットが前記第1の種結晶の前記第1の面の中心上における厚さHcと前記第1の種結晶の前記第1の面の外周上における厚さHpとを有するように行われ、1≦Hc/Hp≦1.03が満たされる、請求項1に記載の単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第1の種結晶の前記第1の面は(1−100)面である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第1の種結晶の前記第1の面は(11−20)面である、請求項1に記載の単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第1の単結晶インゴットを成長させる工程は0.2mm/時未満の成長速度で行われる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の単結晶インゴットの製造方法。
- 前記第1の単結晶インゴットを成長させる工程は、前記第1の種結晶上に炭化珪素を堆積することによって行われる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の単結晶インゴットの製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の単結晶インゴットの製造方法によって前記第2の単結晶インゴットを準備する工程と、
前記第2の単結晶インゴットから、{0001}面から10°未満のオフ角を有する第3の面が設けられた単結晶基板を切り出す工程とを備える、単結晶基板の製造方法。 - 請求項8に記載の単結晶基板の製造方法によって前記単結晶基板を準備する工程と、
前記単結晶基板上にエピタキシャル層を形成する工程とを備える、
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013199567A JP6120742B2 (ja) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | 単結晶インゴットの製造方法、単結晶基板の製造方法、および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2013199567A JP6120742B2 (ja) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | 単結晶インゴットの製造方法、単結晶基板の製造方法、および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015063435A true JP2015063435A (ja) | 2015-04-09 |
JP6120742B2 JP6120742B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=52831677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013199567A Active JP6120742B2 (ja) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | 単結晶インゴットの製造方法、単結晶基板の製造方法、および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6120742B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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