JPH022284B2 - - Google Patents
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- JPH022284B2 JPH022284B2 JP27521085A JP27521085A JPH022284B2 JP H022284 B2 JPH022284 B2 JP H022284B2 JP 27521085 A JP27521085 A JP 27521085A JP 27521085 A JP27521085 A JP 27521085A JP H022284 B2 JPH022284 B2 JP H022284B2
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- Japan
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- substrate
- boron nitride
- pbn
- pyrostick
- ring
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、基板加熱ホルダに於いて、基板をボ
ロン・ナイトライドからなるリングで挟持するよ
うにし、また、基板の裏面にボロン・ナイトライ
ドからなる均熱板を配設することに依り、Inソル
ダなどを用いずに、基板を損傷することなく保持
できるようにし、且つ、均一に加熱できるように
したものである。
ロン・ナイトライドからなるリングで挟持するよ
うにし、また、基板の裏面にボロン・ナイトライ
ドからなる均熱板を配設することに依り、Inソル
ダなどを用いずに、基板を損傷することなく保持
できるようにし、且つ、均一に加熱できるように
したものである。
本発明は、例えば化合物半導体層を成長させる
分子線エピタキシヤル成長（molecular beam
epitaxy：MBE）装置に用いて好適な基板加熱ホ
ルダに関する。
分子線エピタキシヤル成長（molecular beam
epitaxy：MBE）装置に用いて好適な基板加熱ホ
ルダに関する。
第３図は従来のMBE装置に於ける基板加熱ホ
ルダの近傍を表す要部切断側面図である。
ルダの近傍を表す要部切断側面図である。
図に於いて、１は高融点金属例えばモリブデン
からなるブロツク、２はヒータ、３は熱電対、４
はGaAs基板、５はInソルダをそれぞれ示してい
る。
からなるブロツク、２はヒータ、３は熱電対、４
はGaAs基板、５はInソルダをそれぞれ示してい
る。
このように、GaAs基板４ははInソルダを介し
てモリブデン・ブロツク１に貼付して保持し、且
つ、ヒータ２で加熱するようになつている。
てモリブデン・ブロツク１に貼付して保持し、且
つ、ヒータ２で加熱するようになつている。
また、図示していないが、基板の裏面に高融点
金属、例えばTiを蒸着し、ヒータから直接加熱
することも行われている。
金属、例えばTiを蒸着し、ヒータから直接加熱
することも行われている。
第３図に関して説明した従来技術を採用した場
合、Inソルダ５がGaAs基板４を浸食し、その裏
面が合金化される為、後のウエハ・プロセスに悪
影響を及ぼすので、裏面研磨を行つて除去する必
要があり、また、GaAs基板４をモリブデン・ブ
ロツク１に貼付する工程は煩雑である。
合、Inソルダ５がGaAs基板４を浸食し、その裏
面が合金化される為、後のウエハ・プロセスに悪
影響を及ぼすので、裏面研磨を行つて除去する必
要があり、また、GaAs基板４をモリブデン・ブ
ロツク１に貼付する工程は煩雑である。
また、基板の裏面に高融点金属を蒸着する方法
は、その工程自体が煩雑であると共に基板表面を
も汚染する可能性が大きい旨の欠点がある。
は、その工程自体が煩雑であると共に基板表面を
も汚染する可能性が大きい旨の欠点がある。
本発明は、基板の裏面にソルダや高融点金属を
被着させることなく、そのままの状態で真空中に
保持し、均一に加熱することができるようにする
ものである。
被着させることなく、そのままの状態で真空中に
保持し、均一に加熱することができるようにする
ものである。
本発明者は、化合物半導体基板を機械的に保持
できるように、また、均一に加熱することができ
るようにする為、化合物半導体基板の保持材料に
ついて種々検討及び実験を試みた結果、パイロス
テイツク・ボロン・ナイトライド（焼結された窒
化ボロン：PBN）が最適の特性を持つことが判
明した。
できるように、また、均一に加熱することができ
るようにする為、化合物半導体基板の保持材料に
ついて種々検討及び実験を試みた結果、パイロス
テイツク・ボロン・ナイトライド（焼結された窒
化ボロン：PBN）が最適の特性を持つことが判
明した。
即ち、PBNの特徴は、
(1) 硬度が小さく、化合物半導体と接触させても
機械的な傷が付き難いこと。
機械的な傷が付き難いこと。
(2) 層状に成長している材料であるから、面に対
して垂直方向には熱伝導率が低く、水平方向に
はそれが高いこと。
