JP2011068504A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】SiCを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の裏面B1を有する第1の炭化珪素基板11と、第2の裏面B2を有する第2の炭化珪素基板12とが準備される。第1および第2の裏面B1、B2の各々が一の方向に露出するように第1および第2の炭化珪素基板11、12が配置される。炭化珪素からなり、かつ第1および第2の裏面B1、B2を互いにつなぐ成長層30が化学気相成長法によって形成される。
【選択図】図4
【解決手段】第1の裏面B1を有する第1の炭化珪素基板11と、第2の裏面B2を有する第2の炭化珪素基板12とが準備される。第1および第2の裏面B1、B2の各々が一の方向に露出するように第1および第2の炭化珪素基板11、12が配置される。炭化珪素からなり、かつ第1および第2の裏面B1、B2を互いにつなぐ成長層30が化学気相成長法によって形成される。
【選択図】図4
Description
本発明は半導体基板の製造方法に関し、特に、単結晶構造を有する炭化珪素(SiC)からなる部分を含む半導体基板の製造方法に関するものである。
近年、半導体装置の製造に用いられる半導体基板としてSiC基板の採用が進められつつある。SiCは、より一般的に用いられているSi(シリコン)に比べて大きなバンドギャップを有する。そのためSiC基板を用いた半導体装置は、耐圧が高く、オン抵抗が低く、また高温環境下での特性の低下が小さい、といった利点を有する。
半導体装置を効率的に製造するためには、ある程度以上の基板の大きさが求められる。米国特許第7314520号明細書(特許文献1)によれば、76mm(3インチ)以上のSiC基板を製造することができるとされている。
SiC基板の大きさは工業的には100mm(4インチ)程度にとどまっており、このため大型の基板を用いて半導体装置を効率よく製造することができないという問題がある。特に六方晶系のSiCにおいて、(0001)面以外の面の特性が利用される場合、上記の問題が特に深刻となる。このことについて、以下に説明する。
欠陥の少ないSiC基板は、通常、積層欠陥の生じにくい(0001)面成長で得られたSiCインゴットから切り出されることで製造される。このため(0001)面以外の面方位を有するSiC基板は、成長面に対して非平行に切り出されることになる。このため基板の大きさを十分確保することが困難であったり、インゴットの多くの部分が有効に利用できなかったりする。このため、SiCの(0001)面以外の面を利用した半導体装置は、効率よく製造することが特に困難である。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、SiCを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供することである。
本発明の半導体基板の製造方法は、以下の工程を有する。
互いに対向する第1の表面および第1の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第1の炭化珪素基板と、互いに対向する第2の表面および第2の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第2の炭化珪素基板とが準備される。第1および第2の裏面の各々が一の方向に露出するように第1および第2の炭化珪素基板が配置される。炭化珪素からなり、かつ第1および第2の裏面を互いにつなぐ成長層が化学気相成長法によって形成される。
互いに対向する第1の表面および第1の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第1の炭化珪素基板と、互いに対向する第2の表面および第2の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第2の炭化珪素基板とが準備される。第1および第2の裏面の各々が一の方向に露出するように第1および第2の炭化珪素基板が配置される。炭化珪素からなり、かつ第1および第2の裏面を互いにつなぐ成長層が化学気相成長法によって形成される。
本製造方法によれば、第1および第2の炭化珪素基板が成長層を介して1つの半導体基板として一体化される。この半導体基板は、半導体装置が形成される基板面として、第1および第2の炭化珪素基板のそれぞれが有する第1および第2の表面の両方を含む。すなわちこの半導体基板は、第1および第2の炭化珪素基板のいずれかが単体で用いられる場合に比して、より大きな基板面を有する。よってこの半導体基板を用いることで、炭化珪素を用いた半導体装置を効率よく製造することができる。
