JP2010089983A - ＳｉＣ単結晶の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】昇華法によりＳｉＣ種基板上にＳｉＣ単結晶を形成させるに際して、ＳｉＣ種基板の種結晶にあったマイクロパイプ（ＭＰ）や螺旋転位（ＴＳＤ）の貫通欠陥の伝播を抑制して結晶成長を行うことにより、結晶欠陥の少ないＳｉＣインゴットを形成させ、パワーデバイスの歩留まりを向上させることができるＳｉＣ単結晶の形成方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板１上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶２を形成するＳｉＣ単結晶の形成方法。
【選択図】図１
【解決手段】ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板１上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜６の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶２を形成するＳｉＣ単結晶の形成方法。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体デバイス用材料として有用な結晶欠陥の少ないＳｉＣ単結晶の形成方法に関する。
電気機器の効率的な消費エネルギーの利用に対応するため、現在、半導体デバイスにおいて高耐圧で低損失が可能な半導体材料の開発が進められている。半導体材料の内でも、特にＳｉＣ（炭化ケイ素）はＳｉ（ケイ素）に比べてバンドギャップが大きいことから、次世代のパワーデバイス用の半導体材料への応用が期待されており、ＳｉＣ単結晶の結晶品質の向上が、ＳｉＣの半導体材料への応用に関する最大の課題となっている。
ＳｉＣ単結晶は、従来、一般に昇華法により製造されている（特許文献１）。
昇華法によるＳｉＣ単結晶の形成方法の概略につき図３を用いて説明する。図３は、従来の昇華法によるＳｉＣ単結晶の形成方法を説明する概略図である。図３において、１はＳｉＣ種基板、３は粉末状ＳｉＣであり、共にルツボ４中に配置されている。ヒーター５によりルツボ４内を２０００℃以上の高温に加熱すると、粉末状ＳｉＣ３は昇華してＳｉＣ蒸気となる。このＳｉＣ蒸気をＳｉＣ種基板１上に再結晶化させることにより結晶成長が行われ、ＳｉＣインゴット２を形成する。そして、形成したＳｉＣインゴット２を研磨した後、切断してＳｉＣ単結晶基板が得られる。
特開平１１−３１５０００号公報
しかしながら、昇華法を用いた場合、結晶性の高いＳｉＣ単結晶基板を得ることができるが、ＳｉＣ単結晶の成長と同時に、ＳｉＣ種基板の種結晶にあった結晶欠陥が、成長したＳｉＣ単結晶側に引き継がれることが多い。前記結晶欠陥には、大きく分けて、結晶の成長軸（ｃ軸）と平行な方向に伸びる結晶欠陥であるいわゆる貫通欠陥と、結晶の成長軸（ｃ軸）と垂直な方向、即ちＳｉＣ（０００１）面（基底面）方向に伸びる結晶欠陥とがある。
上記した貫通欠陥としては、例えば、マイクロパイプ（ＭＰ）、螺旋転位（ＴＳＤ）、刃状転位（ＴＥＤ）があり、ＳｉＣ（０００１）面（基底面）方向に伸びる結晶欠陥としては、例えば、積層欠陥（ＳＦ）、基底面転位（ＢＰＤ）等がある。
これらの結晶欠陥の内、特にマイクロパイプ（ＭＰ）がパワーデバイス中に含まれていると、パワーデバイスの耐圧不良を引き起こす等、パワーデバイス本来の性能が引き出せない場合が多く、ＳｉＣ単結晶におけるマイクロパイプ（ＭＰ）の存在はパワーデバイスの歩留まりに非常に大きな影響を与える。また、螺旋転位（ＴＳＤ）の存在もパワーデバイスの歩留まりに大きな影響を与える。
そこで、本発明は、昇華法によりＳｉＣ種基板上にＳｉＣ単結晶を形成させるに際して、ＳｉＣ種基板の種結晶にあったマイクロパイプ（ＭＰ）や螺旋転位（ＴＳＤ）の貫通欠陥の伝播を抑制して結晶成長を行うことにより、結晶欠陥の少ないＳｉＣインゴットを形成させ、パワーデバイスの歩留まりを向上させることができるＳｉＣ単結晶の形成方法を提供することを課題とする。
本発明者は、昇華法によるＳｉＣ単結晶の形成に先立って、予め欠陥低減層として、ＳｉＣ種基板の表面に準安定溶媒エピタクシー法（Ｍｅｔａｓｔａｂｌｅ Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＳＥ法）によりＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜を形成させ、その上に昇華法によりＳｉＣ単結晶を形成させることにより、上記の課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＳＥ法）によりＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜を形成させ、その上に昇華法によりＳｉＣ単結晶を形成させることにより、上記の課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
