JP2014240336A - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 260
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 197
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 197
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 40
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 12
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 10
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 9
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000004060 metabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
【解決手段】所定の回転速度でSiC単結晶20の成長表面を高速回転させつつ、SiC単結晶20の成長速度が増加するか低下するか、凸面成長しているか凹面成長しているかに基づいて、回転速度を制御する。例えば、SiC単結晶20の結晶中心での成長速度が狙い値を中心とした閾範囲の上限値よりも大きければ回転速度を維持もしくは低下させ、閾範囲の下限値よりも小さければ回転速度を上昇させる。このように、SiC単結晶20の成長表面を高速回転させることによって高速成長を可能としつつ、成長速度に応じて回転速度を制御することでSiC単結晶20を凸面成長もしくはフラット成長となるように制御できる。これにより、高品質なSiC単結晶20をさらに高速成長させることが可能となる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
本発明の第1実施形態について説明する。まず、図1を参照して、本実施形態のSiC単結晶の製造方法が適用されるSiC単結晶製造装置(以下、単に結晶製造装置という)について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC単結晶20の成長表面の回転速度の制御方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC単結晶20の製造方法に適用される結晶製造装置1の構成を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1〜第3実施形態に対してSiC単結晶20のSiC原料ガス3aの導入方法を変更したものであり、その他については第1〜第3実施形態と同様であるため、第1〜第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第4実施形態では、加熱容器8を昇温中や降温中の期間にはシャフト11aを回転させないようにしたが、図8に示すように、加熱容器8の昇温中や降温中には、加熱容器8内の温度に比例してシャフト11aの回転速度を変化させるようにしてもよい。このようにしても、SiC原料ガス3aの供給が行われていない期間中のシャフト11aの回転速度を抑えることができるため、第4実施形態と同様の効果を得ることができる。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1〜第4実施形態に対してシャフト11aの回転中心のずれ(芯ぶれ)を抑制できるようにしたものであり、その他については第1〜第4実施形態と同様であるため、第1〜第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態も、第1〜第4実施形態に対してシャフト11aの回転中心のずれ(芯ぶれ)を抑制できるようにしたものであり、その他については第1〜第4実施形態と同様であるため、第1〜第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。例えば、各実施形態に示した結晶製造装置1の構成部品の材質や形状、数などについては、適宜変更可能である。
3a SiC原料ガス
5 種結晶
8 加熱容器
9 台座
11 回転引上機構
14 温度測定部
15 形状観測部
16 制御装置
20 SiC単結晶
30、40 芯ぶれ調整機構
Claims (9)
- 炭化珪素単結晶(20)を成長させる反応室を構成する加熱容器(8)内に台座(9)を配置し、該台座(9)に種結晶(5)を貼り付けると共に、前記加熱容器を通じて炭化珪素の原料ガス(3a)を供給することで、前記加熱容器にて前記原料ガスを加熱分解して前記種結晶の表面に供給し、該種結晶の表面に前記炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記炭化珪素単結晶の成長速度が狙い値を中心とした閾範囲内であるか、その閾範囲の上限値よりも大きいか、もしくは閾範囲の下限値より小さいかを判定し、前記閾範囲内であれば前記回転速度を維持し、前記閾範囲の上限値よりも大きい場合には前記回転速度を維持もしくは低下させ、前記閾範囲の下限値よりも小さい場合には前記回転速度を上昇させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記種結晶の中心を中心軸として、前記台座および前記種結晶を所定の回転速度で回転させつつ、前記種結晶の表面に前記炭化珪素単結晶を成長させ、前記炭化珪素単結晶の成長表面のうちの外周位置となる結晶端よりも該成長表面の中心となる結晶中心の方が凸形状となる凸面成長であるか、前記結晶端よりも前記結晶中心が凹形状となる凹面成長であるかを判定し、前記凸面成長であれば前記回転速度を維持もしくは低下させ、前記凹面成長であれば前記回転速度を上昇させることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶の成長表面の形状を観測し、該成長表面の形状から前記凸面成長であるか前記凹面成長であるかを判定することを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記回転速度を0〜5000rpmの範囲内において制御することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記加熱容器内の温度が前記炭化珪素単結晶を成長させる成長温度に達するまでは、前記回転速度を前記成長温度の際の回転速度よりも低下させることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記台座にシャフト(11a)を接続し、該シャフトを一定トルクで回転させることで前記台座および前記種結晶を回転させると共に、前記シャフトに該シャフトを中心として径方向に延びる支持バー(11c)と該支持バーに対してスライド可能に構成されるウェイト部(11d)とを有するバランスウェイト(11b)を備えて前記シャフトと共に該バランスウェイトも回転させるようにし、前記炭化珪素単結晶が大きくなるに連れて前記ウェイト部のスライド位置を前記シャフトの径方向内方に移動させることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記シャフトに前記台座および前記種結晶の回転の中心軸を調整する芯ぶれ調整機構(30、40)を備えることを特徴とする請求項6に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記芯ぶれ調整機構(30)として、前記シャフトの径方向に延設された通路(32c)内にワイヤ(31)を出し入れさせられる構成とされたものを用い、前記ワイヤの出し入れ量を制御することで、前記台座および前記種結晶の回転の中心軸を調整することを特徴とする請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記芯ぶれ調整機構(30)として、円盤状とされた前記台座の外周面に当接するコロ(42a)を備えたベアリング(42b)を用いると共に、前記シャフトを前記台座側となる第1シャフト(11aa)と前記台座と反対側となる第2シャフト(11ab)に分割し、前記第1シャフトの中心軸を前記第2シャフトの中心軸に対して変位させることで、前記台座および前記種結晶の回転の中心軸を調整することを特徴とする請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013123800A JP6268761B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
PCT/JP2014/002695 WO2014199571A1 (ja) | 2013-06-12 | 2014-05-22 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013123800A JP6268761B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014240336A true JP2014240336A (ja) | 2014-12-25 |
JP6268761B2 JP6268761B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=52021892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013123800A Active JP6268761B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6268761B2 (ja) |
WO (1) | WO2014199571A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2013
- 2013-06-12 JP JP2013123800A patent/JP6268761B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-22 WO PCT/JP2014/002695 patent/WO2014199571A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6268761B2 (ja) | 2018-01-31 |
WO2014199571A1 (ja) | 2014-12-18 |
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