また成長層が第1および第2の炭化珪素基板と同様に炭化珪素からなるので、第1および第2の炭化珪素基板と成長層との間で諸物性が近くなる。よってこの諸物性の相違に起因した半導体基板の反りや割れを抑制することができる。
好ましくは、成長層を形成する工程は、以下の工程を有する。
第1および第2の炭化珪素基板が加熱される。一の方向に露出した第1および第2の裏面の各々の上に原料ガスが導入される。加熱された第1の炭化珪素基板の第1の裏面と、加熱された第2の炭化珪素基板の第2の裏面との各々の上で、原料ガスを原料として成長層が成長させられる。
第1および第2の炭化珪素基板が加熱される。一の方向に露出した第1および第2の裏面の各々の上に原料ガスが導入される。加熱された第1の炭化珪素基板の第1の裏面と、加熱された第2の炭化珪素基板の第2の裏面との各々の上で、原料ガスを原料として成長層が成長させられる。
好ましくは、原料ガスは、Si元素を含む第1のガスと、C元素を含む第2のガスとを含む。
好ましくは、成長層を形成する工程は、第1および第2の炭化珪素基板を1400℃以上2000℃以下の温度に保持する工程を含む。これにより、第1および第2の炭化珪素基板をより確実に一体化することができ、かつ第1および第2の炭化珪素基板の結晶性にダメージが生じることを抑制することができる。
好ましくは、成長層を形成する工程は、雰囲気の圧力を100kPa以下に保持する工程を含む。これにより第1および第2の炭化珪素基板をより確実に一体化することができる。
好ましくは、成長層は単結晶構造を有する。これにより、成長層の諸物性を、同じく単結晶構造を有する第1および第2の炭化珪素基板の各々の諸物性に近づけることができる。
好ましくは、第1の裏面の結晶面に対して第1の裏面上の成長層の結晶面の傾きは10°以内である。また第2の裏面の結晶面に対して第2の裏面上の成長層の結晶面の傾きは10°以内である。これにより成長層の異方性を、第1および第2の炭化珪素基板の各々の異方性に近づけることができる。
好ましくは、第1および第2の炭化珪素基板の各々の不純物濃度と、成長層の不純物濃度とは互いに異なる。これにより不純物濃度の異なる2層構造を有する半導体基板を得ることができる。
好ましくは、第1および第2の炭化珪素基板の各々の不純物濃度よりも、成長層の不純物濃度の方が高い。これにより第1および第2の炭化珪素基板の各々の抵抗率に比して、成長層の抵抗率を小さくすることができる。
好ましくは、第1および第2の裏面の各々のラフネスは、Raとして100μm以下である。これにより、成長層の表面に生じる段差を小さくすることができる。
好ましくは、第1および第2の炭化珪素基板を配置する工程は、第1および第2の炭化珪素基板の間の最短間隔が5mm以下となるように行なわれる。これにより、より確実に、第1および第2の裏面をつなぐように成長層を形成することができる。
好ましくは、第1の炭化珪素基板の{0001}面に対する第1の表面のオフ角は50°以上65°以下である。また第2の炭化珪素基板の{0001}面に対する第2の表面のオフ角は50°以上65°以下である。これにより、第1および第2の表面が{0001}面である場合に比して、第1および第2の表面におけるチャネル移動度を高めることができる。
好ましくは、第1の表面のオフ方位と第1の炭化珪素基板の<1−100>方向とのなす角は5°以下である。また第2の表面のオフ方位と第2の炭化珪素基板の<1−100>方向とのなす角は5°以下である。これにより、第1および第2の表面が{0001}面である場合に比して、第1および第2の表面におけるチャネル移動度を高めることができる。
好ましくは、第1の炭化珪素基板の<1−100>方向における{03−38}面に対する第1の表面のオフ角は−3°以上5°以下である。また第2の炭化珪素基板の<1−100>方向における{03−38}面に対する第2の表面のオフ角は−3°以上5°以下である。これにより、第1および第2の表面が{0001}面である場合に比して、第1および第2の表面におけるチャネル移動度を高めることができる。
好ましくは、第1の表面のオフ方位と第1の炭化珪素基板の<11−20>方向とのなす角は5°以下である。また第2の表面のオフ方位と第2の炭化珪素基板の<11−20>方向とのなす角は5°以下である。これにより、第1および第2の表面が{0001}面である場合に比して、第1および第2の表面におけるチャネル移動度を高めることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体基板の製造方法によれば、炭化珪素を用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供することができる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
