JPS61263212A - 分子線エピタキシ用基板ホルダ - Google Patents
分子線エピタキシ用基板ホルダInfo
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- JPS61263212A JPS61263212A JP10406485A JP10406485A JPS61263212A JP S61263212 A JPS61263212 A JP S61263212A JP 10406485 A JP10406485 A JP 10406485A JP 10406485 A JP10406485 A JP 10406485A JP S61263212 A JPS61263212 A JP S61263212A
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- Japan
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- substrate holder
- gaas
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は分子線エピタキシャル成長用基板ホルダとくに
上記基板ホルダに搭載された基板の表面温度を制御して
基板上に高純度のエピタキシャル結晶薄膜を成長させる
のに好適な基板ホルダに関するものである。
上記基板ホルダに搭載された基板の表面温度を制御して
基板上に高純度のエピタキシャル結晶薄膜を成長させる
のに好適な基板ホルダに関するものである。
超高真空に保たれた成長室内で、加熱された単結晶基板
に複数の分子線を照射し、基板上に単結晶薄膜を成長さ
せる分子線エピタキシ法は公知であり、これに用いる分
子線エピタキシャル成長装置では、成長室の超高真空を
破ることなく成長室への基板の出入れを行なうためのロ
ードロック機構と、成長層の膜厚均一性を向上させるた
めの基板回転機構を備えたものが一般的である。つまり
第５図に示すように、タングステンヒータ１、多層のタ
ンタル熱シールド２、熱電対３および基板装着用カギ形
溝４を具備する基板加熱回転機構５に、基板６をマウン
トした基板ホルダ７をピン１４をカギ溝４にはめ込んで
装着する，そして基板加熱時の温度測定は熱電対３を用
いて行なうが，成長中に基板回転つまり基板ホルダの回
転を行なうので基板ホルダ７の裏面近傍の温度を非接触
で測定するため、成長室の外から光高温計などを用いて
基板表面温度を測定し、熱電対の指示温度を校正する必
要があった。
に複数の分子線を照射し、基板上に単結晶薄膜を成長さ
せる分子線エピタキシ法は公知であり、これに用いる分
子線エピタキシャル成長装置では、成長室の超高真空を
破ることなく成長室への基板の出入れを行なうためのロ
ードロック機構と、成長層の膜厚均一性を向上させるた
めの基板回転機構を備えたものが一般的である。つまり
第５図に示すように、タングステンヒータ１、多層のタ
ンタル熱シールド２、熱電対３および基板装着用カギ形
溝４を具備する基板加熱回転機構５に、基板６をマウン
トした基板ホルダ７をピン１４をカギ溝４にはめ込んで
装着する，そして基板加熱時の温度測定は熱電対３を用
いて行なうが，成長中に基板回転つまり基板ホルダの回
転を行なうので基板ホルダ７の裏面近傍の温度を非接触
で測定するため、成長室の外から光高温計などを用いて
基板表面温度を測定し、熱電対の指示温度を校正する必
要があった。
また、高品質の結晶を成長させめためには基板の加熱温
度の最適化が必要であり、このためには基板温度の面内
均一性を向上させることが必要である。この目的から発
明された従来の基板ホルダ構造および基板ホルダへの基
板のマウント法は、例えば特開昭５７−３０３２０号公
報に示されているように、（１） Ｉ ｎソルダを用い