請求項１に記載の発明は、
ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶を形成することを特徴とするＳｉＣ単結晶の形成方法である。
ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶を形成することを特徴とするＳｉＣ単結晶の形成方法である。
請求項１の発明においては、予め欠陥低減層として、ＳｉＣ種基板の表面に所定の条件下で準安定溶媒エピタクシー法により結晶欠陥の少ないＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜を設けているため、ＳｉＣ種基板にあった結晶欠陥が引き継がれることがなく、昇華法により結晶性が高く、かつ結晶欠陥の少ないＳｉＣ単結晶を効率的に形成することができ、ＳｉＣインゴットの品質向上を図ることができる。
即ち、本発明者は、準安定溶媒エピタクシー法により形成されたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜が、ＳｉＣ種基板にあったマイクロパイプ（ＭＰ）や螺旋転位（ＴＳＤ）をほとんど引き継いでいないことに着目し、このＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜を昇華法によりＳｉＣ種基板上にＳｉＣインゴットを形成させるに際して、欠陥低減層として機能させることを考えついた。そして、この欠陥低減層を適切に形成する条件につき検討した。
準安定溶媒エピタクシー法を用いた場合、ＳｉＣ種基板にあったマイクロパイプ（ＭＰ）や螺旋転位（ＴＳＤ）のｃ軸方向への伝播を９０％以上抑制することができる。これは、これらマイクロパイプ（ＭＰ）や螺旋転位（ＴＳＤ）が、エピタキシャル膜の成長初期、元のＳｉＣ種基板とその上に形成されるＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の界面付近において、積層欠陥（ＳＦ）の一種へと変換されるためと推測される。
しかし、上記の準安定溶媒エピタクシー法によるＳｉＣ単結晶の結晶品質の改質は、従来、単に、ＳｉＣインゴットから切断した後の個別基板の直上にデバイス構造を形成する場合に施される手段と考えられており、本発明のように、準安定溶媒エピタクシー法によるＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜を昇華法によるＳｉＣ単結晶形成時の欠陥低減層として機能させ、その上にさらにＳｉＣ単結晶（ＳｉＣインゴット）を形成させることは考えられていなかった。
本発明者の検討によれば、準安定溶媒エピタクシー法を本発明に適用して、欠陥低減層として好ましいＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜を効果的に形成するには、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の成長において、ＳｉＣ基板のＳｉＣ（０００１）面に対する傾角、および成長温度を適切な条件に設定する必要があることが分った。
始めに、ＳｉＣ基板のＳｉＣ（０００１）面に対する傾角（以下、単に「傾角」ともいう）につき説明する。ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の成長において、傾角が０°、即ち、ｃ軸方向と種基板平面とのなす角度が正確に垂直であれば、理論上、上記の貫通欠陥は基底面に沿って基板の外へと掃き出されることになり好ましいが、ＳｉＣ単結晶の難加工性のため正確に傾角０°を保つことは極めて困難である。また、本発明者の検討によれば、若干の傾角、具体的には０．０１°以上の傾角を設けることにより、マイクロパイプ（ＭＰ）や螺旋転位（ＴＳＤ）を積層欠陥（ＳＦ）に変換させたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の成長が行われやすいことが分かった。
一方、傾角が大きくてもＳｉＣ単結晶のエピタキシャル成長上の技術的問題はないが、結晶欠陥の掃き出しのためには、傾角が大きくなるに伴い、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜をより厚くする必要がある。しかし、厚膜のＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜では、問題となる結晶欠陥の存在する領域が多くなるためスループットが低下し、工業的見地からは好ましくない。
具体的には、例えば、１００ｍｍφのＳｉＣ単結晶種基板の場合、傾角１°では２ｍｍ程度の膜厚となるように結晶成長を行えばよい。しかし、傾角が８°を超えると１５ｍｍ程度の膜厚を必要とし前記理由により好ましくない。以上の理由より、本発明における傾角としては、０．０１〜８°であることが好ましい。
