JP2018043903A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 99
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 96
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 10
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
合にはその効果が大きい。なお、必要に応じて縦磁場又はカスプ磁場を発生させる磁場発生装置としてもよいし、必要に応じて磁場発生装置41を用いなくてもよい。
11…第1チャンバ
12…第2チャンバ
13…ガス導入口
14…ガス排出口
21…石英製の坩堝
22…黒鉛製の坩堝
23…支持軸
24…駆動機構
25…ヒータ
26…保温筒
27…熱遮蔽部材
28…ブラケット
31…ワイヤ
32…引上げ機構
41…磁場発生装置
M…シリコン融液
C…シリコン単結晶
S…種結晶
Claims (5)
- チャンバ内に回転及び昇降可能に設けられた石英製の坩堝にシリコン原材料を投入し、
前記坩堝の周囲に設置されたヒータにより前記シリコン原材料を融解し、
垂下した種結晶をシリコン融液に浸漬し、
前記種結晶を引上げてシリコン単結晶を製造するシリコン単結晶の製造方法において、
前記坩堝の底部の中心軸上の厚さが14.5mm以上の坩堝を用いて、酸素濃度が10.5×1017atoms/cm3以下で、且つ直径300mmウェーハ用のシリコン単結晶を製造するシリコン単結晶の製造方法。 - 前記底部の中心軸上の厚さが、29mm以下の坩堝を用いる請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶の結晶固化率に応じて、前記坩堝の単位時間当たりの回転数を増加又は減少させる請求項1又は2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶の結晶固化率が、12.5%以上の少なくとも一部分において、前記坩堝の単位時間当たりの回転数を増加させる請求項3に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶の結晶固化率に応じて、前記チャンバ内に導入する不活性ガスの流量を増加又は減少させる請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016179273A JP6658421B2 (ja) | 2016-09-14 | 2016-09-14 | シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016179273A JP6658421B2 (ja) | 2016-09-14 | 2016-09-14 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018043903A true JP2018043903A (ja) | 2018-03-22 |
JP6658421B2 JP6658421B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=61694296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016179273A Active JP6658421B2 (ja) | 2016-09-14 | 2016-09-14 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6658421B2 (ja) |
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2016
- 2016-09-14 JP JP2016179273A patent/JP6658421B2/ja active Active
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