て基板ホルダにＧ ａ Ａ ｓ基板を貼付け、基板ホル
ダからの熱伝導でＧａＡｓ基板を加熱する方法、（２）
タンモル押え板を用いて基板ホルダにＧａＡｓ基板をネ
ジで固定し、加熱ヒータとＧ ａ Ａ ｓ基板の間に厚
さ１〜２膿のタンタル加熱板を設け、加熱ヒータで加熱
された加熱板からの熱放射によってＧ ａ Ａ ｓ基板
の均一な加熱を行う方法等が知られている。
度の最適化が必要であり、このためには基板温度の面内
均一性を向上させることが必要である。この目的から発
明された従来の基板ホルダ構造および基板ホルダへの基
板のマウント法は、例えば特開昭５７−３０３２０号公
報に示されているように、（１） Ｉ ｎソルダを用い
て基板ホルダにＧ ａ Ａ ｓ基板を貼付け、基板ホル
ダからの熱伝導でＧａＡｓ基板を加熱する方法、（２）
タンモル押え板を用いて基板ホルダにＧａＡｓ基板をネ
ジで固定し、加熱ヒータとＧ ａ Ａ ｓ基板の間に厚
さ１〜２膿のタンタル加熱板を設け、加熱ヒータで加熱
された加熱板からの熱放射によってＧ ａ Ａ ｓ基板
の均一な加熱を行う方法等が知られている。
これらの方法は何れも面内均一性の良い基板加熱を行え
るものではあるが、基板表面温度と熱電対の指示温度と
の差が成長時間の経過とともに急激に変化するため、基
板表面温度を一定に制御することが困難であった。即ち
、従来の基板ホルダにおいては一般にＭＯ製のものが使
用され、かつ第６図（ａ）（ｂ）に示す如く基板６の面
積Ｓ工よりもＳ２だけ面積の広い基板マウント面を有す
る基板ホルダ７が使用されている。上記の面積Ｓ２は基
板６の面内における温度分布の均一性を考慮して決定さ
れている。また前記第５図に示すような状態で基板６の
加熱を行った場合の放熱は、近似的に基板６の面積Ｓ１
からの放熱と、その周囲の面積Ｓ２からの放熱を考慮す
れば十分である。そこで直径６４■のＭＯ製の基板ホル
ダ７の中央に直径５０ｍのＧ ａ Ａ ｓ基板６をＩｎ
ソルダでマウントして（この場合の基板６の面積Ｓ１は
１９．６ａＪ、面積Ｓ２は１２．５ｄである。）第５図
に示す状態で基板６の加熱を行なった。なおこの場合熱
電対３の温度指示Ｔ ｓａｔが一定になるように加熱温
度を制御してＧ ａ Ａ ｓ基板６の表面温度Ｔｓを成
長室の外からビューポートを通して赤外線温度計を用い
て測定した。その結果第７図に示すようにＧ ａ Ａ
ｓの成長時間とともに基板６の表面温度Ｔｓが一２０％
程度変化した。
るものではあるが、基板表面温度と熱電対の指示温度と
の差が成長時間の経過とともに急激に変化するため、基
板表面温度を一定に制御することが困難であった。即ち
、従来の基板ホルダにおいては一般にＭＯ製のものが使
用され、かつ第６図（ａ）（ｂ）に示す如く基板６の面
積Ｓ工よりもＳ２だけ面積の広い基板マウント面を有す
る基板ホルダ７が使用されている。上記の面積Ｓ２は基
板６の面内における温度分布の均一性を考慮して決定さ
れている。また前記第５図に示すような状態で基板６の
加熱を行った場合の放熱は、近似的に基板６の面積Ｓ１
からの放熱と、その周囲の面積Ｓ２からの放熱を考慮す
れば十分である。そこで直径６４■のＭＯ製の基板ホル
ダ７の中央に直径５０ｍのＧ ａ Ａ ｓ基板６をＩｎ
ソルダでマウントして（この場合の基板６の面積Ｓ１は
１９．６ａＪ、面積Ｓ２は１２．５ｄである。）第５図
に示す状態で基板６の加熱を行なった。なおこの場合熱
電対３の温度指示Ｔ ｓａｔが一定になるように加熱温
度を制御してＧ ａ Ａ ｓ基板６の表面温度Ｔｓを成
長室の外からビューポートを通して赤外線温度計を用い
て測定した。その結果第７図に示すようにＧ ａ Ａ
ｓの成長時間とともに基板６の表面温度Ｔｓが一２０％
程度変化した。
また上記の場合と同一の基板ホルダ７上に直径２５Ｉの
ＧａＡｓ基板６をＩｎソルダでマウントしくこの場合の
基板６の面積Ｓ１は９．９ｃｄ、面積Ｓ、は２２゜２ｄ
である。）上記と同様な実験を行なった結果、Ｇ ａ
Ａ ｓ基板６の表面温度Ｔｓ’は一３７％程度変化した
。これらの実験結果は熱電対３の指示温度Ｔ ｓｅｔを
６００℃、ＧａＡｓの結晶の成長速度を１μｍ／ｈとし
た場合であったが、上記の熱電対３の指示温度Ｔｓｅｔ
を５００〜７５００にした場合も同様な結果が得られた
。さらにＧａＡｓ結晶の成長速度を１μｍ／ｈ以下にす
ると、上記ＧａＡｓ基板６の表面温度Ｔｓが一定になる
までの時間が延び、ＧａＡｓ結晶の成長速度を１μｍ／
ｈ以上にすると、Ｇ ａ Ａ ｓ基板６の表面温度Ｔｓ
が一定になるまでの時間が短かくなる傾向を示した。つ
ぎに上記Ｇ ａ Ａ ｓ基板６の面積Ｓ工およびその周
囲の面積Ｓ２における各結晶の成長前と、成長中の放熱
について実験を行なった。その結果上記ＧａＡｓ基板６
の面積Ｓ１からの放熱は結晶の成長前も成長中も上記Ｇ
ａＡｓ基板６の放射率（０，４）に依存していた。これ
に対して周囲の面積Ｓ２からの放熱は結晶の成長前では
基板ホルダ７の材質であるＭＯの放射率（約０．３）に
依存していたが、結晶の成長中では、この周囲の面積Ｓ
２上に多結晶のＧ ａ Ａ ｓが堆積するため、放射率
が変化した。このように従来の基板ホルダ７においては
、たとえ熱電対３の指示温度Ｔｓｅｔを一定になるよう
に制御したとしても、基板６の表面温度Ｔｓが大幅に変
化するため、基板６の表面温度Ｔｓを一定にすることが
困難であった。
ＧａＡｓ基板６をＩｎソルダでマウントしくこの場合の
基板６の面積Ｓ１は９．９ｃｄ、面積Ｓ、は２２゜２ｄ
である。）上記と同様な実験を行なった結果、Ｇ ａ
Ａ ｓ基板６の表面温度Ｔｓ’は一３７％程度変化した
。これらの実験結果は熱電対３の指示温度Ｔ ｓｅｔを
６００℃、ＧａＡｓの結晶の成長速度を１μｍ／ｈとし
た場合であったが、上記の熱電対３の指示温度Ｔｓｅｔ
を５００〜７５００にした場合も同様な結果が得られた
。さらにＧａＡｓ結晶の成長速度を１μｍ／ｈ以下にす
ると、上記ＧａＡｓ基板６の表面温度Ｔｓが一定になる
までの時間が延び、ＧａＡｓ結晶の成長速度を１μｍ／
ｈ以上にすると、Ｇ ａ Ａ ｓ基板６の表面温度Ｔｓ
が一定になるまでの時間が短かくなる傾向を示した。つ
ぎに上記Ｇ ａ Ａ ｓ基板６の面積Ｓ工およびその周
囲の面積Ｓ２における各結晶の成長前と、成長中の放熱
について実験を行なった。その結果上記ＧａＡｓ基板６
の面積Ｓ１からの放熱は結晶の成長前も成長中も上記Ｇ
ａＡｓ基板６の放射率（０，４）に依存していた。これ
に対して周囲の面積Ｓ２からの放熱は結晶の成長前では
基板ホルダ７の材質であるＭＯの放射率（約０．３）に
依存していたが、結晶の成長中では、この周囲の面積Ｓ
２上に多結晶のＧ ａ Ａ ｓが堆積するため、放射率
が変化した。このように従来の基板ホルダ７においては
、たとえ熱電対３の指示温度Ｔｓｅｔを一定になるよう
に制御したとしても、基板６の表面温度Ｔｓが大幅に変
化するため、基板６の表面温度Ｔｓを一定にすることが
困難であった。
本発明は上記に述べた従来の基板ホルダにおける問題点
を解決し、基板の表面温度を高精度に制御してＧ ａ
Ａ ｓ等の高品質なエピタキシャル結晶を成長可能にし
た分子線エピタキシャル成長用基板ホルダを提供するこ
とにある。
を解決し、基板の表面温度を高精度に制御してＧ ａ
Ａ ｓ等の高品質なエピタキシャル結晶を成長可能にし
た分子線エピタキシャル成長用基板ホルダを提供するこ
とにある。
本発明は上記に述べた目的を達成するため発明したもの
で、その原理は、第１図（ａ）（ｂ）に示す如く、基板
ホルダ７の表面の基板６の周囲面積８２部分における基
板加熱時の放熱を制御し同時に基板６上への結晶成長中
に上記周囲面積８２部分に多結晶のＧ ａ Ａ ｓが堆
積するのを防止するため、上記周囲面積Ｓ２を覆う如く
基板ホルダ７に支持された蒸着防止カバ８を設けたこと