次に、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の成長温度につき説明する。本発明者の検討によれば、マイクロパイプ（ＭＰ）の積層欠陥（ＳＦ）への円滑な変換は、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の成長速度に依存することが分かっている。さらに、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の成長速度は、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の成長温度に依存することが分かっている。そして、検討の結果、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の成長温度として、１５００〜２２００℃であることが好ましいことが分かった（請求項２）。１６００〜２０００℃であるとより好ましい。
なお、欠陥低減層として、準安定溶媒エピタクシー法による成膜をＳｉＣ種基板に行った場合、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の表面には高さ０．１〜１μｍ程度の縞状の凹凸が発生する。このため、機械研磨やダイヤモンドラップなどによって表面を研磨しさらにＣＭＰ法（化学的機械研磨法）等による仕上げを施して表面の平坦性を整えておくことが好ましい。
このように、昇華法によるＳｉＣ単結晶の形成に先だって表面の平坦性を整えることにより、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の表面に発生する凹凸の影響のない均一なＳｉＣインゴットを得ることができる。
以上のように、昇華法によるＳｉＣ単結晶の形成に際して、準安定溶媒エピタクシー法により形成されたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜を欠陥低減層として用いることにより、個別基板に対して準安定溶媒エピタクシー法による改質を行うよりも効率的に結晶欠陥が低減されたＳｉＣ単結晶を得ることができる。
本発明によれば、昇華法によりＳｉＣ種基板上にＳｉＣ単結晶を形成させるに際して、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ種基板の種結晶にあったマイクロパイプ（ＭＰ）および螺旋転位の貫通欠陥の伝播が抑制されたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜を欠陥低減層として設けているため、結晶欠陥の少ないＳｉＣ単結晶を効率的に形成させることができる。そして、このようなＳｉＣ単結晶より得られるＳｉＣ基板を用いることによりパワーデバイスの歩留まりを飛躍的に向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態につき説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、以下の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。
１．準安定溶媒エピタクシー法によるＳｉＣ単結晶のエピタキシャル成長
最初に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ基板上にＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる工程につき、図２を用いて具体的に説明する。
最初に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ基板上にＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる工程につき、図２を用いて具体的に説明する。
図２は、準安定溶媒エピタクシー法によるＳｉＣ単結晶の形成方法を説明する概略図である。図２において、１はＳｉＣ種基板、４はルツボ、５はヒーター、６はＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜、７は炭素原子供給基板、８および１０はＳｉ板、９は空間、１１は重石、１２はスペーサー、１３は支持基板である。
最初に、ＳｉＣ種基板１として、ＳｉＣ（０００１）面に対して所定の傾角を有する所定の寸法のＳｉＣ基板を準備する。なお、ＳｉＣ種基板１としては、従来から公知の方法により作製されたＳｉＣインゴットから切断した後の基板を用いることができる。また、市販の単結晶ＳｉＣ基板をＳｉＣ種基板１として用いてもよい。
次に、準備したＳｉＣ種基板１をルツボ４内に配置された支持基板１３上に配置する。そして、ＳｉＣ種基板１の上にスペーサー１２を介してＳｉ板８を配置し、さらにその上に、順に炭素原子供給基板７、Ｓｉ板１０、重石１１を配置する。
上記のように配置することによって、スペーサー１２により、ＳｉＣ種基板１とＳｉ板８との間に空間９が形成される。スペーサー１２の材質、寸法、形状は特に限定されず、適宜決定することができる。
また、炭素原子供給基板７の材質としては、ＳｉＣ種基板１上の空間９に炭素を供給できるものであれば特に限定されず、例えば、単結晶ＳｉＣ基板、多結晶ＳｉＣ基板、炭素基板、ポーラスＳｉＣ基板、焼結ＳｉＣ基板、非晶質ＳｉＣ基板等を用いることができる。なお、予め、炭素原子供給基板７の表面に付着した油類、酸化膜、金属等を洗浄等によって除去しておくことが好ましい。
次に、所定の圧力雰囲気にルツボ４内の圧力を調整し、この圧力状態を保持したまま、ヒーター５により所定のエピタキシャル成長温度まで加熱する。Ｓｉの融点である１４２０℃以上になると、Ｓｉ板８よりＳｉが融解し、空間９内に極薄の融液層が形成される。そして、炭素原子供給基板７からは炭素がＳｉ板８を介して前記Ｓｉ融液層中に拡散し、空間９内の単結晶ＳｉＣ種基板１上に単結晶ＳｉＣがエピタキシャル成長して、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜６が形成される。
そして、所定の厚さまでＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜６を成長させた後、常温まで冷却することにより、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜６が形成されたＳｉＣ種基板１が得られる。なお、準安定溶媒エピタクシー法では、１００μｍ／ｈｒ以上の高速なＳｉＣ単結晶の成長が可能である。
２．昇華法によるＳｉＣインゴットの形成
次に、上記で得られたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜６が形成されたＳｉＣ種基板１上に、昇華法によりＳｉＣインゴットを形成させる工程につき、図１を用いて具体的に説明する。図１は、本発明に係るＳｉＣ単結晶の形成方法の内、昇華法によるＳｉＣ単結晶の形成方法を説明する概略図である。
次に、上記で得られたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜６が形成されたＳｉＣ種基板１上に、昇華法によりＳｉＣインゴットを形成させる工程につき、図１を用いて具体的に説明する。図１は、本発明に係るＳｉＣ単結晶の形成方法の内、昇華法によるＳｉＣ単結晶の形成方法を説明する概略図である。
まず、前記準安定溶媒エピタクシー法により得られたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜６が形成されたＳｉＣ種基板１の表面をＣＭＰ法等によって表面粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以下になるまで平坦化処理した後、粉末状ＳｉＣ３と共にルツボ４内に配置する。
次に、ヒーター５によりルツボ４内を２０００℃以上の高温に加熱すると、粉末状ＳｉＣ３は昇華してＳｉＣ蒸気となる。このＳｉＣ蒸気をＳｉＣ種基板１の上に形成されたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜６の上に再結晶化させることにより結晶成長が行われ、ＳｉＣインゴット２が形成される。そして、形成されたＳｉＣインゴット２を研磨した後、所定の寸法に切断してＳｉＣ単結晶基板が得られる。なお、図１においては、ＳｉＣ種基板１をルツボ４の上方に配置しているため、ＳｉＣ蒸気は、ＳｉＣ種基板１、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜６の下方で再結晶化することになる。
（実施例）
以下に具体的な実施例を挙げて、結晶欠陥の低減につき説明する。
最初に、ＳｉＣ種基板として、ＳｉＣ（０００Τ）面に対して１°の傾角を有する、１００ｍｍφの大きさで厚さ約０．４ｍｍの単結晶ＳｉＣ基板を用意した。そして、この単結晶ＳｉＣ基板中のマイクロパイプ（ＭＰ）、螺旋転位（ＴＳＤ）、刃状転位（ＴＥＤ）、基底面転位（ＢＰＤ）等の欠陥密度を測定した。測定結果を以下に示す。
（ａ）マイクロパイプ（ＭＰ）： １０個／ｃｍ２
（ｂ）螺旋転位（ＴＳＤ） ： １，０００個／ｃｍ２
（ｃ）刃状転位（ＴＥＤ） ：１０，０００個／ｃｍ２
（ｄ）基底面転位（ＢＰＤ） ：１０，０００個／ｃｍ２
以下に具体的な実施例を挙げて、結晶欠陥の低減につき説明する。
最初に、ＳｉＣ種基板として、ＳｉＣ（０００Τ）面に対して１°の傾角を有する、１００ｍｍφの大きさで厚さ約０．４ｍｍの単結晶ＳｉＣ基板を用意した。そして、この単結晶ＳｉＣ基板中のマイクロパイプ（ＭＰ）、螺旋転位（ＴＳＤ）、刃状転位（ＴＥＤ）、基底面転位（ＢＰＤ）等の欠陥密度を測定した。測定結果を以下に示す。
（ａ）マイクロパイプ（ＭＰ）： １０個／ｃｍ２
（ｂ）螺旋転位（ＴＳＤ） ： １，０００個／ｃｍ２
（ｃ）刃状転位（ＴＥＤ） ：１０，０００個／ｃｍ２
（ｄ）基底面転位（ＢＰＤ） ：１０，０００個／ｃｍ２
次に、上記ＳｉＣ種基板を、Ｓｉ板および炭素原子供給基板と共にルツボ内へ配置した後、ルツボ内を１×１０−２Ｐａに減圧し（成長圧力）、エピタキシャル成長温度が１８００℃となるように、ヒーターを用いてルツボ内を加熱して、準安定溶媒エピタクシー法によるＳｉＣ単結晶のエピタキシャル成長を行い、ＳｉＣ種基板上に厚さ５０μｍのＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜を形成させた。
得られたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜中の欠陥密度を測定した。測定結果を以下に示す。
（ａ）マイクロパイプ（ＭＰ）： ＜１個／ｃｍ２
（ｂ）螺旋転位（ＴＳＤ） ： １０個／ｃｍ２
（ｃ）刃状転位（ＴＥＤ） ：１９，５００個／ｃｍ２
（ｄ）基底面転位（ＢＰＤ） ： ５００個／ｃｍ２
（ａ）マイクロパイプ（ＭＰ）： ＜１個／ｃｍ２
（ｂ）螺旋転位（ＴＳＤ） ： １０個／ｃｍ２
（ｃ）刃状転位（ＴＥＤ） ：１９，５００個／ｃｍ２
（ｄ）基底面転位（ＢＰＤ） ： ５００個／ｃｍ２
上記の測定結果より、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜を形成することにより、パワーデバイスに大きな影響を及ぼす各欠陥が低減されていることが分かる。具体的には、マイクロパイプ（ＭＰ）および基底面転位（ＢＰＤ）の密度は、それぞれＳｉＣ種基板よりも９５％低減し、螺旋転位（ＴＳＤ）の密度は９９％低減している。なお、刃状転位（ＴＥＤ）については、逆にＳｉＣ種基板よりも増加しているが、これは基底面転位（ＢＰＤ）が刃状転位（ＴＥＤ）に変換したためと推測される。しかし、この刃状転位（ＴＥＤ）の存在は、パワーデバイスに大きな影響を及ぼすことが少ない。
次に、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜が形成された単結晶ＳｉＣ種基板の表面粗さ（ＲＭＳ）が１ｎｍ以下になるまで、ＣＭＰ法を用いて単結晶ＳｉＣ種基板の平坦化処理した後、粉末状ＳｉＣと共にルツボ内に配置した。
次いで、ヒーターによりルツボ内を２０００℃以上の高温に加熱し、５時間保持した。加熱により、粉末状ＳｉＣは昇華し、昇華したＳｉＣ蒸気がＳｉＣ種基板上に形成されたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜の上で再結晶化して結晶成長し、長さ５０ｍｍのＳｉＣインゴットを得ることができた。
得られたＳｉＣインゴット中の欠陥密度を上記と同様の方法で測定した。測定結果を以下に示す。
（ａ）マイクロパイプ（ＭＰ）： ＜１個／ｃｍ２
（ｂ）螺旋転位（ＴＳＤ） ： １０個／ｃｍ２
（ｃ）刃状転位（ＴＥＤ） ：１９，５００個／ｃｍ２
（ｄ）基底面転位（ＢＰＤ） ： ５００個／ｃｍ２
（ａ）マイクロパイプ（ＭＰ）： ＜１個／ｃｍ２
（ｂ）螺旋転位（ＴＳＤ） ： １０個／ｃｍ２
（ｃ）刃状転位（ＴＥＤ） ：１９，５００個／ｃｍ２
（ｄ）基底面転位（ＢＰＤ） ： ５００個／ｃｍ２
上記の測定結果より、得られたＳｉＣインゴット中の欠陥密度が、ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜中の欠陥密度と同じ値であることが分かる。
以上のように、本発明によれば、ＳｉＣ種基板が有していた結晶欠陥が、欠陥低減層として形成させたＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜により低減されて、ＳｉＣインゴットにほとんど伝播することがないため、パワーデバイスに大きな影響を及ぼす結晶欠陥の非常に少ないＳｉＣインゴットを得ることができ、このようなＳｉＣインゴットから製造される半導体デバイスは、歩留まりを飛躍的に向上させることができ、また半導体デバイスの本来の性能を充分に引き出すことができる。
１ ＳｉＣ種基板
２ ＳｉＣインゴット
３ 粉末状ＳｉＣ
４ ルツボ
５ ヒーター
６ ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜
７ 炭素原子供給基板
８、１０ Ｓｉ板
９ 空間
１１ 重石
１２ スペーサー
１３ 支持基板
２ ＳｉＣインゴット
３ 粉末状ＳｉＣ
４ ルツボ
５ ヒーター
６ ＳｉＣ単結晶エピタキシャル膜
７ 炭素原子供給基板
８、１０ Ｓｉ板
９ 空間
１１ 重石
１２ スペーサー
１３ 支持基板
Claims (2)
- ＳｉＣ（０００１）面に対して０．０１〜８°の傾角を有するＳｉＣ基板上に、準安定溶媒エピタクシー法によりＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させてＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜を形成した後、前記ＳｉＣ単結晶のエピタキシャル膜の上に、昇華法によりＳｉＣ単結晶を形成することを特徴とするＳｉＣ単結晶の形成方法。
- 前記ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる際の温度が、１５００〜２２００℃であることを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣ単結晶の形成方法。
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