(実施の形態1)
図1および図2を参照して、本実施の形態の半導体基板80は、単結晶構造を有する複数のSiC基板11〜19(炭化珪素基板)と、SiCからなる成長層30とを有する。成長層30は、SiC基板11〜19の裏面(図1に示される面と反対の面)を互いにつないでおり、これによりSiC基板11〜19は互いに固定されている。SiC基板11〜19のそれぞれは同一平面上において露出した表面を有し、たとえばSiC基板11および12のそれぞれは、表面F1およびF2(図2)を有する。これにより半導体基板80はSiC基板11〜19の各々に比して大きな表面を有する。よってSiC基板11〜19の各々を単独で用いる場合に比して、半導体基板80を用いる場合、SiCを用いた半導体装置をより効率よく製造することができる。
(実施の形態1)
図1および図2を参照して、本実施の形態の半導体基板80は、単結晶構造を有する複数のSiC基板11〜19(炭化珪素基板)と、SiCからなる成長層30とを有する。成長層30は、SiC基板11〜19の裏面(図1に示される面と反対の面)を互いにつないでおり、これによりSiC基板11〜19は互いに固定されている。SiC基板11〜19のそれぞれは同一平面上において露出した表面を有し、たとえばSiC基板11および12のそれぞれは、表面F1およびF2(図2)を有する。これにより半導体基板80はSiC基板11〜19の各々に比して大きな表面を有する。よってSiC基板11〜19の各々を単独で用いる場合に比して、半導体基板80を用いる場合、SiCを用いた半導体装置をより効率よく製造することができる。
なお上記において成長層30が単結晶構造を有する場合について例示したが、成長層30は多結晶構造を有してもよい。
次に本実施の半導体基板80の製造方法について説明する。なお以下において説明を簡略化するためにSiC基板11〜19のうちSiC基板11および12に関してのみ言及する場合があるが、SiC基板13〜19もSiC基板11および12と同様に扱われる。
図3を参照して、まず単結晶構造を有するSiC基板11(第1の炭化珪素基板)およびSiC基板12(第2の炭化珪素基板)が準備される。SiC基板11は互いに対向する表面F1(第1の表面)および裏面B1(第1の裏面)を有し、SiC基板12は互いに対向する表面F2(第2の表面)および裏面B2(第2の裏面)を有する。具体的には、たとえば、六方晶系における(0001)面で成長したSiCインゴットを(03−38)面に沿って切断することによって、SiC基板11および12が準備される。好ましくは、裏面B1およびB2は研磨された面であり、より好ましくはそのラフネスがRaとして100μm以下である。
次に化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法のための処理室(図示せず)内において加熱体81上に、裏面B1およびB2の各々が一の方向(図3における上方向)に露出するようにSiC基板11および12が配置される。すなわちSiC基板11および12が、平面視において並ぶように配置される。
加熱体81としては、対象物を加熱することができるものであれば用いることができ、たとえば、グラファイトヒータを用いるような抵抗加熱方式のもの、または誘導加熱方式のものを用いることができる。
好ましくは、上記の配置は、裏面B1およびB2の各々が同一平面上に位置するか、または表面F1およびF2の各々が同一平面上に位置するように行なわれる。
また好ましくはSiC基板11および12の間の最短間隔(図3における横方向の最短間隔)は5mm以下とされる。具体的には、たとえば、同一の矩形形状を有する基板が5mm以下の間隔を空けてマトリクス状に配置されればよい。
またSiC基板11および12を等間隔に設置するには、たとえば、加熱体81上に、SiC基板11および12に対応するサイズの座繰りを形成すればよい。この座繰りにSiC基板11および12を入れることで、SiC基板11および12を等間隔に設置することができる。
次に加熱体81によってSiC基板11および12が所定の基板温度まで加熱される。好ましくは、基板温度は1400℃以上2000℃以下とされ、成長層30が成長する間、この範囲内に基板温度が保持される。
次に、裏面B1およびB2の各々の上に原料ガスが導入される。原料ガスとしては、Si元素を含む第1のガスと、C元素を含む第2のガスとの混合ガスが用いられる。具体的には、第1および第2のガスのそれぞれとして、たとえばSiH4ガスとC3H8ガスを用いることができる。また成長層30(図2)に不純物として窒素またはリンが添加される場合は、原料ガスに、たとえばN2ガスまたはPH3ガスが添加されればよい。なお原料ガスは、たとえばH2ガスなどのキャリアガスとともに導入されてもよい。