して垂直方向には熱伝導率が低く、水平方向に
はそれが高いこと。
である。
そこで、本発明の基板加熱ホルダに於いては、
基板（例えばGaAs基板４）の周辺部分に於ける
表裏に当接されるPBNからなるリング（例えば
PBNリング６）と、前記基板を前記PBN製のリ
ングを介して挟持する高融点金属からなるブロツ
ク（例えばモリブデン・ブロツク８）とを備え、
更には、前記基板の裏面に配設されたPBNから
なる均熱板（例えばPBN均熱板７）を備えてい
る。
基板（例えばGaAs基板４）の周辺部分に於ける
表裏に当接されるPBNからなるリング（例えば
PBNリング６）と、前記基板を前記PBN製のリ
ングを介して挟持する高融点金属からなるブロツ
ク（例えばモリブデン・ブロツク８）とを備え、
更には、前記基板の裏面に配設されたPBNから
なる均熱板（例えばPBN均熱板７）を備えてい
る。
前記手段を採ることに依り、基板はInソルダな
どを用いることなくMBE装置に於ける真空中に
保持することができ、しかも、基板が損傷される
ことはなく、また、その保持した点から熱が伝達
されることも少なく、そして、基板は全面に亙り
均一に加熱される。
どを用いることなくMBE装置に於ける真空中に
保持することができ、しかも、基板が損傷される
ことはなく、また、その保持した点から熱が伝達
されることも少なく、そして、基板は全面に亙り
均一に加熱される。
第１図は本発明一実施例を表す要部切断側面図
であり、第３図に於いて用いた記号と同記号は同
部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
であり、第３図に於いて用いた記号と同記号は同
部分を示すか或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、６はPBNリング、７はPBN均熱
板、８はモリブデン・ブロツクをそれぞれ示して
いる。
板、８はモリブデン・ブロツクをそれぞれ示して
いる。
図示例では、化合物半導体基板として直径約５
〔cm〕（２吋）のGaAs基板４を用い、これを外径
50〔mm〕φ、内径48〔mm〕φのPBNリング６で挟
み込み、その裏面には50〔mm〕φのPBN均熱板７
を配設し、これ等をモリブデン・ブロツク８で挟
持している。
〔cm〕（２吋）のGaAs基板４を用い、これを外径
50〔mm〕φ、内径48〔mm〕φのPBNリング６で挟
み込み、その裏面には50〔mm〕φのPBN均熱板７
を配設し、これ等をモリブデン・ブロツク８で挟
持している。
この基板加熱ホルダをMBE装置内に配設し、
PBN均熱板７の裏面からヒータ２で加熱するこ
とに依り、GaAs基板４の昇温を行つた。
PBN均熱板７の裏面からヒータ２で加熱するこ
とに依り、GaAs基板４の昇温を行つた。
第２図は第１図に見られる実施例に於ける
GaAs基板４の面内温度分布を表す線図である。
GaAs基板４の面内温度分布を表す線図である。
図では、横軸に基板中心（０）からの距離を、
また、縦軸を基板温度をそれぞれ採つてある。
また、縦軸を基板温度をそれぞれ採つてある。
この面内温度分布は、GaAs基板４の表面一部
に耐熱塗料（幅射係数≒１）を塗布し、その表面
を放射温度計（パイロ・メータ）で測定して得た
ものである。
に耐熱塗料（幅射係数≒１）を塗布し、その表面
を放射温度計（パイロ・メータ）で測定して得た
ものである。
図に於ける特性線は、基板温度が650〔℃〕であ
る場合の５〔cm〕（２吋）GaAs基板の面内温度分
布を表わすもので、基板面内約40〔mm〕φに於い
て、温度ずれΔT≦10〔℃〕の略均一な温度分布
が得られた。
る場合の５〔cm〕（２吋）GaAs基板の面内温度分
布を表わすもので、基板面内約40〔mm〕φに於い
て、温度ずれΔT≦10〔℃〕の略均一な温度分布
が得られた。
本実施例に依ると、GaAs基板４を、PBNリン
グに依り、柔軟に挟み込むことができる為、温度
の上昇或いは下降に基づくGaAs基板４への熱
的・機械的ストレスが加わり難く、また、結晶成
長中にはGaAs基板４を回転させるので、GaAs
基板４とPBNリング６は擦れていると思われる
が、GaAs基板４の周辺部分には傷は全く入つて
いなかつた。また、GaAs基板４の裏面も、Asの
脱離に依る面荒れは全く発生していなかつた。
グに依り、柔軟に挟み込むことができる為、温度
の上昇或いは下降に基づくGaAs基板４への熱
的・機械的ストレスが加わり難く、また、結晶成
長中にはGaAs基板４を回転させるので、GaAs
基板４とPBNリング６は擦れていると思われる
が、GaAs基板４の周辺部分には傷は全く入つて
いなかつた。また、GaAs基板４の裏面も、Asの
脱離に依る面荒れは全く発生していなかつた。
本発明に依る基板加熱ホルダでは、基板の周辺
部分の表裏にPBNからなるリングを当接し、そ
の部分を高融点金属のブロツクで挟持するように
したり、また、前記基板の裏面にはPBNからな
る均熱板を配設した構成を採つている。
部分の表裏にPBNからなるリングを当接し、そ
