JP6299827B2 - 半導体基板 - Google Patents
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Description
これにより、大口径の半導体基板が得られるので、半導体デバイスを効率良く製造することができる。
図1を参照して、本実施の形態の半導体基板10は単結晶炭化珪素から作られており、主表面1と、中央領域3とを主に有する。単結晶炭化珪素は六方晶の結晶構造を有している。半導体基板10を構成する単結晶炭化珪素のポリタイプは、好ましくは4Hである。主表面1の法線は、たとえば<0001>方向からオフ角θだけ傾斜している。具体的な一例としては、主表面1は、(0001)面を<11−20>方向に4度オフさせた面であることが好ましい。また、半導体基板10の口径は、好ましくは4インチ以上である。
転位の密度は、半導体基板10の表面にエッチング処理を行なった後、半導体基板10の表面のエッチピットの数を、たとえばノマルスキー微分干渉顕微鏡を用いてカウントすることにより求められる。なお、エッチング処理は、半導体基板10を、たとえば500℃のKOH(水酸化カリウム)融液に10分間浸漬させることにより行われる。また、1000℃の塩素と酸素の混合ガスにより、半導体基板10の表面を1時間ガスエッチングすることによってエッチング処理が行われてもよい。
図3は、オフ角が0である単結晶炭化珪素からなる半導体基板10に発生した転位を示す図である。転位は主に貫通転位6と基底面転位5とに分類される。貫通転位6とは、半導体基板10の一方の主表面1から他方の主表面1にかけて延在するように伸展する転位である。図3においては、半導体基板10の一方の主表面1から他方の主表面1にかけて<0001>方向に延在している。また、オフ角が0の場合、貫通転位6の転位線は<0001>方向に延在する。基底面転位5とは、結晶の基底面内に転位線が存在する転位のことである。基底面転位5の転位線は基底面に平行に延在する。
図6を参照して、半導体基板10の製造装置は、ルツボ11と、加熱部(図示せず)とを主に有している。ルツボ11の内部には、原料12が収容されている。原料12は、炭化珪素結晶14を成長させるための原料であり、SiC2ガスやSi2Cガスなどの原料ガスを発生するものであれば特に制限されない。たとえば、取り扱いの容易性および原料の準備の容易性から、原料12として炭化珪素パウダーを用いることが好ましい。炭化珪素パウダーは、たとえば、炭化珪素多結晶を粉砕することによって得ることができる。加熱部は、ルツボ11の外部を囲うように配置され原料12を加熱するためのものである。加熱部としては、たとえば、高周波加熱コイルが使用される。
本実施の形態の半導体基板10は、たとえば上述のように種結晶13表面の転位を横方向に抜けさせるとともに、炭化珪素結晶14成長中の新たな転位の発生を抑制可能な方向により作製された炭化珪素結晶14をスライスして作られている。その結果、中央領域3を一辺が1mmである正方形領域4に分割したいずれの正方形領域4においても、バーガースベクトルが<11−20>方向に平行であって、転位線が基底面内にあり、転位線は半導体基板10の主表面1に露出している転位の密度が1×105cm-2以下であるという特徴を有している。
図7を参照して、本実施の形態の半導体デバイス100は、縦型DiMOSFET(Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であって、半導体基板10、バッファ層121、耐圧保持層122、p領域123、n+領域124、p+領域125、酸化膜126、ソース電極111、上部ソース電極127、ゲート電極110、およびドレイン電極112を有する。
まず基板準備工程(ステップS110:図8)にて、実施の形態1で説明した方法によって、半導体基板10が準備される。半導体基板10の導電型は、たとえばn型とされる。
本実施例では、平均的な転位密度は同程度であり、局所的な転位密度の違う半導体基板10を用いて、縦型DiMOSFETデバイスを作製し、ドレインリーク電流密度を測定することにより、MOSFETデバイスの歩留まりについて調べた。
本発明例1〜10のMOSFETデバイスに用いられた半導体基板10は、上述した実施の形態1に記載された製造方法に従って製造された。具体的には、種結晶13としてポリタイプが4Hの炭化珪素を使用した。次に、成長温度が2300℃で、かつ成長圧力が約4kPa(30Torr)の条件で、種結晶13の表面に炭化珪素結晶を昇華法(高周波加熱法)により成長させた。炭化珪素結晶の昇華に用いられる装置のルツボ11はグラファイト製とした。ルツボ11の外径をφ140mmとし、ルツボ11の内径をφ120mmとし、ルツボ11の高さを100mmとした。種結晶13のサイズを口径4インチとした。種結晶13の(0001)面に対するオフ角を4度とした。また、種結晶13の表面をCMP処理することにより、種結晶13の表面の2乗平均平方根粗さ(RMS)を1nm未満とした。原料12として、炭化珪素パウダーを使用した。炭化珪素結晶14の成長速度を毎時0.01mm未満とした。上記の方法で製造した半導体基板10の転位密度を実施の形態1で説明した方法により測定することで、半導体基板10を本発明1〜5に用いられる基板と、本発明6〜10に用いられる基板に分類した。本発明1〜5のデバイスに用いられる半導体基板10は、1辺1mmのいずれの正方形領域4においても、バーガースベクトルが<11−20>方向に平行であって、転位線が基底面内にあり、転位線は半導体基板10の主表面1に露出している転位(以下、<11−20>方向の基底面転位と称す)の密度が1×105cm-2以下である基板である。本発明6〜10のデバイスに用いられる半導体基板10は、1辺1mmのいずれの正方形領域4においても、バーガースベクトルが<11−20>方向に平行である転位の密度が1×105cm-2以下である基板である。言い換えれば、本発明例6〜10のデバイスに用いられる半導体基板10は、1辺1mmのいずれの正方形領域4においても、上記<11−20>方向の基底面転位と、バーガースベクトルが<11−20>方向に平行であるその他の転位とを含む転位の合計密度が1×105cm-2以下である基板である。
比較例1および2に用いられる半導体基板10を本発明例1〜10と主に以下の点を除いて同様に作製した。比較例1および2に用いられる半導体基板10を、種基板のオフ角が12度の条件で作製した。一方、本発明例1〜10の半導体基板10を、種基板のオフ角が4度の条件で作製した。
本発明例1〜10と比較例1および2の縦型DiMOSFETデバイスの歩留まりを以下の様に測定した。縦型DiMOSFETデバイスのドレインリーク電流密度(ID)を、ドレイン電圧(VD)=1100Vであり、ゲート電圧(VG=0V)の条件で測定した。ドレインリーク電流密度が1μA/mm2以上のデバイスを不良品と判定し、ドレインリーク電流密度が1μA/mm2未満のデバイスを良品と判定した。歩留まりは、測定した全てのデバイスの内、良品のデバイスの割合を表したものである。
Claims (5)
- 主表面を有し、単結晶炭化珪素からなる半導体基板であって、
前記主表面は外周から5mm以内の領域を除いた領域である中央領域を含み、
前記中央領域を一辺が1mmである正方形領域に分割した場合に、いずれの前記正方形領域においても、バーガースベクトルが<11−20>方向に平行であって、転位線が基底面内にあり、前記転位線は前記半導体基板の前記主表面に露出している転位の密度が1×103cm-2以下であり、
前記中央領域において、バーガースベクトルが<11−20>方向に平行な転位の密度が、バーガースベクトルが<0001>方向の成分と<11−20>方向の成分とを含む転位の密度よりも低い、半導体基板。 - いずれの前記正方形領域においても、バーガースベクトルが<11−20>方向に平行である転位の密度が1×105cm-2以下である、請求項1に記載の半導体基板。
- 前記半導体基板の内部において複数の転位線に分岐しており、バーガースベクトルが<11−20>方向に平行な転位を含む、請求項1または2に記載の半導体基板。
- 口径が4インチ以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体基板。
- 前記半導体基板を構成する単結晶炭化珪素のポリタイプが4Hである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体基板。
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