また好ましくは、原料ガスは、雰囲気の圧力が100kPa以下となるように導入される。
図4を参照して、上記の原料ガスを原料として、裏面B1およびB2の各々の上においてSiCが成長し始め、さらに成長が続くことによって、裏面B1およびB2を互いにつなぐ成長層30が形成される。以上により半導体基板80(図2)が得られる。
好ましくは、裏面B1の結晶面に対して裏面B1上の成長層30の結晶面の傾きは10°以内であり、また裏面B2の結晶面に対して裏面B2上の成長層30の結晶面の傾きは10°以内である。これらの角度関係は、裏面B1およびB2の各々に対して成長層30がエピタキシャル成長することによって容易に実現される。
なおSiC基板11、12の結晶構造は六方晶系であることが好ましく、4H−SiCまたは6H−SiCであることがより好ましい。また、SiC基板11、12と成長層30とは、同一の結晶構造を有するSiC単結晶からなっていることが好ましい。
また好ましくは、SiC基板11および12の各々の濃度と、成長層30の不純物濃度とは互いに異なる。より好ましくは、SiC基板11および12の各々の不純物濃度よりも、成長層30の不純物濃度の方が高い。なおSiC基板11、12の不純物濃度は、たとえば5×1016cm-3以上5×1019cm-3以下である。また成長層30の不純物濃度は、たとえば5×1016cm-3以上5×1021cm-3以下である。また上記の不純物としては、たとえば窒素、またはリンを用いることができる。
また好ましくは、SiC基板11の{0001}面に対する表面F1のオフ角は50°以上65°以下であり、かつSiC基板の{0001}面に対する表面F2のオフ角は50°以上65°以下である。
より好ましくは、表面F1のオフ方位とSiC基板11の<1−100>方向とのなす角は5°以下であり、かつ表面F2のオフ方位と基板12の<1−100>方向とのなす角は5°以下である。
さらに好ましくは、SiC基板11の<1−100>方向における{03−38}面に対する表面F1のオフ角は−3°以上5°以下であり、SiC基板12の<1−100>方向における{03−38}面に対する表面F2のオフ角は−3°以上5°以下である。
なお上記において、「<1−100>方向における{03−38}面に対する表面F1のオフ角」とは、<1−100>方向および<0001>方向の張る射影面への表面F1の法線の正射影と、{03−38}面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が<1−100>方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が<0001>方向に対して平行に近づく場合が負である。また「<1−100>方向における{03−38}面に対する表面F2のオフ角」についても同様である。
また好ましくは、表面F1のオフ方位と基板11の<11−20>方向とのなす角は5°以下であり、かつ表面F2のオフ方位と基板12の<11−20>方向とのなす角は5°以下である。
本実施の形態によれば、図2に示すように、SiC基板11および12が成長層30を介して1つの半導体基板80として一体化される。半導体基板80は、トランジスタなどの半導体装置が形成される基板面として、SiC基板のそれぞれが有する表面F1およびF2の両方を含む。すなわち半導体基板80は、SiC基板11および12のいずれかが単体で用いられる場合に比して、より大きな基板面を有する。よって半導体基板80により、SiCを用いた半導体装置を効率よく製造することができる。
また裏面B1およびB2の各々の上に形成される成長層30がSiC基板11および12と同様にSiCからなるので、SiC基板と成長層30との間で諸物性が近くなる。よってこの諸物性の相違に起因した半導体基板80の反りや割れを抑制できる。
好ましくは、成長層30は単結晶構造を有する。これにより、成長層30の諸物性を、同じく単結晶構造を有するSiC基板11および12の各々の諸物性に近づけることができる。
また好ましくは、裏面B1の結晶面に対して裏面B1上の成長層30の結晶面の傾きは10°以内である。また裏面B2の結晶面に対して裏面B2上の成長層30の結晶面の傾きは10°以内である。これにより成長層30の異方性を、SiC基板11および12の各々の異方性に近づけることができる。
また好ましくは、SiC基板11および12の各々の不純物濃度と、成長層30の不純物濃度とは互いに異なる。これにより不純物濃度の異なる2層構造を有する半導体基板80(図2)を得ることができる。
また好ましくは、SiC基板11および12の各々の不純物濃度よりも成長層30の不純物濃度の方が高い。よってSiC基板11および12の各々の抵抗率に比して、成長層30の抵抗率を小さくすることができる。これにより、成長層30の厚さ方向に電流を流す半導体装置、すなわち縦型の半導体装置の製造に好適な半導体基板80を得ることができる。
また好ましくは、SiC基板11および12を配置する工程は、SiC基板11および12の間の最短間隔が5mm以下となるように行なわれる。これにより成長層30を、SiC基板11の裏面B1と、SiC基板12の裏面B2とをより確実につなぐように形成することができる。
また好ましくは、SiC基板11の{0001}面に対する表面F1のオフ角は50°以上65°以下であり、かつSiC基板12の{0001}面に対する表面F2のオフ角は50°以上65°以下である。これにより、表面F1およびF2が{0001}面である場合に比して、表面F1およびF2におけるチャネル移動度を高めることができる。
また好ましくは、表面F1のオフ方位とSiC基板11の<1−100>方向とのなす角は5°以下であり、かつ表面F2のオフ方位とSiC基板12の<1−100>方向とのなす角は5°以下である。これにより表面F1およびF2におけるチャネル移動度をより高めることができる。
また好ましくは、SiC基板11の<1−100>方向における{03−38}面に対する表面F1のオフ角は−3°以上5°以下であり、SiC基板12の<1−100>方向における{03−38}面に対する表面F2のオフ角は−3°以上5°以下である。これにより表面F1およびF2におけるチャネル移動度をさらに高めることができる。
また好ましくは、表面F1のオフ方位とSiC基板11の<11−20>方向とのなす角は5°以下であり、かつ表面F2のオフ方位とSiC基板12の<11−20>方向とのなす角は5°以下である。これにより、表面F1およびF2が{0001}面である場合に比して、表面F1およびF2におけるチャネル移動度を高めることができる。
次に上記の半導体基板80の製造に適した製造条件を検討した結果について、以下に説明する。
第1に、SiC基板11および12の基板温度の検討を行なった。その結果、基板温度が1300℃の場合はSiC基板11および12が一体化しにくかったが、1400℃、1800℃、2000℃、または2500℃の場合はSiC基板11および12を十分に一体化することができた。また基板温度が2500℃の場合はSiC基板11および12の結晶性にダメージが生じやすかったが、基板温度が2000℃、1800℃、または1400℃の場合はSiC基板11および12の結晶性に生じるダメージを抑制することができた。この結果から、SiC基板11および12をより確実に一体化し、かつSiC基板11および12の結晶性にダメージが生じることを抑制するためには、基板温度は1400℃以上2000℃以下が好ましいことがわかった。
第2に、成長層30が形成される際の雰囲気の圧力の検討を行なった。なお基板温度は2000℃に固定された。その結果、圧力が100kPaより高い場合はSiC基板11および12が一体化しにくかったが、圧力が100kPa、50kPa、10kPa、100Pa、1Pa、0.1Pa、または0.0001Paの場合はSiC基板11および12を十分に一体化することができた。この結果から、SiC基板11および12を十分に一体化するためには、圧力は100kPa以下が好ましいことがわかった。
第3に、SiC基板11および12の裏面B1およびB2のラフネスの検討を行なった。その結果、ラフネスのRaがRa=500μmの場合は成長層30の表面に大きな段差が生じたが、Ra=100μm、1μm、または0.1nmの場合はこの段差を十分に小さくすることができた。この結果から、成長層30の表面の段差を十分に小さくするためには、裏面B1およびB2のラフネスは100μm以下が好ましいことがわかった。
なお成長層30(図4)が有する不純物としては、5×1015cm-3、8×1018cm-3または5×1021cm-3の濃度で、窒素またはリンを用いることができた。
(実施の形態2)
図5を参照して、本実施の形態の半導体装置100は、縦型DiMOSFET(Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であって、基板80、バッファ層121、耐圧保持層122、p領域123、n+領域124、p+領域125、酸化膜126、ソース電極111、上部ソース電極127、ゲート電極110、およびドレイン電極112を有する。
図5を参照して、本実施の形態の半導体装置100は、縦型DiMOSFET(Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であって、基板80、バッファ層121、耐圧保持層122、p領域123、n+領域124、p+領域125、酸化膜126、ソース電極111、上部ソース電極127、ゲート電極110、およびドレイン電極112を有する。
基板80は、本実施の形態においてはn型の導電型を有し、また実施の形態1で説明したように、成長層30およびSiC基板11を有する。ドレイン電極112は、SiC基板11との間に成長層30を挟むように、成長層30上に設けられている。バッファ層121は、成長層30との間にSiC基板11を挟むように、SiC基板11上に設けられている。
バッファ層121は、導電型がn型であり、その厚さはたとえば0.5μmである。またバッファ層121におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1017cm-3である。
耐圧保持層122は、バッファ層121上に形成されており、また導電型がn型の炭化ケイ素からなる。たとえば、耐圧保持層122の厚さは10μmであり、そのn型の導電性不純物の濃度は5×1015cm-3である。
この耐圧保持層122の表面には、導電型がp型である複数のp領域123が互いに間隔を隔てて形成されている。p領域123の内部において、p領域123の表面層にn+領域124が形成されている。また、このn+領域124に隣接する位置には、p+領域125が形成されている。一方のp領域123におけるn+領域124上から、p領域123、2つのp領域123の間において露出する耐圧保持層122、他方のp領域123および当該他方のp領域123におけるn+領域124上にまで延在するように、酸化膜126が形成されている。酸化膜126上にはゲート電極110が形成されている。また、n+領域124およびp+領域125上にはソース電極111が形成されている。このソース電極111上には上部ソース電極127が形成されている。
酸化膜126と、半導体層としてのn+領域124、p+領域125、p領域123および耐圧保持層122との界面から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値は1×1021cm-3以上となっている。これにより、特に酸化膜126下のチャネル領域(酸化膜126に接する部分であって、n+領域124と耐圧保持層122との間のp領域123の部分)の移動度を向上させることができる。
次に半導体装置100の製造方法について説明する。なお図7〜図10においてはSiC基板11〜19(図1)のうちSiC基板11の近傍における工程のみを示すが、SiC基板12〜SiC基板19の各々の近傍においても、同様の工程が行なわれる。
まず基板準備工程(ステップS110:図6)にて、半導体基板80(図1および図2)が準備される。半導体基板80の導電型はn型とされる。
図7を参照して、エピタキシャル層形成工程(ステップS120:図6)により、バッファ層121および耐圧保持層122が、以下のように形成される。
まず基板80の表面上にバッファ層121が形成される。バッファ層121は、導電型がn型の炭化ケイ素からなり、たとえば厚さ0.5μmのエピタキシャル層である。またバッファ層121における導電型不純物の濃度は、たとえば5×1017cm-3とされる。
次にバッファ層121上に耐圧保持層122が形成される。具体的には、導電型がn型の炭化ケイ素からなる層が、エピタキシャル成長法によって形成される。耐圧保持層122の厚さは、たとえば10μmとされる。また耐圧保持層122におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1015cm-3である。
図8を参照して、注入工程(ステップS130:図6)により、p領域123と、n+領域124と、p+領域125とが、以下のように形成される。
まず導電型がp型の不純物が耐圧保持層122の一部に選択的に注入されることで、p領域123が形成される。次に、n型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってn+領域124が形成され、また導電型がp型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってp+領域125が形成される。なお不純物の選択的な注入は、たとえば酸化膜からなるマスクを用いて行われる。
このような注入工程の後、活性化アニール処理が行われる。たとえば、アルゴン雰囲気中、加熱温度1700℃で30分間のアニールが行われる。
図9を参照して、ゲート絶縁膜形成工程(ステップS140:図6)が行われる。具体的には、耐圧保持層122と、p領域123と、n+領域124と、p+領域125との上を覆うように、酸化膜126が形成される。この形成はドライ酸化(熱酸化)により行われてもよい。ドライ酸化の条件は、たとえば、加熱温度が1200℃であり、また加熱時間が30分である。
その後、窒素アニール工程(ステップS150)が行われる。具体的には、一酸化窒素(NO)雰囲気中でのアニール処理が行われる。この処理の条件は、たとえば加熱温度が1100℃であり、加熱時間が120分である。この結果、耐圧保持層122、p領域123、n+領域124、およびp+領域125の各々と、酸化膜126との界面近傍に、窒素原子が導入される。
なおこの一酸化窒素を用いたアニール工程の後、さらに不活性ガスであるアルゴン(Ar)ガスを用いたアニール処理が行われてもよい。この処理の条件は、たとえば、加熱温度が1100℃であり、加熱時間が60分である。
図10を参照して、電極形成工程(ステップS160:図6)により、ソース電極111およびドレイン電極112が、以下のように形成される。
まず酸化膜126上に、フォトリソグラフィ法を用いて、パターンを有するレジスト膜が形成される。このレジスト膜をマスクとして用いて、酸化膜126のうちn+領域124およびp+領域125上に位置する部分がエッチングにより除去される。これにより酸化膜126に開口部が形成される。次に、この開口部においてn+領域124およびp+領域125の各々と接触するように導電体膜が形成される。次にレジスト膜を除去することにより、上記導体膜のうちレジスト膜上に位置していた部分の除去(リフトオフ)が行われる。この導体膜は、金属膜であってもよく、たとえばニッケル(Ni)からなる。このリフトオフの結果、ソース電極111が形成される。
なお、ここでアロイ化のための熱処理が行なわれることが好ましい。たとえば、不活性ガスであるアルゴン(Ar)ガスの雰囲気中、加熱温度950℃で2分の熱処理が行なわれる。
再び図5を参照して、ソース電極111上に上部ソース電極127が形成される。また、基板80の裏面上にドレイン電極112が形成される。以上により、半導体装置100が得られる。
なお本実施の形態における導電型が入れ替えられた構成、すなわちp型とn型とが入れ替えられた構成を用いることもできる。
また縦型DiMOSFETを例示したが、本発明の半導体基板を用いて他の半導体装置が製造されてもよく、たとえばRESURF−JFET(Reduced Surface Field-Junction Field Effect Transistor)またはショットキーダイオードが製造されてもよい。
(付記1)
本発明の半導体基板は、以下の製造方法で作製されたものである。
本発明の半導体基板は、以下の製造方法で作製されたものである。
互いに対向する第1の表面および第1の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第1の炭化珪素基板と、互いに対向する第2の表面および第2の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第2の炭化珪素基板とが準備される。第1および第2の裏面の各々が一の方向に露出するように第1および第2の炭化珪素基板が配置される。炭化珪素からなり、かつ第1および第2の裏面を互いにつなぐ成長層が化学気相成長法によって形成される。
(付記2)
本発明の半導体装置は、以下の製造方法で作製された半導体基板を用いて作製されたものである。
本発明の半導体装置は、以下の製造方法で作製された半導体基板を用いて作製されたものである。
互いに対向する第1の表面および第1の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第1の炭化珪素基板と、互いに対向する第2の表面および第2の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第2の炭化珪素基板とが準備される。第1および第2の裏面の各々が一の方向に露出するように第1および第2の炭化珪素基板が配置される。炭化珪素からなり、かつ第1および第2の裏面を互いにつなぐ成長層が化学気相成長法によって形成される。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶構造を有する炭化珪素からなる部分を含む半導体基板の製造方法に、特に有利に適用され得る。
11 SiC基板(第1の炭化珪素基板)、12 SiC基板(第2の炭化珪素基板)、13〜19 SiC基板、30 成長層、80 半導体基板、81 加熱体、100 半導体装置。
Claims (15)
- 互いに対向する第1の表面および第1の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第1の炭化珪素基板と、互いに対向する第2の表面および第2の裏面を有し、かつ単結晶構造を有する第2の炭化珪素基板とを準備する工程と、
前記第1および第2の裏面の各々が一の方向に露出するように前記第1および第2の炭化珪素基板を配置する工程と、
炭化珪素からなり、かつ前記第1および第2の裏面を互いにつなぐ成長層を化学気相成長法によって形成する工程とを備えた、半導体基板の製造方法。 - 前記成長層を形成する工程は、
前記第1および第2の炭化珪素基板を加熱する工程と、
前記一の方向に露出した前記第1および第2の裏面の各々の上に原料ガスを導入する工程と、
加熱された前記第1の炭化珪素基板の前記第1の裏面と、加熱された前記第2の炭化珪素基板の前記第2の裏面との各々の上で、前記原料ガスを原料として前記成長層を成長させる工程とを含む、請求項1に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記原料ガスは、Si元素を含む第1のガスと、C元素を含む第2のガスとを含む、請求項2に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記成長層を形成する工程は、前記第1および第2の炭化珪素基板を1400℃以上2000℃以下の温度に保持する工程を含む、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記成長層を形成する工程は、雰囲気の圧力を100kPa以下に保持する工程を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記成長層は単結晶構造を有する、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1の裏面の結晶面に対して前記第1の裏面上の前記成長層の結晶面の傾きは10°以内であり、
前記第2の裏面の結晶面に対して前記第2の裏面上の前記成長層の結晶面の傾きは10°以内である、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。 - 前記第1および第2の炭化珪素基板の各々の不純物濃度と、前記成長層の不純物濃度とは互いに異なる、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1および第2の炭化珪素基板の各々の不純物濃度よりも、前記成長層の不純物濃度の方が高い、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1および第2の裏面の各々のラフネスは、Raとして100μm以下である、請求項1〜9のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記配置する工程は、前記第1および第2の炭化珪素基板の間の最短間隔が5mm以下となるように行なわれる、請求項1〜10のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1の炭化珪素基板の{0001}面に対する前記第1の表面のオフ角は50°以上65°以下であり、かつ前記第2の炭化珪素基板の{0001}面に対する前記第2の表面のオフ角は50°以上65°以下である、請求項1〜11のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1の表面のオフ方位と前記第1の炭化珪素基板の<1−100>方向とのなす角は5°以下であり、かつ前記第2の表面のオフ方位と前記第2の炭化珪素基板の<1−100>方向とのなす角は5°以下である、請求項12に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1の炭化珪素基板の<1−100>方向における{03−38}面に対する前記第1の表面のオフ角は−3°以上5°以下であり、前記第2の炭化珪素基板の<1−100>方向における{03−38}面に対する前記第2の表面のオフ角は−3°以上5°以下である、請求項13に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記第1の表面のオフ方位と前記第1の炭化珪素基板の<11−20>方向とのなす角は5°以下であり、かつ前記第2の表面のオフ方位と前記第2の炭化珪素基板の<11−20>方向とのなす角は5°以下である、請求項12に記載の半導体基板の製造方法。
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