を特徴とするものである。本願発明者は、この原理に基
づいて種々の基板ホルダの試作検討を行なった結果、第
１図に示す熱電対３の指示温度Ｔ ｓｅｔを一定に制御
することにより基板６の表面温度Ｔｓを第２図に示す如
く一定にすることができた。なお、従来の基板ホルダを
用いた場合でも結晶の成長開始後にヒータへの供給電力
を増加することによって基板の表面温度が一定になるよ
うに直接制御するとは可能である。しかるにこの場合に
は、基板ホルダの裏面の温度（熱電対の指示温度Ｔｓｅ
ｔ）が上昇するので、基板ホルダおよび基板を加熱しつ
つ回転させる機構からのガスの放出量が増加して成長膜
に不純物が混入する問題が発生し、これによって高純度
の結晶が得られなくなる。
で、その原理は、第１図（ａ）（ｂ）に示す如く、基板
ホルダ７の表面の基板６の周囲面積８２部分における基
板加熱時の放熱を制御し同時に基板６上への結晶成長中
に上記周囲面積８２部分に多結晶のＧ ａ Ａ ｓが堆
積するのを防止するため、上記周囲面積Ｓ２を覆う如く
基板ホルダ７に支持された蒸着防止カバ８を設けたこと
を特徴とするものである。本願発明者は、この原理に基
づいて種々の基板ホルダの試作検討を行なった結果、第
１図に示す熱電対３の指示温度Ｔ ｓｅｔを一定に制御
することにより基板６の表面温度Ｔｓを第２図に示す如
く一定にすることができた。なお、従来の基板ホルダを
用いた場合でも結晶の成長開始後にヒータへの供給電力
を増加することによって基板の表面温度が一定になるよ
うに直接制御するとは可能である。しかるにこの場合に
は、基板ホルダの裏面の温度（熱電対の指示温度Ｔｓｅ
ｔ）が上昇するので、基板ホルダおよび基板を加熱しつ
つ回転させる機構からのガスの放出量が増加して成長膜
に不純物が混入する問題が発生し、これによって高純度
の結晶が得られなくなる。
第３図（ａ）（ｂ）に示す基板ホルダ７は、外形寸法が
一様でない基板６あるいは大口径の基板を割って使用す
る場合に好都合である。直径６４ａｍのＭＯ製基板ホル
ダ７のほぼ中央部に任意の形状をしたＧ ａ Ａ ｓ基
板６をＩｎソルダでマウントし、その上に角形の窓９の
あいたＴａ製蒸着防止カバ８をネジｉｏで基板ホルダ７
に固定し、前記第５図に示すような状態で基板加熱を行
なった結果、第２図に示すように、ＧａＡｓ成長開始後
のＧ ａ Ａ ｓ基板表面の温度変化は一１％以内であ
った。
一様でない基板６あるいは大口径の基板を割って使用す
る場合に好都合である。直径６４ａｍのＭＯ製基板ホル
ダ７のほぼ中央部に任意の形状をしたＧ ａ Ａ ｓ基
板６をＩｎソルダでマウントし、その上に角形の窓９の
あいたＴａ製蒸着防止カバ８をネジｉｏで基板ホルダ７
に固定し、前記第５図に示すような状態で基板加熱を行
なった結果、第２図に示すように、ＧａＡｓ成長開始後
のＧ ａ Ａ ｓ基板表面の温度変化は一１％以内であ
った。
第４図（ａＨｂ）に示す基板ホルダ７は、外形寸法が一
定の基板６を用いる場合に有効である。直径６４０１１
１のＭＯ製基板ホルダ７に設けた溝１１に直径５０Ｉの
ＧａＡｓ基板６を乗せ、その上に直径４０ｍの円状の孔
１２のあいたＴａ製蒸着防止カバ８を基板ホルダ７に設
けた溝１３にはめ込んで固定すると同時にＧａＡｓ基板
６も蒸着防止カバ８で固定し、第５図に示すような状態
で基板加熱を行なった結果、Ｇ ａ Ａ ｓ成長開始後
のＧ ａ Ａ ｓ基板表面の温度変化は一１％以内であ
った。また基板表面温度Ｔｓの面内分布は、第４図の基
板ホルダの場合に±０．５％が得られ、従来の基板ホル
ダを用いた場合と同等であった。
定の基板６を用いる場合に有効である。直径６４０１１
１のＭＯ製基板ホルダ７に設けた溝１１に直径５０Ｉの
ＧａＡｓ基板６を乗せ、その上に直径４０ｍの円状の孔
１２のあいたＴａ製蒸着防止カバ８を基板ホルダ７に設
けた溝１３にはめ込んで固定すると同時にＧａＡｓ基板
６も蒸着防止カバ８で固定し、第５図に示すような状態
で基板加熱を行なった結果、Ｇ ａ Ａ ｓ成長開始後
のＧ ａ Ａ ｓ基板表面の温度変化は一１％以内であ
った。また基板表面温度Ｔｓの面内分布は、第４図の基
板ホルダの場合に±０．５％が得られ、従来の基板ホル
ダを用いた場合と同等であった。
また、Ｃｒ−○ドープ（１００）ＧａＡｓ基板の上にア
ンドープＧ ａ Ａ ｓ層を１μｍ成長し、その上にＳ
１ドープＧａＡｓ（キャリア濃度Ｉ Ｘ１０１４（！１
−３）を１０μｍ成長した試料について移動度の温度依
存性からアクセプタ濃度を求めた結果、従来の基板ホル
ダを用いた場合にはアクセプタ濃度が１０”ｍ−’台で
あったのに対し、本発明による基板ホルダを使用した場
合には１０”ｃｍ−’台の高純度のＧａＡｓ結晶を得た
。
ンドープＧ ａ Ａ ｓ層を１μｍ成長し、その上にＳ
１ドープＧａＡｓ（キャリア濃度Ｉ Ｘ１０１４（！１
−３）を１０μｍ成長した試料について移動度の温度依
存性からアクセプタ濃度を求めた結果、従来の基板ホル
ダを用いた場合にはアクセプタ濃度が１０”ｍ−’台で
あったのに対し、本発明による基板ホルダを使用した場
合には１０”ｃｍ−’台の高純度のＧａＡｓ結晶を得た
。
なお当然のことではあるが、本発明はここに示した実施
例あるいは使用材質等に制御されるものではなく、また
ＧａＡｓ以外の物質の場合にも適用できるものである。
例あるいは使用材質等に制御されるものではなく、また
ＧａＡｓ以外の物質の場合にも適用できるものである。
以上述べたように、本発明による基板ホルダを用いるこ
とにより、以下の効果が得られることは明白である。
とにより、以下の効果が得られることは明白である。
蒸着防止カバを設けた結果により基板ホルダにマウント
したＧ ａ Ａ ｓ基板上にだけＧ ａ Ａ ｓが成長
するため、基板加熱温度を一定に制御することによって
、成長中のＧ ａ Ａ ｓ基板表面の温度を実用上問題
とならない１％以内の精度で制御することができる。
したＧ ａ Ａ ｓ基板上にだけＧ ａ Ａ ｓが成長
するため、基板加熱温度を一定に制御することによって
、成長中のＧ ａ Ａ ｓ基板表面の温度を実用上問題
とならない１％以内の精度で制御することができる。
また、成長中に基板ホルダからの放熱が一定に保たれる
ため、従来の基板ホルダの場合のようにＧ ａ Ａ ｓ
基板表面の温度を一定に制御するために供給電力を増大
させる必要がないので、成長中に放出ガスの量が増加す
ることがなくなり、この結果、高純度のＧ ａ Ａ ｓ
を成長させることができる。
ため、従来の基板ホルダの場合のようにＧ ａ Ａ ｓ
基板表面の温度を一定に制御するために供給電力を増大
させる必要がないので、成長中に放出ガスの量が増加す
ることがなくなり、この結果、高純度のＧ ａ Ａ ｓ
を成長させることができる。
さらに蒸着防止カバを用いてＧａＡｓ基板を固定するこ
とができるため、基板マウントの作業性も向上する。
とができるため、基板マウントの作業性も向上する。
第１図は本発明の詳細な説明するための基板ホルダの概
略図にして（ａ）はその正面図、（ｂ）はその断面側面
図、第２図は本発明による基板ホルダを使用した場合の
温度変化を示す図、第３図は本発明の一実施例を示す基
板ホルダの（ａ）はその正面図、（ｂ）は断面側面図、
第４図は本発明の他の一実施例を示す基板ホルダの（ａ
）はその正面図、（ｂ）はその断面側面図、第５図は従
来の基板加熱回転機構を示す一部断面側面図、第６図は
従来の基板ホルダを示しくａ）はその正面図、（ｂ）は
その側面図、第７図は従来の基板ホルダを使用した場合
の温度変化を示す図である。 ３・・・熱電対、５・・・基板加熱回転機構、６・・・
基板、７・・・基板ホルダ、８・・・蒸着防止カバ。 代理人弁理士 秋 本 正 実弟 ｌ 図 （α） （ｂ〕 第２図 成長時開Ｃｈｒ） ハ埋人献木り笑 第 Ｊ 図
略図にして（ａ）はその正面図、（ｂ）はその断面側面
図、第２図は本発明による基板ホルダを使用した場合の
温度変化を示す図、第３図は本発明の一実施例を示す基
板ホルダの（ａ）はその正面図、（ｂ）は断面側面図、
第４図は本発明の他の一実施例を示す基板ホルダの（ａ
）はその正面図、（ｂ）はその断面側面図、第５図は従
来の基板加熱回転機構を示す一部断面側面図、第６図は
従来の基板ホルダを示しくａ）はその正面図、（ｂ）は
その側面図、第７図は従来の基板ホルダを使用した場合
の温度変化を示す図である。 ３・・・熱電対、５・・・基板加熱回転機構、６・・・
基板、７・・・基板ホルダ、８・・・蒸着防止カバ。 代理人弁理士 秋 本 正 実弟 ｌ 図 （α） （ｂ〕 第２図 成長時開Ｃｈｒ） ハ埋人献木り笑 第 Ｊ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分子線エピタキシ用基板ホルダにおいて、上記基板
ホルダに、基板上のみ結晶を成長させるため、上記基板
ホルダの基板周囲部分を覆う如く蒸着防止カバを設けた
ことを特徴とする分子線エピタキシ用基板ホルダ。 ２、前記蒸着防止カバにて基板を基板ホルダに固定する
ように構成したことを特徴とする前記特許請求の範囲第
１項記載の分子線エピタキシ用基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10406485A JPS61263212A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 分子線エピタキシ用基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10406485A JPS61263212A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 分子線エピタキシ用基板ホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263212A true JPS61263212A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=14370737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10406485A Pending JPS61263212A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 分子線エピタキシ用基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263212A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769952A (en) * | 1994-06-07 | 1998-06-23 | Tokyo Electron, Ltd. | Reduced pressure and normal pressure treatment apparatus |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP10406485A patent/JPS61263212A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769952A (en) * | 1994-06-07 | 1998-06-23 | Tokyo Electron, Ltd. | Reduced pressure and normal pressure treatment apparatus |
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