の部分を高融点金属のブロツクで挟持するように
したり、また、前記基板の裏面にはPBNからな
る均熱板を配設した構成を採つている。
この構成に依ると、PBNリングが機械的及び
熱的なスペーサとなり、Inソルダを介してブロツ
クに貼付するなどの手段をとらなくても基板を
MBE装置内の真空中に保持することができ、し
かも、基板に損傷を与えることがなく、そして、
その保持点から熱が伝播して局部的な温度上昇を
生ずることも少ない。そして、PBN均熱板は基
板全面を均一に加熱するのに極めて有効に作用す
る。
熱的なスペーサとなり、Inソルダを介してブロツ
クに貼付するなどの手段をとらなくても基板を
MBE装置内の真空中に保持することができ、し
かも、基板に損傷を与えることがなく、そして、
その保持点から熱が伝播して局部的な温度上昇を
生ずることも少ない。そして、PBN均熱板は基
板全面を均一に加熱するのに極めて有効に作用す
る。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第
２図は基板面内温度分布を説明する為の線図、第
３図は従来例の要部切断側面図をそれぞれ表して
いる。 図に於いて、２はヒータ、３は熱電対、４は基
板、６はPBNリング、７はPBN均熱板、８はモ
リブデン・ブロツクをそれぞれ示している。
２図は基板面内温度分布を説明する為の線図、第
３図は従来例の要部切断側面図をそれぞれ表して
いる。 図に於いて、２はヒータ、３は熱電対、４は基
板、６はPBNリング、７はPBN均熱板、８はモ
リブデン・ブロツクをそれぞれ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板の周辺部分に於ける表裏に当接されるパ
イロステイツク・ボロン・ナイトライドからなる
リングと、 前記基板を前記パイロステイツク・ボロン・ナ
イトライド製のリングを介して挟持する高融点金
属からなるブロツクと を備えてなることを特徴とする基板加熱ホルダ。 ２ 基板の周辺部分に於ける表裏に当接されるパ
イロステイツク・ボロン・ナイトライドからなる
リングと、 前記基板を前記パイロステイツク・ボロン・ナ
イトライド製のリングを介して挟持する高融点金
属からなるブロツクと、 前記基板の裏面に配設されたパイロステイツ
ク・ボロン・ナイトライドからなる均熱板とを備
えてなることを特徴とする基板加熱ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27521085A JPS62134924A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 基板加熱ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27521085A JPS62134924A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 基板加熱ホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134924A JPS62134924A (ja) | 1987-06-18 |
| JPH022284B2 true JPH022284B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=17552226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27521085A Granted JPS62134924A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 基板加熱ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62134924A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0227228A3 (en) * | 1985-12-19 | 1990-01-10 | Litton Systems, Inc. | Substrate holder for wafers during mbe growth |
| JP3283459B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2002-05-20 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理用の基板保持装置 |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP27521085A patent/JPS62134924A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62134924A (ja) | 1987-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |